本技術(shù)涉及oled器件，具體涉及一種透明導(dǎo)線結(jié)構(gòu)、oled器件及oled元胞結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

1、oled(organic?light-emitting?diode)，又稱為有機(jī)電激光顯示、有機(jī)發(fā)光半導(dǎo)體(organic?electroluminescence?display，oled)。oled屬于一種電流型的有機(jī)發(fā)光器件，是通過載流子的注入和復(fù)合而致發(fā)光的現(xiàn)象，發(fā)光強(qiáng)度與注入的電流成正比。oled在電場的作用下，陽極產(chǎn)生的空穴和陰極產(chǎn)生的電子就會發(fā)生移動，分別向空穴傳輸層和電子傳輸層注入，遷移到發(fā)光層。當(dāng)二者在發(fā)光層相遇時(shí)，產(chǎn)生能量激子，從而激發(fā)發(fā)光分子最終產(chǎn)生可見光。一般而言，oled顯示面板是由大量oled器件依照特定的排列方式組合形成的，器件和驅(qū)動ic之間采用對應(yīng)的引線進(jìn)行連接。隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，通過ito透明導(dǎo)體來實(shí)現(xiàn)屏幕的高透光率，以便于滿足屏下攝像等場景的需求的技術(shù)方案也隨之產(chǎn)生。

2、中國專利cn202010824634.4公開了一種典型的陣列基板及oled顯示面板，陣列基板包括有效顯示區(qū)，有效顯示區(qū)包括指紋識別區(qū)和非指紋識別區(qū)，所述陣列基板包括襯底基板、設(shè)于襯底基板上的多個(gè)薄膜晶體管以及設(shè)于多個(gè)薄膜晶體管上的多個(gè)陽極，其中，每一薄膜晶體管的柵極、源極以及漏極位于非指紋識別區(qū)，指紋識別區(qū)設(shè)置有透明導(dǎo)線，指紋識別區(qū)內(nèi)的每一陽極通過透明導(dǎo)線與其中一個(gè)薄膜晶體管連接。通過將指紋識別區(qū)的薄膜晶體管的金屬器件移出指紋識別區(qū)之外，僅保留陽極金屬在指紋識別區(qū)內(nèi)，并將連接陽極金屬和薄膜晶體管的信號線替換成透明導(dǎo)線，在極大程度上增加指紋識別區(qū)的透過率的同時(shí)，也能保證指紋識別區(qū)的正常顯示。

3、但是，在實(shí)際實(shí)施過程中，實(shí)用新型人發(fā)現(xiàn)，如圖1所示，該類技術(shù)方案，通常是在基板101和像素定義層102上的預(yù)定位置制備透明導(dǎo)線103，隨后再在其上方通過蒸鍍、濺射等方式形成陽極金屬層104，然后在要保留陽極金屬層104的區(qū)域上方添加光阻105，再通過刻蝕藥液選擇性去除部分陽極金屬，最終形成陽極金屬與透明導(dǎo)線的連接結(jié)構(gòu)。由于元胞結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)問題，往往會在光阻105的邊緣，預(yù)定要形成透明導(dǎo)線103與陽極金屬之間交界的位置上產(chǎn)生一定藥液累積，過量的藥液會導(dǎo)致過刻蝕，進(jìn)而使得陽極金屬層104下方的透明導(dǎo)線103也存在被刻蝕，進(jìn)而造成斷線的風(fēng)險(xiǎn)，導(dǎo)致了產(chǎn)品良率下降的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問題，現(xiàn)提供一種透明導(dǎo)線結(jié)構(gòu)；另一方面，還提供應(yīng)用了該透明導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的oled器件；另一方面，還提供基于該透明導(dǎo)線結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)的oled元胞結(jié)構(gòu)。

2、具體技術(shù)方案如下：

3、一種透明導(dǎo)線結(jié)構(gòu)，適用于oled器件，所述oled器件包括基板、形成于所述基板上方的平坦化層和形成于所述平坦化層上方的功能區(qū)域，所述功能區(qū)域的外側(cè)設(shè)置有布線區(qū)域，所述布線區(qū)域中用于形成所述透明導(dǎo)線結(jié)構(gòu)；

4、所述透明導(dǎo)線結(jié)構(gòu)包括：

5、透明引線層，所述透明引線層位于所述基板的上方；

6、電極金屬層，所述電極金屬層位于所述透明引線層的上方，所述電極金屬層連接至所述oled器件中；

7、所述電極金屬層在所述平坦化層上方的預(yù)定位置設(shè)置有阻擋區(qū)域，所述阻擋區(qū)域于俯視方向上覆蓋所述透明引線層。

8、另一方面，所述阻擋區(qū)域于俯視方向上呈矩形，所述阻擋區(qū)域自所述透明引線層的邊緣向外側(cè)分別延伸預(yù)定的阻擋間隔。

9、另一方面，所述阻擋間隔大于等于1.2um。

10、另一方面，所述平坦化層的橫截面呈梯形，所述透明引線層和所述電極金屬層沿所述平坦化層的斜面延伸至所述平坦化層的上方。

11、另一方面，所述透明導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的上方形成有發(fā)光定義層，所述發(fā)光定義層位于相鄰的所述oled器件之間。

12、另一方面所述電極金屬層連接所述oled器件的陽極或陰極。

13、一種oled器件，所述oled器件的陽極與上述的透明導(dǎo)線結(jié)構(gòu)連接。

14、一種oled元胞結(jié)構(gòu)，所述oled元胞結(jié)構(gòu)中包含多個(gè)oled器件，每個(gè)所述oled器件分別與上述的透明導(dǎo)線結(jié)構(gòu)連接。

15、另一方面，所述透明導(dǎo)線結(jié)構(gòu)呈折線形或者z字形或者幾字形。

16、另一方面，所述透明導(dǎo)線結(jié)構(gòu)連接于所述oled器件和控制單元之間；

17、所述透明導(dǎo)線結(jié)構(gòu)連接1-4個(gè)所述oled器件。

18、上述技術(shù)方案具有如下優(yōu)點(diǎn)或有益效果：

19、針對現(xiàn)有技術(shù)中的透明導(dǎo)線與電極之間的交界位置會因?yàn)樗幰豪鄯e導(dǎo)致過刻蝕的問題，本方案中，針對電極金屬層在透明導(dǎo)線結(jié)構(gòu)上的交界區(qū)域作出了改進(jìn)，形成了部分延伸至器件上方的阻擋區(qū)域。由于該阻擋區(qū)域延伸至了平坦化層的上表面，因此在加工時(shí)，對應(yīng)的光阻產(chǎn)生凹陷的部位也被推后至了平坦化層上方，相對于傳統(tǒng)的凹陷結(jié)構(gòu)不易造成藥液累積，降低了金屬層被過刻蝕的風(fēng)險(xiǎn)，從而實(shí)現(xiàn)了對下方的透明導(dǎo)線層的有效保護(hù)，避免斷線，提高了器件良率。

技術(shù)特征：

1.一種透明導(dǎo)線結(jié)構(gòu)，適用于oled器件，所述oled器件包括基板、形成于所述基板上方的平坦化層和形成于所述平坦化層上方的功能區(qū)域，所述功能區(qū)域的外側(cè)設(shè)置有布線區(qū)域，所述布線區(qū)域中用于形成所述透明導(dǎo)線結(jié)構(gòu)；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導(dǎo)線結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述阻擋區(qū)域于俯視方向上呈矩形，所述阻擋區(qū)域自所述透明引線層的邊緣向外側(cè)分別延伸預(yù)定的阻擋間隔。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的透明導(dǎo)線結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述阻擋間隔大于等于1.2um。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導(dǎo)線結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述平坦化層的橫截面呈梯形，所述透明引線層和所述電極金屬層沿所述平坦化層的斜面延伸至所述平坦化層的上方。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導(dǎo)線結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述透明導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的上方形成有發(fā)光定義層，所述發(fā)光定義層位于相鄰的所述oled器件之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的透明導(dǎo)線結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電極金屬層連接所述oled器件的陽極或陰極。

7.一種oled器件，其特征在于，所述oled器件的陽極與權(quán)利要求1-6任意一項(xiàng)所述的透明導(dǎo)線結(jié)構(gòu)連接。

8.一種oled元胞結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述oled元胞結(jié)構(gòu)中包含多個(gè)oled器件，每個(gè)所述oled器件分別與權(quán)利要求1-6任意一項(xiàng)所述的透明導(dǎo)線結(jié)構(gòu)連接。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的oled元胞結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述透明導(dǎo)線結(jié)構(gòu)呈折線形或者z字形或者幾字形。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的oled元胞結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述透明導(dǎo)線結(jié)構(gòu)連接于所述oled器件和控制單元之間；

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)涉及OLED器件技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種透明導(dǎo)線結(jié)構(gòu)、OLED器件及OLED元胞結(jié)構(gòu)，透明導(dǎo)線結(jié)構(gòu)包括：透明引線層，位于基板的上方；電極金屬層，位于透明引線層的上方且連接至OLED器件中；電極金屬層在平坦化層上方的預(yù)定位置設(shè)置有阻擋區(qū)域，阻擋區(qū)域于俯視方向上覆蓋透明引線層。有益效果在于：針對電極金屬層在透明導(dǎo)線結(jié)構(gòu)上的交界區(qū)域作出了改進(jìn)，形成了部分延伸至器件上方的阻擋區(qū)域。由于該阻擋區(qū)域延伸至了平坦化層的上表面，因此在加工時(shí)，對應(yīng)的光阻產(chǎn)生凹陷的部位也被推后至了平坦化層上方，相對于傳統(tǒng)的凹陷結(jié)構(gòu)不易造成藥液累積，降低了金屬層被過刻蝕的風(fēng)險(xiǎn)，從而實(shí)現(xiàn)了對下方的透明導(dǎo)線層的有效保護(hù)，避免斷線，提高了器件良率。

技術(shù)研發(fā)人員：王先葉,沈葉萍,彭思君
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海和輝光電股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240102
技術(shù)公布日：2024/12/19