本申請涉及電路設計，尤其涉及一種多功能電路。

背景技術：

1、當適配器發(fā)生掉電或拔掉電源時，會產生逆向電流，以及開關電源切斷時，經常會出現(xiàn)倒灌現(xiàn)象，導致電源或其他器件損壞。

2、目前的電路對設備進行供電時，如遇到上述情況，電路會斷電，設備會停止運行。醫(yī)療設備往往需要精密的電路設計和穩(wěn)定的電路性能，以確保設備的準確性和安全性。例如，如果一臺醫(yī)療設備的電路出現(xiàn)故障，可能會導致設備無法正常工作，甚至危及患者的生命安全。在工業(yè)生產中，電路的穩(wěn)定性對于生產過程的順利進行和工廠的安全至關重要。例如，如果一條生產線上的電路出現(xiàn)故障，可能會導致整個生產線停滯，影響產品的生產和交付。

3、因此，需要一種能夠保護電路不受損壞，從而保證設備的正常運行的多功能電路。

技術實現(xiàn)思路

1、本申請?zhí)峁┝艘环N多功能電路，解決了當適配器發(fā)生掉電或拔掉電源時，會產生逆向電流，以及開關電源切斷時，經常會出現(xiàn)倒灌現(xiàn)象，導致電源或其他器件損壞的問題。

2、本申請?zhí)峁┝艘环N多功能電路，包括防反接倒灌電路和開機限流電路；所述防反接倒灌電路包括第一nmos晶體管并聯(lián)電路、高壓二極管控制器和開關二極管；所述開機限流電路包括積分電路、第一電容和第二nmos晶體管并聯(lián)電路；所述高壓二極管控制器的輸入端通過所述第一nmos晶體管并聯(lián)電路與正輸入端連接，所述高壓二極管控制器的輸出端分別與所述積分電路的輸入端和所述第一電容的一端連接；所述高壓二極管控制器通過所述開關二極管與負輸入端連接；所述積分電路的輸出端與所述第二nmos晶體管并聯(lián)電路的控制端連接；所述第二nmos晶體管并聯(lián)電路的第一輸入端與所述第一電容的另一端連接。

3、在一種可能的實現(xiàn)方式中，所述第一nmos晶體管并聯(lián)電路包括至少四個第一nmos晶體管；至少四個所述第一nmos晶體管之間并聯(lián)；至少四個所述第一nmos晶體管的源極一端均相互連接，被配置為與所述正輸入端連接的所述第一nmos晶體管并聯(lián)電路的輸入端；至少四個所述第一nmos晶體管的漏極一端均相互連接，被配置為與所述積分電路輸入端連接的所述第一nmos晶體管并聯(lián)電路的輸出端；至少四個所述第一nmos晶體管的柵極相互連接并與所述高壓二極管控制器的控制端連接。

4、在一種可能的實現(xiàn)方式中，所述積分電路包括第二電容和第三電阻；所述第二電容與所述第三電阻并聯(lián)。

5、在一種可能的實現(xiàn)方式中，還包括穩(wěn)壓二極管；所述穩(wěn)壓二極管與所述第二電容和第三電阻并聯(lián)。

6、在一種可能的實現(xiàn)方式中，所述第二nmos晶體管并聯(lián)電路包括第四電阻和至少四個第二nmos晶體管；所述第四電阻和至少四個所述第二nmos晶體管之間并聯(lián)；至少四個所述第二nmos晶體管的源極一端均相互連接，被配置為與所述負輸入端連接的所述第二nmos晶體管并聯(lián)電路的輸出端；至少四個所述第二nmos晶體管的漏極一端均相互連接，被配置與所述第一電容連接的所述第二nmos晶體管并聯(lián)電路的輸入端；至少四個所述第二nmos晶體管的柵極相互連接并與所述積分電路連接。

7、在一種可能的實現(xiàn)方式中，還包括第一電阻和第二電阻；所述第一電阻和第二電阻并聯(lián)于所述第一nmos晶體管并聯(lián)電路與所述積分電路之間。

8、本申請實施例中提供的一個或多個技術方案，至少具有如下技術效果或優(yōu)點：

9、本申請實施例提供的一種多路輸入主從供電選通電路，包括防反接倒灌電路和開機限流電路，防反接倒灌電路包括第一nmos晶體管并聯(lián)電路、高壓二極管控制器和開關二極管，開機限流電路包括積分電路、第一電容和第二nmos晶體管并聯(lián)電路，高壓二極管控制器的輸入端通過第一nmos晶體管并聯(lián)電路與正輸入端連接，高壓二極管控制器的輸出端分別與積分電路的輸入端和第一電容的一端連接，高壓二極管控制器通過開關二極管與負輸入端連接，積分電路的輸出端與第二nmos晶體管并聯(lián)電路的控制端連接，第二nmos晶體管并聯(lián)電路的第一輸入端與第一電容的另一端連接。解決了當適配器發(fā)生掉電或拔掉電源時，會產生逆向電流，以及開關電源切斷時，經常會出現(xiàn)倒灌現(xiàn)象，導致電源或其他器件損壞的問題。

技術特征：

1.一種多功能電路，其特征在于，包括防反接倒灌電路(1)和開機限流電路(2)；

2.根據(jù)權利要求1所述的多功能電路，其特征在于，所述第一nmos晶體管并聯(lián)電路(11)包括至少四個第一nmos晶體管(111)；

3.根據(jù)權利要求1所述的多功能電路，其特征在于，所述積分電路(21)包括第二電容(211)和第三電阻(212)；

4.根據(jù)權利要求3所述的多功能電路，其特征在于，還包括穩(wěn)壓二極管(5)；

5.根據(jù)權利要求1所述的多功能電路，其特征在于，所述第二nmos晶體管并聯(lián)電路(23)包括第四電阻(233)和至少四個第二nmos晶體管(234)；

6.根據(jù)權利要求1所述的多功能電路，其特征在于，還包括第一電阻(6)和第二電阻(7)；

技術總結
本申請實施例提供的一種多功能電路，防反接倒灌電路包括第一NMOS晶體管并聯(lián)電路、高壓二極管控制器和開關二極管；開機限流電路包括積分電路、第一電容和第二NMOS晶體管并聯(lián)電路；高壓二極管控制器的輸入端通過第一NMOS晶體管并聯(lián)電路與正輸入端連接，高壓二極管控制器的輸出端分別與積分電路的輸入端和第一電容的一端連接；高壓二極管控制器通過開關二極管與負輸入端連接；積分電路的輸出端與第二NMOS晶體管并聯(lián)電路的控制端連接；第二NMOS晶體管并聯(lián)電路的第一輸入端與第一電容的另一端連接。解決了當適配器發(fā)生掉電或拔掉電源時，會產生逆向電流，經常會出現(xiàn)倒灌現(xiàn)象，導致電源或其他器件損壞的問題。

技術研發(fā)人員：劉旭,薛紅兵,郭耀江
受保護的技術使用者：中電科瑞志電源技術（西安）有限公司
技術研發(fā)日：20240301
技術公布日：2024/11/18