專利名稱:基板等離子除靜電工藝的制作方法
技術領域：
本發(fā)明屬于液晶顯示器制造工藝，尤其涉及一種基板等離子除靜電工藝。
背景技術：
在液晶顯示器制造工藝中，由于基板在制造過程中不可避免地會產生摩擦，和/或在帶有電荷的溶液中進行蝕刻和清洗，達到一定程度，基板上就帶有大量的靜電荷。而這些基板由于帶有大量的靜電荷，從而影響后一步工藝，所以基板上的電荷必須除去。
現有技術中的干刻設備通常使用等離子除靜電工藝處理基板上的靜電。等離子除靜電工藝為在O2氣流量800標準毫升分下，RF(射頻)功率500瓦下，壓力6.67帕下，支撐銷高度為20mm下，用帶正電的陶瓷電極對三層CVD/Cr/PR/D-WE基板[該基板為先經過三層化學氣相沉積(CVD)，再進過Cr處理，接著進行光阻(PR)處理，最后經蝕刻(D-WE)處理的基板]進行處理5秒鐘。由于支撐銷是從四周將基板頂起懸空進行除電，基板中心由于無支撐銷不能完全懸空脫離下部電極表面(四周銷上升高度20mm)，從而有靜電破壞現象發(fā)生，影響后一部工序，最終影響產品合格率。

發(fā)明內容本發(fā)明針對現有技術中除靜電不充分而造成靜電破壞問題，提供一種基板等離子除靜電工藝，在該工藝中，支撐銷從四周將基板頂起懸空進行除電，其特征在于該支撐銷的高度調節(jié)至40mm。
本發(fā)明通過改變支撐銷的高度來有效充分地將基板中所帶靜電除去，以解決除靜電不充分而造成靜電破壞問題。
本發(fā)明的積極進步效果在于通過改善等離子除電工序中支撐銷高度，以避免基板未進行充分除電而造成靜電破壞，提高產品的合格率。
具體實施方式實施例1在O2氣流量為800標準毫升分下，RF功率500瓦下，壓力6.67帕下，支撐銷高度分別為20mm和40mm下，用帶正電的陶瓷電極將三層CVD/Cr/PR/D-WE基板處理5秒鐘，各基板靜電破壞發(fā)生率如表1所示。
表1 發(fā)生靜電破壞的基板枚數和靜電破壞發(fā)生率
結果表明支撐銷高度20mm條件下，靜電破壞現象較嚴重；在支撐銷高度40mm條件下，可以顯著改善靜電破壞現象，可以提高產品合格率。
實施例2在O2氣流量為800標準毫升分下，RF功率500瓦下，壓力6.67帕下，支撐銷高度分別為20mm和40mm下，用帶正電的陶瓷電極將若干枚三層CVD/Cr/PR/D-WE基板各處理5秒鐘，各基板靜電破壞發(fā)生率如表2和表3所示。
表2 在支撐銷高度為20mm下發(fā)生靜電破壞的基板枚數和靜電破壞發(fā)生率
表3 在支撐銷高度為40mm下發(fā)生靜電破壞的基板枚數和靜電破壞發(fā)生率
結果表明支撐銷高度20mm條件下，靜電破壞現象較嚴重；在支撐銷高度40mm條件下，可以顯著改善靜電破壞現象，可以提高產品合格率。
結論應用上述試驗數據及實際平均靜電破壞發(fā)生率，可以得出通過改善支撐銷的高度，有效抑制了由等離子除靜電不充分造成的靜電破壞問題的發(fā)生。
權利要求
1.一種基板等離子除靜電工藝，在該工藝中，支撐銷從四周將基板頂起懸空進行除電，其特征在于該支撐銷的高度調節(jié)至40mm。
專利摘要
本發(fā)明公開了一種基板等離子除靜電工藝，在該工藝中，支撐銷從四周將基板頂起懸空進行除電，其特征在于該支撐銷的高度調節(jié)至40mm。本發(fā)明對支撐銷的上升高度進行改善，有效解決了除靜電不充分而造成靜電破壞的問題。
文檔編號G02F1/13GK1997254SQ200510112272
公開日2007年7月11日 申請日期2005年12月28日
發(fā)明者汪建平 申請人:上海廣電Nec液晶顯示器有限公司導出引文BiBTeX, EndNote, RefMan