專利名稱:調(diào)諧振蕩器的制作方法
工業(yè)應用范圍本發(fā)明是關于在收音機、電視機等等中的調(diào)諧電路內(nèi)作為本機振蕩器使用的調(diào)諧振蕩器和在光譜分析儀、微波測試儀器等中的掃描振蕩器。
背景技術：
及其存在的問題在現(xiàn)有技術中，這樣的振蕩器使用釔鐵石榴石體卽YIG球(這里YIG表示釔、鐵和榴子石，但其中可能含有各種類型的添加劑)(它已在日本專利申請，號為32671/1978的出版文件中公開了)，這類YIG球具有各種不同的特性，例如在微波頻帶高端，有高的共振特征Q值;由于它的共振頻率和YIG的體積無關，因此在在外形尺寸上能做得很小;在改變加到Y(jié)IG球上的偏置磁場時，它的響應頻率可在寬帶內(nèi)線性地改變;等等。
然而由于在振蕩器內(nèi)使用YIG球，上述的振蕩器也有不足之處，這樣的調(diào)諧振蕩器很難集中構(gòu)成在MIC(薄膜混合微波集成電路)的基片上，因此結(jié)構(gòu)上的靈活性就減少了。近而，這樣的YIG調(diào)諧振蕩器一方面必須通過調(diào)整導線和構(gòu)成YIG球偶合環(huán)的帶狀物實現(xiàn)匹配，而另一方面又必須通過調(diào)整偶合環(huán)和YIG體之間的位置實現(xiàn)匹配，致使該調(diào)諧振蕩器極易受振動的影響。
發(fā)明的主題考慮到上述問題，本發(fā)明必須提供一個能改進上述缺點的調(diào)諧振蕩器。
發(fā)明概述本發(fā)明提供一個調(diào)諧振蕩器，它包括了一個有源元件，一個由利用鐵磁共振現(xiàn)象的磁材料做成的，和有源元件電氣連接的共振器及一個給共振器提供磁場的磁路，在這種情況下，利用薄膜形成技術，共振器是由YIG(釔、鐵和榴子石)薄膜磁共振元件構(gòu)成的;并且利用了在YIG薄膜內(nèi)的均勻模式的鐵磁共振。
實施例現(xiàn)在依本發(fā)明，調(diào)諧振蕩器的實施例借助插圖，進一步地描述。
在本實施例中，如圖1所示，提供了一個由磁性材料，例如坡莫合金等構(gòu)成的磁軛1，其中包括了磁隙3磁隙2，在磁隙2中放置著含在基片3內(nèi)振蕩電路。線圈6至少繞在磁極4和5所的一個上，磁極相對放置形成鐵軛1的磁間隙2，而變化的電流饋送到線圈6，從而完成了變化磁場的提供裝置。
圖2是包含振蕩電路的基片3實際結(jié)構(gòu)示例的平視圖，而圖3是圖2中沿線A-A的斷面圖。如圖2和圖3所示，在用材料，例如氧化鋁等形成的介電基片31的第一主表面上形成地線導體32，在介電基片31的第二個主表面形成微帶線33，它的一端通過連接導體34到地線導體32，微帶線33和YIG薄膜磁共振元件35是進行電磁偶合，YIG薄膜磁共振元件35構(gòu)成如下，使用薄膜形成工藝，例如濺射，化學氣相沉積法(CVD法)，液相外延生長法(LPE法)等等，例如在GGG(釔鎵榴子石)基片36上的二主表面上形成鐵磁材料YIG薄膜，和在它的上而相形，例如通過照像工藝在YIG薄膜上形成園形圖形，在圖2和3中標號37表示雙極高頻體管，標號38表示阻抗匹配電路，標號39表示直流單元MOS(金屬氧化物半導體)電容，在本實施例中雙極型晶體管37的基極B通過具有電抗線41連接到和接地板32相耦合的地線墊片40，發(fā)射極E連接到Y(jié)LG薄膜磁諧振元件35側(cè)面，而集電極C連接到阻抗匹配電路38側(cè)面，這樣就構(gòu)成了其基極串聯(lián)反饋振蕩器。
使用YIG薄膜磁共振元件作為共振器，振蕩電路的振蕩原理，振蕩條件等將進一步簡述。此外使用共振器的振蕩電路或YIG薄膜磁振蕩元件35，不僅輸出電路部分而且反饋電路都將進一步描述。圖4A和4B示出該振蕩電路的方框圖，在圖4A和B中，標號42為YIG薄膜共振電路，標號43為負阻電路，標號44為阻抗匹配電路和標號45為負載，在圖4B中標號46為負載阻抗，它包括了匹配電路的阻抗。
在圖4，Ty表示向YIG薄膜共振電路側(cè)看進去的，即YIG反饋電路側(cè)的反射系數(shù)而TN表示從有源元件側(cè)看進去的，即從端點A向負阻電路側(cè)看進去的反射系數(shù)，它們可以用從端點A分別看進去的，它們阻抗Zy和ZA在下面的公式中表示Ty＝ (Zy-ZO)/(Zy+ZO) ……(1)TN＝ (ZN-ZO)/(ZN+ZO) ……(2)
這里Zo表示電路的特性阻抗(50Ω)穩(wěn)定振蕩條件可以使用反射系數(shù)Ty和TN表示為TyTN＝1 …(3)由于反射系數(shù)Ty和TN均為多數(shù)，方程式(3)可以改寫如下，如果分別對應幅度和相位｜Ty｜｜TN｜ej(θy+θN)＝1即 ｜Ty｜｜TN｜＝1…(4) θy+θN＝0 …(5)由于YIG反饋電路作為無源元件電路具有有源等效電阻相應于YIG薄膜共振器的損耗，在方程式(1)中產(chǎn)生了｜Ty｜＜1，依次，為建立由方程式(4)給出的振蕩條件，｜TN｜＞1的條件必須建立，然而公式(2)可以這樣想解阻抗ZN必須具有負阻特性。
在圖4中負阻電路43可以是2端有源元件作為負阻元件，或者由三端有源元件或反饋元件構(gòu)成，在圖2和3的例中使用高頻雙極晶體管做為三端有源元件，在圖5中示出共基極串聯(lián)反饋型振蕩電路，在圖5中注明的字母X表示電抗反饋電路。
雖然描述了振蕩電路的穩(wěn)定振蕩條件，但必須建立下述條件，至使振蕩電路起振。
｜Ty｜｜TNS｜＞1 …(6)即｜Ty｜＞ 1/(｜TNS｜) …(7)這里TNS是TN在小信號時的TN值，當振蕩電路開始起振時，有源元件在大幅度下工作，負阻的絕對值變小1/｜TN｜開始逐漸變大，當方程式(2)建立時，振蕩電路的振蕩開始進入穩(wěn)定狀態(tài)，在上述解釋的基礎上，YIG振蕩電路的工作原理將借助于圖6的史密斯園圖簡述。
如圖6所示，當在小信號時，信號幅度小，1/TN是在曲線C的狀態(tài)上，它相應靠近史密斯園圖的內(nèi)部，當有源元件工作在大幅度時，它經(jīng)歷的狀態(tài)由曲線D表示，移動方向用箭頭表示。
結(jié)合圖2及圖3所描述的YIG振蕩電路中，YIG薄膜磁諧振元件35并不諧振，它僅僅是微帶線的末端部短路，使Ty成為在圖5中用A所示的弧線表示，從圖6中可以清楚地看出，由于反射系數(shù)TN具有幅度，因此，不能滿足由方程(5)所給出的起振相位條件，因此，也就不能產(chǎn)生振蕩。
如果YIG薄膜磁諧振元件35放置在直流磁場內(nèi)，則在頻率f1和f0處產(chǎn)生諧振，諧振頻率在f0附近，反射系數(shù)Ty所出軌跡如圖6中B所示，在這時，在頻率f0附近，在這時由公式(7)給出的起振幅度條件和由公式(5)給出的起振相位條件同時滿足，因而起振。當振蕩開始時1/TN從圖6中的曲線C移動到曲線D，與此同時，方程式(4)和(5)確定了振動頻率f0，使得振蕩器電流在振蕩頻率f0上穩(wěn)定地工作。
如果在此原則下，在改變外加DC磁場電壓時YIG薄膜元件35的諧振頻率，從f1到f2范圍內(nèi)變化，可以調(diào)節(jié)振蕩電路在諧振頻率附近的頻率范圍內(nèi)調(diào)節(jié)。
在本實施例中，諧振器是由通過薄膜制造工藝制成的YIG薄膜磁諧振元件構(gòu)成的，在這種情況下，需抑制偽響應(磁模式)，更具體地而言，由單晶球制成的磁諧振元單(YIG單晶球)具有優(yōu)點，靜磁模式，激勵困難，而單獨的共諧振模式可通過均勻進動模式得到，由YIG薄膜做的磁共振元件，在另一方面具有優(yōu)點，盡管它放置在作好的高頻均勻磁場中，靜磁模激勵是因為在DC磁場內(nèi)部是不均勻的，當直流磁場垂直地把施加到由鐵磁材料做成的盤形試樣表面時，所呈現(xiàn)的磁模的分析出現(xiàn)在文獻中(應用物理學雜志，卷48，1977.7.3001-3007頁)，其中每一種模式用(nN)m圖表表示，這(nN)圖表在園周方向有n波節(jié)，在半徑方面有N波節(jié)，在厚度方向上有(m-1)波節(jié)，穿過整個試樣的高頻磁場的均勻性是極好的，(1，N)系列成為主要的靜磁模。
圖7示出了在9GHz頻率下，在空腔諧振器中測試的園形YIG薄膜鐵磁響應結(jié)果，其中(1，N)1靜磁模式系列受強烈，當上述的微波元件例如濾波器或類似的是這個試樣構(gòu)成時，使用了均勻模式靜磁模(1，1)1系列，在這時其它所有靜磁模都將是偽響應，這樣就擔心會形成偽響應和模式跳變，這樣就期望能提供一種能夠抑制產(chǎn)生不需要的偽響應的磁模式但卻不損壞均勻模式，以配用以鐵磁材料薄膜(YIG薄膜)做成的磁響應材料，這將在以后描述。
圖8給出內(nèi)部直流磁場Hi的狀態(tài)，當DC磁場垂直加在一塊厚度為t，直徑為D(半徑為R)的YIG園形薄膜上時，在這種情況下，它以厚度直徑比t/D是足夠小，在試樣厚度方向的磁場分布可忽略，由于去磁場在盤型內(nèi)是大的而在其外邊緣部位突然變小，使得內(nèi)部直流磁場在靠近中心處是小的，而在靠近外部邊緣開始突然變大，根據(jù)上述文獻分析的結(jié)果，如果r/R的比值在Hi＝w/r處取為§，靜磁模處于在O≤r/R≤§之間，w是靜磁模諧振時的角頻率，γ是旋磁化，當磁場固定時，諧振頻率隨著模數(shù)N增加而變大，至使靜磁模式或區(qū)域逐漸延伸到圖9A中所示的外部，圖9B示出對應(1，N)1模三種低次模試樣高頻磁化分量分布，這里絕對值表示高頻磁化元件的幅度標號表示了高頻磁化分量的相位關系，從圖9中可以清楚看出，高頻磁化分量在靜磁模中變得不多，如果利用這一點，就有可能抑制產(chǎn)生偽響應磁模的激勵，而不對均勻模式產(chǎn)生影響。
實際上，如圖10所示，環(huán)形槽53，例如可以通過選擇性腐蝕工藝在YIG薄膜磁共振元件52上構(gòu)成，例如，在GGG基片51形成的盤型提供了環(huán)形部分，在這種情況下，YIG薄膜磁共振元件52在其厚度上可以做得足夠小，而靜磁模在這種情況下是(1，N)1模。
在(1，1)1模高頻磁化分量變?yōu)镺處，形成的槽53和元件52同軸，槽53可以連續(xù)的也可以間斷地構(gòu)成，在圖11中所示的構(gòu)形中，由槽53所環(huán)繞的范圍可以比它的外面部分薄，在這種情況下，在緊靠著槽53的內(nèi)面積，去磁場增加，因此去磁場在這個面積內(nèi)將基本上均勻，換言之，如圖9A虛線所示，在半徑方向較寬的范圍內(nèi)，直流磁場基本上是均勻的。
這樣可以抑制除均勻模以外其它靜磁模的激勵。
這樣磁共振元件中槽53扼制磁化，在這種情況下，由于槽放置在(1，1)1模高頻磁化分量變?yōu)镺的位置，并不影響激勵(1，1)1模，另一方面槽53放置的位置，對其它靜磁模而言高頻磁化分量并不為O，這樣磁化高速部分地完成，其結(jié)果是，這些模的激勵是弱的使能抑制偽響應而不破壞均勻模成為可能。
由于在YIG薄膜(見圖9B)中高頻磁化分量的分布完全不依賴試樣飽和磁化的幅度，并同樣也不大依賴厚度半徑比，甚至當飽和磁化和鐵磁層52的厚度是不同時，也無須改變槽53與此相應的位置。
依實驗用YIG薄膜做半徑1mm，厚度為20μm的YIG薄膜元件，并在上面形成深2μm，半徑為0.8mm的槽53，使用微帶線測試其鐵磁諧振頻率，圖12示出插入損耗的測試結(jié)果，空載Q值是775。
在園形YIG薄膜諧振元件中(1，1)1模高頻磁化分量在r/R＝0.8處為0。
進一步考慮由同樣YIG薄膜制成的半徑為1mm厚度為20μm(不具有槽的)YIG薄膜元件，使用微帶線測試鐵磁諧振。
在圖13中示出當時插入損耗的測試結(jié)果，未加載的Q值是660。根據(jù)上述的比較很容易理解，依本實施例除了(1，1)l模外靜磁膜可以被抑制，這樣也就抑制了偽響應。
在此均勻模不受損害，未加載的Q值也不會受損。
在由YIG薄膜磁諧振元件中，其它一些結(jié)構(gòu)也能抑制可能產(chǎn)生偽響應的靜磁模激勵，即鐵磁薄膜，可以考慮形成它的內(nèi)部區(qū)域比它的外部區(qū)域薄。下面將具體描述。當直流磁場DC施加到厚度為t，直徑為D(半徑為R)的YIG園形薄膜，并且垂直地作用在該薄膜表面。內(nèi)DC磁場Hi可表示為Hi＝Hd(r/R)-Ha其中Hd是去磁場，Ha是各向異性的磁場。在這種情況下，厚度/直徑比率t/D是足夠小，試樣在厚度方向的磁場分布可以忽略。厚度為20μm半徑為1mm的YIG園盤去磁場的計算結(jié)果在圖14中示出。由于去磁場Hd在園盤的內(nèi)部是大的，而在其邊緣部分突然變小，而內(nèi)部直流磁場在靠近中心部分是小的，而在靠近外部邊緣部分突然變大。在半徑為0.8mm的同一個YIG薄膜內(nèi)部區(qū)域的薄膜厚度減少1μm時，去磁場分布的計算結(jié)果如圖15所示。從圖15中可以看出當內(nèi)部面積的厚度略微薄一點時，去磁場靠近厚度被減小的面積的邊緣部分增加一點，并且去磁場的平坦區(qū)域擴大了。
依上面所述，當YIG薄膜元件的內(nèi)部面積在厚度上比它的外部面積的厚度減小一些時，在內(nèi)部面積的去磁場的平坦區(qū)域加寬，致使能抑制產(chǎn)生偽響應的靜磁模。例如，如圖16所示，在GGG基片51上形成由鐵磁材料組成的YIG薄膜元件52。在YIG薄膜元件52的外表面上形成凹部分54，使得內(nèi)部面積的厚度比外部面積的厚度要小。而YIG薄膜52的厚度做得足夠薄，使得在厚度方向上的磁場分布均勻，此時靜磁模是(1，N)l模。
凹部分54一直沿伸到這樣的位置，使得產(chǎn)生偽響應的靜磁模的激勵能夠有效地抑制。最好選在這樣的位置，在此處(1，1)l模的幅度變?yōu)?，例如當YIG薄膜元件52是形狀上是園形時，凹部分54延伸到直徑的0.75-0.85倍。
依實驗，在厚度為20μm，半徑為1mm的YIG薄膜磁諧振元件上同心形成的半徑為0.75mm，深為1.7μm的園形凹部分54上使用微帶線測試其鐵磁諧振。圖17示出插入損耗的測試結(jié)果。此時的空Q值是865。
由于磁諧振元件，例如YIG薄膜元件的諧振頻率依從于元件的飽和磁化強度，諧振頻率直接受到飽和磁化強度的溫度特性影響。如果上述的諧振器電路使用YIG薄膜元件，諧振頻率將受到，例如周圍環(huán)境溫度的影響而發(fā)生故障。為了避免出現(xiàn)這種情況，例如至少在鐵軛1的磁極4和5中的一個配有一個和YIG薄膜元件52溫度特征相同材料制成的軟磁板。依磁板在磁隙2內(nèi)磁場的依從性補償YIG薄膜元件本身的溫度依從性，使得YIG薄膜元件隨溫度變化特性減少了。
按照本實施例，在磁極4和5之間產(chǎn)生的磁通可以隨著施加到線圈6電流的變化而改變，這樣也就改變了振蕩頻率。在這樣的條件下，振蕩頻率的最小頻率fmin可以給出fmin＝γ(NT·4πMS+HS)γ是旋磁比，NT是去磁系數(shù)。
MS是飽和磁化強度，HS是飽和磁場。
由于YIG球的NT為NT＝1/3，而YIG薄膜設為NT＜＜1。使用YIG薄膜調(diào)諧振蕩器的變化頻率低限要比用YIG球的調(diào)諧振蕩器的低限要低得多。如果實加的直流磁場逐漸變化，主磁膜(110)和其它靜磁膜在頻率上會偶然變得相同并產(chǎn)生偽振蕩和調(diào)諧偏差。使用本實施例的YIG薄膜調(diào)諧振蕩器，當直流磁場變化時，(1，N)l模也都在頻率上相同地變化，沒有模相互交叉，沒有造成這樣的損壞。一般而言，如果在由塊hulk)制造的YIG園盤板的兩面沒有鏡面拋光，則未加載Q值不能增加。
另一方面，由薄膜形成工藝生產(chǎn)的YIG薄膜不要求鏡面拋光。
使用薄膜形成工藝生產(chǎn)的YIG薄膜一方面不須要鏡面一拋光，GGG基片作為調(diào)諧振蕩器的基片。
近而，由于N＝1的均勻模，即YIG薄膜的靜磁模的主模被作用，未加Q值因此是高的，并且SSB(單邊帶)噪音可以減低。再者，由于外Q值能被降低，展寬變化頻率振蕩區(qū)域是可能的。另外，據(jù)本實施例，使用YIG薄膜，沒有上述在YIG球中的固有缺點。
圖18至25分別示依本發(fā)明的調(diào)諧振蕩器其它實施例。在18圖至25圖中元件相應的部分使用了相同的標號，并且不再詳細地描述了。在圖18至22中給出的實施例中，調(diào)諧振蕩器電路使用雙極型晶體管37作為有源元件。在圖23到25示出的實施例中，調(diào)諧振蕩器電路使用二端元件例如甘氏二極管，雪崩二極管或類似的器件作為有源元件。
圖18示出圖5的改進例子，其中偶和帶線33通過特性阻抗Z。接地，在圖18的調(diào)諧振蕩器電中，當YIG薄膜磁諧振元件35不諧振時，γy＝O即γy為史密斯園圖的中心，這樣啟動振蕩的幅度條件并不成立。這樣寄生振蕩的可能性是非常小的。
圖19示出調(diào)諧振蕩器的實例，其中YIG薄膜磁諧振元件35多層狀形成在兩偶合微帶線33和33a之間，晶體管37的發(fā)射極通過微帶線33接地，而晶體管37的基極通過帶線33a接地。在圖19的例中，YIG薄膜磁諧振元件35作為帶通濾波器確定在不作為輸出回路的反饋電路中，其中當YIG薄膜磁諧振元件35諧振時，加正反饋，確立｜γN｜＞1的條件。
特別是連接到基極和發(fā)射極帶線中的一個特性阻抗ZO端接時，寄生振蕩的可能性就變小了。
圖20示出調(diào)諧振蕩器電路實例，其中晶體管37發(fā)射極通過電抗X1接地，晶體管37基極通過電抗電路X3接地，晶體管37集電極通過YIG磁諧振元件35的微帶線耦合的串聯(lián)，阻抗區(qū)配電路38和負載45接地。這時YIG薄膜磁諧振元件作為帶阻濾波器放置在輸出端。在YIG諧振頻率時信號一部分反饋到負阻電路，這樣的調(diào)諧振蕩器以自注入阻塞型振蕩器工作。
圖21示出一調(diào)諧振蕩器實例，其中YIG薄膜磁諧振元件35片夾在微帶耦合線33和33a之間，晶體管37的集電極通過微帶線33a接地，輸入端阻抗匹配電路38通過微帶線33接地，而電路的其它部分類似圖20的實例。這時，YIG薄膜磁諧振元件作為帶通濾波器放置在輸出端，如果YIG薄膜磁諧振元件不諧振，負載45短路，振蕩的相位條件不成立。而當YIG薄膜磁諧振元件諧振時，負載45和阻抗匹配電路38可視為通過該YIG薄膜磁元件35，這樣就滿足了振蕩條件。
圖22示出調(diào)諧振蕩器電路一實例，其中圖5的調(diào)諧振蕩器電路構(gòu)成并聯(lián)反饋振蕩器。在圖20和21中的調(diào)諧振蕩器實例均能形成相應的并聯(lián)反饋振蕩器電路。
圖23示出一調(diào)諧振蕩器電路，其中YIG薄膜磁諧振元件35微帶耦合線33的一端通過兩端有源元件37a接地，而微帶線33的另一端通過阻匹配電路38和負載45的串聯(lián)電路接地，相應從A端看進去γN和γr，建立了前述的振蕩條件。這時，YIG薄膜磁諧振元件35作為帶阻濾波器放置在輸出帶，在YIG諧振頻率時信號的一部分反饋到兩端有源元件37a，使這個調(diào)諧振蕩器電路工作在所謂的自注入阻塞型振蕩器下。
圖24示出一調(diào)諧振蕩器實例，其中YIG薄膜磁振元件35的微帶耦合線33的一端接地，而這微帶線的另一端通過2端有源元件37a接地和通過阻抗匹配電路38和負載45的串聯(lián)電路接地。在圖24中，在圖4中的負阻電路43是2端有源元件37a。
圖25示出一調(diào)諧振蕩器實例，其中YIG薄膜磁振元件35是片夾在兩個微帶耦合線33和33a之間，兩端有源元件37a一端接地，而另一端通過微帶線33a接地，在阻抗匹配電路38的輸入端通過微帶線33接地，其它部分和圖23相似。在這種情況下，YIG薄膜磁諧振元件作為帶通濾波器放置在輸出端，如果YIG薄膜磁諧振元件35不諧振，則負載45短路，因此振蕩的相位條件不成立。如果YIG薄膜磁諧振元件35諧振了，則負載45和阻抗匹配電路38可視為通過YIG薄膜磁諧振元件35，這樣建立了振蕩條件。
利用本發(fā)明的振蕩器電路并不局限上述的實施例，其它的振蕩器電路當然也可以用在本發(fā)明上。在上述的實施例中，雙極型晶體管作為三端有源元件使用，無須說場效應有源晶體管也可以作為三端有源元件使用。進而，也不需說本發(fā)明并不局限在上述的實施例而能包括不超出本發(fā)明范圍的各種改型和變化。
發(fā)明的效果依本發(fā)明，由于通過所謂的薄膜形成工藝、諧如液相外延生長技術，噴濺，化學液相生長工藝等形成YIG薄膜磁諧振元件被使用作為共振器，能充分有效利用YIG，并且球易損壞的缺點得到改進。
簡潔描述插圖圖1是依本發(fā)明調(diào)諧振蕩器實施例的斷面圖;
圖2是振蕩器電路實際結(jié)構(gòu)的平面圖;
圖3是沿圖2線A-A的剖面圖;
圖4是闡述振蕩電路的方框圖;
圖5是振蕩器電路例方柜圖;
圖6是簡述振蕩原理的史密斯園圖;
圖7、8、9、12、13、14、15和17是分別簡述本發(fā)明的圖表;
圖10、16是簡述YIG薄膜磁振蕩元件的方體圖;
圖11是圖10的斷面圖;
圖18至25是依本發(fā)明的各種振蕩電路的實施例。
標號1表示鐵軛，2表示空氣隙，3表示振蕩電路基片，4和5分別表示磁極，6表示線圈，33是微帶線，35是YIG薄膜磁共振元件，37是晶體管，38是阻抗匹配電路。
權(quán)利要求
調(diào)諧振蕩器包括有源元件，一個利用鐵磁共振現(xiàn)象制成的和有源元件進行電氣聯(lián)接的共振器，和給共振器提供磁場的磁路，其特征是共振器是利用薄膜形成工藝制成的YIG薄膜磁共振元件組成的，并利用了在YIG薄膜內(nèi)的均勻模鐵磁共振。
專利摘要
公開的調(diào)諧振蕩器包括有源元件，電氣連接到有源元件的諧振器，并且是由利用鐵磁共振現(xiàn)象制成的和提供磁場到共振器的磁路。共振器是利用薄膜形成工藝制成的YIG薄膜磁共振元件組成的，并且利用了在YIG薄膜內(nèi)的均勻模鐵磁共振，并在磁路外加磁場下工作。
文檔編號H03J3/00GK85101664SQ85101664
公開日1987年1月17日 申請日期1985年4月1日
發(fā)明者村上義和, 伊藤誠吾, 山田敏郎 申請人:索尼公司導出引文BiBTeX, EndNote, RefMan