專利名稱：電子定時(shí)開(kāi)關(guān)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種無(wú)觸點(diǎn)式電子開(kāi)關(guān)，為一種電子定時(shí)開(kāi)關(guān)，能使電光源或電器啟動(dòng)后，工作一定時(shí)間自行關(guān)閉。
現(xiàn)有的定時(shí)開(kāi)關(guān)通常是由單向可控硅觸發(fā)電路、延時(shí)電路、整流電路組成，在按下機(jī)械開(kāi)關(guān)后，觸發(fā)電路將可控硅觸發(fā)，使光源或電器接通，經(jīng)一定延時(shí)后，可控硅由導(dǎo)通變?yōu)榻刂?，使光源或電器斷路，如CN86205297所公開(kāi)的“節(jié)能延時(shí)開(kāi)關(guān)”。但由于單向可控硅由導(dǎo)通變成截止需要一定的過(guò)渡時(shí)間，所以現(xiàn)有的延時(shí)開(kāi)關(guān)的開(kāi)、閉的靈敏性較差，不適用于定時(shí)要求比較精確的電器，而且其延時(shí)時(shí)間隨所帶負(fù)載的功率的大小而變化，不能做到定時(shí)的準(zhǔn)確。
本實(shí)用新型的目的為提供一種開(kāi)、關(guān)靈敏性高，定時(shí)準(zhǔn)確且定時(shí)不隨負(fù)載而變化的電子定時(shí)開(kāi)關(guān)。
本實(shí)用新型是采用如下措施實(shí)現(xiàn)的該電子定時(shí)開(kāi)關(guān)，由雙向可控硅控制電路、整流濾波電路、延時(shí)電路及其它電路元件組成，雙向可控硅控制電路由初級(jí)在主回路中與雙向可控硅串聯(lián)的電流互感器、與可控硅觸發(fā)極相聯(lián)的電阻R1及電阻R2，并聯(lián)在電流互感器次級(jí)繞組兩端的單向可控硅及聯(lián)動(dòng)開(kāi)關(guān)組成，在整個(gè)開(kāi)關(guān)電路中設(shè)有一CMOS模擬開(kāi)關(guān)電路，在其輸入端設(shè)有由可變電阻R3和電容C1組成的R－C延時(shí)電路，其輸出端和單向可控硅的觸發(fā)極相連，并在電容C1的兩端并聯(lián)有聯(lián)動(dòng)開(kāi)關(guān)。工作時(shí)，首先按下聯(lián)動(dòng)開(kāi)關(guān)，這樣，一方面對(duì)電容C1放電清零，另一方面經(jīng)電阻R1、R2觸發(fā)雙向可控硅，使其導(dǎo)通，接通負(fù)載，并在電流互感器的次級(jí)產(chǎn)生感應(yīng)電壓，該電壓一方面經(jīng)電阻R1維持雙向可控硅的導(dǎo)通，另一方面向后續(xù)電路提供電源，該電壓經(jīng)整流濾波電路后經(jīng)電阻R3向電容C1充電，當(dāng)電容電壓上升到CMOS模擬開(kāi)關(guān)電路的門(mén)檻電壓(該門(mén)檻電壓為CMOSIC及RC電路電源電壓的a倍，0＜a＜1)時(shí)，CMOS模擬開(kāi)關(guān)電路的輸出端由低電位變成高電位，觸發(fā)單向可控硅，使其導(dǎo)通，將電流互感器的次級(jí)繞組短路，使雙向可控硅的觸發(fā)極維持電壓迅速消失，雙向可控硅截止，斷開(kāi)負(fù)載。由于CMOS模擬開(kāi)關(guān)電路允許電源電壓有較大范圍的變化，而且當(dāng)電阻R3的阻值確定后，R－C延時(shí)電路中電容C1的電壓由零上升到CMOS模擬開(kāi)關(guān)電路的門(mén)檻電壓aV(V為CMOSIC及RC電路的電源電壓)的時(shí)間是恒定的，所以當(dāng)負(fù)載變化引起電流互感器次級(jí)電壓變化時(shí)，該電子定時(shí)開(kāi)關(guān)可保證其定時(shí)時(shí)間不隨負(fù)載的變化而變化。
本實(shí)用新型觸發(fā)電路中的CMOS模擬開(kāi)關(guān)電路可以由CMOS集成門(mén)電路代替，其中CMOS集成與門(mén)電路，在開(kāi)關(guān)電路中的聯(lián)接方式與CMOS模擬開(kāi)關(guān)電路的聯(lián)接方式相同，其它種類的門(mén)電路按各自相應(yīng)的聯(lián)接方式聯(lián)結(jié)，保證經(jīng)RC延時(shí)電路的一段延時(shí)后其輸出端由低電位變成高電位。
本實(shí)用新型由于在電路中增設(shè)了CMOS模擬開(kāi)關(guān)電路(或CMOS集成門(mén)電路)。其定時(shí)的長(zhǎng)短不隨負(fù)載的變化而變化，保證了定時(shí)的穩(wěn)定性，而且該電子定時(shí)開(kāi)關(guān)的開(kāi)、閉的靈敏性好，可實(shí)現(xiàn)“硬”的關(guān)斷，所以具有較高的定時(shí)精確性。
附

圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例的電路結(jié)構(gòu)示意圖。
附圖2為本實(shí)用新型另一實(shí)施例的電路結(jié)構(gòu)示意圖。
結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步描述如下該電子定時(shí)開(kāi)關(guān)由雙向可控硅控制電路、整流濾波電路、延時(shí)電路組成，雙向可控硅控制電路由初級(jí)在主回路中與雙向可控硅SCR1串聯(lián)的電流互感器CT、與雙向可控硅SCR1的觸發(fā)極相聯(lián)的電阻R1及電阻R2、并聯(lián)在電流互感器次級(jí)繞組兩端的單向可控硅SCR2及聯(lián)動(dòng)開(kāi)關(guān)K1組成，在整個(gè)開(kāi)關(guān)電路中含有一CMOS模擬開(kāi)關(guān)電路，在其輸入端設(shè)有由可變電阻R3和電容C1組成的延時(shí)電路，并在電容C1的兩端并聯(lián)有聯(lián)動(dòng)開(kāi)關(guān)K2，工作時(shí)，按下聯(lián)動(dòng)開(kāi)關(guān)使其一方面對(duì)電容C1放電清零，另一方面使交流電源經(jīng)電阻R1、R2觸發(fā)雙向可控硅SCR1導(dǎo)通，接通負(fù)載，并使電流互感器CT的次級(jí)產(chǎn)生感應(yīng)電壓，為后續(xù)電路提供電源，該次級(jí)感應(yīng)電壓一方面經(jīng)電阻R1維持雙向可控硅的連續(xù)導(dǎo)通，另一方面經(jīng)由二極管D1、穩(wěn)壓二極管DW和電容C2組成的整流濾波電路后，向延時(shí)電路中的電容C1充電，經(jīng)一定延時(shí)后當(dāng)a點(diǎn)電壓上升到CMOS模擬開(kāi)關(guān)電路的門(mén)檻電壓時(shí)，其輸出端b由低電位變成高電位，觸發(fā)單向可控硅SCR2導(dǎo)通，使電流互感器的次級(jí)繞組短路，雙向可控硅SCR1的觸發(fā)極維持電壓消失，雙向可控硅截止，斷開(kāi)負(fù)載，其中延時(shí)時(shí)間的長(zhǎng)短，可通過(guò)調(diào)節(jié)可變電阻R3來(lái)改變，本實(shí)施例在雙向可控硅和電流互感器初級(jí)繞組的串聯(lián)電路兩端并聯(lián)有電阻R4和發(fā)光二極管GD，發(fā)光二極管用來(lái)指示開(kāi)關(guān)的工作狀態(tài)。
實(shí)施例2本實(shí)施例在前一實(shí)施例的基礎(chǔ)上只將CMOS模擬開(kāi)關(guān)電路由CMOSIC與非門(mén)電路代替，并相應(yīng)地改變其輸入端的RC延時(shí)電路中電阻R3和電容C1的聯(lián)接順序，使其輸入端的a點(diǎn)電位在延時(shí)時(shí)間內(nèi)由電源電壓降到其門(mén)檻電壓aV，使其輸出端能適時(shí)由低電位變成高電位，本實(shí)施例的工作過(guò)程與前一實(shí)施例的工作過(guò)程相同。
權(quán)利要求1.一種電子定時(shí)開(kāi)關(guān)，由雙向可控硅控制電路、整流濾波電路、延時(shí)電路及其它電路元件組成，其特征為雙向可控硅控制電路由初級(jí)在主回路中與雙向可控硅SCR1串聯(lián)的電流互感器CT、與雙向可控硅SCR1觸發(fā)極相聯(lián)的電阻R1及電阻R2、并聯(lián)在電流互感器次級(jí)繞組兩端的單相可控硅SCR2及聯(lián)動(dòng)開(kāi)關(guān)K1組成，在整個(gè)開(kāi)關(guān)電路中設(shè)有一CMOS模擬開(kāi)關(guān)電路，其輸入端設(shè)有由可變電阻R3和電容C1組成的延時(shí)電路，其輸出端和單向可控硅的觸發(fā)極相連，并在電容C1的兩端并聯(lián)有聯(lián)動(dòng)開(kāi)關(guān)K2。
2.如權(quán)利要求1所述的電子定時(shí)開(kāi)關(guān)，其特征為開(kāi)關(guān)電路中的CMOS模擬開(kāi)關(guān)電路也可是CMOS集成門(mén)電路。
專利摘要本實(shí)用新型為一種電子定時(shí)開(kāi)關(guān)，由可控硅控制電路、整流濾波電路、延時(shí)電路及其它電路元件組成，并在整個(gè)開(kāi)關(guān)電路中設(shè)有一CMOS模擬開(kāi)關(guān)電路。本實(shí)用新型所述的電子定時(shí)開(kāi)關(guān)的定時(shí)時(shí)間不隨負(fù)載功率的變化而變化，并具有開(kāi)、閉靈敏性高，可實(shí)現(xiàn)“硬”的關(guān)斷等優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號(hào)H03K17/28GK2036336SQ8820826
公開(kāi)日1989年4月19日 申請(qǐng)日期1988年7月9日 優(yōu)先權(quán)日1988年7月9日
發(fā)明者陳畬, 陳曉東 申請(qǐng)人:陳畬, 陳曉東