專利名稱：自持薄膜細絲型傳感器的制造和應(yīng)用的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種細絲型傳感器的制造方法和應(yīng)用，這種傳感器用于測定氣體環(huán)境如空氣的靜態(tài)或動態(tài)特性，主要用于檢測氧化性氣體，但也用于氣相色譜(檢測可電離的氣體)和液體流率的測定。
這種細絲型傳感器包括在細絲內(nèi)的適合于與環(huán)境交換熱的電阻元件和適合于在物理化學過程中與環(huán)境反應(yīng)的界面區(qū)域(物理化學過程最廣泛的意義是燃燒催化、吸附、電離、簡單的熱交換)，這種物理化學過程能按照待測定的環(huán)境性(濃度，流率等)影響界面區(qū)域的電學特性(溫度或電阻、電壓、電流等)。界面區(qū)域可以是電阻元件的外部部分，或是由傳導加熱的催化劑膜，或是分離的電極。
某些此種類型的傳感器基于測量交換的熱量(檢測可燃燒的氣體、流率等等)，并可以具有熱量傳感器的特征;也有各種細絲型傳感器具有以各種現(xiàn)象為基礎(chǔ)的測量濃度的共同特點(例如，在檢測可燃性氣體或氧化性氣體的情況下測量交換的熱，在氣相色譜中測量電極捕獲的離子量，等等)。因此，細絲型傳感器有各種各樣，有跟作為傳感器基礎(chǔ)的物理化學現(xiàn)象有關(guān)的，也有跟待測量的參數(shù)的性質(zhì)有關(guān)的。
雖然本說明書的其余部分主要說明氣體可爆性測定領(lǐng)域中氣體環(huán)境如空氣中氧化性氣體的檢測，但這只是一種優(yōu)先用途，并不限制本發(fā)明。
檢測空氣中氧化性氣體的一種已知方法是使用通過電流加熱的細絲，通常為鉑。周圍空氣中含有的氧化性氣體與細絲接觸時受到催化氧化，從而使細絲繼續(xù)受熱。形成的溫度變化導致細絲電阻的變化，后者受到直接或間接的測量，從而得到空氣中上述氧化性氣體的濃度。這些以細絲為基礎(chǔ)的檢測器大多數(shù)是手工制造的。因此它們的缺點是再現(xiàn)性差和成本高。它們的低電阻和低的表面積/體積比使得必須在高溫下使用(約1000℃)。
另一種氧化性氣體檢測器以催化小球為基礎(chǔ);它們由涂覆了摻催化劑的氧化鋁的金屬檢測器(如鉑的)構(gòu)成。形狀如小球。這些檢測器不會太快地老化。因為有關(guān)的燃燒溫度比較低。但是，與細絲比較，這些小球的缺點是靈敏度漂移大，穩(wěn)定性差和響應(yīng)時間大。
第三種氧化性氣體檢測器以摻雜了催化劑的半導體金屬氧化物為基礎(chǔ)。這些檢測器由金屬加熱元件構(gòu)成，它加熱絕緣材料套管(如氧化鋁)，套管上沉積一層待測量其電阻變化的半導體材料。這些檢測器對于任何能夠被吸附到半導體表面上的氣體都是靈敏的。但是，它們的響應(yīng)時間相當長，電力消耗高;同時，溫度的影響無法補償。
本發(fā)明的目的是通過改善再現(xiàn)性和減小細絲的傳導熱損失來減輕上述缺點，同時減小制造成本。
一方面，本發(fā)明是一種細絲型傳感器，用于測定周圍環(huán)境的靜態(tài)或動態(tài)特性，它包括一個電阻元件和一個界面區(qū)域，該電阻元件適合于在環(huán)境中通過電流而受到加熱，該界面區(qū)域適合于在按照待測定的特性影響界面區(qū)域電子特性的物理化學過程中與環(huán)境發(fā)生反應(yīng)，該傳感器包括形成至少一個洞孔的支持片，和至少一個細絲，細絲包括電阻元件和一或多個薄膜，并具有一個位于洞孔內(nèi)的中央部分和至少兩個端部，中央部分通過這兩個端部連接到支持片上。
換言之，本發(fā)明提出一種利用微電子工藝以這樣的方式制造的細絲，即它是“自支持的”，意思是在它與支持體之間的唯一連接是薄膜細絲因而構(gòu)成“空氣中”一或多個薄膜，這大大地減小了由傳導引起的熱損失。
本發(fā)明產(chǎn)生于這樣一種觀察，即薄膜工藝可以用于生產(chǎn)一種細絲這種細絲具有足夠的機械強度和熱震抵抗能力，使它能夠自支持。
本申請人驚奇地觀察到，盡管具有必需電阻的細絲很薄，但它既對于作為測量基礎(chǔ)的物理化學反應(yīng)足夠靈敏，又具有足夠的強度，使它不會由于接觸周圍環(huán)境而過早地損壞。
按照本發(fā)明的最佳特點細絲由金屬催化劑的薄膜構(gòu)成，其外表面構(gòu)成上述界面區(qū)域。
至少細絲的中央部分是由至少三層疊合的薄膜組成的。它包括一層延伸至細絲兩端的導電材料膜，一層形成界面區(qū)域的催化劑膜，和一層電絕緣材料中間膜，電阻元件是一層貴金屬膜，如鉑、金或鈀或貴金屬復合材料。
細絲具有波形。
細絲的中央部分由兩個以上的端部連接到襯底上。
襯底是由一組材料包括玻璃、硅、氧化鋁、氧化硅、石英和聚合物中選定的。
界面區(qū)域是沉積在靠近洞孔的襯底的至少一個表面上的薄膜。
另一方面，本發(fā)明是一種制造細絲型傳感器的方法，它包括下列階段在薄片形狀的襯底的前表面和后表面上沉積一個薄膜前掩模和一個薄膜后掩模，薄膜前掩模包括一個前窗，其形狀反映出待制造的細絲的形狀，并有一個延伸至端部的中央部分，薄膜后掩模包括一個后窗，它面對除上述兩端以外的窗的中央部分，但大于該中央部分。
利用通過前掩?？涛g襯底的前表面的辦法在襯底內(nèi)蝕空一個溝槽。
在該溝槽的背面上沉積一或多個適合于構(gòu)成細絲的薄膜，上述薄膜中的一個為導電材料。
利用通過一個形狀與后掩模相同的掩模刻蝕襯底的辦法將襯底刻蝕到全部厚度。
按照最佳的特點在通過后掩?？涛g襯底以除去其整個厚度之前，在前表面上和溝槽中沉積一個保護膜，并在刻蝕襯底后除去保護膜。
前表面上的保護膜是一種聚合物樹脂，前掩模包括一個覆蓋了樹脂膜的中間膜，在除去樹脂膜后，將一或多個薄膜沉積在溝槽中和溝槽周圍，隨后通過腐蝕中間層除去沉積在溝槽外的薄膜，以這種辦法沉積細絲的薄膜。
與所有上述檢測元件相比，本發(fā)明的主要優(yōu)點是電力消耗非常低和響應(yīng)時間非常短。
傳感器可以自動地成倍地生產(chǎn)，因此制造的再現(xiàn)性很好，可以以低成本大量生產(chǎn)。
它的電阻取決于它的幾何形狀，并允許操作溫度低于常規(guī)的細絲型傳感器，這導致良好的測量分辨率和較慢的老化。由于其初始結(jié)構(gòu)和極輕的最終質(zhì)量，它相對說來對于沖擊不太靈敏。
因為它的熱惰性非常低，所以它能夠用于測量不同溫度，測量的時間間隔可以非常短。
本發(fā)明也包括此種傳感器的應(yīng)用，主要檢測氧化性氣體如甲烷或一氧化碳，也可用于氣相色譜(檢測可以電離的氣體)，以及用于氣體流率熱法測量。
從下面的說明和附圖中，將可以清楚地理解本發(fā)明的目的和特征。


圖1是依照本發(fā)明所述的一種傳感器的透視圖。
圖2是另一種傳感器沿其厚度方向的縱向截面的部分視圖。
圖3是圖1的變化方案。
圖4至圖9是利用本發(fā)明方法制造圖1的傳感器過程中不同階段的截面視圖。
圖1中的傳感器C包括一個由玻璃或某些其他絕緣(或半導體)材料制成的支承片1，片中有一個洞孔2。作為替代辦法，支承片可以由絕緣材料或覆蓋了絕緣薄膜的非絕緣材料制成。
一根導電材料薄膜形式的細絲3跨越洞孔2，細絲的外表面或表層構(gòu)成周圍環(huán)境的界面面積。
細絲3具有一個中央部分3A和兩個導電端部4，中央部分3A通過端部連接到支承片上。端部終接到導電接合區(qū)5上，接合區(qū)上可以通過焊接之類方法連接電線，該電線將傳感器連接到電路的其他部分上。
細絲3最好具有平行于支承片的波形，在本實例中是一種組成方波的形狀。對于接合區(qū)5之間給定的截面和結(jié)定的距離。這能增大表面積，并減小由熱膨脹引起的破裂的危險。當然，也可以采取其他幾何形狀。薄膜細絲并不需要全部是矩形的，而可以是平行于支承片的曲線形狀。細絲采取平行于支承片的薄板形狀也同樣很好，當然其尺寸要小于洞孔的尺寸。
薄膜3可以用能產(chǎn)生作為測量基礎(chǔ)的物理化學現(xiàn)象的任何物質(zhì)來制作;在本實例中，薄膜選定由這樣一種材料制成，這種材料的電性能隨要表征其特性的環(huán)境而變化。
在測量氧化性氣體的特定實例中，這種材料可以是一種催化劑鉑、鎳、鋨、金、銥、金屬復合材料、金屬氧化物、半導體、硫化物等等。
材料也可以按照它的吸收劑或吸收劑特性來選定，只要這能改變材料的電學特性。
在圖2中，與圖1部件相似的部件具有帶“一撇”角標的相同參考編號。這幅圖表示另一種傳感器C′，其細絲3′不是一個單獨的薄膜，而是一種導電材料或絕緣材料或催化劑的薄膜疊層。這些薄膜的順序是這樣的每種催化劑薄膜位于疊層的頂部或底部。
每種導電薄膜與接合區(qū)5電連接。
一層絕緣薄膜位于導電材料膜或催化劑薄膜之間。
更精確起見，圖2表示分別為導電材料、絕緣材料和催化劑的三層接續(xù)的薄膜7、8和9。在另一種沒有圖示的實施例中，薄膜疊層為9-8-7-8-9配置。
在圖3中，與圖1部件相似的部件具有帶“兩撇”角標的相同參考編號。這幅圖表示另一種傳感器C″，其中附加的端部10沿側(cè)向安置到細絲3″的中央部分上。這些附加部分終接到接合區(qū)10A上。在如圖1的單層薄膜細絲的情況下，它們可以用于中間電學測量或不同的電路中，從而減少對于某些指定用途中需要制造和貯存的不同傳感器的數(shù)目。在如圖2的多層薄膜細絲的情況下，這些部分10可以與催化劑薄膜電氣連接，否則催化劑薄膜與導電薄膜之間是絕緣的。
可以理解，在每個上述例子中，全部細絲被完全包含在襯底的總厚度中。
圖4至圖9是沿圖1中線A-A的截面圖，它表示傳感器1制造過程中的不同階段，在這個例子中使用了一個玻璃襯底。
制備襯底1的第一階段是清洗襯底，例如使用硝酸或硫代鉻酸，隨后用去離子水漂洗;
在無塵條件下干燥。
在第二階段中在襯底的每個前表面1A和后表面1B上制備掩模。如下所述(見圖4)在后表面上沉積厚1000至2000 的鉻薄膜11;沉積厚幾 至1000 的鉻膜12，而后再沉積約厚1000 的金膜13;這些步驟可以互相錯開進行，但最好同時進行;
在襯底的每一面上沉積光敏樹脂膜14、15;
在襯底的相對兩面和上述薄膜上面面對面地設(shè)置曝光掩模14A和15A，而后通過掩模14A和15A曝光，并對曝光區(qū)域顯影這產(chǎn)生樹脂掩模16和17;這最后兩步完全是常規(guī)的;
通過掩模16和17刻蝕金屬膜·刻蝕后表面上的鉻膜11，·刻蝕前表面上的金膜，·刻蝕前表面上的鉻膜12，再用去離子水漂洗;結(jié)果是示于圖5的結(jié)果。
可以理解，以此種方法得到的后掩模(薄膜11和14)包括窗口16A，該窗口面對前掩模(薄膜12，13和15)中窗口17A的中央部分(在圖1的端部4和5之間)，上述端部除外，但窗口16A大于(在本實例中在每一面上寬于)中央部分。
在第三階段中，通過在支持片1的前表面1A上刻蝕的由疊合鉻膜12、金膜13和樹脂15組成的掩模。利用氫氟酸在玻璃上刻蝕溝槽18和19。這種刻蝕是各向同性的(在厚度方向和側(cè)向);形成的下部凹蝕使薄膜12和13凸出在溝槽的斜面20的上面，從而形成懸空部分21。雖然此類刻蝕方法的標準做法是變化工藝條件以避免此類下部凹蝕，但在本實例中此種下部凹蝕是有意制作的和有用處的，形成的懸空部分21使得可以在制造過程結(jié)束時容易除去薄膜12和13。
例如可以利用丙酮而后用硝酸來除去樹脂掩模14和15。形成的結(jié)構(gòu)而后用去離子水漂洗并在無塵條件下干燥，產(chǎn)生圖6的結(jié)構(gòu)。
在第四階段中，通過在襯底前表面1A(包括溝槽18的底部)上沉積鉻薄膜23(約100 厚)的辦法在溝槽18的底部形成細絲3，隨后在全部薄膜23上沉積鉑膜24(見圖7)。以這種方式得到溝槽中的鉻薄膜23A和鉑薄膜24A，它們與沉積在前表面其余部分上的鉻膜23B和鉑膜24B相分離。薄膜23和24的總厚度因此必須(至少稍許)小于溝槽18的深度。在圖2傳感器C′的情況下，等價條件是沉積薄膜的總厚度必須小于溝槽的深度。重要的是溝槽18中的薄膜不要接觸懸空部分21。
過量鉑膜和鉻膜的兩側(cè)部分24B和23B而后通過金膜13的化學腐蝕除去(將襯底浸在金腐蝕劑中至少3小時，這樣能現(xiàn)械地除去多余的鉑膜，除后在超聲波清洗箱中除去剩余鉑的最后殘余)。這一步操作由于下部凹蝕得到的懸空部分21而極大地方便了。
在用去離子漂洗和干燥之后，在后表面上沉積約3μm厚的新的光敏樹脂膜25，而后通過如圖4中一樣的掩模曝光在顯影后，得到與該表面上留下的鉻掩模11相符合一致的后掩模;在實際操作中掩模而后在140℃固化30分鐘。
在最后階段中，利用刻蝕工藝通過后掩模蝕空襯底的整個厚度，步驟如下在覆蓋了鉻膜12的前表面1A上沉積保護膜26;該保護膜充滿溝槽18。由于附著在溝槽上，保護膜蓋住了溝槽底部的細絲;該保護膜可以是任何物料，只要它能抵抗氫氟酸并能容易地溶解于市售的溶劑中;最好使用ZIVI Apiezon-W型的聚合物樹脂;
載帶細絲的玻璃1利用超聲波攪動通過掩模25受到化學刻蝕。掩模25沉積在后表面1B上，由鉻膜11和受刻蝕的光敏樹脂25組成。
在利用合適的商用溶劑如高氯乙烯除去玻璃和保護膜26后，我們驚奇地發(fā)現(xiàn)細絲3在玻璃片內(nèi)是“自支承”的(見圖9)。所有痕量的樹脂和聚合物都利用合適的化學試劑(通常為冒煙的硝酸)從玻璃片上除去，而玻璃片每一面上留下的鉻膜11和12利用鉻的化學腐蝕劑除去。
圖9中洞孔2的傾斜側(cè)面由氫氟酸腐蝕的各向同性性質(zhì)形成。在襯底和酸產(chǎn)生的各向異性腐蝕的情況下，得到如圖7和圖8所示的垂直側(cè)面。
所用的化學腐蝕試劑的具體例子為
·鉻1)SOPRELEC(EVRY)Cr-ETCH2)50g/L的KMnO4+50g/L的KOH+1L的去離子水。
·金25g/L的I2＝60g/L的KI+1L的去離子水。
玻璃40%至20%的稀釋HF(按照所需要的腐蝕速率)。
對150um厚的玻璃片的厚度例子為·鉻No.11500至1000 。
·鉻No.12和No2350至500 。
·金No.131500至2500 。
·鉑0.5至9um。
·W apiezon(阿匹松油脂)最小100μm。
·Shippley 1350-H光敏樹脂1至3μm。
·洞孔長度2mm。
鉻膜具有的優(yōu)點首先在于改善了金的沉積(金不可能直接沉積在玻璃上)，其次在于在用氫氟酸腐蝕玻璃期間提高了掩模(光敏樹脂和鉻膜)的強度。
該方法的變化方案(見圖5bis〔副頁〕和圖6bis)包括增大金膜厚度。這使得可以沉積較厚的鉑膜。方法的第二和第三階段變化如下通過掩模16和17刻蝕金屬的步驟如下使用丙酮和硝酸清洗樹脂膜14和15。
用去離子水再漂洗。
可以理解，以此種方式得到的后掩模(膜11)包括一個窗口16A，該窗口16A面對前掩模(膜12、13)的窗口17A的中央部分(在圖1的端部4之間)，除了上述端部以外，但該窗口16A大于(在本實例中每一邊寬于)中央部分。
而后通過電解沉積金(膜13bis)增大金膜13(圖5bis)，隨后用去離子水漂洗。
電解金膜的厚度由下一階段中待刻蝕的溝槽的深度決定，或者換言之對于10至15um的溝槽深度為約1um。在后表面上沉積一層均勻的保護光敏樹脂膜11bis。
在第三階段中，通過在支持片1的前表面1A上刻蝕的由疊合鉻膜12和金膜13、13bis組成的掩模，利用氫氟酸化學腐蝕玻璃的辦法蝕空溝槽18。這種化學腐蝕是各向同性的(在厚度方向和側(cè)向);化學腐蝕形成的下部凹蝕使薄膜12、13和13bis凸出在溝槽的斜面20的上面，從而形成懸空部分21。雖然此類刻蝕方法的通常做法是變化工藝條件以避免此類下部凹蝕，但在本實例中此種下部凹蝕是有意制作的和有用處的。形成的懸空部分21使得可以在制造過程結(jié)束時容易除去薄膜12和13。
例如可以利用丙酮而后用硝酸來除去樹脂掩模11bis。隨后用去離子水漂洗并在無塵條件下干燥，以獲得圖6的結(jié)構(gòu)。
工藝流程的后續(xù)階段保持相同。
除了玻璃外還可以使用其它襯底，如硅、氧化鋁、氧化硅。特別是石英，石英具有良好的溫度阻抗和對化學腐蝕的良好的選擇性抵抗。
也可以使用兩面鍍金屬(例如鉻上鍍金)的襯底，從而能夠免去沉積金屬的最初階段。
已經(jīng)利用同樣的化學腐蝕試劑在兩面鍍金屬或在鉻上鍍金屬的石英片上進行過試驗。石英片厚125至175μm。
這種類型的傳感器有各種各樣的用途。
首先，它能夠通過集成描述過的已知電路來檢測氧化性氣體。
它也可以用于色譜測量細絲3用于加熱和局部電離氣體介質(zhì)。同時通過沉積在襯底上的靠近洞孔2的一或多個導電薄膜構(gòu)成一或多個離子接收電極(界面區(qū)域)為此可以將鉻膜11和12放在合適的位置上。
不用說，本發(fā)明僅僅是利用非限制性的例子說明的，那些對本技術(shù)熟練的人可以提出數(shù)目眾多的變化方案而不偏離本發(fā)明的范圍。例如，可以在一個洞孔內(nèi)形成多個細絲，也可以在一個襯底上形成多個洞孔(集合制造法)。
權(quán)利要求
1.一種細絲型傳感器，用于測定周圍環(huán)境的靜態(tài)或動態(tài)特性，它包括一個電阻元件和一個界面區(qū)域。該電阻元件適合于在環(huán)境中通過電流而受到加熱，該界面區(qū)域適合于在按照待測定的特性影響界面區(qū)域電子特性的物理化學過程中與環(huán)境發(fā)生反應(yīng)，該傳感器包括形成至少一個洞孔的支持片和至少一個細絲，細絲包括電阻元件和一或多個薄膜，并具有一個位于洞孔內(nèi)的中央部分和至少兩個端部，中央部分通過這兩個端部連接到支持片上。
2.如權(quán)利要求1所述的傳感器，其中，細絲由金屬催化劑的薄膜構(gòu)成，其外表面構(gòu)成上述界面區(qū)域。
3.如權(quán)利要求1所述的傳感器，其中，至少細絲的中央部分是由至少三層疊合的薄膜組成的，它包括一層延伸至細絲兩端的導電材料膜，一層形成界面區(qū)域的催化劑膜，和一層電絕緣材料中間膜。
4.如權(quán)利要求1所述的傳感器，其中，電阻元件是一層貴金屬膜，如鉑、金或鈀或貴金屬復合材料。
5.如權(quán)利要求1所述的傳感器，其中，細絲具有波形。
6.如權(quán)利要求1所述的傳感器，其中，細絲的中央部分由兩個以上的端部連接到襯底上。
7.如權(quán)利要求1所述的傳感器，其中，襯底是由一組材料包括玻璃、硅、氧化鋁、氧化硅、石英和聚合物中選定的。
8.如權(quán)利要求1所述的傳感器在氧化性氣體檢測中的應(yīng)用。
9.如權(quán)利要求8所述的應(yīng)用，其中，氧化性氣體為甲烷或一氧化碳。
10.如權(quán)利要求1所述的傳感器在測量液體流速中的應(yīng)用。
11.如權(quán)利要求1所述的傳感器，其中，界面區(qū)域是沉積在靠近洞孔的襯底的至少一個表面上的薄膜。
12.如權(quán)利要求11所述的傳感器在利用電離色譜法檢測和測定可電離氣體中的應(yīng)用。
13.一種制造細絲型傳感器的方法，它包括下列階段在薄片形狀的襯底的前表面和后表面上沉積一個薄膜前掩模和一個薄膜后掩模，薄膜前掩模包括一個前窗，其形狀反映待制造的細絲的形狀，并有一個延伸至端部的中央部分，薄膜后掩模包括一個后窗，它面對除上述兩端以外的窗的中央部分，但大于該中央部分，利用通過前掩?？涛g襯底的前表面的辦法在襯底內(nèi)蝕空一個溝槽，在該溝槽的背面上沉積一或多個適合于構(gòu)成細絲的薄膜，上述薄膜中的一個為導電材料。利用通過一個形狀與后掩模相同的掩?？涛g襯底的辦法將襯底刻蝕到全部厚度。
14.一種制造細絲型傳感器的方法，它包括下列階段在薄片形狀的襯底的前表面和后表面上沉積一個薄膜前掩模及電解沉積層和薄膜后掩模，薄膜前掩模及電解沉積層包括一個前窗，其形狀反映待制造的細絲的形狀，并有一個延伸至端部的中央部分，薄膜后掩模包括一個后窗，它面對除上述兩端以外的窗的中央部分，但大于該中央部分。利用通過前掩?？涛g襯底的前表面的辦法在襯底內(nèi)蝕空一個溝槽。在該溝槽的背面上沉積一或多個適合于構(gòu)成細絲的薄膜，上述薄膜中的一個為導電材料，利用通過一個形狀與后掩模相同的掩模刻蝕襯底的辦法將襯底刻蝕到全部厚度。
15.一種制造細絲型傳感器的方法，它包括下列階段利用一種包括前窗和后窗的金屬化襯底，前窗的形狀反映待制造的細絲的形狀，并有一個延伸至端部的中央部分，后窗面對除上述兩端以外的窗的中央部分，但大于該中央部分。利用通過前掩?？涛g襯底的前表面的辦法在襯底內(nèi)蝕空一個溝槽，在該溝槽的背面上沉積一或多個適合于構(gòu)成細絲的薄膜，上述薄膜中的一個為導電材料。利用通過一個形狀與后掩模相同的掩模刻蝕襯底的辦法將襯底刻蝕到全部厚度。
16.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，在通過后掩模刻蝕襯底以除去其整個厚度之前，在前表面上和溝槽中沉積一個保護膜，并在刻蝕襯底后除去保護膜。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中，前表面上的保護膜是一種聚合物樹脂。
18.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，前掩模包括一個覆蓋了樹脂膜的中間膜，在除去樹脂膜后，將一或多個薄膜沉積在溝槽中和溝槽周圍，隨后通過腐蝕中間層除去沉積在溝槽外的薄膜，以這種辦法沉積細絲的薄膜。
19.如權(quán)利要求18所述的方法，其中，襯底為玻璃，而前掩膜包括一個沉積在前表面上的覆蓋了鉻膜的金膜，而且至少一層鉑膜被沉積在前溝槽的背面上。
20.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，至少一層金屬催化劑膜被沉積在溝槽中。
21.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，至少三層薄膜被沉積在溝槽的背面，它包括一層導電材料膜、一層絕緣材料膜和一層催化劑膜。
22.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，襯底是由一組材料包括玻璃、硅、氧化鋁、氧化硅、石英和聚合物中選定的。
全文摘要
一種細絲型傳感器，用于測定周圍環(huán)境的靜態(tài)或動態(tài)特性，它包括一個適合于在環(huán)境中通過電流而受熱的電阻元件。界面區(qū)域適合于在按照待測定的特性影響界面區(qū)域電子特性的物理化學過程中與環(huán)境發(fā)生反應(yīng)。該傳感器包括形成至少一個洞孔和至少一個含電阻元件的細絲的支持片。細絲包括一或多個薄膜，并具有一個位于洞孔內(nèi)的中央部分和至少兩個端部，中央部分通過這兩個端部連接到支持片上。
文檔編號H03D3/00GK1049910SQ90106919
公開日1991年3月13日 申請日期1988年5月24日 優(yōu)先權(quán)日1989年8月11日
發(fā)明者阿考爾西·安托耐特, 沙爾羅·丹尼爾 申請人:法國煤礦公司