專利名稱：多層穿心式電容器陣列的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種陶瓷多層穿心式電容器陣列，在一個陶瓷基片中至少形成2個以上多層穿心式電容器。
在各類電子裝置的普及發(fā)展中，其在體積小重量輕方面得到迅速發(fā)展。尤以使如攝象機整體型VTR、移動式電話機、筆記本式個人電子計算機、掌上式電子計算機等便攜為目的電子設備中，小型輕量化的速度之快更為顯著。
在這樣電子裝置向小型輕量化發(fā)展中，促使所使用的各種電子元件小型輕量化的同時，電子元件安裝方式也從傳統(tǒng)的把所用電子元件的引線插入在印刷電路板上設置的通孔中進行錫焊，變?yōu)閷㈦娮釉胖迷谠O置于印刷電路板上的導電圖形焊盤處進行焊接的表面安裝技術(Surface Mounting Technology＝SMT)。
該SMT中所用電子元件統(tǒng)稱為表面安裝元件(Surface Mounting Deuice＝SMD)。它當然包括半導體器件以及電容器、電阻器、電感器、濾波器等，其中特別是作為小型元件的電容器、以及電阻器被稱作基片元件。
在這些陶瓷基片元件中，比如電容器、電阻器、電感器不是一個，而是內(nèi)裝有多個的稱為電容器陣列、電阻器陣列的復合元件。內(nèi)裝多個陶瓷多層電容器的多層電容器陣列是多層陣列元件的代表。
構成多層電容器陣列的各電容器，作為穿心式電容器的多層穿心式電容器陣列已公開在日本國特許公開公報55-80313、57-206015及57-206016中。


圖1所展示的是這樣的一種多層穿心式電容器陣列，其由多層穿心式電容器元件4個搭配而成的4張介質(zhì)層體構成，以說明這些傳統(tǒng)的多層穿心式電容器陣列的構造。
該多層穿心式電容器陣列是由長方形第一介質(zhì)薄片1、第二介質(zhì)薄片2、第三介質(zhì)薄片3及第四介質(zhì)薄片4順序堆疊構成。
在該圖中，(b)、(d)、(f)及(h)所表示的是沿b-b線、d-d線、f-f線及h-h線分別切割(a)、(c)、(e)、(g)介質(zhì)薄片的剖面圖。
在第一介質(zhì)薄片1上，象(g)及(h)所示形成由沿長方形長邊方向伸展，只與二短邊相接的導電性材料構成的一個內(nèi)電極5;在第二介質(zhì)薄片2上，如(e)及(f)所示形成由沿長方形短邊方向伸展，只與二長邊相接的導電性材料構成的四個內(nèi)電極6;在第三介質(zhì)薄片3上，如(c)及(d)所示，形成由沿與第一介質(zhì)薄片上形成的內(nèi)電極5同樣的長方形長邊方向伸展，只和二短邊相接的導電性材料組成的一個內(nèi)電極7，再在上述層疊了的介質(zhì)薄片3上側面上，疊合未形成內(nèi)電極的如(a)和(b)所示的介質(zhì)薄片4。
(i)中所示的是上述構成的多層穿心式電容器陣列的外形圖;(j)中所示的是沿j-j線切割的剖面圖。
在內(nèi)電極6上，為了將構成多層穿心式電容器陣列的各多層穿心式電容器與外部印刷電路圖形連接，予先用印刷等方式在作為裝配面的上、下面一部分上形成延長的4個端子電極8;在內(nèi)電極5及7上，為了將構成多層穿心式電容器陣列的各多層穿心式電容器與外部印刷電路圖形連接，用印刷等方式，在作為安裝面的上、下面的一部分上形成延長的2個端子電極9。
(k)所展示的是上述多層穿心式電容器陣列的電連接。
在有這樣結構的多層穿心式電容器陣列中，各內(nèi)導體6作為中心導體，構成把挾著該內(nèi)導體6的內(nèi)導體5及7作為外側導體的4個多層穿心式電容器。雖然穿心式電容器的使用是使外側導體接地，但是，這些多層穿心式電容器陣列通過端子電極9，使作為共同的外側導體的內(nèi)導體5及7接地。
該公共外側導體5及7有阻抗成分，由于這些阻抗成分為4個穿心式電容器的公共阻抗，所以通過這些阻抗成分發(fā)生交調(diào)失真。
加之在有上述構成的多層穿心式電容器陣列中，從把內(nèi)側配置的內(nèi)導體作為中心導體的多層穿心式電容器的外側導體部分到端子電極的距離，比起從把外側配置的內(nèi)導體作為中心導體的多層穿心式電容器的外側導體部分到端子電極的距離還要長。
因此，具有把內(nèi)側配置的內(nèi)導體作為中心導體的多層穿心式電容器外側導體的電感成分，與具有把外側配置的內(nèi)導體作為中心導體的多層穿心式電容器外側導體的電感成分不同，所以本來應當一樣的電容器陣列電特性變得不同。
還有，構成多層穿心式電容器陣列的多層穿心式電容器單元相互之間間隔小，不僅多層穿心式電容器單元之間通過介質(zhì)相鄰，而且由于相鄰多層穿心式電容器單元的中心導體周圍沒有被外側導體完全覆蓋，所以往往在相鄰的多層穿心式電容器單元間產(chǎn)生電容性耦合。
這種電容性耦合在電路使用頻率低的情況下雖然不會帶來那樣重大后果，但如移動式電話，使用頻率超過100MHz的電路中，在通過相鄰多層穿心式電容器的信號間發(fā)生交調(diào)失真，所以使信噪比低，或在最壞情況下有時要引起裝載儀器誤動作的重大故障。
圖2所表示的是已有的如圖1所展示基本構成的多層穿心式電容器陣列，用來解決公共阻抗產(chǎn)生的問題和電特性不均勻等問題。
與圖1所表示的多層穿心式電容器陣列的各多層穿心式電容器的外側導體端子電極為公共的構成相反，圖2所展示的多層穿心式電容器陣列的各多層穿心式電容器的外側導體端子電極是分別設置的。
該多層穿心式電容器陣列也和圖1所示的多層穿心式電容器陣列一樣，其構成為長方形第一介質(zhì)薄片11、第二介質(zhì)薄片12、第三介質(zhì)薄片13及第四介質(zhì)薄片14依次堆疊而成。
另外，在該圖中，(b)、(d)、(f)及(h)分別表示沿b-b線、d-d線、f-f線及h-h線切割(a)、(c)、(e)、(g)的介質(zhì)薄片11、12、13、14的剖面圖。
在第一介質(zhì)薄片11上，形成(g)和(h)中所示的內(nèi)電極18，該電極與由沿長方形短邊方向伸展，只和兩個長邊相接的導電性材料組成的3個內(nèi)部端子電極15及沿長方形短邊方向伸展，和長方形任何一邊都不相接的內(nèi)電極15形成整體;在第2介質(zhì)薄片12上形成如(e)及(f)所示的4個內(nèi)電極16，上述四個內(nèi)電極16由在不與內(nèi)電極15對應位置上，沿長方形短邊方向伸展只與兩長邊相接的導電性材料構成;在第三介質(zhì)薄片13上形成如(c)和(d)所示的內(nèi)電極19，該電極與由沿長方形短邊方向伸展，只與二個長邊相接的導電性材料組成的三個內(nèi)部端子電極17和沿長方形短邊方向伸展與長方形任何邊都不相接的內(nèi)電極17形成整體;在這樣疊合了的介質(zhì)薄片13上側面上，層合成在不形成內(nèi)電極的(a)和(b)中所示的介質(zhì)薄片14。
(i)中所示的是上述構成的多層穿心式電容器陣列的外形圖;(j)中所示的是沿j-j線切割的剖面圖。
為了使構成多層穿心式電容器陣列的各多層穿心式電容器和外部的印刷電路圖形連接，事先通過印刷等方式將沿作為安裝面的上下面的一部分延長的3個端子形成在內(nèi)端子電極15和內(nèi)端子電極17上;在內(nèi)電極16上，為了使構成多層穿心式電容器陣列的各多層穿心式電容器與外部印刷電路圖形連接，通過印刷等方式形成有沿作為安裝面的上下面的一部分延長的4個端子電極20。
構成該多層穿心式是容器陣列的各多層穿心式電容器，內(nèi)電極16作為中心導體，內(nèi)電極18和19作為夾住內(nèi)電極16的外側導體，利用這些內(nèi)電極16和內(nèi)電極18和19構成多層穿心式電容器。
該多層穿心式電容器陣列其相應的各內(nèi)部電極15和17形成在作為中心導體的內(nèi)電極16之間，為使這些內(nèi)部端子電極15及17接地，即使外部導體18及19是整體構成，外側導體的阻抗成分也不形成公共阻抗，因而通過這些阻抗成分不會發(fā)生交調(diào)失真。
加之，構成該多層穿心式電容器陣列的各電容器的外側導體和內(nèi)部端子電極間的距離對于任一電容器都是相等的。從而，在該多層穿心式電容器中，具有把內(nèi)側配置的內(nèi)導體作為中心導體的多層穿心式電容器外側導體的電感成分，與具有把外側配置的內(nèi)導體作為中心導體的多層穿心式電容器外側導體的電感成分相等，不會產(chǎn)生構成電容器陣列的各電容器特性不均的問題。
然而，為在連接中心電極的4個端子電極20之間，設置連接到外側電極的3個端子電極21，端子電極的構造是復雜的，使多層穿心式電容器陣列的小型化困難，同時由于端子電極間間隔狹小，所以很不利于制造和安裝。
并且形成于內(nèi)部的多層穿心式電容器單元彼此間間隔小，所以多層穿心式電容器單元間通過介質(zhì)相鄰，由于相鄰的多層穿心式電容器單元的中心導體周圍沒有被外側導體完全覆蓋，所以在相鄰的多層穿心式電容器單元間，由于電容性耦合而產(chǎn)生交調(diào)失真、信噪比低，或在最壞情況下會導致裝載儀器誤動作的重大故障發(fā)生，對此問題依然沒能得到解決。
(k)是該多層穿心式電容器陣列的電連接圖。
本發(fā)明目的在于針對上述情況所采取的技術措施可獲得這樣一種多層穿心式電容器，使端子電極構成變得簡單，同時減少了各多層穿心式電容器單元間的電容耦合性交調(diào)失真。
因此，本發(fā)明在構成多層穿心式電容器陣列的各多層穿心式電容器單元間形成屏蔽電極，在該屏蔽電極上連接多層穿心式電容器的外側導體。
根據(jù)上述結構，即使通過簡單的端子電極構成也能使形成多層穿心式電容器陣列的各多層穿心式電容器單元間實現(xiàn)靜電屏蔽，減小了電容性耦合，通過相鄰多層穿心式電容器的信號間交調(diào)失真小。
圖1是已有的多層穿心式電容器陣列的內(nèi)部結構、整體結構及剖面圖;
圖2是另一個已有的多層穿心式電容器陣列的內(nèi)部結構、整體結構及剖面圖;
圖3是本發(fā)明第1實施例的多層穿心式電容器陣列的內(nèi)部結構、整體結構及剖面圖;
圖4是本發(fā)明第2實施例的多層穿心式電容器陣列的整體構成及剖面圖;
圖5是本發(fā)明第3實施例的多層穿心式電容器陣列的整體結構及剖面圖;
圖6是本發(fā)明第4實施例的多層穿心式電容器陣列的整體結構及剖面圖;
圖7是本發(fā)明第5實施例的多層穿心式電容器陣列的整體結構及剖面圖;
圖8是本發(fā)明第6實施例的多層穿心式電容器陣列的整體結構及剖面圖;
圖9是本發(fā)明第7實施例的多層穿心式電容器陣列的整體結構及剖面圖;
圖10是本發(fā)明第8實施例的多層穿心式電容器陣列的整體結構及剖面圖;
圖11是與本發(fā)明有關的第1構成例子的多層穿心式電容器陣列的整體構成及剖面圖;
圖12是與本發(fā)明有關的第2構成例子的多層穿心式電容器陣列的整體構成及剖面圖。
下面說明本發(fā)明實施例。
圖3所展示的是有關本發(fā)明多層穿心式電容器陣列的實施例，與圖1所示的傳統(tǒng)的多層穿心式電容器陣列一樣，由4組多層穿心式電容器配合的4層介質(zhì)組成。
該多層穿心式電容器陣列由長方形第一介質(zhì)薄片31、第二介質(zhì)薄片32、第三介質(zhì)薄片33和第四介質(zhì)薄片34依次堆疊構成。
而且在該圖中，(b)、(d)、(f)及(h)所表示的是沿b-b線、d-d線、f-f線及h-h線分別切割(a)、(c)、(e)、(g)的介質(zhì)薄片的剖面圖。
如(g)所示，在第一介質(zhì)薄片31上形成1個內(nèi)電極35，該電極由沿長方形長邊方向伸展只與二短邊相接的導電性材料構成;在把該內(nèi)電極35分成4份的分割處，形成穿通第一介質(zhì)薄片31的3個通孔38。
如(h)所示，在這些通孔38中填充導電體42，在未形成第一介質(zhì)薄片31的內(nèi)電極35的面上，于露出的導電體42上形成導電層45。
還有該導電層45未必需要。
如(e)所示，在第二介質(zhì)薄片32上形成4個內(nèi)電極36，該內(nèi)電極是由沿長方形短邊的方向伸展，只與二長邊相接的導電性材料構成;在這些內(nèi)電極36之間，在與穿通第一介質(zhì)薄片31形成的3個通孔38對應位置處，形成穿通第二介質(zhì)薄片32的3個通孔39。
在這些通孔39中，如(f)所示那樣，填充導電體43。
如(c)所示，在第三介質(zhì)薄片33上與在第一介質(zhì)薄片31上形成的內(nèi)電極35一樣構成1個內(nèi)電極37，該內(nèi)電極是由沿長方形長邊方向伸展，只與2短邊相接的導電性材料構成;在將該內(nèi)電極37分成4份的分割處，形成穿通第3介質(zhì)薄片33的3個通孔40。在疊合的介質(zhì)薄片33的上側面上，堆疊如(a)及(b)所示無內(nèi)部電極的介質(zhì)薄片34。
(i)所示的是將上述構成的多層穿心式電容器陣列倒置，從下側看的外形圖;(j)中是沿j-j線切割的剖面圖。
在內(nèi)電極36上，為了使構成多層穿心式電容器陣列的各多層穿心式電容器與外部印刷電路圖形連接，通過印刷等工藝形成沿作為安裝面的上下面的一部分延長的4個端子電極41。這些端子電極41雖然沿作為安裝面的上下面之一部分延長，但該延長部分不是必需的。并且，內(nèi)電極35及37與導電體46電連接，上述導電體46是在通孔38、39及40中填充導電體42、43及44成整體構成;進而與在導電體46上形成的導電層45電連接。
上述形成的導電體46被配置在構成多層穿心式電容器陣列的多層穿心式電容器之間。從而，通過使連接該導電體的導電層45接地，進行各多層穿心式電容器靜電屏蔽。利用該靜電屏蔽，避免了在已有的多層穿心式電容器陣列中所存在的交調(diào)失真。
(k)是該多層穿心式電容器陣列的電連接圖。
該多層穿心式電容器陣列與圖1所示的已有例子的多層穿心式電容器不同，構成4個多層穿心式電容器外側導體的內(nèi)電極35及37通過導電體46接地。因此，在這些多層穿心式電容器陣列，不會產(chǎn)生由于外側導體而導致的公共阻抗的影響即交調(diào)失真。
而且，多層穿心式電容器陣列與圖1所示的已有例子的多層穿心式電容器不同，從內(nèi)側配置的多層穿心式電容器外側導體到接地端子的長度，和從外側配置的多層穿心式電容器的外側導體到接地端子的長度相等。所以各多層穿心式電容器的電特性一樣。
而且，多層穿心式電容器陣列與圖1所述的已有例子的多層穿心式電容器不同，從內(nèi)側配置的多層穿心式電容器外側導體到接地端子的長度，和從外側配置的多層穿心式電容器的外側導體到接地端子的長度相等。所以各多層穿心式電容器的電特性一樣。
而且，該多層穿心式電容器陣列和圖2所述的已有例的多層穿心式電容器不同，在與用以連接內(nèi)側導體的端子電極不同位置處配置用以連接外側導體的端子電極。因此，在可謀求多層穿心式電容器陣列小型化同時，減少了安裝困難。
圖4-9中展示了進一步改善的實施例。
在這些圖中，(a)所展示的是實施例的多層穿心式電容器陣列的外形;(b)所展示的是沿b-b線切割的剖面圖，為了使說明簡潔，有關與圖3所示的實施例的公共部分，就不再另加符號說明了。
圖4所示的實施例的多層穿心式電容器陣列，為說明之便，與圖3所示的實施例的多層穿心式電容器陣列一樣，展示出使其倒置從下側看的外形和剖面。
該實施例的多層穿心式電容器陣列是通過端子電極47連接圖4所示的多層穿心式電容器陣列導電體46的，這種結構可在安裝時使焊接牢靠。
圖5所示的實施例的多層穿心式電容器陣列這樣構成，即替換圖4所示的多層穿心式電容器陣列的第四介質(zhì)薄片34，疊合形成通孔的第四介質(zhì)薄片48，再在該通孔中填充導電體以形成導電體49。
利用該導電體49使屏蔽效果更可靠。
圖6所示的實施例的多層穿心式電容器陣列加有圖5所示的多層穿心式電容器陣列的端子電極47再將一個端子電極50形成在相對的另一個側面上。
通過該端子電極50使屏蔽效果更可靠。
圖7所示的實施例的多層穿心式電容器陣列是，如此形成的，即替換圖3所示的多層穿心式電容器陣列的第四介質(zhì)薄片34，疊合形成通孔的第四介質(zhì)薄片48，并在該通孔內(nèi)填充導電體，形成導電體49。
上述構成的多層穿心式電容器陣列，在安裝時無需考慮其正反面。
圖8所示的實施例的多層穿心式電容器陣列是為此形成的，即在具有圖4所示導電體46的多層穿心式電容器陣列上，形成與圖1所示的已知例的多層穿心式電容器陣列的端子電極9相同的端子電極，再形成使該端子電極和圖4所示實施例的多層穿心式電容器陣列的端子電極47形成整體構成的端子電極51。
借助該端子電極51，使屏蔽效果更佳，同時，上述構成的多層穿心式電容器陣列在安裝時，無需考慮其正反面。
圖9所示實施例的多層穿心式電容器陣列是如此形成的，即在有圖5所示的導電體49的多層穿心式電容器陣列上，形成與圖1所示已有例的多層穿心式電容器陣列的端子電極9一樣的端子電極，再形成使該端子電極和圖5所示實施例的多層穿心式電容器陣列的端子電有47形成整體構成的端子電極51。
利用該端子電極51，使屏蔽效果更佳，同時，上述構成的多層穿心式電容器陣列，在安裝時無需考慮其正反面。
在上述圖3-9所說明的實施例中，在圖3-7展示的實施例的多層穿心式電容器中，雖然內(nèi)側形成的多層穿心式電容器的內(nèi)導體完全被外導體及導電體所包圍，但外側形成的多層穿心式電容器的內(nèi)內(nèi)導體沒有完全被包圍。
與此相反，在圖8及9所示的實施例的多層穿心式電容器中，外側形成的多層穿心式電容器內(nèi)導體完全被外導體、導電體及連接電極所包圍。
由于上述構成，可獲得各多層穿心式電容器的電特性均勻和更完善的多層穿心式電容器陣列。
圖10-12所展示的例子是外側形成的多層穿心式電容器的內(nèi)導體被外導體、導電體及連接電極完全包圍的多層穿心式電容陣列的構成例。
在這些圖中，(a)展示實施例的多層穿心式電容器陣列的外形;(b)雖展示沿b-b線切割的剖面，但為使說明簡化，有關與圖3所示實施例公共部分就不再另加符號說明。
圖10所展示的多層穿心式電容器陣列，是在圖7所示的多層穿心式電容器陣列上，形成與圖1所示已有例的多層穿心式電容器端子電極9相同的端子電極52。
圖11所示多層穿心式電容器陣列的結構是，用小型導電體53替換圖10所示的多層穿心式電容器陣列的導電體49，形成使第1內(nèi)電極35和第2內(nèi)電極37與外部連接的導電體52。
圖12所示的多層穿心式電容器陣列的結構是，在圖7所示的多層穿心式電容器陣列上再形成2層介質(zhì)薄片54及55。
在上面所說的實施例中，盡管介質(zhì)薄片做成長方形，但即使做成任何其它形狀，只要是可實施本發(fā)明的形狀當然也行。
并且，連接多個內(nèi)電極的位置除長方形長邊以外，可實施本發(fā)明的任何位置當然也可以;連接單個內(nèi)電極的位置除長方形短邊外，可實施本發(fā)明的任何位置當然也可以。
通過如上所述，根據(jù)本發(fā)明構成，由于在通孔內(nèi)填充的導電體的靜電屏蔽而使交調(diào)失真減少，各多層穿心式電容器的電特性一致，能使多層穿心式電容器陣列小型化，減少安裝困難。
權利要求
1.一種由多個穿心式電容器構成的長方體多層穿心式電容器陣列，它是通過如下步驟，即將長方形第一介質(zhì)薄片(31)、第二介質(zhì)薄片(32)、第三介質(zhì)薄片(33)及第四介質(zhì)薄片(34)按此順序疊合；在第一介質(zhì)薄片(31)上，形成由沿長方形長邊方向伸展，只與二短邊相接的導電性材料構成的單個第一內(nèi)電極(35)；在第2介質(zhì)薄片(32)上，形成由沿長方形短邊方向伸展，只與二長邊相接的導電性材料構成的多個第二內(nèi)電極(36)；在第三介質(zhì)薄片上，形成由沿長方形的長邊方向伸展，只與二短邊相接的導電性材料構成的單個第三內(nèi)電極(37)；由把前述第二內(nèi)電極(36)作為中心導體，把前述第一內(nèi)電極(35)及前述第三內(nèi)電極(37)作為外側導體的多個穿心式電容器構成，其特征在于在前述第二介質(zhì)薄片(32)的前述多個第2內(nèi)電極(36)之間，形成與第2內(nèi)電極(36)平行的多個第二通孔(39)；在相應于前述第一介質(zhì)薄片(31)的前述多個第二通孔(39)的位置上，形成多個第一通孔(38)；在相應的前述第三介質(zhì)薄片(33)前述多個第二通孔(39)的位置上，形成多個第三通孔(40)；在前述多個第一通孔(38)中，分別填充第一導電體(42)；在前述多個第二通孔(39)中，分別填充第二導電體(43)；在前述多個第三通孔(40)中，分別填充第三導電體(44)；使前述第一內(nèi)電極(35)和前述多個第一導電體(42)電連接；使前述第三內(nèi)電極(37)和前述多個第三導電體(44)電連接；使各相應位置的前述多個第一導電體(42)、前述多個第二導電體(43)、及前述多個第三導電體(44)電連接，形成多個導電體(46)。
2.按照權利要求1所述多層穿心式電容器陣列，其特征是，形成在外部連接前述第一內(nèi)電極(35)和前述第三內(nèi)電極(37)的導電體(51)。
3.按照權利要求1所述多層穿心式電容器陣列，其特征是，形成把前述多個導電體(46)連接到前述第一介質(zhì)薄片(31)下側面上的端子電極(47)。
4.按照權利要求3所述多層穿心式電容器陣列，其特征是，形成在外部連接前述第一內(nèi)電極(35)和前述第3內(nèi)電極(37)的導電體(51)。
5.按照權利要求1所述多層穿心式電容器陣列，其特征是，在相應前述第四介質(zhì)薄片(34)的前述多個第三通孔(40)的位置，形成多個第四通孔，通過在前述多個第四通孔中填充導電體，形成導電體(49)。
6.按照權利要求5所述多層穿心式電容器陣列，其特征是，形成在外部連接前述第一內(nèi)電極(35)和前述第三內(nèi)電極(37)的導電體(51)。
7.按照權利要求5所述多層穿心式電容器陣列，其特征是，形成把前述多個導電體(49)連接到第一介質(zhì)薄片(31)的下側面上的端子電極(47)。
8.按照權利要求7所述多層穿心式電容器陣列，其特征是，形成在外部連接前述第一內(nèi)電極(35)和前述第三內(nèi)電極(37)的導電體(51)。
9.按照權利要求7所述多層穿心式電容器陣列，其特征是，形成把前述多個導電體(49)連接到前述第四介質(zhì)薄片(34)上側面上的端子電極(50)。
10.按照權利要求9所述多層穿心式電容器陣列，其特征是，形成在外部連接前述第一內(nèi)電極(35)和前述內(nèi)電極(37)的導電體(51)。
11.一種由多個穿心式電容器構成的長方體形的多層穿心式電容器陣列，它是通過如下步驟，即將長方形第一介質(zhì)薄片(31)、第二介質(zhì)薄片(32)、第三介質(zhì)薄片(33)及第四介質(zhì)薄片(34)按該順序疊合;在第一介質(zhì)薄片(31)上，形成由沿長方形長邊方向伸展，只與二短邊相接的導電性材料構成的單個第一內(nèi)電極(35);在第二介質(zhì)薄片(32)上，形成由沿長方形短邊方向伸展，只與二長邊相接的導電性材料構成的多個第二內(nèi)電極(36);在第三介質(zhì)薄片(33)上，形成由沿長方形的長邊方向伸展，只與二短邊相接的導電性材料構成的單個第三內(nèi)電極(37);由把前述第二內(nèi)電極(36)作為中心導體，把前述第一內(nèi)電極(35)及前述第三內(nèi)電極(37)作為外側導體的多個穿心式電容器構成，其特征在于，在前述第二介質(zhì)薄片(32)的前述多個第二內(nèi)電極(36)之間，形成與第二內(nèi)電極(36)平行的多個第二通孔(39);在相應于前述第三介質(zhì)薄片(33)的前述多個第二通孔(39)的位置上，形成多個第三通孔(40);在前述多個第二通孔(39)中，分別填充第二導電體(43);在前述多個第三通孔(40)中，分別填充第三導電體(44);使前述第一內(nèi)電極(35)和前述多個第二導電體(43)電連接;使前述第三內(nèi)電極(37)和前述多個第三導電體(44)電連接;使各相應位置的前述多個第二導電體(43)及前述多個第三導電體(44)電連接，以形成多個導電體(53);形成在外部使前述第一內(nèi)電極(35)和前述第三內(nèi)電極(37)連接的導電體(52)。
全文摘要
為了使多層穿心式電容器陣列的各穿心式電容器單元間的電容性耦合的交調(diào)失真減小，在構成多層穿心式電容器陣列的各電極間的介質(zhì)薄片沒有中心導體的位置上，形成填充導體的通孔，通過使在通孔中填充的導體作電連接，進行穿心式電容器間靜電屏蔽，電連接是依靠在穿心式電容器單元的外部或內(nèi)部形成的導電層實現(xiàn)。
文檔編號H03H7/00GK1108016SQ94112798
公開日1995年9月6日 申請日期1994年12月16日 優(yōu)先權日1993年12月16日
發(fā)明者藤城義和, 原田拓, 石垣高哉 申請人:Tdk株式會社