專利名稱：多狀態(tài)輸入檢測端口的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種能檢測多種狀態(tài)輸入的多狀態(tài)輸入檢測端口。
傳統(tǒng)的外在狀態(tài)檢測器，僅可檢測端口狀態(tài)為高電位(HIGH)及低電位(LOW)。
本發(fā)明的目的在于提供一種多狀態(tài)輸入檢測端口(Multi-Input StatusPort)，它除了能夠檢測上述兩種電位狀態(tài)外，還能檢測端口外浮接(FLOATING)，從低電位轉(zhuǎn)換到高電位及從高電位轉(zhuǎn)換到低電位等狀態(tài)。
根據(jù)本發(fā)明的多狀態(tài)輸入檢測端口，它包括時(shí)鐘發(fā)生器，該時(shí)鐘發(fā)生器產(chǎn)生掃描器及端口外狀態(tài)處理器所需各種時(shí)鐘；掃描器，該掃描器經(jīng)端口電路掃描輸入端的各種狀態(tài)；輸入端口，該端口的輸入接受掃描器的掃描結(jié)果，而該端口的輸出與外部輸入端連接；端口外狀態(tài)處理器；該端口外狀態(tài)處理器接受從輸入端送來的電位狀態(tài)加以處理；及檢測器，該檢測器接受端口外狀態(tài)處理器所送來的數(shù)據(jù)，解出輸入端是在何種狀態(tài)。
根據(jù)本發(fā)明的多狀態(tài)輸入檢測端口，它可以成功地捕捉端口外所有可能發(fā)生的輸入狀態(tài)。
為使本發(fā)明的實(shí)際裝置及功能一目了然，現(xiàn)以附圖和實(shí)施例詳述于后

圖1為本發(fā)明的方塊圖。
圖2為本發(fā)明較佳實(shí)施例的電路圖。
圖3為本發(fā)明較佳實(shí)施例中有關(guān)的時(shí)序圖。
請(qǐng)參考圖1，其為本發(fā)明的方塊圖。其中，時(shí)鐘發(fā)生器1產(chǎn)生時(shí)序1(CK1)到時(shí)序4(CK4)，其中，時(shí)序1(CK1)及時(shí)序3(CK3)送到端口外狀態(tài)處理器4，以處理從端口2送來的各種狀態(tài)。再由檢測器5來譯碼，檢測端口2外何種狀態(tài)。
請(qǐng)參考圖2，其為依據(jù)圖1所設(shè)計(jì)出的一種較佳實(shí)施例，本實(shí)施例的時(shí)鐘對(duì)應(yīng)關(guān)系如圖3所示，其中，先說明掃描器3的動(dòng)作，當(dāng)時(shí)序2為高電位時(shí)，端口2的輸出為高電位。在時(shí)序4還沒有轉(zhuǎn)為高電位以前，端口2的輸出保持在高電位。當(dāng)時(shí)序4為高電位時(shí)，端口2的輸出為低電位，在時(shí)序2還沒有轉(zhuǎn)為高電位以前，端口2的輸出保持在低電位(參考圖3)。
另，端口2是由一個(gè)P型及N型金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)所構(gòu)成，此二個(gè)P型及N型金屬氧化物半導(dǎo)體的通道寬度與長度是經(jīng)過特殊設(shè)計(jì)，等效電阻約為200K。由于此等效電阻存在的原因，端口2的輸出如果與外接的電位不同時(shí)，送到端口外狀態(tài)處理器4的電位都是由外接電位支配(DOMINATE)。端口外狀態(tài)處理器4由2組位移寄存器所組成，每經(jīng)過一個(gè)時(shí)序就發(fā)生一次位移動(dòng)作。
以下就5種不同的輸入狀態(tài)，分別加以描述(一)輸入端接高電位時(shí)，不管掃描器3的作用，端口2的輸出均保持在‘1’(‘1’＝高電位，‘0’＝低電位)如果端口外狀態(tài)處理器4中的2組位移寄存器的起始值(INITIATE)為Q1Q2Q3Q4Q5＝‘00101’當(dāng)?shù)谝粋€(gè)時(shí)序1變高電位時(shí)，暫存值Q1Q2Q3Q4Q5＝‘10101’當(dāng)?shù)谝粋€(gè)時(shí)序3變高電位時(shí)，暫存值Q1Q2Q3Q4Q5＝‘10110’當(dāng)?shù)谝粋€(gè)時(shí)序1變高電位時(shí)，暫存值Q1Q2Q3Q4Q5＝‘11110’此暫存值送到檢測器5使輸出1(OUT1)為高電位，故從輸出1的狀態(tài)可得知輸入端是否接高電位；當(dāng)然，再經(jīng)過一個(gè)時(shí)序3以后，暫存值即一直保持為Q1Q2Q3Q4Q5＝‘11111’。
(二)輸入端接低電位時(shí)，不管掃描器3的作用，端口2的輸出均保持在‘0’，如(一)中所述的寄存器起始值為Q1Q2Q3Q4Q5＝‘00101’當(dāng)?shù)谝粋€(gè)時(shí)序1變高電位時(shí)，暫存值Q1Q2Q3Q4Q5＝‘00101’當(dāng)?shù)谝粋€(gè)時(shí)序3變高電位時(shí)，暫存值Q1Q2Q3Q4Q5＝‘00100’當(dāng)?shù)诙€(gè)時(shí)序1變高電位時(shí)，暫存值Q1Q2Q3Q4Q5＝‘00010’當(dāng)?shù)诙€(gè)時(shí)序3變高電位時(shí)，暫存值Q1Q2Q3Q4Q5＝‘00001’此暫存值送到檢測器5使輸出2(OUT2)為高電位，故從輸出2的狀態(tài)可得知輸入端是否接低電位；當(dāng)然，再經(jīng)過一個(gè)時(shí)序3以后，暫存值即一直保持為Q1Q2Q3Q4Q5＝‘00000’。
(三)輸入端浮接時(shí)，掃描器3此時(shí)發(fā)揮作用。當(dāng)時(shí)序4為高電位時(shí)，端口2的輸出為低電位，當(dāng)時(shí)序1變高電位時(shí)，暫存值Q1Q2Q3Q4Q5＝‘00101’，當(dāng)時(shí)序2變高電位時(shí)，端口2的輸出為高電位，時(shí)序3變高電位時(shí)，暫存值Q1Q2Q3Q4Q5＝‘00110’。此暫存值送到檢測器5，使輸出3(OUT3)為高電位，故從輸出3的狀態(tài)可得知輸入端是否浮接；當(dāng)然，再經(jīng)過一個(gè)時(shí)序3以后，暫存值即一直保持為Q1Q2Q3Q4Q5＝‘00111’。
(四)輸入端從低電位轉(zhuǎn)換到高電位，由于在低電位時(shí)，暫存值一直保持在Q1Q2Q3Q4Q5＝‘00000’，故當(dāng)此轉(zhuǎn)換瞬間后，如果時(shí)序1先變高電位，Q1Q2Q3Q4Q5＝‘10000’，當(dāng)時(shí)序3變高電位后，暫存值‘Q1Q2Q3Q4Q5＝‘10100’，此暫存值送到檢測器5后，會(huì)產(chǎn)生一個(gè)時(shí)鐘(CLOCK)使輸出4(OUT4)為高電位，故從輸出1及輸出4的狀態(tài)可得知輸入端是否有從低電位轉(zhuǎn)換到高電位的切換改變。
(五)輸入端從高電位轉(zhuǎn)換到低電位，由于在高電位時(shí)，暫存值一直保持在Q1Q2Q3Q4Q5＝‘11111’，故在此轉(zhuǎn)換瞬間后，如果時(shí)序1先變高電位，暫存值Q1Q2Q3Q4Q5＝‘01111’，當(dāng)時(shí)序3變高電位后，暫存值Q1Q2Q3Q4Q5＝‘01011’，此暫存值送到檢測器5后，會(huì)產(chǎn)生一個(gè)時(shí)鐘使輸出5(OUT5)為高電位，故從輸出2及輸出5的狀態(tài)可得知輸入端是否有從高電位轉(zhuǎn)換到低電位的切換改變。
權(quán)利要求
1.一種多狀態(tài)輸入檢測端口，其特征在于包括時(shí)鐘發(fā)生器，該時(shí)鐘發(fā)生器產(chǎn)生掃描器及端口外狀態(tài)處理器所需各種時(shí)鐘；掃描器，該掃描器經(jīng)端口電路掃描輸入端的各種狀態(tài)；輸入端口，該端口的輸入接受掃描器的掃描結(jié)果，而該端口的輸出與外部輸入端連接；端口外狀態(tài)處理器；該端口外狀態(tài)處理器接受從輸入端送來的電位狀態(tài)加以處理；及檢測器，該檢測器接受端口外狀態(tài)處理器所送來的數(shù)據(jù)，解出輸入端是在何種狀態(tài)。
全文摘要
一種新的檢測多種狀態(tài)輸入的多狀態(tài)輸入檢測端口,包含有一個(gè)時(shí)鐘發(fā)生器,一個(gè)輸入端口,一個(gè)掃描器,一個(gè)端口外狀態(tài)處理器及一個(gè)檢測器;其中該檢測端口除能檢測輸入端口的狀態(tài)為高電位,低電位及浮接外,更增加二項(xiàng)檢測由高電位變化至低電位或者由低電位變化到高電位的電位狀態(tài)改變,愈加成功地捕捉端口外所有可能發(fā)生的輸入狀態(tài)之一種。
文檔編號(hào)H03K5/00GK1192610SQ9710330
公開日1998年9月9日 申請(qǐng)日期1997年3月4日 優(yōu)先權(quán)日1997年3月4日
發(fā)明者張成才 申請(qǐng)人:合泰半導(dǎo)體股份有限公司