專利名稱：壓控振蕩器及其調(diào)整方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及其中諧振器由分層結(jié)構(gòu)形成而電子元件安裝在組成層壓體的襯底上的高頻用壓控振蕩器。本發(fā)明還涉及壓控振蕩器的調(diào)整方法。更具體地說(shuō)，本發(fā)明涉及用于諸如移動(dòng)電話等無(wú)線電通訊領(lǐng)域的壓控振蕩器及其調(diào)整方法。
正如

圖10A線路圖所舉例示出的，傳統(tǒng)的壓控振蕩器包括用來(lái)對(duì)高頻成分進(jìn)行扼流的電感L1、用來(lái)截?cái)喔哳l成分的電容C1、用來(lái)截?cái)嘀绷鞒煞值碾娙軨2、變?nèi)荻O管D、諧振器L2、用來(lái)調(diào)整頻率的可變電容C3、藕合用的藕合電容C4、放大用的晶體管T、構(gòu)成晶體管T外圍電路的反饋用電容C5，以及電阻R1和R2。
在這種壓控振蕩器中，變?nèi)荻O管D的電容量Cv隨著加在輸入端1上的電壓而變化。該壓控振蕩器的振蕩頻率f(VT)用下列方程式(1)到(3)表達(dá)，式中諧振器L2的電感用L2表示，電容C2的電容量用C2表示，電容C3的電容量用C3表示。f(VT)＝1/[2π{1/(1/C2+1/Cv)+C3)}L2]1/2…(1)Cv＝C0+aVT…(2) (a＜0)df/dVT＝df(VT，C2，C3，C0，a)/dVT＝-1[1/{32π4f(VT)3}]·{aL2/(1+Cv/C2)2} …(3)在傳統(tǒng)上，安排在輸入端1和晶體管T之間的電容C2是由安裝在層壓體的襯底上的芯片組成的，或者作為另一方案，電容C2嵌入層壓體的襯底內(nèi)。正如未經(jīng)審理的日本專利公告4-329705所描述的，當(dāng)對(duì)在裝入了諧振器L2的層壓體表面上形成的導(dǎo)體進(jìn)行微調(diào)，以調(diào)整電容C3的電容量時(shí)，在調(diào)整圖10B中所示的中心頻率f(VM)，亦即由輸入端給定中心電壓VM的情況下，振蕩頻率亦被調(diào)整。
但是，在壓控振蕩器中，不僅振蕩頻率f(VT)，而且壓控靈敏度df/d VT(VT)都有上、下限要控制。就是說(shuō)，如圖10B舉例示出的，需要實(shí)現(xiàn)下列方程式(4)至(6)。
fL2＜f(VL)＜fL1…(4)fH1＜f(VH)＜fH2…(5)(fH1-fH1)/(VH-VL)＜df/d VT(VT)＜(fH2-FL)/(VH-VL)…(6)式中VM是中心電壓，VH是加在輸入端1的上限電壓，VL是下限電壓，f(VL)是下限電壓VL下的振蕩頻率，f(VH)是上限電壓VH下的振蕩頻率，fL1是下限電壓VL下的上限振蕩頻率，fL2是下限電壓VL下的下限振蕩頻率，fH1是上限電壓VH下的上限振蕩頻率，fH2是上限電壓VH下的下限振蕩頻率。
按照傳統(tǒng)方法只在中心頻率f(VM)上進(jìn)行微調(diào)時(shí)，如圖10B舉例示出的，壓控靈敏度df/dVT從作為基準(zhǔn)線的斜線S1偏離至線S2和S3。因此，壓控靈敏度df/dVT偏離方程式(6)表達(dá)的上、下限。壓控靈敏度df/dVT之所以偏離上、下限的首要原因如下。正如可以從上列方程式(1)至(3)看到的，振蕩頻率f(VT)取決于變?nèi)荻O管D的電壓可變電容CV，而這個(gè)電壓可變電容CV波動(dòng)很大，就是說(shuō)，方程式(2)中的數(shù)值C0和”a”波動(dòng)很大。由于上述原因，制造過(guò)程中的成品率低下。
鑒于上述問(wèn)題，本發(fā)明的目標(biāo)是提供一種壓控靈敏度可控的壓控振蕩器。提供其調(diào)整方法也是本發(fā)明的目標(biāo)。由于上述原因，制造過(guò)程中的成品率可以顯著提高。
為了達(dá)到上述目標(biāo)，本發(fā)明提供一種壓控振蕩器，它包括電容C2，用來(lái)調(diào)整壓控靈敏度，安排在加有控制電壓的輸入端1和放大晶體管T之間的線上，還安排在變?nèi)荻O管D的熱端和形成諧振器的主電感L2之間；以及電容C3，用來(lái)調(diào)整振蕩頻率，安排與形成諧振器的主電感L2并聯(lián)。
另外，本發(fā)明還提供一種壓控振蕩器，它包括電感L3，用來(lái)調(diào)整振蕩頻率，安排在將加有控制電壓的輸入端1連接到放大用晶體管T的線2與形成諧振器的主電感L2之間；以及電感L4，用來(lái)調(diào)整壓控靈敏度，安排在變?nèi)荻O管D的熱端和調(diào)整振蕩頻率用的電感L3的熱端之間的線2上。
另外，本發(fā)明還提供一種壓控振蕩器，它包括電感L3，用來(lái)調(diào)整振蕩頻率，安排在將加有控制電壓的輸入端1連接到放大用晶體管T的線2與形成諧振器的主電感L2之間；以及電容C2，用來(lái)調(diào)整壓控靈敏度，安排在變?nèi)荻O管D的熱端和調(diào)整振蕩頻率用的電感L3熱端之間的線2上。
另外，本發(fā)明還提供一種壓控振蕩器，它包括電容C3，用來(lái)調(diào)整振蕩頻率，安排與形成諧振器的主電感L2并聯(lián)；以及電感L4，用來(lái)調(diào)整壓控靈敏度，安排在將加有控制電壓的輸入端1連接到放大用晶體管T的線2上，還安排在變?nèi)荻O管D的熱端與形成諧振器的主電感L2之間。
另外，本發(fā)明還提供一種壓控振蕩器，其中用來(lái)構(gòu)成調(diào)整振蕩頻率用的電容C3和/或電感L3的導(dǎo)體，在壓控振蕩器的襯底的表面上形成，而用來(lái)構(gòu)成調(diào)整壓控靈敏度用的電容C2和/或電感L4的導(dǎo)體，在壓控振蕩器的襯底的表面上形成。
另外，本發(fā)明還提供一種壓控振蕩器的調(diào)整方法，它包括下列步驟通過(guò)對(duì)構(gòu)成調(diào)整振蕩頻率用的電容C3和/或電感L3的導(dǎo)體進(jìn)行功能微調(diào)，對(duì)振蕩頻率進(jìn)行粗調(diào)；通過(guò)對(duì)用來(lái)構(gòu)成調(diào)整壓控靈敏度用的電容C2和/或電感L4的導(dǎo)體進(jìn)行功能微調(diào)，將壓控靈敏度調(diào)整到預(yù)定值上；再次通過(guò)對(duì)構(gòu)成調(diào)整振蕩頻率用的電容C3和/或電感L3的導(dǎo)體進(jìn)行功能微調(diào)，將振蕩頻率調(diào)整到預(yù)定值上。在這種情況下，功能微調(diào)定義為在測(cè)量壓控振蕩器特性的同時(shí)進(jìn)行的微調(diào)。
按照本發(fā)明，當(dāng)對(duì)與諧振器串聯(lián)的電感，或與諧振器并聯(lián)的電容進(jìn)行功能微調(diào)時(shí)，振蕩頻率被調(diào)整。另外，按照本發(fā)明，當(dāng)對(duì)安排在該線上的調(diào)整壓控靈敏度用的電容或電感進(jìn)行功能微調(diào)時(shí)，它被進(jìn)行功能調(diào)整。由于上述原因，壓控靈敏度被調(diào)整。因此，按照本發(fā)明，不僅可以調(diào)整振蕩頻率，而且可以調(diào)整壓控靈敏度。
圖1A是一個(gè)電路圖，表示本發(fā)明壓控振蕩器的一個(gè)示例；圖1B是一個(gè)表示調(diào)整過(guò)程的頻率-電壓特性圖；圖2是零件分解透視圖，表示圖1所舉示例的層狀結(jié)構(gòu)；圖3A至3E是圖1示例的疊層過(guò)程圖；圖4A是沿著圖3E的E-E線的剖面圖；圖4B是沿著圖7E的F-F線的剖面圖；圖5A是一個(gè)電路圖，表示本發(fā)明壓控振蕩器的另一個(gè)示例；圖5B是一個(gè)表示調(diào)整過(guò)程的頻率-電壓特性圖；圖6是零件分解透視圖，表示圖5所舉示例的層狀結(jié)構(gòu)；圖7A至7E是圖5示例的疊層過(guò)程圖；圖8A是一個(gè)電路圖，表示本發(fā)明壓控振蕩器的另一個(gè)示例；圖8B是一個(gè)表示調(diào)整過(guò)程的頻率-電壓特性圖；圖9A是一個(gè)電路圖，表示本發(fā)明壓控振蕩器的另一個(gè)示例；圖9B是一個(gè)表示調(diào)整過(guò)程的頻率-電壓特性圖；圖10A是一個(gè)電路圖，表示一種傳統(tǒng)的壓控振蕩器；以及圖10B是一個(gè)頻率-電壓特性圖，說(shuō)明傳統(tǒng)壓控振蕩器的問(wèn)題；第一實(shí)施例下面將參照?qǐng)D1至4解釋本發(fā)明壓控振蕩器的第一實(shí)施例。圖1A是壓控振蕩器電路的一個(gè)示例。這個(gè)電路與圖10A所示傳統(tǒng)電路的差異如下。截?cái)嘀绷饔玫陌才旁诰€2上，在變?nèi)荻O管D熱端與諧振器L2的熱端之間的電容C2，既用來(lái)截止直流，又用來(lái)調(diào)整壓控靈敏度。
圖2是一個(gè)透視圖，表示壓控振蕩器每一層的結(jié)構(gòu)。圖3是表示每一層上導(dǎo)體圖案位置關(guān)系，還表示制造過(guò)程的視圖。圖4A是剖面圖，表示本示例的調(diào)整部分。在圖2和3中，參照號(hào)3a至3e是由氧化鋁等制成的電絕緣層，參照號(hào)4a和4b是在電絕緣層3a，3c上形成的接地導(dǎo)體，L2是主電感，與這些接地導(dǎo)體4a，4b構(gòu)成帶狀線諧振器。
L1是在上述電絕緣層3d上形成的導(dǎo)體，使得它構(gòu)成用來(lái)扼流高頻電流的電感L1。參照號(hào)5a和5b是構(gòu)成電容C2的導(dǎo)體。參照號(hào)6是與接地導(dǎo)體4b相對(duì)的導(dǎo)體，使得導(dǎo)體6與接地導(dǎo)體4b構(gòu)成調(diào)整振蕩頻率用的電容C3。上述導(dǎo)體4a，4b，5a，5b和6都是用銀或銀合金等制成的。
在最上層絕緣層3e上設(shè)有圖1A所示的晶體管T、電容C1和C4以及變?nèi)荻O管D等。
這種壓控振蕩器的制法如下。正如圖3A至3E所示，導(dǎo)體在用絕緣片制成的絕緣層3a至3e上形成；制備絕緣片，在其上形成圖1A舉例示出的導(dǎo)體圖案；將這些絕緣片疊在一起，熱壓粘合；按照每個(gè)壓控振蕩器的尺寸切割這樣的層壓體；燒該層壓體；用印刷或電鍍的方法形成側(cè)端子電極；用焊接法將電容C1和C4、電阻R1和R2、變?nèi)荻O管D、晶體管T和其他圖中未示出的電子元件裝在層壓體的上表面上。
按照諸如圖2，3和4A舉例示出的上述方法制造壓控振蕩器時(shí)，構(gòu)成該振蕩器的主電感L2通過(guò)通孔7連接至上、下接地導(dǎo)體4a和4b，主電感L2的另一個(gè)導(dǎo)體通過(guò)通孔8連接到裝在第五絕緣層5e上的電容用的導(dǎo)體5b。
圖1B是一個(gè)表示電壓VT與振蕩頻率f之間關(guān)系的曲線圖，用來(lái)解釋該示例壓控振蕩器的調(diào)整方法。圖1B所示的直線(a1)至(a4)代表(f-V)特性，就是說(shuō)，圖1B所示的直線(a1)至(a4)代表各個(gè)調(diào)整階段上的頻率和電壓的特性。如直線(a1)所示，在壓控振蕩器調(diào)整之前的階段，將中心電壓VM下的頻率f(VM)設(shè)置得使頻率f(VM)可以低于目標(biāo)頻率f0，并將(f-V)特性曲線的斜率設(shè)置得使它可以大于目標(biāo)(f-V)特性曲線的斜率。首先，如圖3E舉例示出的，通過(guò)調(diào)整振蕩頻率用的電容C3的導(dǎo)體6的微調(diào)10，使中心電壓VM下的頻率f(VM)調(diào)整得使頻率f(VM)可以低于圖1B直線(a2)舉例示出的目標(biāo)頻率f0。
接著，如圖3E舉例示出的，通過(guò)調(diào)整壓控靈敏度用的電容C2的微調(diào)11，如圖1B中的直線(a3)所示，將壓控靈敏度df/dVT調(diào)整到目標(biāo)靈敏度。
接著，如圖3E舉例示出的，通過(guò)再次對(duì)調(diào)整振蕩頻率用的電容C3的微調(diào)12，如圖1B中的直線(a4)所示，將中心頻率f(VM)設(shè)置到目標(biāo)頻率f0。
如上所述，當(dāng)調(diào)整壓控靈敏度以及振蕩頻率時(shí)，可以防止壓控靈敏度惡化，并大大地提高制造過(guò)程中的成品率。當(dāng)微調(diào)分三步進(jìn)行時(shí)，就有可能完成高度準(zhǔn)確的調(diào)整。
第二實(shí)施例圖4B和圖5至7是表示第二實(shí)施例的視圖。如圖5A所示，調(diào)整振蕩頻率用的電感L3插在形成諧振器用的主電感L2與安排在加有控制電壓的輸入端1與放大晶體管T之間的線2之間。在上述線上，調(diào)整壓控靈敏度用的電感L4插在變?nèi)荻O管D的熱端與調(diào)整振蕩頻率用的電感L3的熱端之間。
圖6是一個(gè)表示構(gòu)成該示例的每一層的安排的透視圖。圖7是表示在制造過(guò)程中每一層上的導(dǎo)體圖案位置相對(duì)關(guān)系的視圖。圖4B是表示該示例調(diào)整部分的剖面圖。類似的參照字符用來(lái)標(biāo)示圖2，3，6和7中類似的元件。圖7A至7E表示疊層過(guò)程的順序。在圖6和7中，符號(hào)L3是構(gòu)成用來(lái)調(diào)整振蕩頻率的電感L3的導(dǎo)體。當(dāng)正如參照號(hào)13至15舉例示出的進(jìn)行微調(diào)時(shí)，電流流過(guò)的通路的長(zhǎng)度伸長(zhǎng)。由于上述原因，電感增大，故振蕩頻率降低。
在圖6和7中，L4是構(gòu)成調(diào)整壓控靈敏度用的電感L4導(dǎo)體。當(dāng)正如參照號(hào)16所舉例示出的進(jìn)行微調(diào)時(shí)，壓控靈敏度增大。
如圖5B中直線(b1)所示，進(jìn)行調(diào)整之前，本示例的壓控振蕩器設(shè)置如下。中心電壓下的頻率f(VM)設(shè)置得高于目標(biāo)頻率f0，而壓控靈敏度的(f-V)特性曲線的斜率設(shè)置得小于目標(biāo)(f-V)特性曲線的斜率。首先，微調(diào)與構(gòu)成諧振器的電感L2串聯(lián)的電感L3，就是說(shuō)，正如圖7(E)中的參照號(hào)13至15所示地進(jìn)行微調(diào)，使電流流過(guò)的通路長(zhǎng)度增大，使得電感能夠增大。由于上述原因，如圖5(B)中直線(b2)所示，使中心振蕩頻率接近目標(biāo)頻率f0。
接著，通過(guò)微調(diào)電感L4，亦即通過(guò)微調(diào)圖7E中的16，使電感增大。由于上述原因，正如圖5B中直線(b3)舉例示出的，壓控靈敏度得到調(diào)整(增大)。這時(shí)，振蕩頻率同時(shí)降低。
接著，當(dāng)進(jìn)一步對(duì)與諧振器用的主電感L2串聯(lián)的電感L3進(jìn)行微調(diào)時(shí)，如圖5B中直線(b4)所示，中心頻率f(VM)被調(diào)整到目標(biāo)頻率f0。
當(dāng)如上所述分三步進(jìn)行微調(diào)時(shí)，可以提供與上述第一實(shí)施例相同的效果。
第三實(shí)施例圖8A是一個(gè)表示本發(fā)明第三實(shí)施例的視圖。這個(gè)實(shí)施例的構(gòu)成如下。不用圖4B至7所示的第二實(shí)施例中調(diào)整壓控靈敏度的電感L4，而如圖1至4A所示，提供了調(diào)整壓控靈敏度用的電容C2。
在圖8A所示的實(shí)施例中，設(shè)置方法如下。在調(diào)整之前的狀態(tài)中，如圖8B中直線(1)所示，中心電壓下的頻率f(VM)高于目標(biāo)頻率f0，而壓控靈敏度的(f-V)特性曲線的斜率則大于目標(biāo)壓控靈敏度的(f-V)特性曲線的斜率。首先，通過(guò)微調(diào)與構(gòu)成諧振器的電感L2串聯(lián)的電感L3，就是說(shuō)，如圖7(E)中的參照號(hào)13至15所示，通過(guò)微調(diào)使電流流過(guò)的通路長(zhǎng)度增大，使得電感增大。由于上述原因，如圖8B中的直線(c2)所示，使中心振蕩頻率f(VM)接近目標(biāo)頻率f0。
接著，對(duì)調(diào)整壓控靈敏度用的電容C2進(jìn)行微調(diào)，使得電容量減小。由于上述原因，如圖8B中的直線(c3)所示，使壓控靈敏度得到調(diào)整(降低)。這時(shí)，振蕩頻率同時(shí)增大。
接著，當(dāng)進(jìn)一步對(duì)安排與諧振器L2串聯(lián)的電感L3進(jìn)行微調(diào)時(shí)，如圖8B中的直線(c4)所示，將中心振蕩頻率f(VM)調(diào)整到目標(biāo)頻率f0。通過(guò)這個(gè)示例，可以提供與上述相同的效果。
第四實(shí)施例圖9A是一個(gè)表示本發(fā)明第四實(shí)施例的視圖。這個(gè)實(shí)施例組成如下。不用圖1至4A所示的示例中調(diào)整壓控靈敏度用的電感C2，而如圖4B至7所示，安排了調(diào)整壓控靈敏度用的電感L4。
在圖9A所示的示例中，設(shè)置方法如下。在調(diào)整之前的狀態(tài)下，如圖9B中直線(d1)所示，中心電壓下的頻率f(VM)低于目標(biāo)頻率f0，而壓控靈敏度的(f-V)特性曲線的斜率則小于目標(biāo)壓控靈敏度的(f-V)特性曲線的斜率。首先，通過(guò)微調(diào)與構(gòu)成諧振器的電感L2并聯(lián)的調(diào)整振蕩頻率用的電容C3，如圖9B中直線(d2)所示，使中心振蕩頻率f(VM)略高于目標(biāo)頻率f0。
接著，對(duì)調(diào)整壓控靈敏度用的電感L4進(jìn)行微調(diào)，使電感量增大。由于上述原因，如圖9B中的直線(d3)所示，使壓控靈敏度調(diào)整(提高)到目標(biāo)靈敏度。這時(shí)，振蕩頻率同時(shí)降低。
接著，當(dāng)進(jìn)一步對(duì)安排與諧振器L2并聯(lián)的電容C3進(jìn)行微調(diào)時(shí)，如圖9B中的直線(d4)所示，將中心頻率f(VM)調(diào)整到目標(biāo)振蕩頻率f0。通過(guò)這個(gè)示例，可以提供與上述相同的效果。
上面參照這些示例已經(jīng)對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了解釋。當(dāng)然，當(dāng)實(shí)施本發(fā)明時(shí)，本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員會(huì)作出改變，例如，可以改變?cè)牟牧希梢愿淖円惭b的電子元件的布置，還可以不用電子元件，而采用疊層的安排。至于調(diào)整振蕩頻率用的電容和電感，以及至于調(diào)整壓控靈敏度用的電容和電感，本發(fā)明都不作限定，只設(shè)置它們之中一種，或者兩者都用。
按照本發(fā)明，不僅設(shè)置調(diào)整振蕩頻率用的電容和電感，還設(shè)置調(diào)整壓控靈敏度用的電容或電感。故可調(diào)整壓控靈敏度，并可提高制造過(guò)程的成品率。
按照本發(fā)明，調(diào)整用的電容和/或電感設(shè)置在襯底的表面上。所以微調(diào)可以容易地進(jìn)行。
按照本發(fā)明，調(diào)整分三步進(jìn)行。所以，可以進(jìn)行高度準(zhǔn)確的調(diào)整。
權(quán)利要求
1.一種壓控振蕩器，其特征在于，它包括諧振器，用來(lái)產(chǎn)生其頻率隨著控制電壓而變化的振蕩信號(hào)；放大裝置，用來(lái)放大振蕩信號(hào)；振蕩頻率調(diào)整裝置，用來(lái)調(diào)整振蕩信號(hào)的頻率；以及壓控靈敏度調(diào)整裝置，用來(lái)調(diào)整振蕩信號(hào)的壓控靈敏度。
2.權(quán)利要求1所要求的壓控振蕩器，其特征在于，其中所述諧振器包括加有控制信號(hào)的輸入端、變?nèi)荻O管和主電感；所述振蕩頻率調(diào)整裝置包括第一可變電容器，后者安排在與所述諧振器的主電感并聯(lián)的位置；以及所述壓控靈敏度調(diào)整裝置包括第二可變電容器，后者安排在該輸入端和所述放大裝置之間，還安排在所述變?nèi)荻O管的熱端和所述諧振器的所述主電感的熱端之間。
3.權(quán)利要求1所要求的壓控振蕩器，其特征在于，其中所述諧振器包括加有控制信號(hào)的輸入端、變?nèi)荻O管和主電感；以及所述振蕩頻率調(diào)整裝置包括第一可變電感器，后者安排在該輸入端和所述放大裝置之間，并與該諧振器的所述主電感串聯(lián)；以及所述壓控靈敏度調(diào)整裝置包括第二可變電感器，后者安排在所述變?nèi)荻O管的熱端與第一可變電感的熱端之間。
4.權(quán)利要求1所要求的壓控振蕩器，其特征在于，其中所述諧振器包括加有控制信號(hào)的輸入端、變?nèi)荻O管和主電感；以及所述振蕩頻率調(diào)整裝置包括一個(gè)可變電感器，后者安排在所述輸入端和所述放大裝置之間，并與該諧振器的所述主電感串聯(lián)；在所述輸入端和所述放大裝置之間，并與該諧振器的所述主電感串聯(lián)；以及所述壓控靈敏度調(diào)整裝置包括第二可變電容器，后者安排在所述變?nèi)荻O管的熱端與所述可變電感的熱端之間。
5.權(quán)利要求1所要求的壓控振蕩器，其特征在于，其中所述諧振器包括加有控制信號(hào)的輸入端、變?nèi)荻O管和主電感；以及所述振蕩頻率調(diào)整裝置包括一個(gè)可變電容器，后者安排在與該諧振器的所述主電感并聯(lián)的位置；以及所述壓控靈敏度調(diào)整裝置包括一個(gè)可變電感器，后者安排在所述輸入端和所述放大裝置之間，并與該諧振器的所述主電感串聯(lián)；在所述輸入端和所述放大裝置之間，并安排在所述變?nèi)荻O管的熱端與所述諧振器的主電感的熱端之間。
6.權(quán)利要求1所要求的壓控振蕩器，其特征在于，其中所述振蕩頻率調(diào)整裝置和所述壓控靈敏度調(diào)整裝置是在所述壓控振蕩器襯底的表面上形成的。
7.權(quán)利要求2所要求的壓控振蕩器，其特征在于，其中構(gòu)成第一和第二可變電容器的一個(gè)導(dǎo)體是在該壓控振蕩器襯底的表面上形成的。
8.權(quán)利要求3所要求的壓控振蕩器，其特征在于，其中構(gòu)成第一和第二可變電感器的一個(gè)導(dǎo)體是在該壓控振蕩器襯底的表面上形成的。
9.權(quán)利要求4所要求的壓控振蕩器，其特征在于，其中構(gòu)成可變電容器和可變電感器的一個(gè)導(dǎo)體是在該壓控振蕩器襯底的表面上形成的。
10.權(quán)利要求5所要求的壓控振蕩器，其特征在于，其中構(gòu)成可變電容器和可變電感器的一個(gè)導(dǎo)體是在該壓控振蕩器襯底的表面上形成的。
11.一種壓控振蕩器調(diào)整方法，其特征在于，它包括下列步驟通過(guò)對(duì)構(gòu)成調(diào)整振蕩信號(hào)頻率用的振蕩頻率調(diào)整裝置的導(dǎo)體進(jìn)行功能微調(diào)，對(duì)振蕩頻率進(jìn)行粗調(diào)；通過(guò)對(duì)用來(lái)構(gòu)成調(diào)整壓控靈敏度用的壓控靈敏度調(diào)整裝置的導(dǎo)體進(jìn)行功能微調(diào)，將壓控靈敏度調(diào)整到預(yù)定值上；再次通過(guò)對(duì)構(gòu)成所述振蕩頻率調(diào)整裝置的導(dǎo)體進(jìn)行功能微調(diào)，將振蕩頻率調(diào)整到預(yù)定值上。
12.一種權(quán)利要求2所要求的壓控振蕩器的調(diào)整方法，其特征在于，它包括下列步驟通過(guò)對(duì)構(gòu)成第一可變電容器的導(dǎo)體進(jìn)行功能微調(diào)，對(duì)振蕩頻率進(jìn)行粗調(diào)；通過(guò)對(duì)用來(lái)構(gòu)成第二可變電容器的導(dǎo)體進(jìn)行功能微調(diào)，將壓控靈敏度調(diào)整到預(yù)定值上；通過(guò)再次對(duì)構(gòu)成第一可變電容器的導(dǎo)體進(jìn)行功能微調(diào)，將振蕩頻率調(diào)整到預(yù)定值上。
13.一種權(quán)利要求3所要求的壓控振蕩器的調(diào)整方法，其特征在于，它包括下列步驟通過(guò)對(duì)構(gòu)成第一可變電感器的導(dǎo)體進(jìn)行功能微調(diào)，對(duì)振蕩頻率進(jìn)行粗調(diào)；通過(guò)對(duì)用來(lái)構(gòu)成第二可變電感器的導(dǎo)體進(jìn)行功能微調(diào)，將壓控靈敏度調(diào)整到預(yù)定值上；通過(guò)再次對(duì)構(gòu)成第一可變電感器的導(dǎo)體進(jìn)行功能微調(diào)，將振蕩頻率調(diào)整到預(yù)定值上。
14.一種權(quán)利要求4所要求的壓控振蕩器的調(diào)整方法，其特征在于，它包括下列步驟通過(guò)對(duì)構(gòu)成一個(gè)可變電感器的導(dǎo)體進(jìn)行功能微調(diào)，對(duì)振蕩頻率進(jìn)行粗調(diào)；通過(guò)對(duì)用來(lái)構(gòu)成一個(gè)可變電容器的導(dǎo)體進(jìn)行功能微調(diào)，將壓控靈敏度調(diào)整到預(yù)定值上；通過(guò)再次對(duì)構(gòu)成該可變電感器的導(dǎo)體進(jìn)行功能微調(diào)，將振蕩頻率調(diào)整到預(yù)定值上。
15.一種權(quán)利要求5所要求的壓控振蕩器的調(diào)整方法，其特征在于，它包括下列步驟通過(guò)對(duì)構(gòu)成一個(gè)可變電容器的導(dǎo)體進(jìn)行功能微調(diào)，對(duì)振蕩頻率進(jìn)行粗調(diào)；通過(guò)對(duì)用來(lái)構(gòu)成一個(gè)可變電感器的導(dǎo)體進(jìn)行功能微調(diào)，將壓控靈敏度調(diào)整到預(yù)定值上；通過(guò)再次對(duì)構(gòu)成該可變電容器的導(dǎo)體進(jìn)行功能微調(diào)，將振蕩頻率調(diào)整到預(yù)定值上。
全文摘要
一種壓控振蕩器包括產(chǎn)生其頻率隨著控制電壓而變化的振蕩信號(hào)用的諧振器、放大振蕩信號(hào)用的晶體管、調(diào)整振蕩信號(hào)的頻率用的振蕩頻率調(diào)整元件、以及調(diào)整振蕩信號(hào)的壓控靈敏度用的壓控靈敏度調(diào)整元件。
文檔編號(hào)H03B5/12GK1179646SQ97117200
公開日1998年4月22日 申請(qǐng)日期1997年8月5日 優(yōu)先權(quán)日1996年8月5日
發(fā)明者中井信也, 勝俁正史, 服部泰幸, 永井健太, 福光由章, 石武彥 申請(qǐng)人:Tdk株式會(huì)社