專利名稱：表面聲波濾波器的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種表面聲波濾波器，用作例如帶通濾波器。本發(fā)明尤其涉及一種表面聲波濾波器(SAW濾波器)的結構，其中連接多個單口表面聲波諧振器(SAW諧振器)，以便確定梯形電路，本發(fā)明還涉及其制造方法。
傳統(tǒng)地，已經(jīng)將SAW濾波器用作帶通濾波器。例如，在第56-19765號日本未審查專利公告中，提供了一種SAW濾波器，其結構是把多個單口SAW諧振器安排得構成梯形電路。
參照

圖11和12，將對上述具有梯形電路結構的SAW濾波器作一描述。在圖11和12的SAW濾波器中，提供了用于連接輸入端和輸出端的串聯(lián)臂，以及用于連接串聯(lián)臂和參考電位的并聯(lián)臂。確定串聯(lián)臂諧振器的單口SAW諧振器S1連接到串聯(lián)臂，確定并聯(lián)臂諧振器的單口SAW諧振器P1連接到并聯(lián)臂。在圖11中，只示出一個串聯(lián)臂諧振器和一個并聯(lián)臂諧振器。但是，包含在濾波器中的串聯(lián)臂諧振器和并聯(lián)臂諧振器的數(shù)量由所需的濾波器特性決定。
參照圖12，傳統(tǒng)的單口SAW諧振器具有如此的電極結構，從而IDT51的第一側上具有反射器52，其第二側上具有反射器53，所有的反射器都安排在壓電基片上(圖中未示)。
IDT51具有一對母線54和55，它們沿表面聲波傳播的方向延伸。母線54連接到多個電極指56的每一個電極指的一端。電極指56沿著垂直于表面聲波傳播的方向延伸，換句話說，朝母線54相對側上的母線55延伸。類似地，將母線55連接到多個電極指57的每一個電極指的一端。電極指57朝母線54延伸。電極指56和57安排得相互交叉。
安排上述多個單口SAW諧振器，以構成如圖11所示的梯形電路，以便確定SAW濾波器。圖13示出SAW濾波器的衰減-頻率特性。
由于具有梯形電路結構的SAW濾波器表現(xiàn)出小的損失并具有寬的通帶，故SAW濾波器已經(jīng)廣泛用作蜂窩電話和其它類似裝置中的帶通濾波器。
但是，近年來，蜂窩電話已經(jīng)使用了一種系統(tǒng)，其中發(fā)送側頻帶和接收側頻帶相互接近。這樣，當通帶相互接近時，帶通濾波器現(xiàn)在應能增大濾波器特性的陡度。
因此，為了增加濾波器特性的陡度，在第9-167937號日本未審查專利中提供了一種具有如圖14所示的電路結構的SAW濾波器。在這種情況下，單口SAW諧振器S1和S2連接到串聯(lián)臂，從而SAW諧振器S1并聯(lián)到電容器58。根據(jù)這種傳統(tǒng)的裝置，增設電容器58允許SAW諧振器S1的反諧振頻率減小，從而通帶高頻側上的濾波器特性的陡度可以增加。
但是，由于第9-167937號日本未審查專利公告中描述的方法需要增設電容器58，故增加了SAW濾波器的尺寸，因此如果想要使蜂窩電話或其它類似的裝置小型化，則使用傳統(tǒng)的設計是困難的。另外，由于有電容器58，加到SAW諧振器S1的電容更大，故在通帶之外的頻帶中的衰減減小了。
注意，在具有梯形電路結構的SAW濾波器中(其中頻帶與通帶分開)，衰減由并聯(lián)臂諧振器和串聯(lián)臂諧振器的電容比決定。通常，當串聯(lián)臂諧振器的電容增加時，衰減減小。結果，如上所述，對于傳統(tǒng)的裝置，在串聯(lián)臂諧振器的電容增加時，當將串聯(lián)臂諧振器S1并聯(lián)到電容器58時，通帶外面的衰減惡化。
為了防止上述在與通帶分開的頻帶中的衰減的減小，辦法是減小串聯(lián)臂諧振器的電極的電容。但是，當串聯(lián)臂諧振器的電極電容減小時，必須減小電極指的對數(shù)及其交叉寬度，這導致難以得到理想的諧振特性。
為了克服上述問題，本發(fā)明的較佳實施例提供了一種SAW濾波器，它增加了通帶的高頻側上的濾波器特性的陡度，同時有助于濾波器的最小化，抑制離開通帶的頻帶中的衰減的減小，并達到極好的諧振特性。
根據(jù)本發(fā)明的較佳實施例，SAW濾波器包含多個安排在壓電基片上的交指換能器，以便確定多個單口SAW 諧振器，多個單口SAW諧振器經(jīng)連接構成具有串聯(lián)臂和并聯(lián)臂的梯形電路。多個單口SAW諧振器的每一個都具有第一和第二梳形電極。第一和第二梳形電極(每一個都具有多個電極指和連接到多個電極指的第一端的母線)相互交叉，從而第一和第二梳形電極的每一個梳形電極的多個電極指的第二端朝另一個梳形電極的母線延伸，以確定交指換能器。在多個單口諧振器的至少一個的交指換能器中，第一梳形電極的母線和連接到第二梳形電極的母線的電極指的第二端之間的隙寬在大約0.50λ到大約4λ的范圍內(nèi)，其中λ是要在壓電基片上激勵的表面聲波的波長。
在本發(fā)明的另一個較佳實施例中，最好將至少一個單口SAW諧振器連接到梯形電路的串聯(lián)臂。在這種情況下，鄰近通帶的高頻側上的通帶的波動如此移動，從而通帶的高頻側上的濾波器特性的陡度通過波動的衰減而增加。
在本發(fā)明的另一個較佳實施例中，梯形電路可以具有多個串聯(lián)臂，并且在所有的串聯(lián)臂上的交指換能器中的上述隙寬可以較佳地設置在大約0.50λ到大約4λ的范圍內(nèi)。在這種情況下，達到增加衰減(由于連接在串聯(lián)臂處的每一個單口SAW諧振器的波動引起)的協(xié)同效果。由此，達到包括在通帶的高頻側處更陡的濾波器特性在內(nèi)的極好的SAW濾波器特性。
在本發(fā)明的另一個較佳實施例中，如果單口SAW諧振器將LiTaO3基片用作壓電基片，則上述波動清楚地出現(xiàn)在諧振頻率和反諧振頻率之間。由此，可以有效地利用波動增加衰減，從而大大并且有效地增加濾波器特性接近于通帶時的陡度。
在本發(fā)明的另一個較佳實施例中，生產(chǎn)SAW濾波器的方法包含步驟提供壓電基片，在壓電基片上形成多個交指換能器以便形成多個單口SAW諧振器，多個單口SAW諧振器中的每一個都包含第一和第二梳形電極，每一個梳形電極都包含電極指和母線，其中連接多個單口SAW諧振器，以便構成具有串聯(lián)臂和并聯(lián)臂的梯形電路，并在至少一個交指換能器中的第一梳形電極的母線和第二梳形電極的電極指端部之間產(chǎn)生隙寬，該隙寬在大約0.50λ到大約4λ的范圍內(nèi)，從而在表面聲波濾波器的通帶中產(chǎn)生波動，其中λ是要在壓電基片上激勵的表面聲波的波長。
下面將參照本發(fā)明的較佳實施例和附圖，詳細描述本發(fā)明的元件和優(yōu)點。
下面將從這里所給出的詳細的描述以及附圖，更加完全地理解本發(fā)明，其中這些都只是為了描述而已，不限制本發(fā)明，這些附圖是圖1A是根據(jù)本發(fā)明的較佳實施例的SAW濾波器的電路圖；圖1B是圖1A所示的較佳實施例的SAW濾波器中所使用的單口SAW諧振器的電極結構的平面圖；圖2是曲線圖，示出單口SAW諧振器中母線與電極指頂端之間的隙寬W2與較佳實施例中諧振頻率和反諧振頻率之間波動的頻率位置之間的關系；圖3是曲線圖，示出單口SAW諧振器中母線和電極指頂端之間的隙寬W2與較佳實施例中通帶的高頻側上濾波器特性的陡度之間的關系；
圖4是曲線圖，示出SAW濾波器的衰減-頻率特性，這描述了圖3所示的濾波器特性的陡度；圖5是曲線圖，示出用作根據(jù)本發(fā)明的較佳實施例的第一個實驗例子的串聯(lián)臂諧振器的單口SAW諧振器的SAW濾波器的阻抗-頻率特性；圖6是曲線圖，示出本發(fā)明的較佳實施例的第一個實驗例子的SAW濾波器的衰減-頻率特性，以及用于與本發(fā)明的較佳實施例比較的SAW濾波器的特性；圖7是曲線圖，示出用作本發(fā)明的較佳實施例的第二個實驗例子的串聯(lián)臂諧振器的單口SAW諧振器的阻抗頻率特性；圖8是曲線圖，示出本發(fā)明的較佳實施例的第二個實驗例子的SAW濾波器的衰減-頻率特性，以及用于與本發(fā)明的較佳實施例比較的SAW濾波器的特性；圖9是示出根據(jù)本發(fā)明的另一個較佳實施例的雙工器的電路圖；圖10是方框圖，示出本發(fā)明的另一個較佳實施例的通信設備；圖11是具有梯形電路結構的傳統(tǒng)SAW濾波器的電路圖；圖12是示出用于傳統(tǒng)的SAW濾波器中的單口SAW諧振器的電極結構的平面圖；圖13是示出傳統(tǒng)SAW濾波器衰減-頻率特性的曲線圖；圖14是用于描述另一個傳統(tǒng)的SAW濾波器的電路圖；及圖15是用于描述傳統(tǒng)的單口SAW諧振器中的隙寬長度和電極指交叉寬度之間關系的平面圖。
圖1A示出根據(jù)本發(fā)明的較佳實施例的SAW濾波器電路結構。圖1B是平面圖，示出包含在本較佳實施例中的單口SAW諧振器的電極結構。
參照圖1A，較佳實施例的SAW濾波器具有梯形電路結構。即，最好將串聯(lián)臂設置在輸入端IN和輸出端OUT之間，并且最好在串聯(lián)臂和參考電位之間設置多個并聯(lián)臂。
單口SAW諧振器S1和S2是連接到串聯(lián)臂的串聯(lián)臂諧振器。每一個單口SAW諧振器P1到P3都是連接到每一個并聯(lián)臂的并聯(lián)臂諧振器。另外，如圖1A所示，將并聯(lián)臂諧振器和串聯(lián)臂諧振器從輸入端IN到輸出端OUT交替設置。但是，本發(fā)明中的串聯(lián)臂諧振器和并聯(lián)臂諧振器的數(shù)量不應限于較佳實施例所示的情況，還可以使用任何數(shù)量或組合的串聯(lián)臂諧振器和并聯(lián)臂諧振器。例如，可以使用這樣的結構，即，它只有一個串聯(lián)臂諧振器和只有一個并聯(lián)臂諧振器，或這樣的結構，即，它具有三個或更多并聯(lián)臂諧振器。
參照圖1B，將提供對單口SAW諧振器S1、S2、P1到P3的電極結構的描述。在單口SAW諧振器中，最好將反射器2和3分別設置在IDT1的每一側，最好是沿IDT1中表面聲波的傳播方向設置。
IDT1最好包含一對母線4和5，它們安排得大致上相互平行，并且其間具有固定的距離。將多個電極指6中每一個電極指的一端連接到母線4，而將多個電極指7中的每一個電極指的一端連接到母線5。電極指6朝母線5延伸，電極指7朝母線4延伸。如此安排電極指6和7，從而它們相互交叉。
IDT1包括一對梳形電極10和11。梳形電極10包括多個電極指6和連接到電極指6的第一端的母線4。梳形電極11包括多個電極指7和連接到電極指7的第一端的母線5。梳形電極10和11最好相互交叉，從而梳形電極10或11的電極指6或7的第二端分別朝梳形電極11或10的母線5或4延伸。
另外，反射器2和3最好由光柵反射器制成，其中反射器2、3中設置的多個電極指的兩端最好短路。
在單口SAW諧振器中，當在電極指6和7之間施加AC電壓時，IDT1被激勵，并且產(chǎn)生表面聲波。表面聲波被限定在反射器2和3之間，從而可以取出基于該表面聲波的諧振特性。
根據(jù)本發(fā)明的較佳實施例，在至少一個單口SAW諧振器的IDT1(它構成定義了梯形電路的SAW濾波器)中，最好將梳形電極10或11的母線4或5與連接到梳形電極11或10的母線5或4的電極指7或6的第二端之間的隙寬W2設置在大約0.50λ到大約4λ的范圍內(nèi)，其中λ是要在壓電基片上激勵的表面聲波的波長。這種獨特的安排大大增加了通帶的高頻側上濾波器特性的陡度。下面將解釋這個情況。
在第6-232682號日本未審查專利公告中，揭示了一種用于減小存在于使用由LiTaO3制成的壓電基片的單口SAW諧振器中的諧振頻率和反諧振頻率之間的波動的方法。圖15示出傳統(tǒng)技術中描述的單口SAW諧振器的電極結構。應該指出，在圖13中，示出設置在IDT51的一側上的反射器52，但是未示出設置在IDT51的另一側上的反射器。
在傳統(tǒng)技術中，揭示了當增大比值W1/W2時，存在于諧振頻率和反諧振頻率之間的波動的影響(特別是LiTaO3基片)可以減小。換句話說，使隙寬長度W2小于交叉寬度W1減小了*surface skimming bulk wave(SSBW)的發(fā)生，從而上述波動的影響減小了。
如在傳統(tǒng)技術中所述的，SSBW的發(fā)生被認為是不理想的，因為它惡化了SAW諧振器的特性，故希望使隙寬長度W2盡可能小。
相比之下，本發(fā)明的較佳實施例盡可能利用了波動，從而在濾波器特性中得到預料不到的效果。換句話說，與傳統(tǒng)的智慧以及試圖抑制波動發(fā)生的裝置相比，本發(fā)明的較佳實施例以積極的態(tài)度利用波動。
本發(fā)明提供了經(jīng)驗證據(jù)，即，在單口SAW諧振器中，固定交叉寬度W1和只改變隙寬長度W2能容易地控制波動的頻率。
參照圖2，曲線圖示出單口SAW諧振器中的隙寬W2與諧振頻率和反諧振頻率之間發(fā)生的波動的頻率之間的關系。由豎軸指出的頻率Δf/f0是標準值，其中△f測量的是波動發(fā)生處的頻率與表面聲波器件的諧振頻率f0之間的差。如圖2所示，改變隙寬長度W2改變了波動發(fā)生的頻率。
因此，在具有梯形電路結構的SAW濾波器中，通過結合多個單口SAW諧振器的諧振特性，得到理想的極好的濾波器特性。相應地，通過將波動移到必須增加衰減的頻率，波動使在那個頻率處的衰減增加。注意，在梯形電路結構中，當隙寬W2尤其在定義了串聯(lián)臂諧振器的單口SAW諧振器中改變時，發(fā)生波動的頻率可以移到SAW濾波器的通帶高頻側的頻肩附近的頻率。結果，大大增加了通帶高頻側上的濾波器特性的陡度。
下面，將給出有關串聯(lián)臂諧振器的隙寬長度W2的變化怎樣影響其高頻側上的通帶特性的描述。
參照圖3，曲線圖示出當定義了SAW濾波器中的串聯(lián)臂諧振器的單口SAW諧振器S1和S2中隙寬長度W2變化時，SAW濾波器的通帶高頻側上陡度的變化。下面定義通帶附近的濾波器特性的陡度(其單位用MHz表示)。參照圖4，在通帶的高頻側上，衰減為5dB處的頻率與衰減是10dB處的頻率之間的差等于濾波器特性的陡度。由此，頻率差越小(MHz)，則濾波器的特性越陡。
因此，圖3示出了在單口SAW諧振器中的隙寬長度W2與通帶高頻側上濾波器特性的陡度之間有關系。如果隙寬長度為大約0.50λ或更大，濾波器特性的陡度銳利地增加。
因此，在較佳實施例中(其中以梯形安排連接了多個單口SAW諧振器)，如果定義了串聯(lián)臂諧振器的單口SAW諧振器中的隙寬長度W2大約0.50λ或更大，則通帶的高頻側上的陡度大大增加。但是，當隙寬長度W2大于大約4λ時，如圖3所示，陡度的增加開始減小。由此，當隙寬長度W2在大約0.50λ到大約4λ的范圍內(nèi)時，高頻側上的陡度最大。
下面，將提供對本發(fā)明較佳實施例的SAW濾波器的實驗例子的詳細解釋。
1.第一試驗例將36°Y切X傳播的LiTaO3基片用作壓電基片。將各個單口SAW諧振器和與之連接的電極設置在基片上。使用Al形成單口SAW諧振器并用于連接電極。
分別如下地形成定義了串聯(lián)臂諧振器的單口SAW諧振器S1和S2和定義了并聯(lián)臂諧振器的單口SAW諧振器P1和P2。
(1)單口SAW諧振器S1和S2(串聯(lián)臂諧振器)電極指的對數(shù)為80，電極指的交叉寬度為大約40μm(10.5λ)，IDT中的隙寬長度W2為大約1.0λ，反射器中的電極指數(shù)量等于100。
(2)單口SAW諧振器P1和P3(并聯(lián)臂諧振器)電極指的對數(shù)等于40，電極指的交叉寬度大約80μm(20λ)，反射器中的電極指的數(shù)量等于100，隙寬長度W2大約0.25λ。
(3)單口SAW諧振器P2(并聯(lián)臂諧振器)電極指的對數(shù)等于80，電極指的交叉寬度大約200μm(50λ)，反射器中的電極指的數(shù)量等于100，隙寬長度W2大約0.25λ。
參照圖5，曲線圖中示出了如上所述構成的單口SAW諧振器S1和S2(串聯(lián)臂諧振器)的阻抗-頻率特性。如圖5中可見，由箭頭A指出的波動出現(xiàn)在諧振頻率和反諧振頻率之間。在本發(fā)明的較佳實施例中，將波動A朝SAW濾波器通帶的高頻側移動，大大增加了通帶高頻側上的陡度。
參照圖6，如上所述形成的SAW濾波器的衰減-頻率特性由實線表示。為了比較，虛線指出了以和上述第一試驗例相同的方法形成的SAW濾波器的濾波器特性，其中不同的是將單口SAW諧振器S1和S2(串聯(lián)臂諧振器)中的隙寬長度W2設置為大約0.25λ。如圖6中所示，在第一試驗例中，由于將單口SAW諧振器S1和S2中的隙寬長度W2設置為大約1.0λ，故通帶高頻側的陡度比用于比較的樣品中的陡度大許多。
2.第二試驗例以和第一試驗例中相同的方法生產(chǎn)SAW濾波器，其中不同的是單口SAW諧振器S1和S2以及作為并聯(lián)臂諧振器的單口SAW諧振器P1到P3的結構變化如下。
(1)單口SAW諧振器S1和S2(串聯(lián)臂諧振器)電極指的對數(shù)等于80，電極指的交叉寬度大約40μm(10.5λ)，隙寬長度W2大約2.0λ，反射器中的電極指數(shù)量等于100。
(2)單口SAW諧振器P1和P3(并聯(lián)臂諧振器)電極指的對數(shù)等于40，電極指的交叉寬度大約80μm(20λ)，反射器中的電極指數(shù)量等于100。
(3)單口SAW諧振器P2(并聯(lián)臂諧振器)電極指的對數(shù)等于80，電極指的交叉寬度大約200μm(50λ)，隙寬長度W2大約0.25λ，反射器中電極指的數(shù)量等于100。
參照圖7，該曲線圖示出作為第二試驗例SAW濾波器的串聯(lián)臂諧振器的單口SAW諧振器S1的阻抗-頻率特性。在圖7中，由箭頭B指出的波動出現(xiàn)在反諧振頻率附近。將波動B朝SAW濾波器中的通帶高頻側移動大大增加了通帶高頻側的陡度。
參照圖8，實線表示根據(jù)第二試驗例的SAW濾波器的衰減-頻率特性。虛線示出為了和在第一試驗例中比較的SAW濾波器的衰減-頻率特性。我們發(fā)現(xiàn)，即使在第二試驗例中，當單口SAW諧振器S1和S2的隙寬長度W2為大約2.0λ時，通帶的高頻側上陡度大大增加。
通過比較，如圖6和8所示，在根據(jù)第二試驗例的SAW濾波器中，和第一試驗例的SAW濾波器相比，通帶的高頻側上的陡度在極靠近通帶處稍微小一點。但是，雖然極靠近通帶處的陡度稍微小一點，但是在根據(jù)第二試驗例的SAW濾波器中，高頻側內(nèi)的陡度還是更大。這可能是因為在第二試驗例中定義了串聯(lián)臂諧振器的單口SAW諧振器S1和S2的波動頻率比第一試驗例中的更高。由此，衰減在波動頻率處增加。
另外，雖然36°Y切割X傳播的LiTaO3基片用于第一和第二試驗例中，即使使用切割角不是36°的LiTaO3基片，也可以得到如上述例子中相同的優(yōu)點。還有，在本發(fā)明中可以使用其它壓電材料。更具體地說，可以使用由LiTaO3、LiNbO3或其它材料構成的壓電單晶基片。或者，還可以使用由諸如鋯酸鉛或鋯酸鈦之類的壓電陶瓷材料制成的基片。另外，還可以使用通過將壓電薄膜層疊在由諸如鋁土之類的絕緣材料制成的絕緣基片上而生產(chǎn)的壓電基片。如果使用絕緣基片，則可以將IDT電極和反射器形成在壓電薄膜的上表面或下表面上。但是，最好將LiTaO3基片用作壓電基片。
另外，只要將至少一個串聯(lián)臂諧振器中的隙寬長度設置為大約0.5λ或更大，串聯(lián)臂諧振器中的諧振頻率和反諧振頻率之間產(chǎn)生的波動可以被用于大大增加通帶高頻側上的陡度。由此，在本發(fā)明的較佳實施例中，只要定義了串聯(lián)臂諧振器的SAW諧振器中的至少一個的隙寬長度W2在大約0.50λ到大約4λ之間，陡度就大大增加。
另外，本發(fā)明不限于串聯(lián)臂諧振器。當定義了并聯(lián)臂諧振器的單口SAW諧振器的隙寬長度W2最好設置在大約0.50λ和大約4λ之間時，改變波動頻率也大大增加了通帶附近的陡度。
由此，在本發(fā)明的較佳實施例中，不需要與單口SAW諧振器并聯(lián)的電容器，從而有助于其尺寸的減小，因此遠離通帶的頻帶中的衰減的退化得到防止。
本發(fā)明可以適用于各種利用表面聲波濾波器的電子部件或裝置，而雙工器和具有雙工器的通信設備可以是其中的一種應用，其中成功地應用了本發(fā)明獨特的特點。
如圖9中所示，雙工器40包含SAW濾波器41和SAW濾波器42，它們的通帶的中心頻率相互不同。圖9中所示的SAW濾波器41和42與圖1A中所示的SAW濾波器相同，但是可以使用根據(jù)本發(fā)明的其它SAW濾波器。在雙工器40中，將SAW濾波器41的輸入端43和SAW濾波器42的輸入端44電氣連接到雙工器40的第一輸入/輸出端45。將SAW濾波器41和42的接地端連在一起接地。SAW濾波器41的輸出端46和SAW濾波器42的輸出端47分別連接到雙工器40的第二輸入/輸出端48和第三輸入/輸出端49。
由于SAW濾波器41和42在其通帶高頻端具有陡度，故雙工器40具有極好的信號選擇性。另外，由于不需要諸如電容器之類的其它元件，故雙工器40可以具有小的體積。
圖10是具有雙工器40的通信設備50的方框圖。通信設備50可以是例如蜂窩電話，蜂窩電話通常需要窄的通信頻帶，而小的便攜體積適合于享受雙工器40的上述特點。通信設備50包含連接到雙工器40的第一、第二和第三輸入/輸出端的天線51、接受器52和發(fā)送器53。如此選擇雙工器40的SAW濾波器41和42的通帶，從而通過天線51接收到的信號通過SAW濾波器41，并由SAW濾波器42阻斷，而讓要從發(fā)送器53發(fā)送的信號通過SAW濾波器42。
雖然已經(jīng)參照本發(fā)明的較佳實施例，具體示出和描述了本發(fā)明的較佳實施例，那些熟悉本領域的人將知道，在不背離本發(fā)明的主旨和范圍的條件下，可以有上述和其它的形式和細節(jié)上的變化。
權利要求
1.一種表面聲波濾波器，其特征在于包含壓電基片；多個交指換能器安排在壓電基片上，從而限定了多個單口SAW諧振器，連接多個單口SAW諧振器，以便構成具有串聯(lián)臂和并聯(lián)臂的梯形電路，多個交指換能器中的每一個都包含第一和第二梳形電極，每一個梳形電極都具有多個電極指和連接到多個電極指第一端的母線，第一和第二梳形電極相互交叉，從而第一梳形電極的多個電極指的第二端朝第二梳形電極的母線延伸，以限定各個交指換能器；其中，如此安排多個交指換能器中的至少一個，從而第一梳形電極的母線與連接到第二梳形電極的母線的電極指的第二端之間的隙寬在大約0.50λ到大約4λ的范圍內(nèi)，其中λ是要在壓電基片上激勵的表面聲波的波長。
2.如權利要求1所述的表面聲波濾波器，其特征在于至少一個單口SAW諧振器連接在梯形電路的串聯(lián)臂處。
3.如權利要求2所述的表面聲波濾波器，其特征在于梯形電路具有多個串聯(lián)臂，每一個串聯(lián)臂的交指換能器中的隙寬在大約0.50λ到大約4λ的范圍內(nèi)。
4.如權利要求2所述的表面聲波濾波器，其特征在于梯形電路具有多個串聯(lián)臂，其中在至少一個串聯(lián)臂處的交指換能器中的隙寬在大約0.50λ到大約4λ的范圍內(nèi)。
5.如權利要求2所述的表面聲波濾波器，其特征在于梯形電路具有多個并聯(lián)臂，其中在至少一個并聯(lián)臂處的交指換能器中的隙寬在大約0.50λ到大約4λ的范圍內(nèi)。
6.如權利要求1所述的表面聲波濾波器，其特征在于壓電基片是LitaO3基片。
7.如權利要求1所述的表面聲波濾波器，其特征在于壓電基片是LiNbO3基片。
8.如權利要求1所述的表面聲波濾波器，其特征在于壓電基片是由壓電陶瓷材料制成的。
9.如權利要求8所述的表面聲波濾波器，其特征在于壓電陶瓷材料是鋯酸鉛或鋯酸鈦中的至少一種。
10.如權利要求1所述的表面聲波濾波器，其特征在于壓電基片包含層疊在絕緣基片上的壓電薄膜。
11.如權利要求10所述表面聲波濾波器，其特征在于將交指換能器的電極設置在壓電薄膜的上表面或下表面上。
12.如權利要求1所述的表面聲波濾波器，其特征在于至少一個單口SAW諧振器還包含安排在壓電基片上的第一和第二反射器，從而第一反射器接近于交指換能器一側上的交指換能器，第二反射器接近于交指換能器另一側上的交指換能器。
13.如權利要求1所述的表面聲波濾波器，其特征在于梯形電路具有多個串聯(lián)臂和并聯(lián)臂，從而串聯(lián)臂和并聯(lián)臂是交替地設置的。
14.一種制造表面聲波濾波器的方法，其特征在于包含步驟提供壓電基片；形成多個安排在壓電基片上的交指換能器，以便限定多個單口SAW諧振器，多個單口SAW諧振器如此連接，以構成具有串聯(lián)臂和并聯(lián)臂的梯形電路，多個交指換能器中的每一個交指換能器包含第一和第二梳形電極，每一個梳形電極具有多個電極指和連接到多個電極指的第一端的母線，第一和第二梳形電極相互交叉，從而第一梳形電極的多個電極指的第二端朝第二梳形電極的母線延伸，以限定各個交指換能器；及在多個交指換能器的至少一個中產(chǎn)生隙寬，從而在第一梳形電極的母線和連接到第二梳形電極的母線的電極指的第二端之間存在隙寬，并且隙寬在大約0.50λ到大約4λ的范圍內(nèi)，其中λ是要在壓電基片上激勵的表面聲波的波長。
15.如權利要求14所述的方法，其特征在于將至少一個單口SAW諧振器連接到梯形電路的串聯(lián)臂。
16.如權利要求14所述的方法，其特征在于壓電基片是LiTaO3基片。
17.如權利要求14所述的方法，其特征在于梯形電路具有多個串聯(lián)臂，在所有串聯(lián)臂的交指換能器中的隙寬在大約0.50λ到大約4λ的范圍內(nèi)。
18.如權利要求14所述的方法，其特征在于梯形電路具有多個串聯(lián)臂，其中在至少一個串聯(lián)臂的交指換能器中的隙寬在大約0.50λ到大約4λ的范圍內(nèi)。
19.如權利要求14所述的方法，其特征在于梯形電路具有多個并聯(lián)臂，其中在多個并聯(lián)臂中至少一個并聯(lián)臂的交指換能器中的隙寬在大約0.50λ到大約4λ的范圍內(nèi)。
20.如權利要求14所述的方法，其特征在于在通帶高頻側的頻肩產(chǎn)生波動。
21.一種雙工器，包含一對根據(jù)權利要求1到13中任一條所述的表面聲波濾波器。
22.一種通信設備，包含如權利要求21所述的雙工器。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種表面聲波濾波器,它具有多個安排為梯形電路結構的交指換能器。每一個交指換能器具有第一梳形電極和第二梳形電極,每一個梳形電極都具有多個電極指和連接到多個電極指的第一端的母線。第一和第二梳形電極相互交叉,從而第一梳形電極的多個電極指的第二端朝第二梳形電極的母線延伸。在至少一個交指換能器中產(chǎn)生隙寬,以在表面聲波濾波器的通帶中產(chǎn)生波動,從而波動增加通帶高頻肩處的濾波器特性的陡度。
文檔編號H03H9/25GK1257347SQ99125838
公開日2000年6月21日 申請日期1999年11月24日 優(yōu)先權日1998年11月24日
發(fā)明者谷口典生 申請人:株式會社村田制作所