射頻矩陣開(kāi)關(guān)負(fù)載檢測(cè)電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本設(shè)計(jì)涉及射頻矩陣開(kāi)關(guān)負(fù)載檢測(cè)電路，屬于射頻技術(shù)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著GSM手機(jī)通信和無(wú)線局域網(wǎng)WI AN的市場(chǎng)需求不斷增加，應(yīng)用于射頻收發(fā)前端的單片集成GaAs開(kāi)關(guān)的發(fā)展前景越來(lái)越廣闊。與P斟二極管開(kāi)關(guān)電路相比，GaAS開(kāi)關(guān)具有簡(jiǎn)化的偏置網(wǎng)絡(luò)、幾乎可以忽略的直流功耗、超高速的開(kāi)關(guān)速度等優(yōu)點(diǎn)，而且與標(biāo)準(zhǔn)的CMOS開(kāi)關(guān)電路相比，還具有較低的插入損耗，近年來(lái)在開(kāi)關(guān)市場(chǎng)上具有明顯的優(yōu)勢(shì)。
[0003]隨著RF收/發(fā)支路的增加，普通的單刀雙擲開(kāi)關(guān)(STOT)已經(jīng)很難滿(mǎn)足需求，多路輸入多路輸出矩陣開(kāi)關(guān)的研宄隨之興起。射頻矩陣開(kāi)關(guān)作為終端收發(fā)系統(tǒng)的關(guān)鍵模塊，發(fā)揮著重要作用。
[0004]為了使矩陣開(kāi)關(guān)在任何狀態(tài)下都具有較低的回波損耗，在射頻矩陣開(kāi)關(guān)兩個(gè)輸出端需加入負(fù)載檢測(cè)電路。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]根據(jù)上述要求，本發(fā)明的目的是提供射頻矩陣開(kāi)關(guān)負(fù)載檢測(cè)電路，通過(guò)控制輸出端兩個(gè)電平的高低，保證射頻信號(hào)的正常輸出。
[0006]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本設(shè)計(jì)是通過(guò)以下技術(shù)手段來(lái)實(shí)現(xiàn)的:
射頻矩陣開(kāi)關(guān)負(fù)載檢測(cè)電路，其特征在于:所述負(fù)載檢測(cè)電路由一個(gè)邏輯非門(mén)和一個(gè)50 Ω電路構(gòu)成，晶體管Tl、電阻R1、電阻R2形成邏輯非門(mén)電路；晶體管T2、電阻R3、電阻R4、電阻R5、電容C構(gòu)成50 Ω電路。
[0007]進(jìn)一步地:
所述的射頻矩陣開(kāi)關(guān)負(fù)載檢測(cè)電路，其特征在于:電路輸入電壓端Vo提供正常工作電壓。
[0008]所述的射頻矩陣開(kāi)關(guān)負(fù)載檢測(cè)電路，其特征在于:直流端DC為高電平時(shí)，晶體管Tl導(dǎo)通，輸出低電平到T2的柵極，T2截止。
[0009]所述的射頻矩陣開(kāi)關(guān)負(fù)載檢測(cè)電路，其特征在于:DC為低電平時(shí)，晶體管Tl截止，輸出高電平到T2的柵極，T2導(dǎo)通，射頻信號(hào)直接接人50 Ω負(fù)載。
[0010]所述的射頻矩陣開(kāi)關(guān)負(fù)載檢測(cè)電路，其特征在于:T2截止時(shí)，射頻信號(hào)輸出端口OP正常輸出。
[0011]所述的射頻矩陣開(kāi)關(guān)負(fù)載檢測(cè)電路，其特征在于:Τ2導(dǎo)通時(shí)，在射頻信號(hào)輸出端口 OP不發(fā)生反射。
[0012]本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明在射頻矩陣開(kāi)關(guān)兩個(gè)輸出端需加入負(fù)載檢測(cè)電路，通過(guò)控制輸出端兩個(gè)電平的高低，使矩陣開(kāi)關(guān)在任何狀態(tài)下都具有較低的回波損耗，保證射頻信號(hào)的正常輸出。
【附圖說(shuō)明】
[0013]圖1為本發(fā)明電路組成結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0014]下面將結(jié)合說(shuō)明書(shū)附圖，對(duì)設(shè)計(jì)作進(jìn)一步的說(shuō)明。
[0015]射頻矩陣開(kāi)關(guān)負(fù)載檢測(cè)電路，其特征在于:所述負(fù)載檢測(cè)電路由一個(gè)邏輯非門(mén)和一個(gè)50 Ω電路構(gòu)成，晶體管Tl、電阻Rp電阻R2形成邏輯非門(mén)電路；晶體管T2、電阻R3、電阻R4、電阻R5、電容C構(gòu)成50Ω電路。
[0016]進(jìn)一步地:
所述的射頻矩陣開(kāi)關(guān)負(fù)載檢測(cè)電路，其特征在于:電路輸入電壓端Vo提供正常工作電壓。
[0017]所述的射頻矩陣開(kāi)關(guān)負(fù)載檢測(cè)電路，其特征在于:直流端DC為高電平時(shí)，晶體管Tl導(dǎo)通，輸出低電平到T2的柵極，T2截止。
[0018]所述的射頻矩陣開(kāi)關(guān)負(fù)載檢測(cè)電路，其特征在于:DC為低電平時(shí)，晶體管Tl截止，輸出高電平到T2的柵極，T2導(dǎo)通，射頻信號(hào)直接接人50 Ω負(fù)載。
[0019]所述的射頻矩陣開(kāi)關(guān)負(fù)載檢測(cè)電路，其特征在于:T2截止時(shí)，射頻信號(hào)輸出端口OP正常輸出。
[0020]所述的射頻矩陣開(kāi)關(guān)負(fù)載檢測(cè)電路，其特征在于:Τ2導(dǎo)通時(shí)，在射頻信號(hào)輸出端口 OP不發(fā)生反射。
[0021]以上顯示和描述了本設(shè)計(jì)的基本原理、主要特征及優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本設(shè)計(jì)不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和說(shuō)明書(shū)中描述的只是說(shuō)明本設(shè)計(jì)的原理，在不脫離本設(shè)計(jì)精神和范圍的前提下，本設(shè)計(jì)還會(huì)有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本設(shè)計(jì)范圍內(nèi)。本設(shè)計(jì)要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書(shū)及其等效物界定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.射頻矩陣開(kāi)關(guān)負(fù)載檢測(cè)電路，其特征在于:所述負(fù)載檢測(cè)電路由一個(gè)邏輯非門(mén)和一個(gè)50 Ω電路構(gòu)成，晶體管Tl、電阻Rp電阻R2形成邏輯非門(mén)電路；晶體管T2、電阻R3、電阻R4、電阻R5、電容C構(gòu)成50Ω電路。
2.如權(quán)利要求1所述的射頻矩陣開(kāi)關(guān)負(fù)載檢測(cè)電路，其特征在于:電路輸入電壓端Vo提供正常工作電壓。
3.如權(quán)利要求1所述的射頻矩陣開(kāi)關(guān)負(fù)載檢測(cè)電路，其特征在于:直流端DC為高電平時(shí)，晶體管Tl導(dǎo)通，輸出低電平到T2的柵極，T2截止。
4.如權(quán)利要求1所述的射頻矩陣開(kāi)關(guān)負(fù)載檢測(cè)電路，其特征在于:DC為低電平時(shí)，晶體管Tl截止，輸出高電平到T2的柵極，T2導(dǎo)通，射頻信號(hào)直接接人50 Ω負(fù)載。
5.如權(quán)利要求3所述的射頻矩陣開(kāi)關(guān)負(fù)載檢測(cè)電路，其特征在于:T2截止時(shí)，射頻信號(hào)輸出端口 OP正常輸出。
6.如權(quán)利要求4所述的射頻矩陣開(kāi)關(guān)負(fù)載檢測(cè)電路，其特征在于:Τ2導(dǎo)通時(shí)，在射頻信號(hào)輸出端口 OP不發(fā)生反射。
【專(zhuān)利摘要】射頻矩陣開(kāi)關(guān)負(fù)載檢測(cè)電路，其特征在于：所述負(fù)載檢測(cè)電路由一個(gè)邏輯非門(mén)和一個(gè)50Ω電路構(gòu)成，晶體管T1、電阻R1、電阻R2形成邏輯非門(mén)電路；晶體管T2、電阻R3、電阻R4、電阻R5、電容C構(gòu)成50Ω電路。本發(fā)明在射頻矩陣開(kāi)關(guān)兩個(gè)輸出端需加入負(fù)載檢測(cè)電路，通過(guò)控制輸出端兩個(gè)電平的高低，使矩陣開(kāi)關(guān)在任何狀態(tài)下都具有較低的回波損耗，保證射頻信號(hào)的正常輸出。
【IPC分類(lèi)】H03K17-94, H03K19-0175
【公開(kāi)號(hào)】CN104579282
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410774677
【發(fā)明人】張會(huì)林, 孫利華
【申請(qǐng)人】蘇州福豐科技有限公司
【公開(kāi)日】2015年4月29日
【申請(qǐng)日】2014年12月16日