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      光電子脈沖遺漏檢測(cè)器的制造方法

      文檔序號(hào):8321838閱讀:343來(lái)源:國(guó)知局
      光電子脈沖遺漏檢測(cè)器的制造方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明涉及一種光電子檢測(cè)器,尤其涉及一種光電子脈沖遺漏檢測(cè)器。
      【背景技術(shù)】
      [0002]光電子技術(shù)在經(jīng)過(guò)與其相關(guān)技術(shù)相互交叉滲透之后,其技術(shù)和應(yīng)用取得了飛速發(fā)展,在社會(huì)信息化中起著越來(lái)越重要的作用,光電子脈沖是相對(duì)于連續(xù)信號(hào)在整個(gè)信號(hào)周期內(nèi)短時(shí)間發(fā)生的信號(hào),脈沖信號(hào)是一種離散信號(hào),形狀多種多樣,與普通模擬信號(hào)相比,波形之間在時(shí)間軸不連續(xù)但具有一定的周期性是它的特點(diǎn),光電子脈沖信號(hào)能夠用來(lái)表示信息或者作為載波,如果脈沖信號(hào)出現(xiàn)泄漏,則會(huì)使傳輸?shù)男畔⒉粶?zhǔn)確。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0003]本發(fā)明的目的就在于為了解決上述問(wèn)題而提供一種光電子脈沖遺漏檢測(cè)器。
      [0004]本發(fā)明通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)上述目的:
      [0005]一種光電子脈沖遺漏檢測(cè)器,包括第一電阻至第六電阻、第一電容至第三電容、三極管、晶閘管、復(fù)位開(kāi)關(guān)、光電稱合器、電位器和雙時(shí)基芯片,所述雙時(shí)基芯片由第一芯片和第二芯片組成,所述第一電阻的第一端分別與所述第一芯片的復(fù)位端、所述光電耦合器的正極輸入端、所述第三電阻的第一端、所述電位器的第一端、所述電位器的滑動(dòng)端、所述第二芯片的電源端、所述第三電容的第一端、所述第六電阻的第一端和所述復(fù)位開(kāi)關(guān)的第一端連接并接正電壓,所述第一電阻的第二端分別與所述第二電阻的第一端和所述第一芯片的放電端連接,所述第二電阻的第二端分別與所述第一芯片的閾值端和所述第一芯片的觸發(fā)端和所述第一電容的第一端連接,所述光電耦合器的負(fù)極輸入端與所述第一芯片的輸出端連接,所述第三電阻的第二端分別與所述光電耦合器的集電極輸出端、所述第二芯片的復(fù)位端和所述第二芯片的觸發(fā)端連接,所述電位器的第二端分別與所述第二芯片的放電端、所述第二芯片的閾值端和所述第二電容的第一端連接,所述第二芯片的輸出端與所述第五電阻的第一端連接,所述第五電阻的第二端與所述三極管的基極連接,所述第六電阻的第二端分別與所述三極管的集電極和所述晶閘管的門(mén)極連接,所述復(fù)位開(kāi)關(guān)的第二端與所述晶閘管的正極連接,所述晶閘管的負(fù)極與所述第四電阻的第一端連接,所述第四電阻的第二端分別與所述三極管的發(fā)射極、所述第二芯片的接地端、所述第二電容的第二端、所述光電耦合器的發(fā)射極輸出端和所述第一電容的第二端連接并接地,所述第三電容的第二端接地。
      [0006]本發(fā)明的有益效果在于:
      [0007]本發(fā)明光電子脈沖遺漏檢測(cè)器由光電耦合器、雙時(shí)基芯片與阻容元件構(gòu)成的單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器和多諧振蕩器等組成,光電耦合器內(nèi)的發(fā)光管和光敏管之間開(kāi)有一個(gè)幾毫米的槽縫,當(dāng)外界隔光物體插進(jìn)其縫隙時(shí),其內(nèi)部的光敏管因通道光束被切斷而呈高阻,使第二芯片的脈沖信號(hào)檢測(cè)器因得不到復(fù)位信號(hào)而輸出高電平,進(jìn)暫穩(wěn)態(tài),若信號(hào)中斷時(shí)間大于暫穩(wěn)時(shí)間,則第二芯片復(fù)位,輸出的低電平使三極管截止,晶閘管導(dǎo)通,提醒光電子脈沖發(fā)生遺漏。
      【附圖說(shuō)明】
      [0008]圖1是本發(fā)明光電子脈沖遺漏檢測(cè)器的電路圖。
      【具體實(shí)施方式】
      [0009]下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明:
      [0010]如圖1所示,本發(fā)明光電子脈沖遺漏檢測(cè)器,包括第一電阻Rl至第六電阻R6、第一電容Cl至第三電容C3、三極管VT、晶閘管SCR、復(fù)位開(kāi)關(guān)AN、光電耦合器0C、電位器RP和雙時(shí)基芯片1C,雙時(shí)基芯片IC由第一芯片IC-1和第二芯片IC-2組成,第一電阻Rl的第一端分別與第一芯片IC-1的復(fù)位端、光電稱合器OC的正極輸入端、第三電阻R3的第一端、電位器RP的第一端、電位器RP的滑動(dòng)端、第二芯片IC-2的電源端、第三電容C3的第一端、第六電阻R6的第一端和復(fù)位開(kāi)關(guān)AN的第一端連接并接正電壓,第一電阻Rl的第二端分別與第二電阻R2的第一端和第一芯片IC-1的放電端連接,第二電阻R2的第二端分別與第一芯片IC-1的閾值端和第一芯片IC-1的觸發(fā)端和第一電容Cl的第一端連接,光電稱合器OC的負(fù)極輸入端與第一芯片IC-1的輸出端連接,第三電阻R3的第二端分別與光電稱合器OC的集電極輸出端、第二芯片IC-2的復(fù)位端和第二芯片IC-2的觸發(fā)端連接,電位器RP的第二端分別與第二芯片IC-2的放電端、第二芯片IC-2的閾值端和第二電容C2的第一端連接,第二芯片IC-2的輸出端與第五電阻R5的第一端連接,第五電阻R5的第二端與三極管VT的基極連接,第六電阻R6的第二端分別與三極管VT的集電極和晶閘管SCR的門(mén)極連接,復(fù)位開(kāi)關(guān)AN的第二端與晶閘管SCR的正極連接,晶閘管SCR的負(fù)極與第四電阻R4的第一端連接,第四電阻R4的第二端分別與三極管VT的發(fā)射極、第二芯片IC-2的接地端、第二電容C2的第二端、光電耦合器OC的發(fā)射極輸出端和第一電容Cl的第二端連接并接地,第三電容C3的第二端接地。
      [0011]本發(fā)明光電子脈沖遺漏檢測(cè)器的工作原理如下所示:
      [0012]多諧振蕩器由第一芯片IC-1和第一電阻R1、第二電阻R2、第一電容Cl等組成,檢測(cè)器由光電耦合器0C、雙時(shí)基芯片IC與阻容元件構(gòu)成的單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器和多諧振蕩器等組成,光電耦合器OC內(nèi)的發(fā)光管和光敏管之間開(kāi)有一個(gè)幾毫米的槽縫,當(dāng)外界隔光物體插進(jìn)其縫隙時(shí),其內(nèi)部的光敏管因通道光束被切斷而呈高阻,使第二芯片IC-2的脈沖信號(hào)檢測(cè)器因得不到復(fù)位信號(hào)而輸出高電平,進(jìn)暫穩(wěn)態(tài),若信號(hào)中斷時(shí)間大于暫穩(wěn)時(shí)間,則第二芯片IC-2復(fù)位,輸出的低電平使三極管VT截止,晶閘管SCR導(dǎo)通,提醒光電子脈沖發(fā)生遺漏。
      【主權(quán)項(xiàng)】
      1.一種光電子脈沖遺漏檢測(cè)器,其特征在于:包括第一電阻至第六電阻、第一電容至第三電容、三極管、晶閘管、復(fù)位開(kāi)關(guān)、光電稱合器、電位器和雙時(shí)基芯片,所述雙時(shí)基芯片由第一芯片和第二芯片組成,所述第一電阻的第一端分別與所述第一芯片的復(fù)位端、所述光電耦合器的正極輸入端、所述第三電阻的第一端、所述電位器的第一端、所述電位器的滑動(dòng)端、所述第二芯片的電源端、所述第三電容的第一端、所述第六電阻的第一端和所述復(fù)位開(kāi)關(guān)的第一端連接并接正電壓,所述第一電阻的第二端分別與所述第二電阻的第一端和所述第一芯片的放電端連接,所述第二電阻的第二端分別與所述第一芯片的閾值端和所述第一芯片的觸發(fā)端和所述第一電容的第一端連接,所述光電耦合器的負(fù)極輸入端與所述第一芯片的輸出端連接,所述第三電阻的第二端分別與所述光電耦合器的集電極輸出端、所述第二芯片的復(fù)位端和所述第二芯片的觸發(fā)端連接,所述電位器的第二端分別與所述第二芯片的放電端、所述第二芯片的閾值端和所述第二電容的第一端連接,所述第二芯片的輸出端與所述第五電阻的第一端連接,所述第五電阻的第二端與所述三極管的基極連接,所述第六電阻的第二端分別與所述三極管的集電極和所述晶閘管的門(mén)極連接,所述復(fù)位開(kāi)關(guān)的第二端與所述晶閘管的正極連接,所述晶閘管的負(fù)極與所述第四電阻的第一端連接,所述第四電阻的第二端分別與所述三極管的發(fā)射極、所述第二芯片的接地端、所述第二電容的第二端、所述光電耦合器的發(fā)射極輸出端和所述第一電容的第二端連接并接地,所述第三電容的第二端接地。
      【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種光電子脈沖遺漏檢測(cè)器,包括第一電阻至第六電阻、第一電容至第三電容、三極管、晶閘管、復(fù)位開(kāi)關(guān)、光電耦合器、電位器和雙時(shí)基芯片,所述雙時(shí)基芯片由第一芯片和第二芯片組成。本發(fā)明光電子脈沖遺漏檢測(cè)器由光電耦合器、雙時(shí)基芯片與阻容元件構(gòu)成的單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器和多諧振蕩器等組成,光電耦合器內(nèi)的發(fā)光管和光敏管之間開(kāi)有一個(gè)幾毫米的槽縫,當(dāng)外界隔光物體插進(jìn)其縫隙時(shí),其內(nèi)部的光敏管因通道光束被切斷而呈高阻,使第二芯片的脈沖信號(hào)檢測(cè)器因得不到復(fù)位信號(hào)而輸出高電平,進(jìn)暫穩(wěn)態(tài),若信號(hào)中斷時(shí)間大于暫穩(wěn)時(shí)間,則第二芯片復(fù)位,輸出的低電平使三極管截止,晶閘管導(dǎo)通,提醒光電子脈沖發(fā)生遺漏。
      【IPC分類】H03K5-19
      【公開(kāi)號(hào)】CN104639126
      【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201310567110
      【發(fā)明人】雷勇, 王舉, 帥娟
      【申請(qǐng)人】四川省迪特爾電子有限公司
      【公開(kāi)日】2015年5月20日
      【申請(qǐng)日】2013年11月14日
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