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      電磁感應(yīng)燈自啟動點(diǎn)火電路的制作方法

      文檔序號:8416422閱讀:298來源:國知局
      電磁感應(yīng)燈自啟動點(diǎn)火電路的制作方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001 ] 本發(fā)明涉及一種電磁感應(yīng)燈自啟動點(diǎn)火電路。
      【背景技術(shù)】
      [0002]電磁感應(yīng)燈作為近年來迅速發(fā)展的新光源,由于沒有電極,不會產(chǎn)生電極氧化、濺射、損耗和密封等問題引起的發(fā)黑現(xiàn)象。具有光效高、光色穩(wěn)定、壽命長等特點(diǎn)。電磁感應(yīng)燈氣體放電照明技術(shù)是一個跨學(xué)科的新興的技術(shù),它涉及到電力電子技術(shù)、氣體放電和發(fā)光理論、等離子體理論、電磁場理論等許多領(lǐng)域。由于電磁感應(yīng)燈具有許多別的光源沒有的優(yōu)點(diǎn),所以研宄電磁感應(yīng)燈照明系統(tǒng)有實(shí)際的應(yīng)用價值以及潛在的巨大商業(yè)價值。近10年來電感耦合放電的電磁感應(yīng)燈已實(shí)用化,成為本世紀(jì)的高效、節(jié)能新光源之一。
      [0003]電感耦合電磁感應(yīng)燈的基本工作過程分為兩個階段:
      [0004]①、在燈的點(diǎn)火階段,電路模型為勵磁線圈和燈管內(nèi)絕緣氣體之間等效平板電容模型。當(dāng)勵磁線圈上的電壓足夠高時,電容模型內(nèi)的位移電流將變得足夠大,可以自持并引起雪崩效應(yīng),無極燈將被點(diǎn)燃。
      [0005]②、在正常工作階段,電路模型等效為副邊匝數(shù)為I的等效變壓器模型,如圖1。此時勵磁線圈的電流在勵磁磁芯中產(chǎn)生高頻交變磁場,在放電管內(nèi)感應(yīng)出交變渦流電場,帶電粒子作加速運(yùn)動,形成等離子電流。在高頻交變渦流電場作用下,電子頻繁碰撞汞原子引起強(qiáng)烈的電離,以維持氣體放電,無極燈正常工作。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0006]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種電磁感應(yīng)燈自啟動點(diǎn)火電路。
      [0007]為了解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明采用的技術(shù)方案是:電磁感應(yīng)燈自啟動點(diǎn)火電路,包括CPU芯片STC12C5616AD、半橋驅(qū)動電路U3,電容Cl、C2、C3、C4,電阻R5,晶振CRYl ;
      [0008]電容C4 一端與+5V電源連接,一端接地,電容Cl 一端連接到+5V電源,另一端接電阻R5,電阻R5另一端接地,晶振CRYl —端與STC12C5616AD的4腳連接,另一端與STC12C5616AD的5腳連接,X2的一端接STC12C5616AD的4腳,另一端接地,C3的一端接STC12C5616AD的5腳,另一端接地,STC12C5616AD的12腳與U3的I腳連接。
      [0009]作為優(yōu)選,半橋驅(qū)動電路U3采用IR2184芯片。
      [0010]本發(fā)明的有益效果是:
      [0011]提供一種以微處理器為核心的自適應(yīng)尋優(yōu)啟動點(diǎn)火電路,解決國內(nèi)外廠商燈管參數(shù)不統(tǒng)一導(dǎo)致的電磁感應(yīng)燈啟動不良問題,并可以延長燈管和耦合器的使用壽命。
      【附圖說明】
      [0012]下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
      [0013]圖1是本發(fā)明電磁感應(yīng)燈自啟動點(diǎn)火電路實(shí)施例的電路圖。
      [0014]圖2是本發(fā)明電磁感應(yīng)燈自啟動點(diǎn)火電路實(shí)施例的半橋啟動子程序流程圖。
      【具體實(shí)施方式】
      [0015]圖1是一種寬參數(shù)適應(yīng)性的自動尋優(yōu)電磁感應(yīng)燈啟動點(diǎn)火電路。
      [0016]該電路由CPU芯片STC12C5616AD、半橋驅(qū)動電路U3(IR2184芯片),電容Cl、C2、C3、C4,電阻R5,晶振CRYl組成。
      [0017]電容C4 一端與5V電源連接,一端接地,電容Cl 一端連接到+5V電源,另一端接電阻R5,電阻R5另一端接地,晶振CRYl —端與STC12C5616AD的4腳連接,另一端與STC12C5616AD的5腳連接,C2的一端接STC12C5616AD的4腳,另一端接地,C3的一端接STC12C5616AD的5腳,另一端接地,STC12C5616AD的12腳與U3的I腳連接,實(shí)現(xiàn)不同頻率的信號輸出。
      [0018]工作原理:
      [0019]該技術(shù)在電磁感應(yīng)燈啟動時由STC12C5616AD處理器發(fā)出高于諧振頻率的矩形波信號,并逐步降低信號的頻率,使得電磁感應(yīng)燈耦合器兩端的電壓逐步上升,當(dāng)達(dá)到啟動電壓時,點(diǎn)亮電磁感應(yīng)燈,處理器在檢測燈管導(dǎo)通信號后,穩(wěn)定輸出頻率為工作頻率,實(shí)現(xiàn)在電磁感應(yīng)燈的寬參數(shù)自適應(yīng)啟動功能。負(fù)載的電壓、電流經(jīng)取樣電路和信號調(diào)理電路后送處理器實(shí)現(xiàn)電磁感應(yīng)燈啟動與運(yùn)行在線控制。該技術(shù)改變固定頻率啟動難以適應(yīng)不同負(fù)載參數(shù)變化和溫度變化的問題,本質(zhì)上避免了由于啟動不成功造成的電子鎮(zhèn)流器損害或啟動電壓過高對耦合器和燈管造成的損害,在一定程度上,延長了燈管和耦合器的使用壽命。
      [0020]圖2是半橋啟動子程序流程圖。首先調(diào)入程序初始化參數(shù),設(shè)置點(diǎn)火頻率、時間參數(shù),然后點(diǎn)火。如果點(diǎn)火成功,電磁感應(yīng)燈正常運(yùn)行,如果點(diǎn)火不成功,重新設(shè)置點(diǎn)火頻率、時間參數(shù),再點(diǎn)火,直到點(diǎn)火成功,電磁感應(yīng)燈正常工作。如果反復(fù)點(diǎn)火幾次后,仍未點(diǎn)火成功,認(rèn)為此時電磁感應(yīng)燈出現(xiàn)故障,停止點(diǎn)火,半橋停止工作??刂破魈幱诒Wo(hù)狀態(tài),同時啟動通信子程序,發(fā)出故障信息。
      [0021]以上所述的本發(fā)明實(shí)施方式,并不構(gòu)成對本發(fā)明保護(hù)范圍的限定。任何在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的修改、等同替換和改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本發(fā)明的權(quán)利要求保護(hù)范圍之內(nèi)。
      【主權(quán)項(xiàng)】
      1.電磁感應(yīng)燈自啟動點(diǎn)火電路,其特征在于:包括CPU芯片STC12C5616AD、半橋驅(qū)動電路 U3,電容 Cl、C2、C3、C4,電阻 R5,晶振 CRYl ; 所述電容C4 一端與+5V電源連接,一端接地,電容Cl 一端連接到+5V電源,另一端接電阻R5,電阻R5另一端接地,晶振CRYl —端與STC12C5616AD的4腳連接,另一端與STC12C5616AD的5腳連接,C2的一端接STC12C5616AD的4腳,另一端接地,C3的一端接STC12C5616AD的5腳,另一端接地,STC12C5616AD的12腳與U3的I腳連接。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁感應(yīng)燈自啟動點(diǎn)火電路,其特征在于:所述半橋驅(qū)動電路U3采用IR2184芯片。
      【專利摘要】本發(fā)明公開了一種電磁感應(yīng)燈自啟動點(diǎn)火電路,包括CPU芯片STC12C5616AD、半橋驅(qū)動電路U3,電容C1、C2、C3、C4,電阻R5,晶振CRY1;電容C4一端與5V電源連接,一端接地,電容C1一端連接到+5V電源,另一端接電阻R5,電阻R5另一端接地,晶振CRY1一端與STC12C5616AD的4腳連接,另一端與STC12C5616AD的5腳連接,C2的一端接STC12C5616AD的4腳,另一端接地,C3的一端接STC12C5616AD的5腳,另一端接地,STC12C5616AD的12腳與U3的1腳連接。其中,半橋驅(qū)動電路U3采用IR2184芯片。本發(fā)明提供一種以微處理器為核心的自適應(yīng)尋優(yōu)啟動點(diǎn)火電路,解決國內(nèi)外廠商燈管參數(shù)不統(tǒng)一導(dǎo)致的電磁感應(yīng)燈啟動不良問題,并可以延長燈管和耦合器的使用壽命。
      【IPC分類】H05B41-14
      【公開號】CN104735888
      【申請?zhí)枴緾N201510140684
      【發(fā)明人】王連明, 王有鎖, 趙其三, 周星星
      【申請人】安徽卓越電氣有限公司
      【公開日】2015年6月24日
      【申請日】2015年3月27日
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