一種高壓大電流電子開(kāi)關(guān)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種電子開(kāi)關(guān)，尤其是涉及一種高壓大電流電子開(kāi)關(guān)。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有雷擊大電流電子開(kāi)關(guān)主要組成部分分為驅(qū)動(dòng)電路模塊、高壓處理模塊、晶閘管控制模塊。對(duì)于現(xiàn)有的驅(qū)動(dòng)電路模塊工作原理是普通的DC/AC轉(zhuǎn)換，然后通過(guò)變壓器升壓至350VAC，然后再整流到400DC，放到儲(chǔ)能電容里面?zhèn)溆?。最后通過(guò)一個(gè)小開(kāi)關(guān)電路將400VDC以脈沖的形式發(fā)送到穿線圈的導(dǎo)線，最后在線圈上感應(yīng)出驅(qū)動(dòng)電壓，驅(qū)動(dòng)IGBT管的導(dǎo)通，至此打到驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)動(dòng)作的目的，這種驅(qū)動(dòng)模塊不僅電路復(fù)雜，而且對(duì)最后用來(lái)驅(qū)動(dòng)400VDC變成脈沖的方式的小開(kāi)關(guān)要求較高，必須響應(yīng)速度要快，而且功率要求也較高。對(duì)于現(xiàn)有的高壓處理模塊，制作的工藝非常繁瑣和困難，工藝的繁瑣和困難很容易導(dǎo)致產(chǎn)品的性能差，甚至直接使得該開(kāi)關(guān)直接被損壞。現(xiàn)有的高壓大電流電子開(kāi)關(guān)還有個(gè)致命的缺點(diǎn)就是對(duì)于通過(guò)該開(kāi)關(guān)的脈沖波形前沿線性較差。
[0003]對(duì)于晶閘管控制模塊，現(xiàn)有的方式是一個(gè)磁環(huán)驅(qū)動(dòng)一個(gè)晶閘管，我們知道高壓大電流電子開(kāi)關(guān)一般是有一百至幾百個(gè)晶閘管構(gòu)成，可想而知現(xiàn)有方式的模塊制作工藝方面是很繁瑣的。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的就是為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷而提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、性能可靠的高壓大電流電子開(kāi)關(guān)。
[0005]本發(fā)明的目的可以通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn):
[0006]一種高壓大電流電子開(kāi)關(guān)，包括依次連接的驅(qū)動(dòng)電路模塊、高壓處理模塊和晶閘管控制模塊，所述的驅(qū)動(dòng)電路模塊包括插頭J1、三極管電路、穿線圈導(dǎo)線Tl和DC輔助儲(chǔ)能電路，所述的插頭Jl分別連接三極管電路和DC輔助儲(chǔ)能電路，所述的三極管電路、穿線圈導(dǎo)線Tl和DC輔助儲(chǔ)能電路依次連接。
[0007]所述的DC輔助儲(chǔ)能電路包括第一電阻R1、第一電容Cl和第三電阻R3，所述的第一電容Cl 一端接地，另一端分別連接第一電阻Rl和第三電阻R3，所述的第一電阻Rl與插頭Jl連接，所述的第三電阻R3與穿線圈導(dǎo)線Tl連接。
[0008]所述的三極管電路包括第二電阻R2、第二電容C2、三極管Q1、第四電阻R4和第三電容C3，所述的第二電阻R2 —端連接插頭J1，另一端連接三極管Ql的基極，所述的第二電容C2 —端接地，另一端連接三極管Ql的基極，所述的第四電阻R4和第三電容C3串聯(lián)后連接在三極管Ql的集電極和發(fā)射極之間，所述的三極管Ql的集電極接地，發(fā)射極與穿線圈導(dǎo)線Tl連接。
[0009]所述的晶閘管控制模塊包括相連接的磁環(huán)和晶閘管，所述的一個(gè)磁環(huán)連接驅(qū)動(dòng)多個(gè)晶閘管。
[0010]還包括線性調(diào)整模塊，與晶閘管控制模塊連接。
[0011]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0012]1、本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)電路模塊原理簡(jiǎn)單，性能可靠，對(duì)元器件的要求也沒(méi)有之前的高。
[0013]2、本發(fā)明的晶閘管控制模塊在制作工藝上成倍的減少了制作的繁瑣和困難。
[0014]3、本發(fā)明增加的線性調(diào)整模塊十分有效的解決了現(xiàn)有產(chǎn)品高壓和低壓擊打出波形前沿線性不好的問(wèn)題。
【附圖說(shuō)明】
[0015]圖1為本發(fā)明驅(qū)動(dòng)模塊的電路示意圖；
[0016]圖2為本發(fā)明晶閘管控制模塊的電路示意圖。
[0017]
【具體實(shí)施方式】
[0018]下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。本實(shí)施例以本發(fā)明技術(shù)方案為前提進(jìn)行實(shí)施，給出了詳細(xì)的實(shí)施方式和具體的操作過(guò)程，但本發(fā)明的保護(hù)范圍不限于下述的實(shí)施例。
[0019]一種高壓大電流電子開(kāi)關(guān)，包括依次連接的驅(qū)動(dòng)電路模塊、高壓處理模塊和晶閘管控制模塊，如圖1所示，所述的驅(qū)動(dòng)電路模塊包括插頭J1、三極管電路、穿線圈導(dǎo)線Tl和DC輔助儲(chǔ)能電路，所述的插頭Jl分別連接三極管電路和DC輔助儲(chǔ)能電路，所述的三極管電路、穿線圈導(dǎo)線Tl和DC輔助儲(chǔ)能電路依次連接。
[0020]所述的DC輔助儲(chǔ)能電路包括第一電阻R1、第一電容Cl和第三電阻R3，所述的第一電容Cl 一端接地，另一端分別連接第一電阻Rl和第三電阻R3，所述的第一電阻Rl與插頭Jl連接，所述的第三電阻R3與穿線圈導(dǎo)線Tl連接。
[0021]所述的三極管電路包括第二電阻R2、第二電容C2、三極管Q1、第四電阻R4和第三電容C3，所述的第二電阻R2 —端連接插頭J1，另一端連接三極管Ql的基極，所述的第二電容C2 —端接地，另一端連接三極管Ql的基極，所述的第四電阻R4和第三電容C3串聯(lián)后連接在三極管Ql的集電極和發(fā)射極之間，所述的三極管Ql的集電極接地，發(fā)射極與穿線圈導(dǎo)線Tl連接。
[0022]如圖2所示，晶閘管控制模塊包括相連接的磁環(huán)和晶閘管，所述的一個(gè)磁環(huán)連接驅(qū)動(dòng)多個(gè)晶閘管，在制作工藝得到了很大的提高。
[0023]上述高壓大電流電子開(kāi)關(guān)還包括線性調(diào)整模塊，與晶閘管控制模塊連接，應(yīng)用高壓開(kāi)關(guān)對(duì)晶閘管進(jìn)行分組程控，高壓與低壓時(shí)分別對(duì)晶閘管的組數(shù)進(jìn)行程控選擇。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種高壓大電流電子開(kāi)關(guān)，包括依次連接的驅(qū)動(dòng)電路模塊、高壓處理模塊和晶閘管控制模塊，其特征在于，所述的驅(qū)動(dòng)電路模塊包括插頭J1、三極管電路、穿線圈導(dǎo)線Tl和DC輔助儲(chǔ)能電路，所述的插頭Jl分別連接三極管電路和DC輔助儲(chǔ)能電路，所述的三極管電路、穿線圈導(dǎo)線Tl和DC輔助儲(chǔ)能電路依次連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高壓大電流電子開(kāi)關(guān)，其特征在于，所述的DC輔助儲(chǔ)能電路包括第一電阻R1、第一電容Cl和第三電阻R3,所述的第一電容Cl 一端接地,另一端分別連接第一電阻Rl和第三電阻R3，所述的第一電阻Rl與插頭Jl連接，所述的第三電阻R3與穿線圈導(dǎo)線Tl連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高壓大電流電子開(kāi)關(guān)，其特征在于，所述的三極管電路包括第二電阻R2、第二電容C2、三極管Q1、第四電阻R4和第三電容C3，所述的第二電阻R2一端連接插頭J1，另一端連接三極管Q J的基極，所述的第二電容C2—端接地，另一端連接三極管Ql的基極，所述的第四電阻R4和第三電容C3串聯(lián)后連接在三極管Ql的集電極和發(fā)射極之間，所述的三極管Ql的集電極接地，發(fā)射極與穿線圈導(dǎo)線Tl連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高壓大電流電子開(kāi)關(guān)，其特征在于，所述的晶閘管控制模塊包括相連接的磁環(huán)和晶閘管，所述的一個(gè)磁環(huán)連接驅(qū)動(dòng)多個(gè)晶閘管。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高壓大電流電子開(kāi)關(guān)，其特征在于，還包括線性調(diào)整模塊，與晶閘管控制模塊連接。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種高壓大電流電子開(kāi)關(guān)，包括依次連接的驅(qū)動(dòng)電路模塊、高壓處理模塊和晶閘管控制模塊，其特征在于，所述的驅(qū)動(dòng)電路模塊包括插頭J1、直極管電路、穿線圈導(dǎo)線T1和DC輔助儲(chǔ)能電路，所述的插頭J1分別連接三極管電路和DC輔助儲(chǔ)能電路，所述的三極管電路、穿線圈導(dǎo)線T1和DC輔助儲(chǔ)能電路依次連接。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、性能可靠等優(yōu)點(diǎn)。
【IPC分類】H03K17-56
【公開(kāi)號(hào)】CN104753508
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201310745447
【發(fā)明人】毛文斌, 顧建軍
【申請(qǐng)人】上海普銳馬電子有限公司
【公開(kāi)日】2015年7月1日
【申請(qǐng)日】2013年12月30日