高溫電熱膜的制備工藝的制作方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及高溫電熱膜制備工藝領域，具體涉及一種高溫電熱膜的制備工藝。
【背景技術】
[0002]半導體電熱膜(SemiconductorElectroheafing Film，簡稱 SE1-1F)，又稱金屬氧化物電熱膜，是一種極具應用潛力的電熱膜，它本身具有自限溫特性，能保證各處的溫度均勻，避免出現(xiàn)溫度不均的現(xiàn)象。成為安全的“智能”型發(fā)熱材料。與傳統(tǒng)的發(fā)熱材料相比，具有熔點高、硬度大、電阻低、熱效率高、化學穩(wěn)定性好的特點，低溫電熱膜的研宄已經(jīng)相當成熟，但是高溫電熱膜的研宄特別是熱轉(zhuǎn)化的研宄較少，因此尋找易行的合成方式對進一步研宄電熱膜的各種性能具有重要意義。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0003]為解決上述問題，本發(fā)明提供了一種高溫電熱膜的制備工藝，采用高溫固相法，以石英玻璃為基材制備四氧化錫電熱膜。
[0004]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采取的技術方案為:
[0005]高溫電熱膜的制備工藝，包括如下步驟:
[0006]S1、取酒精10ml置于錐形瓶中，加熱至80°C，加入17.529g的四氯化錫和0.57g三氯化銻密閉，在80°C恒溫下攪拌一個小時；
[0007]S2、將步驟SI所得的溶液靜置2個小時后，使用勻膠機石英基片上以5.0kr/min的速度勻膠鍍膜15-20層，完成鍍膜后，自然降溫至室溫，沉積膠體；
[0008]S3、將步驟S2所得的石英基片置于氣氛高溫爐內(nèi)，450°C，燒結4小時后，既得成品O
[0009]本發(fā)明具備以下有益效果:可以在較低的溫度條件下制備薄膜，可以準確的控制摻雜物的量，并且在制備較大面積的31!02薄膜的時候是別的方法所無法比擬的；所制備的薄膜結構較致密，微晶發(fā)育完好，能制得結晶性能性能穩(wěn)定，熱轉(zhuǎn)化率高的電熱膜。
【附圖說明】
[0010]圖1為本發(fā)明實施例中所制備的薄膜結構在溫度450°C下的XRD圖譜。
【具體實施方式】
[0011]為了使本發(fā)明的目的及優(yōu)點更加清楚明白，以下結合實施例對本發(fā)明進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0012]實施例1
[0013]S1、取酒精10ml置于錐形瓶中，加熱至80°C，加入17.529g的四氯化錫和0.57g三氯化銻密閉，在80°C恒溫下攪拌一個小時；
[0014]S2、將步驟SI所得的溶液靜置2個小時后，使用勻膠機石英基片上以5.0kr/min的速度勻膠鍍膜15層，完成鍍膜后，自然降溫至室溫，沉積膠體；
[0015]S3、將步驟S2所得的石英基片置于氣氛高溫爐內(nèi)，450°C，燒結4小時后，既得成品O
[0016]實施例2
[0017]取酒精10ml置于錐形瓶中，加熱至80°C，加入17.529g的四氯化錫和0.57g三氯化銻密閉，在80°C恒溫下攪拌一個小時；
[0018]S2、將步驟SI所得的溶液靜置2個小時后，使用勻膠機石英基片上以5.0kr/min的速度勻膠鍍膜20層，完成鍍膜后，自然降溫至室溫，沉積膠體；
[0019]S3、將步驟S2所得的石英基片置于氣氛高溫爐內(nèi)，450°C，燒結4小時后，既得成品O
[0020]實施例3
[0021]取酒精10ml置于錐形瓶中，加熱至80°C，加入17.529g的四氯化錫和0.57g三氯化銻密閉，在80°C恒溫下攪拌一個小時；
[0022]S2、將步驟SI所得的溶液靜置2個小時后，使用勻膠機石英基片上以5.0kr/min的速度勻膠鍍膜18層，完成鍍膜后，自然降溫至室溫，沉積膠體；
[0023]S3、將步驟S2所得的石英基片置于氣氛高溫爐內(nèi)，450°C，燒結4小時后，既得成品O
[0024]經(jīng)檢測，實施例1-3所得的薄膜結構在溫度450°C下的XRD圖譜如圖1所示。
[0025]本發(fā)明可以在較低的溫度條件下制備薄膜，可以準確的控制摻雜物的量，并且在制備較大面積的SnCV薄膜的時候是別的方法所無法比擬的；所制備的薄膜結構較致密，微晶發(fā)育完好，能制得結晶性能性能穩(wěn)定，熱轉(zhuǎn)化率高的電熱膜。
[0026]以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應當指出，對于本技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以作出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應視為本發(fā)明的保護范圍。
【主權項】
1.高溫電熱膜的制備工藝，其特征在于，包括如下步驟: s1、取酒精10ml置于錐形瓶中，加熱至80°C，加入17.529g的四氯化錫和0.57g三氯化銻密閉，在80°C恒溫下攪拌一個小時； s2、將步驟SI所得的溶液靜置2個小時后，使用勻膠機石英基片上以5.0kr/min的速度勻膠鍍膜15-20層，完成鍍膜后，自然降溫至室溫，沉積膠體； s3、將步驟S2所得的石英基片置于氣氛高溫爐內(nèi)，450°C，燒結4小時后，既得成品。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種高溫電熱膜的制備工藝，包括如下步驟：取酒精100ml置于錐形瓶中，加熱至80℃，加入17.529g的四氯化錫和0.57g三氯化銻密閉，在80℃恒溫下攪拌一個小時；靜置2個小時后，使用勻膠機石英基片上以5.0kr/min的速度勻膠鍍膜15-20層，完成鍍膜后，自然降溫至室溫，沉積膠體；將所得的石英基片置于氣氛高溫爐內(nèi)，450℃，燒結4小時后，既得成品。本發(fā)明所制備的電熱膜性能穩(wěn)定，熱轉(zhuǎn)化率高。
【IPC分類】H05B3-34
【公開號】CN104837224
【申請?zhí)枴緾N201510161959
【發(fā)明人】徐敏
【申請人】西南民族大學
【公開日】2015年8月12日
【申請日】2015年4月4日