多功能手電筒的鎖存電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及鎖存電路技術(shù)領(lǐng)域，具體講是一種多功能手電筒的鎖存電路。
【背景技術(shù)】
[0002]多功能手電筒具有全亮、SOS閃爍、報(bào)警等功能，實(shí)現(xiàn)這些功能的結(jié)構(gòu)主要為電容配合外部電路形成的切換電路，多功能手電筒在各功能之間切換時(shí)依賴電容提供的電勢，即按下切換按鈕，此時(shí)為關(guān)斷，芯片掉電，電容為芯片提供記住關(guān)斷前的功能模式的電勢，大概能維持幾秒鐘，當(dāng)再次按下切換按鈕時(shí)，此時(shí)接通電源，芯片切換為其他功能模式，這樣就完成了兩個(gè)功能的切換，有三個(gè)或三個(gè)以上功能就依序切換，由上述可見，現(xiàn)有技術(shù)必須得有電容，因此，切換電路體積較大，成本也較高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是，克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種用于功能切換的具有較小的尺寸和較低的成本的多功能手電筒的鎖存電路。
[0004]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提出一種多功能手電筒的鎖存電路，它包括比較器010\]\?)5場效應(yīng)管祖、]\12、]\0、]\14、]\15、]\16、]\17、]\18、]\19、]\110 以及反相器 A、B，其中 M2、M3 均為PMOS場效應(yīng)管，其他MOS場效應(yīng)管均為NMOS場效應(yīng)管；M1的G端、Ml的D端、M2的G端、M3的G端相互連接，Ml的B端、S端均接地，M3的D端、B端、S端均接電源VDD，M2的B端、S端均接電源VDD ；M2的D端、M4的G端、M5的G端、M9的G端相互連接；M4的D端、B端、S端均接地；M5的S端、M7的G端、比較器COMP的DN端相互連接，M5的D端與M6的S端連接，M5的B端、M6的B端、比較器COMP的GND端、M9的B端、MlO的B端均接地，M6的D端、反相器A的輸出端、反相器B的輸入端相互連接，反相器A的輸入端與狀態(tài)信號輸入端STO連接，反相器B的輸出端與MlO的D端連接，MlO的G端、M6的G端、控制端K相互連接，MlO的S端與M9的D端連接，M9的S端、M8的G端、比較器COMP的DP端相互連接，M7的D端、B端、S端以及M8的D端、B端、S端均接地；比較器COMP的VDD端接電源VDD，比較器COMP的Q端為輸出端CAPI。
[0005]采用上述結(jié)構(gòu)后，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn):狀態(tài)信號輸入端STO為原狀態(tài)的一個(gè)信號，比如1，控制端K為一個(gè)固定信號以使整個(gè)電路能夠工作，比如一個(gè)穩(wěn)定的電勢，輸出端CAPl輸出一個(gè)信號給編解碼電路，這樣，隨著STO的變化，CAPl也發(fā)生變化，從而實(shí)現(xiàn)功能切換，整個(gè)電路主要基于MOS場效應(yīng)管實(shí)現(xiàn)，實(shí)際中，反相器A、B以及比較器COMP也均由MOS場效應(yīng)管構(gòu)建，因此，整個(gè)電路具有較小的尺寸和較低的成本，較低的成本主要體現(xiàn)在較高生產(chǎn)效率和大批量生產(chǎn)時(shí)的成本優(yōu)勢。
[0006]作為改進(jìn)，比較器COMP 包括 MOS 場效應(yīng)管 M11、M12、M13、M14、M15、M16、M17、M18、M19 以及反相器 C，其中 M11、M12、M13、M14、M15 均為 PMOS 場效應(yīng)管，M16、M17、M18、M19 均為NMOS場效應(yīng)管；M11的S端、Mll的B端、M16的G端、M14的B端、M12的S端、M12的B端、M15的B端、M13的S端、M13的B端均接VDD端；M11的G端、Mll的D端、M16的D端、M12的G端、M13的G端相互連接，M12的D端、M14的S端、M15的S端相互連接，M14的D端、M17的D端、M17的G端、M18的G端相互連接，M15的D端、M18的D端、M19的G端相互連接，M13的D端、反相器C的輸入端、M19的D端相互連接，M16的S端、M16的B端、M17的S端、M17的B端、M18的S端、M18的B端、M19的S端、M19的B端均接GND端；M14的G端接DP端，M15的G端接DN端，反相器C的輸出端接Q端，所述的比較器COMP結(jié)構(gòu)簡單，運(yùn)行穩(wěn)定可靠，從而更有利于本發(fā)明穩(wěn)定性和可靠性的提高。
【附圖說明】
[0007]圖1為本發(fā)明多功能手電筒的鎖存電路的電路原理圖。
[0008]圖2為本發(fā)明多功能手電筒的鎖存電路的比較器COMP的電路原理圖。
【具體實(shí)施方式】
[0009]下面對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明:
[0010]本發(fā)明多功能手電筒的鎖存電路，它包括比較器COMP、MOS場效應(yīng)管Ml、M2、M3、M4、M5、M6、M7、M8、M9、M10以及反相器A、B，其中M2、M3均為PMOS場效應(yīng)管，其他MOS場效應(yīng)管均為NMOS場效應(yīng)管；M1的G端、Ml的D端、M2的G端、M3的G端相互連接，Ml的B端、S端均接地，M3的D端、B端、S端均接電源VDD，M2的B端、S端均接電源VDD ；M2的D端、M4的G端、M5的G端、M9的G端相互連接；M4的D端、B端、S端均接地；M5的S端、M7的G端、比較器COMP的DN端相互連接，M5的D端與M6的S端連接，M5的B端、M6的B端、比較器COMP的GND端、M9的B端、MlO的B端均接地，M6的D端、反相器A的輸出端、反相器B的輸入端相互連接，反相器A的輸入端與狀態(tài)信號輸入端STO連接，反相器B的輸出端與MlO的D端連接，MlO的G端、M6的G端、控制端K相互連接，MlO的S端與M9的D端連接，M9的S端、M8的G端、比較器COMP的DP端相互連接，M7的D端、B端、S端以及M8的D端、B端、S端均接地；比較器COMP的VDD端接電源VDD，比較器COMP的Q端為輸出端CAPl。
[0011]比較器COMP 包括 MOS 場效應(yīng)管 Mil、M12、M13、M14、M15、M16、M17、M18、M19 以及反相器 C，其中 Mil、M12、M13、M14、M15 均為 PMOS 場效應(yīng)管，M16、M17、M18、M19 均為 NMOS場效應(yīng)管；M11的S端、Mll的B端、M16的G端、M14的B端、M12的S端、M12的B端、M15的B端、M13的S端、M13的B端均接VDD端；M11的G端、MlI的D端、M16的D端、M12的G端、M13的G端相互連接，M12的D端、M14的S端、M15的S端相互連接，M14的D端、M17的D端、M17的G端、M18的G端相互連接，M15的D端、M18的D端、M19的G端相互連接，M13的D端、反相器C的輸入端、M19的D端相互連接，M16的S端、M16的B端、M17的S端、M17的B端、M18的S端、M18的B端、M19的S端、M19的B端均接GND端;M14的G端接DP端，M15的G端接DN端，反相器C的輸出端接Q端。
[0012]在實(shí)際應(yīng)用中，可以將多個(gè)本發(fā)明多功能手電筒的鎖存電路進(jìn)行集合應(yīng)用，即包括多個(gè)鎖存電路，各鎖存電路的控制端K相互連接，各鎖存電路分別提供CAPl給編解碼電路，多個(gè)CAPl的不同組合能夠?qū)崿F(xiàn)豐富的編碼，每個(gè)編碼對應(yīng)一個(gè)功能，實(shí)現(xiàn)更多的功能控制，這樣就構(gòu)成了一個(gè)鎖存電路的集合方案，由于本發(fā)明多功能手電筒的鎖存電路具有較小的尺寸和較低的成本，所以該集合方案也具有較小的尺寸和較低的成本，較低的成本主要體現(xiàn)在較高生產(chǎn)效率和大批量生產(chǎn)時(shí)的成本優(yōu)勢。
[0013]以上所述僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施方式，故凡依本發(fā)明專利申請范圍所述的構(gòu)造、特征及原理所做的等效變化或修飾，均包括于本發(fā)明專利申請范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種多功能手電筒的鎖存電路，其特征在于，它包括比較器COMP、MOS場效應(yīng)管Ml、M2、M3、M4、M5、M6、M7、M8、M9、MlO以及反相器A、B，其中M2、M3均為PMOS場效應(yīng)管，其他MOS場效應(yīng)管均為NMOS場效應(yīng)管；M1的G端、Ml的D端、M2的G端、M3的G端相互連接，Ml的B端、S端均接地，M3的D端、B端、S端均接電源VDD，M2的B端、S端均接電源VDD ；M2的D端、M4的G端、M5的G端、M9的G端相互連接；M4的D端、B端、S端均接地；M5的S端、M7的G端、比較器COMP的DN端相互連接，M5的D端與M6的S端連接，M5的B端、M6的B端、比較器COMP的GND端、M9的B端、MlO的B端均接地，M6的D端、反相器A的輸出端、反相器B的輸入端相互連接，反相器A的輸入端與狀態(tài)信號輸入端STO連接，反相器B的輸出端與MlO的D端連接，MlO的G端、M6的G端、控制端K相互連接，MlO的S端與M9的D端連接，M9的S端、M8的G端、比較器COMP的DP端相互連接，M7的D端、B端、S端以及M8的D端、B端、S端均接地；比較器COMP的VDD端接電源VDD，比較器COMP的Q端為輸出端 CAPl02.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多功能手電筒的鎖存電路，其特征在于，比較器COMP包括MOS 場效應(yīng)管 M11、M12、M13、M14、M15、M16、M17、M18、M19 以及反相器 C，其中 M11、M12、M13、M14、M15均為PMOS場效應(yīng)管，M16、M17、M18、M19均為NMOS場效應(yīng)管；M11的S端、MlI的B端、M16的G端、M14的B端、M12的S端、M12的B端、M15的B端、M13的S端、M13的B端均接VDD端；M11的G端、Mll的D端、M16的D端、M12的G端、M13的G端相互連接，M12的D端、M14的S端、M15的S端相互連接，M14的D端、M17的D端、M17的G端、M18的G端相互連接，M15的D端、M18的D端、M19的G端相互連接，M13的D端、反相器C的輸入端、M19的D端相互連接，M16的S端、M16的B端、M17的S端、M17的B端、M18的S端、M18的B端、M19的S端、M19的B端均接GND端；M14的G端接DP端，M15的G端接DN端，反相器C的輸出端接Q端。
【專利摘要】本發(fā)明提出一種用于功能切換的具有較小的尺寸和較低的成本的多功能手電筒的鎖存電路,它包括比較器COMP、MOS場效應(yīng)管M1、M2、M3、M4、M5、M6、M7、M8、M9、M10以及反相器A、B；M5的S端、M7的G端、比較器COMP的DN端相互連接，M5的B端、M6的B端、比較器COMP的GND端、M9的B端、M10的B端均接地，M6的D端、反相器A的輸出端、反相器B的輸入端相互連接，反相器A的輸入端與狀態(tài)信號輸入端STO連接，反相器B的輸出端與M10的D端連接,M10的G端、M6的G端、控制端K相互連接，M9的S端、M8的G端、比較器COMP的DP端相互連接，M7的D端、B端、S端以及M8的D端、B端、S端均接地；比較器COMP的VDD端接電源VDD，比較器COMP的Q端為輸出端CAP1。
【IPC分類】H05B37/02
【公開號】CN105007656
【申請?zhí)枴緾N201510414016
【發(fā)明人】朱紅衛(wèi), 杜浩華
【申請人】海寧海微電子科技有限公司
【公開日】2015年10月28日
【申請日】2015年7月14日