一種基于酸性蝕刻工藝的半孔pcb制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于PCB生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種基于酸性蝕刻工藝的半孔PCB制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有技術(shù)中,半孔PCB主要是通過堿性蝕刻工藝進行生產(chǎn),由于堿性蝕刻工藝一般包括鍍錫制程,工序復(fù)雜,步驟繁多,增加了半孔PCB的生產(chǎn)成本。另外,現(xiàn)有技術(shù)采用酸性蝕刻工藝無法生產(chǎn)出符合要求的高品質(zhì)半孔PCB。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0003]本發(fā)明的目的在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供一種基于酸性蝕刻工藝的半孔PCB制造方法,該方法保證了采用酸性蝕刻工藝可以生產(chǎn)出符合要求的高品質(zhì)半孔PCB。
[0004]本發(fā)明是這樣實現(xiàn)的,一種基于酸性蝕刻工藝的半孔PCB制造方法,其特征在于,包括以下步驟:
鉆通孔:根據(jù)電路圖形的設(shè)計,在絕緣基板上鉆若干圓形通孔;
全板電鍍:對基板進行整板沉銅與鍍銅,使通孔內(nèi)銅箔的厚度為20-25um ;
負片干膜:在基板表面覆蓋一層抗蝕干膜,抗蝕干膜同時覆蓋住通孔的孔口與孔壁,進行負片電路圖形轉(zhuǎn)移;
酸性蝕刻:對基板表面未被干膜覆蓋的銅箔采用酸性蝕刻液體進行蝕刻;
退膜:去掉基板表面的抗蝕干膜;
防焊文字:在基板表面進行永久性防焊膜處理,并烤板;
沉鎳金:對基板表面露銅區(qū)域和通孔內(nèi)壁的鍍銅層進行化學(xué)鎳金沉積處理;
鉆鑼半孔:對通孔內(nèi)不需要的半孔進行鉆斷及鑼空處理;
蝕刻:對通孔內(nèi)被鉆斷及鑼空處理后殘存的銅箔進行蝕刻清理;
成型:對基板進行外型處理,制成半孔PCB。
[0005]由于本發(fā)明的半孔PCB制造方法采用酸性蝕刻工藝,不包括鍍錫制程,工序簡單,步驟少,因此降低了半孔PCB的生產(chǎn)成本。
【具體實施方式】
[0006]本發(fā)明實施例提供的一種基于酸性蝕刻工藝的半孔PCB制造方法,包括以下步驟:
鉆通孔:根據(jù)電路圖形的設(shè)計,在絕緣基板上鉆若干圓形通孔;
全板電鍍:對基板進行整板沉銅與鍍銅,使通孔內(nèi)銅箔的厚度為20-25um ;
負片干膜:在基板表面覆蓋一層抗蝕干膜,抗蝕干膜同時覆蓋住通孔的孔口與孔壁,進行負片電路圖形轉(zhuǎn)移;
酸性蝕刻:對基板表面未被干膜覆蓋的銅箔采用酸性蝕刻液體進行蝕刻; 退膜:去掉基板表面的抗蝕干膜;
防焊文字:在基板表面進行永久性防焊膜處理,并烤板;
沉鎳金:對基板表面露銅區(qū)域和通孔內(nèi)壁的鍍銅層進行化學(xué)鎳金沉積處理,化學(xué)鎳金沉積處理可以防止銅箔氧化;
鉆鑼半孔:對通孔內(nèi)不需要的半孔進行鉆斷及鑼空處理;
蝕刻:對通孔內(nèi)被鉆斷及鑼空處理后殘存的銅箔進行蝕刻清理;
成型:對基板進行外型處理,從而制成了半孔PCB。
[0007]與現(xiàn)有技術(shù)采用堿性蝕刻工藝制作半孔PCB不同,本發(fā)明提供的半孔PCB制造方法采用酸性蝕刻工藝,不需要鍍錫制程,通過干膜覆蓋通孔的孔口與孔壁后進行酸性蝕刻,被干膜覆蓋的通孔內(nèi)壁的銅箔無法被蝕刻掉,然后對通孔內(nèi)不需要的半孔進行鉆斷及鑼空處理,再對通孔內(nèi)被鉆斷及鑼空處理后殘存的銅箔進行蝕刻清理,從而實現(xiàn)了采用酸性蝕刻工藝制作半孔PCB的目的。
[0008]由于本發(fā)明的半孔PCB制造方法采用酸性蝕刻工藝,不包括鍍錫制程,工序簡單,步驟少,因此降低了半孔PCB的生產(chǎn)成本。
[0009]以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式,應(yīng)當指出,對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說,在不脫離本發(fā)明原理的前提下,還可以做出若干改進和潤飾,這些改進和潤飾也視為本發(fā)明的保護范圍。
【主權(quán)項】
1.一種基于酸性蝕刻工藝的半孔PCB制造方法,其特征在于,包括以下步驟: 鉆通孔:根據(jù)電路圖形的設(shè)計,在絕緣基板上鉆若干圓形通孔; 全板電鍍:對基板進行整板沉銅與鍍銅,使通孔內(nèi)銅箔的厚度為20-25um ; 負片干膜:在基板表面覆蓋一層抗蝕干膜,抗蝕干膜同時覆蓋住通孔的孔口與孔壁,進行負片電路圖形轉(zhuǎn)移; 酸性蝕刻:對基板表面未被干膜覆蓋的銅箔采用酸性蝕刻液體進行蝕刻; 退膜:去掉基板表面的抗蝕干膜; 防焊文字:在基板表面進行永久性防焊膜處理,并烤板; 沉鎳金:對基板表面露銅區(qū)域和通孔內(nèi)壁的鍍銅層進行化學(xué)鎳金沉積處理; 鉆鑼半孔:對通孔內(nèi)不需要的半孔進行鉆斷及鑼空處理; 蝕刻:對通孔內(nèi)被鉆斷及鑼空處理后殘存的銅箔進行蝕刻清理; 成型:對基板進行外型處理,制成半孔PCB。
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種基于酸性蝕刻工藝的半孔PCB制造方法,該方法不需要鍍錫制程,其通過干膜覆蓋基板表面、以及通孔的孔口和孔壁后進行酸性蝕刻,并對基板表面進行永久性防焊膜處理及對基板進行沉鎳金表面處理后,對通孔內(nèi)不需要的半孔進行鉆斷及鑼空處理,再對通孔內(nèi)被鉆斷及鑼空處理后殘存的銅箔進行蝕刻清理,從而實現(xiàn)了采用酸性蝕刻工藝制作半孔PCB的目的。由于本發(fā)明的半孔PCB制造方法采用酸性蝕刻工藝,不包括鍍錫制程,工序簡單,步驟少,因此降低了半孔PCB的生產(chǎn)成本。
【IPC分類】H05K3/06
【公開號】CN105120598
【申請?zhí)枴緾N201510441156
【發(fā)明人】姚建軍, 張雙林, 馬宏強
【申請人】深圳恒寶士線路板有限公司
【公開日】2015年12月2日
【申請日】2015年7月25日