一種厚銅板的外層蝕刻方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及PCB生產(chǎn)制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種厚銅板的外層蝕刻方法。
【背景技術(shù)】
[0002] PCB (Printed Circuit Board，印制電路板）的生產(chǎn)一般包括以下加工環(huán)節(jié)：開料 -負(fù)片工藝制作內(nèi)層線路一壓合一鉆孔一沉銅一全板電鍍一正片工藝制作外層線路一制 作阻焊層一表面處理一成型。正片工藝又包括磨板一貼膜一曝光一顯影一電鍍銅一電鍍錫 -退膜一外層蝕刻一退錫，其中外層蝕刻一般是使生產(chǎn)板水平經(jīng)過蝕刻缸，生產(chǎn)板的上方 和下方均設(shè)有噴淋頭，蝕刻液通過噴淋頭噴向生產(chǎn)板的上表面和下表面，一次性將生產(chǎn)板 上暴露出來的銅蝕刻掉，使線路蝕刻出來。但是，厚銅板（外層底銅比較厚的生產(chǎn)板，底銅 厚一般在20Z以上）在進(jìn)行外層蝕刻時(shí)，生產(chǎn)板上表面的密集線路區(qū)會(huì)存在藥水流動(dòng)性差 的問題，由于受到銅層厚度的影響，密集線路區(qū)極易出現(xiàn)蝕刻不凈，而線路較少的區(qū)域則易 出現(xiàn)蝕刻過度，出現(xiàn)線幼的問題，生產(chǎn)板上表面的蝕刻均勻性差。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 本發(fā)明針對現(xiàn)有的厚銅板進(jìn)行外層蝕刻時(shí)上表面的密集線路區(qū)域蝕刻不凈而線 路較少的區(qū)域則蝕刻過度的問題，提供一種蝕刻均勻性好的厚銅板的外層蝕刻方法。
[0004] 為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案。
[0005] -種厚銅板的外層蝕刻方法，所述厚銅板包括第一表面和第二表面，所述外層蝕 刻包括以下步驟：
[0006] Sl -次蝕刻：使厚銅板水平經(jīng)過蝕刻缸，且第一表面朝上，第二表面朝下；部分蝕 刻液由上往下噴向第一表面，部分蝕刻液由下往上噴向第二表面；
[0007] S2 -次微蝕：用微蝕液噴淋厚銅板，然后再用水清洗厚銅板；
[0008] S3二次蝕刻：使厚銅板水平經(jīng)過蝕刻缸，且第二表面朝上，第一表面朝下；部分蝕 刻液由上往下噴向第二表面，部分蝕刻液由下往上噴向第一表面；
[0009] S4二次微蝕：用微蝕液噴淋厚銅板，然后再用水清洗厚銅板。
[0010] 優(yōu)選的，以上步驟Sl和S3中，蝕刻液由上往下噴的壓力為2-3Kg/cm2;蝕刻液由下 往上噴的壓力為l-2Kg/cm 2。
[0011] 優(yōu)選的，以上步驟SI和S3中，厚銅板以2. 5-3. 5m/min的速度經(jīng)過蝕刻缸。
[0012] 優(yōu)選的，以上步驟Sl和S3中，蝕刻液的溫度為48-52 °C ;蝕刻液中的[Cl ]為 165-215g/L，[Cu2+]為 125-155g/L ;蝕刻液的 pH為 8. 0-8. 8 ;蝕刻液的比重為 L 192-1. 202。 [0013] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明通過采用兩次蝕刻并在兩次蝕刻 中改變厚銅板的上下朝向，使厚銅板的兩個(gè)表面都分別有一次朝向下方接受蝕刻液由下往 上噴淋，同時(shí)調(diào)整厚銅板經(jīng)過蝕刻缸的速度及調(diào)整蝕刻液的噴淋壓力和蝕刻液的濃度等工 藝參數(shù)，調(diào)整后的工藝參數(shù)與兩次蝕刻方式配合，使厚銅板的外層蝕刻均勻性好，線路密集 區(qū)域可蝕刻干凈，而線路較少的區(qū)域也不會(huì)出現(xiàn)蝕刻過度，蝕刻線幼的問題，從而可提高產(chǎn) 品的品質(zhì)，降低生產(chǎn)報(bào)廢率。通過本發(fā)明方法對厚銅板進(jìn)行外層蝕刻的蝕刻效果好。
【具體實(shí)施方式】
[0014] 為了更充分理解本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容，下面結(jié)合具體實(shí)施例對本發(fā)明的技術(shù)方案作 進(jìn)一步介紹和說明。
[0015] 實(shí)施例
[0016] 本實(shí)施例提供一種厚銅板的外層蝕刻方法，所述厚銅板的外層底銅厚度為30Z，厚 銅板包括第一表面（即TOP面）和第二表面。
[0017] 根據(jù)已有的正片工藝在厚銅板上制作外層線路，依次包括以下工序：磨板一貼膜 -曝光一顯影一電鏈銅一電鏈錫一退膜一外層蝕刻一退錫。
[0018] -、外層蝕刻前按現(xiàn)有技術(shù)進(jìn)行前工序，具體如下：入板一膨松一退膜一水洗一檢 查。工藝參數(shù)如下表所示（使用本領(lǐng)域常用的退膜液，如工業(yè)級硫酸、工業(yè)級氫氧化鈉）。
[0020] 二、外層蝕刻的具體步驟如下：
[0021] (1) 一次蝕刻
[0022] 使厚銅板以2. 5-3. 5m/min的速度水平經(jīng)過蝕刻缸，且第一表面朝上，第二表面朝 下；部分蝕刻液由上往下噴向第一表面，蝕刻液的噴淋壓力是2-3Kg/cm 2;另部分蝕刻液由 下往上噴向第二表面，蝕刻液的噴淋壓力是l-2Kg/cm2。
[0023] 所用的蝕刻液中[Cl ]為165-215g/L，[Cu2+]為125-155g/L ;蝕刻液的pH為 8. 0-8. 8 ;蝕刻液的比重為1. 192-1. 202 ;蝕刻液的溫度為48-52°C。
[0024] (2) -次微蝕
[0025] 厚銅板經(jīng)過一次蝕刻后，進(jìn)入微蝕段，在室溫下用子洗液（使用本領(lǐng)域常用的子 洗液即微蝕液，如NH 4Cl溶液、氨水）噴淋厚銅板，通過微蝕作用除去蝕刻后線路邊上的毛 邊，子洗液的噴淋壓力為I. 7-2. 7Kg/cm2。然后再用水噴淋厚銅板以清洗厚銅板，水的噴淋 壓力為 1. 0-2. OKg/cm2。
[0026] (3)二次蝕刻
[0027] 使厚銅板以2. 5-3. 5m/min的速度水平經(jīng)過蝕刻缸，且第二表面朝上，第一表面朝 下；部分蝕刻液由上往下噴向第二表面，蝕刻液的噴淋壓力是2_3Kg/cm 2;另部分蝕刻液由 下往上噴向第一表面，蝕刻液的噴淋壓力是l-2Kg/cm2。
[0028] 所用的蝕刻液中[Cl ]為165-215g/L，[Cu2+]為125-155g/L ;蝕刻液的pH為 8. 0-8. 8 ;蝕刻液的比重為1. 192-1. 202 ;蝕刻液的溫度為48-52°C。
[0029] ⑷二次微蝕
[0030] 厚銅板經(jīng)過二次蝕刻后，進(jìn)入微蝕段，在室溫下用子洗液（使用本領(lǐng)域常用的子 洗液即微蝕液，如NH4Cl溶液、氨水）噴淋厚銅板，通過微蝕作用除去蝕刻后線路邊上的毛 邊，子洗液的噴淋壓力為I. 7-2. 7Kg/cm2。然后再用水噴淋厚銅板以清洗厚銅板，水的噴淋 壓力為 1. 0-2. OKg/cm2。
[0031] 二、外層蝕刻后按現(xiàn)有技術(shù)進(jìn)行后工序，具體如下：檢查一入板一退錫一水洗一干 板組合一檢查一出板。工藝參數(shù)如下表所示（使用本領(lǐng)域常用的退錫液，如工業(yè)級硝酸、工 業(yè)級氫氧化鈉）。
[0033] 本實(shí)施例中，將退錫液的比重控制在I. 32±0. 06,酸度（[H+])控制在5. 6±lmol/ L0
[0034] 本實(shí)施例通過采用兩次蝕刻并在兩次蝕刻中改變厚銅板的上下朝向，使厚銅板的 兩個(gè)表面都分別有一次朝向下方接受蝕刻液由下往上噴淋，同時(shí)調(diào)整厚銅板經(jīng)過蝕刻缸的 速度及調(diào)整蝕刻液的噴淋壓力和蝕刻液的濃度等工藝參數(shù)，調(diào)整后的工藝參數(shù)與兩次蝕刻 方式配合，使厚銅板的外層蝕刻均勻性好，線路密集區(qū)域可蝕刻干凈，而線路較少的區(qū)域也 不會(huì)出現(xiàn)蝕刻過度，蝕刻線幼的問題，從而可提高產(chǎn)品的品質(zhì)，降低生產(chǎn)報(bào)廢率。
[0035] 通過本發(fā)明方法對厚銅板進(jìn)行外層蝕刻的蝕刻效果好。
[0036] 以上所述僅以實(shí)施例來進(jìn)一步說明本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容，以便于讀者更容易理解， 但不代表本發(fā)明的實(shí)施方式僅限于此，任何依本發(fā)明所做的技術(shù)延伸或再創(chuàng)造，均受本發(fā) 明的保護(hù)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種厚銅板的外層蝕刻方法，所述厚銅板包括第一表面和第二表面，其特征在于，所 述外層蝕刻包括以下步驟： 51 -次蝕刻：使厚銅板水平經(jīng)過蝕刻缸，且第一表面朝上，第二表面朝下；部分蝕刻液 由上往下噴向第一表面，部分蝕刻液由下往上噴向第二表面； 52 -次微蝕：用微蝕液噴淋厚銅板，然后再用水清洗厚銅板； S3二次蝕刻：使厚銅板水平經(jīng)過蝕刻缸，且第二表面朝上，第一表面朝下；部分蝕刻液 由上往下噴向第二表面，部分蝕刻液由下往上噴向第一表面； S4二次微蝕：用微蝕液噴淋厚銅板，然后再用水清洗厚銅板。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述一種厚銅板的外層蝕刻方法，其特征在于，步驟Sl和S3中，蝕 刻液由上往下噴的壓力為2-3Kg/cm2。3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述一種厚銅板的外層蝕刻方法，其特征在于，步驟SI和S3中，蝕 刻液由下往上噴的壓力為HKg/cm2。4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述一種厚銅板的外層蝕刻方法，其特征在于，步驟SI和S3中，厚 銅板以2. 5-3. 5m/min的速度經(jīng)過蝕刻缸。5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述一種厚銅板的外層蝕刻方法，其特征在于，步驟Sl和S3中，蝕 刻液的溫度為48-52 °C。6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述一種厚銅板的外層蝕刻方法，其特征在于，步驟SI和S3中，蝕 刻液中的[Cl]為 165-215g/L，[Cu2+]為 125-155g/L。7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述一種厚銅板的外層蝕刻方法，其特征在于，步驟SI和S3中，蝕 刻液的pH為8. 0-8. 8。8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述一種厚銅板的外層蝕刻方法，其特征在于，步驟Sl和S3中，蝕 刻液的比重為1. 192-1. 202。
【專利摘要】本發(fā)明涉及PCB生產(chǎn)制造技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種厚銅板的外層蝕刻方法。本發(fā)明通過采用兩次蝕刻并在兩次蝕刻中改變厚銅板的上下朝向，使厚銅板的兩個(gè)表面都分別有一次朝向下方接受蝕刻液由下往上噴淋，同時(shí)調(diào)整厚銅板經(jīng)過蝕刻缸的速度及調(diào)整蝕刻液的噴淋壓力和蝕刻液的濃度等工藝參數(shù)，調(diào)整后的工藝參數(shù)與兩次蝕刻方式配合，使厚銅板的外層蝕刻均勻性好，線路密集區(qū)域可蝕刻干凈，而線路較少的區(qū)域也不會(huì)出現(xiàn)蝕刻過度，蝕刻線幼的問題。通過本發(fā)明方法對厚銅板進(jìn)行外層蝕刻的蝕刻效果好。
【IPC分類】H05K3/06
【公開號(hào)】CN105208781
【申請?zhí)枴緾N201510487442
【發(fā)明人】陳廣龍, 白會(huì)斌, 胡志勇
【申請人】江門崇達(dá)電路技術(shù)有限公司
【公開日】2015年12月30日
【申請日】2015年8月10日