一種低交調微波下變頻組件的制作方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及微波變頻技術領域，尤其是一種低交調微波下變頻組件。
【背景技術】
[0002]微波電路中，微波下變頻器是微波接收機、頻率合成器中一種常用的變頻組件，用來進行頻率變換，輸入頻率為A，本振頻率為4。，輸出頻率為A-fV。?；祛l器是一種非線性電路，當輸入頻率為A，本振頻率為4。時，混頻器除產(chǎn)生期望輸出的信號f ^4。外，還產(chǎn)生Mf^iNfV。，其中M、N為正負整數(shù)或零，由于微波下變頻器組件由混頻器和輸出帶通濾波器(濾波選擇A-fV。)組成，通常情況下輸入頻率A，本振頻率為4。和輸出頻率為f ffV。均存在一定的帶寬，因此輸出濾波器是有一定帶寬的，總有某些MA ±Nf；。的組合將落在輸出帶通濾波器的帶內，即成為微波下變頻的變頻雜波。為解決這個問題，先進的混頻器采用了平衡抑制技術，對組合干擾進行抑制，但由于常規(guī)微波下變頻的輸出采用了帶通濾波器，而帶通濾波器對其他的組合干擾是全反射作用，因此大量的的組合(除f ^4。）又反饋至混頻器，極大削弱了混頻器的平衡抑制技術。
[〇〇〇3] 微波下變頻器的交調雜波是微波接收機、頻率合成器重要指標，決定了接收機靈敏度和頻率合成器的頻譜純度，因此低交調微波下變頻組件是微波領域永恒追求。

【發(fā)明內容】

[0004]本發(fā)明的目的在于提供一種能夠改善常規(guī)微波下變頻組件中多次交調干擾，使變頻后帶內信號更加純凈的低交調微波下變頻組件。
[0005] 為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用了以下技術方案：一種低交調微波下變頻組件，該組件由混頻器和雙工濾波器組成，所述混頻器的第一輸入端接輸入信號^，混頻器的第二輸入端接本振信號4。;所述雙工濾波器由帶通濾波器和高通濾波器組成，所述混頻器的輸出端分別與帶通濾波器、高通濾波器的輸入端相連，帶通濾波器的輸出端作為該組件的輸出端輸出信號Α-fV。，高通濾波器的輸出端接地。
[0006]所述混頻器由三極管Q1、電容C1和電感L1組成，所述三極管Q1的基極接輸入信號仁，三極管Q1的發(fā)射極接本振信號4。，電容C1和電感L1并聯(lián)，該并聯(lián)端的兩端跨接在三極管Q1的集電極和發(fā)射極之間。
[0007]所述帶通濾波器由電容C2、電容C3、電容C4和電感L2組成，所述電容C4與電感L2并聯(lián)，該并聯(lián)端的一端接地，另一端分別與電容C2、電容C3的一端相連，電容C2的另一端作為帶通濾波器的輸入端，電容C3的另一端作為帶通濾波器的輸出端。
[0008] 所述高通濾波器由電容C5、電感L3和電感L4組成，所述電容C5的兩端分別與電感L3、電感L4的一端相連，電感L3、電感L4的另一端共地，電容C5與電感L3相連的一端作為高通濾波器的輸入端，電容C5與電感L4相連的一端作為高通濾波器的輸出端直接導通接地。
[0009]由上述技術方案可知，本發(fā)明的優(yōu)點如下：第一，微波下變頻器的交調雜波是微波接收機、頻率合成器重要指標，決定了接收機靈敏度和頻率合成器的頻譜純度，本發(fā)明改善了微波下變頻帶內交調干擾；第二，低交調微波下變頻組件由混頻器和雙工濾波器組成，由雙工濾波器代替常規(guī)微波下變頻組件中的帶通濾波器，其中雙工濾波器由帶通濾波器和高通濾波器組成，采用高通濾波器對混頻器中除下邊帶外所有高頻信號包括高次組合交調進行濾除，避免這些高頻分量再次反饋至混頻器，再次形成交調。
【附圖說明】
[0010]圖1是本發(fā)明的結構原理框圖；
圖2是本發(fā)明中混頻器的電路原理圖；
圖3是本發(fā)明中帶通濾波器的電路原理圖；
圖4是本發(fā)明中高通濾波器的電路原理圖。
【具體實施方式】
[0011]如圖1所示，一種低交調微波下變頻組件，該組件由混頻器1和雙工濾波器組成，所述混頻器1的第一輸入端接輸入信號fi，混頻器1的第二輸入端接本振信號fu3;所述雙工濾波器由帶通濾波器2和高通濾波器3組成，所述混頻器1的輸出端分別與帶通濾波器2、高通濾波器3的輸入端相連，帶通濾波器2的輸出端作為該組件的輸出端輸出信號f-fL0,高通濾波器3的輸出端接地。本發(fā)明采用高通濾波器3對混頻器1中除下邊帶外所有高頻信號包括高次組合交調進行濾除，避免這些高頻分量再次反饋至混頻器1，再次形成交調，改善了微波下變頻帶內交調干擾。
[0012]如圖2所示，所述混頻器1由三極管Q1、電容C1和電感L1組成，所述三極管Q1的基極接輸入信號A，三極管Q1的發(fā)射極接本振信號4。，電容C1和電感L1并聯(lián)，該并聯(lián)端的兩端跨接在三極管Q1的集電極和發(fā)射極之間。本發(fā)明的混頻器1采用晶體三極管平衡混頻器1結構，三極管是混頻器1的核心部件。三極管電路本質上說是實現(xiàn)頻譜搬移的電路，是一個六端網(wǎng)絡，它有兩個輸入電壓，即輸入信號和本地振蕩信號；一個輸出信號?；祛l器1在時域上起著疊加的作用，在頻域上起著加減法器的作用。在圖2中，輸入信號fi為交流耦合輸入的小功率微波信號，本振信號4。是相對功率較大的微波信號，這樣可以為混頻三極管Q1提供一個穩(wěn)定的線性工作區(qū)。
[0013]如圖3所示，所述帶通濾波器2由電容C2、電容C3、電容C4和電感L2組成，所述電容C4與電感L2并聯(lián)，該并聯(lián)端的一端接地，另一端分別與電容C2、電容C3的一端相連，電容C2的另一端作為帶通濾波器2的輸入端，電容C3的另一端作為帶通濾波器2的輸出端。如圖4所示，所述高通濾波器3由電容C5、電感L3和電感L4組成，所述電容C5的兩端分別與電感L3、電感L4的一端相連，電感L3、電感L4的另一端共地，電容C5與電感L3相連的一端作為高通濾波器3的輸入端，電容C5與電感L4相連的一端作為高通濾波器3的輸出端直接導通接地。帶通濾波器2和高通濾波器3的電路原理是4端口的選頻網(wǎng)絡，通過切比雪夫的網(wǎng)絡結構實現(xiàn)選頻的效果。
[0014]在工作時，首先功率較大本振信號4。信號加載到混頻三極管Q1，產(chǎn)生穩(wěn)定的線性混頻工作區(qū)，小功率輸入信號A作用到三極管Q1的基極，低阻抗的C1和L1使得混頻器1的以較小的阻抗輸出混頻后的通帶信號與交調信號，通過雙工濾波器將混頻產(chǎn)生的高次交調與帶通濾波返回的高次交調，通過高通濾波器3C5、L3和L4濾波吸收。帶通濾波器2通過C2、C3、C4和L2組成切比雪夫的網(wǎng)絡結構實現(xiàn)選頻，將需要的信號仁-4。輸出。換句話說，在工作時，首先輸入信號A與本振信號f ‘混頻，產(chǎn)生需要的通帶信號與交調信號，通過雙工濾波器將混頻產(chǎn)生的高次交調與帶通濾波返回的高次交調，通過高通濾波的吸收能有效的改善混頻器1的交調特性，使得輸出頻譜具有較高的純度。
[0015]綜上所述，本發(fā)明改善了常規(guī)微波下變頻組件中多次交調干擾，使變頻后帶內信號更加純凈，在微波系統(tǒng)中具有重要的使用價值。
【主權項】
1.一種低交調微波下變頻組件，其特征在于：該組件由混頻器（1)和雙工濾波器組成，所述混頻器（1 )的第一輸入端接輸入信號f i，混頻器（1 )的第二輸入端接本振信號4。;所述雙工濾波器由帶通濾波器（2)和高通濾波器（3)組成，所述混頻器（1)的輸出端分別與帶通濾波器（2)、高通濾波器（3)的輸入端相連，帶通濾波器（2)的輸出端作為該組件的輸出端輸出信號A-fV。，高通濾波器（3)的輸出端接地。2.根據(jù)權利要求1所述的低交調微波下變頻組件，其特征在于：所述混頻器（1)由三極管Q1、電容C1和電感L1組成，所述三極管Q1的基極接輸入信號A，三極管Q1的發(fā)射極接本振信號4。，電容C1和電感L1并聯(lián)，該并聯(lián)端的兩端跨接在三極管Q1的集電極和發(fā)射極之間。3.根據(jù)權利要求1所述的低交調微波下變頻組件，其特征在于：所述帶通濾波器（2)由電容C2、電容C3、電容C4和電感L2組成，所述電容C4與電感L2并聯(lián)，該并聯(lián)端的一端接地，另一端分別與電容C2、電容C3的一端相連，電容C2的另一端作為帶通濾波器（2)的輸入端，電容C3的另一端作為帶通濾波器（2)的輸出端。4.根據(jù)權利要求1所述的低交調微波下變頻組件，其特征在于：所述高通濾波器（3)由電容C5、電感L3和電感L4組成，所述電容C5的兩端分別與電感L3、電感L4的一端相連，電感L3、電感L4的另一端共地，電容C5與電感L3相連的一端作為高通濾波器（3)的輸入端，電容C5與電感L4相連的一端作為高通濾波器（3)的輸出端直接導通接地。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種低交調微波下變頻組件，該組件由混頻器和雙工濾波器組成，所述混頻器的第一輸入端接輸入信號fi，混頻器的第二輸入端接本振信號fLO；所述雙工濾波器由帶通濾波器和高通濾波器組成，所述混頻器的輸出端分別與帶通濾波器、高通濾波器的輸入端相連，帶通濾波器的輸出端作為該組件的輸出端輸出信號fi-fLO，高通濾波器的輸出端接地。本發(fā)明由混頻器和雙工濾波器組成，由雙工濾波器代替常規(guī)微波下變頻組件中的帶通濾波器，其中雙工濾波器由帶通濾波器和高通濾波器組成，采用高通濾波器對混頻器中除下邊帶外所有高頻信號包括高次組合交調進行濾除，避免這些高頻分量再次反饋至混頻器，再次形成交調，改善了微波下變頻帶內交調干擾。
【IPC分類】H03D7/16
【公開號】CN105429598
【申請?zhí)枴緾N201510793216
【發(fā)明人】馬駿, 吉宗海, 方立軍, 張焱, 郭雪鋒
【申請人】中國電子科技集團公司第三十八研究所
【公開日】2016年3月23日
【申請日】2015年11月18日