一種自動加熱電路的制作方法
【技術領域】
[0001 ]本發(fā)明屬于加熱技術領域，尤其是涉及一種自動加熱電路。
【背景技術】
[0002 ]在現(xiàn)有的技術中現(xiàn)有的恒溫加熱電路中熱敏電阻是直接連接在加熱主回路上，當溫度逐漸升高，電阻也隨著增大，會限制加熱電流，小電流時加熱元件將會受到的影響，使功率低，加熱的功率較低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的是為了克服現(xiàn)有技術不足，提供一種自動加熱電路，它避免將熱敏電阻直接接在加熱主回路上，在小電流時加熱元件受到的影響小。
[0004]本發(fā)明的技術方案是:一種自動加熱電路，包括電壓比較器N1、驅(qū)動器N2、三極管Ql、M0S管Vl和加熱管Jl，所述電壓比較器NI的第I引腳與所述驅(qū)動器N2的第2引腳連接，所述電壓比較器NI的第2引腳分別通過電阻R12連接電源VCC和通過電阻R8接地，所述電壓比較器NI的第3引腳分別通過電阻Rl連接電源VCC和通過電阻R2接地，所述電壓比較器NI的第4引腳接地，所述電壓比較器NI的第5引腳分別通過電阻R5連接電源VCC和通過電阻R6接地，所述電壓比較器NI的第6引腳分別通過電阻R13連接電源VCC和通過電阻R4接地，所述電壓比較器NI的第7引腳與驅(qū)動器N2的第I引腳連接，所述電壓比較器NI的第8引腳連接電源；
[0005]所述驅(qū)動器N2的第I引腳通過電阻R7連接電源VCC，驅(qū)動器N2的第2引腳通過電阻R8連接電源VCC，驅(qū)動器N2的第3引腳接地，所述驅(qū)動器N2的第4引腳分別通過電阻R9接地和通過電阻Rll連接三極管Ql的基極，所述驅(qū)動器N2的第5引腳連接電源VCC;
[0006]所述三極管Ql的集電極通過電阻RlO連接電源，所述三極管Ql的發(fā)射極分別與加熱管JI的負極和地連接；
[0007]所述MOS管Vl的柵極連接三極管Ql的集電極，所述MOS管VI的源極連接電源VCC，所述MOS管VI的漏極連接加熱管JI的正極。
[0008]進一步，所述電壓比較器NI采用芯片為LM2903。
[0009]進一步，所述MOS管Vl為P溝道MOS管。
[0010]進一步，所述驅(qū)動器N2采用芯片為SN74LVC1G126。
[0011]進一步，所述電阻R12和電阻R13為熱敏電阻。
[0012]進一步，所述三極管Ql為NPN三極管。
[0013]本發(fā)明具有的優(yōu)點和積極效果是:由于采用上述技術方案，由于采用了上述技術方案，本發(fā)明避免了將熱敏電阻直接接在加熱主回路上，加熱功率大，在小電流時加熱元件受到的影響小。
【附圖說明】
[0014]圖1是本發(fā)明的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0015]下面結合附圖對本發(fā)明做詳細說明。
[0016]如圖1本發(fā)明的結構示意圖所示，本發(fā)明提供一種自動加熱電路，包括電壓比較器N1、驅(qū)動器N2、三極管QUMOS管Vl和加熱管Jl，所述電壓比較器NI的第I引腳與所述驅(qū)動器N2的第2引腳連接，所述電壓比較器NI的第2引腳分別通過電阻R12連接電源VCC和通過電阻R8接地，所述電壓比較器NI的第3引腳分別通過電阻Rl連接電源VCC和通過電阻R2接地，所述電壓比較器NI的第4引腳接地，所述電壓比較器NI的第5引腳分別通過電阻R5連接電源VCC和通過電阻R6接地，所述電壓比較器NI的第6引腳分別通過電阻R13連接電源VCC和通過電阻R4接地，所述電壓比較器NI的第7引腳與驅(qū)動器N2的第I引腳連接，所述電壓比較器NI的第8引腳連接電源；
[0017]所述驅(qū)動器N2的第I引腳通過電阻R7連接電源VCC，驅(qū)動器N2的第2引腳通過電阻R8連接電源VCC，驅(qū)動器N2的第3引腳接地，所述驅(qū)動器N2的第4引腳分別通過電阻R9接地和通過電阻Rll連接三極管Ql的基極，所述驅(qū)動器N2的第5引腳連接電源VCC;
[0018]所述三極管Ql的集電極通過電阻RlO連接電源，所述三極管Ql的發(fā)射極分別與加熱管JI的負極和地連接；
[0019]所述MOS管Vl的柵極連接三極管Ql的集電極，所述MOS管VI的源極連接電源VCC，所述MOS管VI的漏極連接加熱管JI的正極。
[0020]所述電壓比較器NI采用芯片為LM2903。所述MOS管Vl為P溝道MOS管。所述驅(qū)動器N2采用芯片為SN74LVC1G126。所述電阻R12和電阻R13為熱敏電阻。所述三極管Ql為NPN三極管。
[0021]本實例的工作過程:本發(fā)明提供的自動加熱電路，R12，R13均為熱敏電阻，溫度下降時，電阻值增大，溫度上升時，電阻值不斷減小。
[0022]常溫狀態(tài)下，電阻R12電阻值小于24K，此時電壓比較器NI的輸入INl +電壓低于IN1-，輸出OUTl為低電平；電阻R13常溫電阻值大于3K，此時電壓比較器NI的輸入IN2+電壓高于IN2-，輸出0UT2為高電平，此時驅(qū)動器N2的輸出0UT3為低電平，三極管Ql處于截止狀態(tài)，從而使MOS管Vl處于截止狀態(tài)，加熱管Jl的正極無電壓。
[0023]隨著溫度下降，電阻R12電阻值不斷減小，當溫度降至零攝氏度時，電阻R12電阻值大于24K，此時電壓比較器NI的輸入INl+電壓高于IN1-，輸出OUTl為高電平；電阻R13電阻值大于3K，此時電壓比較器NI的輸入IN2+電壓高于IN2-，輸出0UT2為高電平，此時驅(qū)動器N2的輸出0UT3為高電平，三極管Ql處于打開狀態(tài)，使MOS管Vl處于打開狀態(tài)，加熱管Jl開始工作，設備溫度開始上升。
[0024]由于電阻R13放置在加熱管Jl上，隨著加熱管Jl溫度的不斷上升，電阻R13的阻值不斷減小，當加熱管Jl溫度上升到加熱溫度時，電阻R13的阻值小于3K，此時電壓比較器NI的輸入IN2+電壓低于IN2-，輸出0UT2為低電平，驅(qū)動器N2的使能腳OE為低電平，驅(qū)動器N2輸出0UT3為高阻態(tài)，三極管Ql處于截止狀態(tài)，從而使MOS管Vl處于截止狀態(tài)，加熱管Jl正極無電壓，停止加熱。
[0025]以上對本發(fā)明的一個實施例進行了詳細說明，但所述內(nèi)容僅為本發(fā)明的較佳實施例，不能被認為用于限定本發(fā)明的實施范圍。凡依本發(fā)明申請范圍所作的均等變化與改進等，均應仍歸屬于本發(fā)明的專利涵蓋范圍之內(nèi)。
【主權項】
1.一種自動加熱電路，其特征在于:包括電壓比較器N1、驅(qū)動器N2、三極管Ql、MOS管Vl和加熱管Jl，所述電壓比較器NI的第I引腳與所述驅(qū)動器N2的第2引腳連接，所述電壓比較器NI的第2引腳分別通過電阻R12連接電源VCC和通過電阻R8接地，所述電壓比較器NI的第3引腳分別通過電阻Rl連接電源VCC和通過電阻R2接地，所述電壓比較器NI的第4引腳接地，所述電壓比較器NI的第5引腳分別通過電阻R5連接電源VCC和通過電阻R6接地，所述電壓比較器NI的第6引腳分別通過電阻R13連接電源VCC和通過電阻R4接地，所述電壓比較器NI的第7引腳與驅(qū)動器N2的第I引腳連接，所述電壓比較器NI的第8引腳連接電源； 所述驅(qū)動器N2的第I引腳通過電阻R7連接電源VCC，驅(qū)動器N2的第2引腳通過電阻R8連接電源VCC，驅(qū)動器N2的第3引腳接地，所述驅(qū)動器N2的第4引腳分別通過電阻R9接地和通過電阻Rll連接三極管Ql的基極，所述驅(qū)動器N2的第5引腳連接電源VCC; 所述三極管Ql的集電極通過電阻RlO連接電源，所述三極管Ql的發(fā)射極分別與加熱管JI的負極和地連接； 所述MOS管Vl的柵極連接三極管Ql的集電極，所述MOS管Vl的源極連接電源VCC，所述MOS管Vl的漏極連接加熱管Jl的正極。2.根據(jù)權利要求1所述的自動加熱電路，其特征在于:所述電壓比較器NI采用芯片為LM2903。3.根據(jù)權利要求1所述的自動加熱電路，其特征在于:所述MOS管Vl為P溝道MOS管。4.根據(jù)權利要求1所述的自動加熱電路，其特征在于:所述驅(qū)動器N2采用芯片為SN74LVC1G126。5.根據(jù)權利要求1所述的自動加熱電路，其特征在于:所述電阻R12和電阻R13為熱敏電阻。6.根據(jù)權利要求1所述的自動加熱電路，其特征在于:所述三極管Ql為NPN三極管。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種自動加熱電路，包括電壓比較器N1、驅(qū)動器N2、三極管Q1、MOS管V1和加熱管J1，所述電壓比較器N1的第1引腳與所述驅(qū)動器N2的第2引腳連接，電壓比較器N1的第2引腳分別通過電阻R12連接電源VCC，電壓比較器N1的第6引腳分別通過電阻R13連接電源VCC，MOS管V1的漏極連接加熱管J1的正極，三極管Q1的發(fā)射極分別與加熱管J1的負極，電壓比較器N1通過熱敏電阻R12和R13的電阻值的變化輸出控制信號控制驅(qū)動器N2輸出驅(qū)動信號控制加熱管J1加熱。本發(fā)明的有益效果是避免將熱敏電阻直接接在加熱主回路上，在小電流時加熱元件受到的影響小。
【IPC分類】H05B1/02
【公開號】CN105578623
【申請?zhí)枴緾N201510937568
【發(fā)明人】周育才, 孫芳, 葛彥民, 王寅, 楊云濤, 尹文建
【申請人】天津光電通信技術有限公司
【公開日】2016年5月11日
【申請日】2015年12月15日