一種電路板外層對(duì)位結(jié)構(gòu)和生成方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ]本發(fā)明涉及一種電路板外層對(duì)位結(jié)構(gòu)以及其生成方法。
【背景技術(shù)】
[0002]目前電路板產(chǎn)品的設(shè)計(jì)越來(lái)越精密，盲孔的設(shè)計(jì)也越來(lái)越小，在外層圖形轉(zhuǎn)移的時(shí)候需要更準(zhǔn)確，否則容易出現(xiàn)圖形與盲孔不對(duì)應(yīng)造成崩盲孔的現(xiàn)象。現(xiàn)有的外層板生成的流程包括:壓板、鐳射鉆孔、機(jī)械鉆孔、電鍍、外層圖形轉(zhuǎn)移和自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)。
[0003]其中，現(xiàn)有的圖形轉(zhuǎn)移時(shí)用的對(duì)位標(biāo)靶是在壓板步驟中生成的對(duì)位孔，外層板的盲孔由于其太小，而且在后面的電鍍時(shí)會(huì)被填充，因此盲孔無(wú)法作為圖形轉(zhuǎn)移時(shí)用的對(duì)位標(biāo)靶。外層板分為上下兩層，則對(duì)應(yīng)的次外層板也有兩層，例如有10層板，則第一和第十層板為外層板，第二和第九層板為次外層板。兩層次外層板上分別有對(duì)應(yīng)的圓PAD，理論上兩層次外層板上的圓PAD應(yīng)該為垂直重疊的關(guān)系，但實(shí)際生產(chǎn)中會(huì)有所偏差，沒有形成重疊關(guān)系，因此現(xiàn)有技術(shù)中是取兩層次外層板上的圓PAD的中間點(diǎn)作為對(duì)位標(biāo)靶在PCB板上打上一個(gè)貫穿所有層板的通孔，該通孔則作為圖形轉(zhuǎn)移時(shí)用的對(duì)位標(biāo)靶。如圖1所示，I為上次外層板的圓PAD，2為下次外層板的圓PAD，3為兩個(gè)圓P AD的中間點(diǎn)，4為圖形轉(zhuǎn)移時(shí)用的對(duì)位標(biāo)靶。
[0004]而外層板的盲孔是在鐳射鉆孔的步驟中利用圓PAD作為對(duì)位標(biāo)靶鐳射出來(lái)的，而且兩個(gè)外層板的盲孔是相對(duì)獨(dú)立生成的，即例如第10層板上的盲孔是利用第9層的圓PAD作為對(duì)位標(biāo)靶生成，第I層板上的盲孔是利用第2層的圓PAD作為對(duì)位標(biāo)靶生成。由于圖形轉(zhuǎn)移時(shí)用的對(duì)位標(biāo)靶生成時(shí)與盲孔生成時(shí)是在不同的工序步驟中生成，而且兩者所用的對(duì)位系統(tǒng)也存在一定差異，導(dǎo)致在外層圖形轉(zhuǎn)移步驟時(shí)外層圖形與盲孔無(wú)法準(zhǔn)確地對(duì)位，如圖2所示，甚至使整個(gè)PCB板無(wú)法正常使用。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的在于提供一種電路板外層對(duì)位結(jié)構(gòu)和生成方法，使外層圖形轉(zhuǎn)移時(shí)能夠準(zhǔn)確地與盲孔對(duì)位。
[0006]為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明所采用的技術(shù)方案如下:
[0007]方案一:
[0008]—種電路板外層對(duì)位結(jié)構(gòu)，包括對(duì)位圓環(huán)，所述對(duì)位圓環(huán)是在鐳射鉆孔的工序中以次外層板中設(shè)定的圓PAD作為對(duì)位標(biāo)靶從外層板向內(nèi)層鐳射而成的圓形槽位，所述圓形槽位指對(duì)位圓環(huán)的內(nèi)圓和外圓之間圍成的部分，所述圓PAD亦為外層板中的盲孔生成時(shí)的對(duì)位標(biāo)靶;所述對(duì)位圓環(huán)用于在外層圖形轉(zhuǎn)移的工序中作為外層圖形轉(zhuǎn)移時(shí)的對(duì)位標(biāo)靶。
[0009]優(yōu)選的，所述圓形槽位的深度大于外層板的盲孔的深度。
[0010]優(yōu)選的，所述對(duì)位圓環(huán)的內(nèi)圓的直徑為1.7_，外圓的直徑為2.3_。
[0011]方案二:
[0012]—種電路板外層對(duì)位結(jié)構(gòu)的生成方法，其中制作電路板外層的步驟包括:壓板步驟，鐳射鉆孔步驟，機(jī)械鉆孔步驟，電鍍步驟，以及外層圖形轉(zhuǎn)移步驟，在鐳射鉆孔步驟中:
[0013]利用次外層板上的圓PAD作為對(duì)位標(biāo)靶在外層板上鐳射出盲孔的同時(shí)，以相同的圓PAD作為對(duì)位標(biāo)革El在外層板上錫射出對(duì)位圓環(huán);對(duì)位圓環(huán)的結(jié)構(gòu)為內(nèi)圓和外圓之間圍成的部分形成圓形槽位，該對(duì)位圓環(huán)用于在外層圖形轉(zhuǎn)移步驟中作為外層圖形轉(zhuǎn)移時(shí)的對(duì)位標(biāo)靶。
[0014]優(yōu)選的，所述圓形槽位的深度大于外層板的盲孔的深度。
[0015]優(yōu)選的，對(duì)位圓環(huán)的內(nèi)圓的直徑為1.7_，外圓的直徑為2.3_。
[0016]相比現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的有益效果在于:通過(guò)在鐳射鉆孔步驟中鐳射出對(duì)位圓環(huán)作為圖形轉(zhuǎn)移時(shí)的對(duì)位標(biāo)靶，只需要計(jì)算出偏移量進(jìn)行修正便可使圖形轉(zhuǎn)移時(shí)能夠準(zhǔn)確地與盲孔位置對(duì)位，有效改善外層圖形轉(zhuǎn)移所出現(xiàn)的崩盲孔問(wèn)題。
【附圖說(shuō)明】
[0017]圖1為現(xiàn)有技術(shù)的電路板外層對(duì)位結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖2為外層圖形與盲孔錯(cuò)位的效果示意圖；
[0019]圖3為本發(fā)明的電路板外層對(duì)位結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0020]下面，結(jié)合附圖以及【具體實(shí)施方式】，對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步描述:
[0021]參考圖3，本發(fā)明公開了一種電路板外層對(duì)位結(jié)構(gòu)，包括對(duì)位圓環(huán)12，對(duì)位圓環(huán)12是在鐳射鉆孔的工序中以次外層板中設(shè)定的圓PADll作為對(duì)位標(biāo)靶從外層板向內(nèi)層鐳射而成的圓形槽位，圓形槽位指對(duì)位圓環(huán)12的內(nèi)圓和外圓之間圍成的部分。該圓PAD 11也是外層板中生成盲孔時(shí)的對(duì)位標(biāo)靶。由于生成對(duì)位圓環(huán)12時(shí)所用的對(duì)位標(biāo)靶與生成外層盲孔時(shí)所用的對(duì)位標(biāo)靶一致，而且均在鐳射鉆孔的步驟中生成，其對(duì)位系統(tǒng)也一致，即具有共同的坐標(biāo)系。因此在后面的圖形轉(zhuǎn)移時(shí)，利用對(duì)位圓環(huán)12作為圖形轉(zhuǎn)移時(shí)的對(duì)位標(biāo)靶，只需要計(jì)算出偏移量進(jìn)行修正便可使圖形能夠準(zhǔn)確地與盲孔位置對(duì)位，有效改善外層圖形轉(zhuǎn)移所出現(xiàn)的崩盲孔問(wèn)題。
[0022]另外，PCB板具有兩層外層板，記為上層外層板和下層外層板，則上層外層板和下層外層板分別有對(duì)應(yīng)的對(duì)位圓環(huán)12，即在上層外層板中的對(duì)位圓環(huán)12是根據(jù)上層次外層板的圓PAD作為對(duì)位標(biāo)靶生成的，而下層外層板中的對(duì)位圓環(huán)12是根據(jù)下層次外層板的圓PAD作為對(duì)位標(biāo)靶生成的，上層外層板中的盲孔和下層外層版中的盲孔同理，因此上層外層板和下層外層板的圖形轉(zhuǎn)移是相對(duì)獨(dú)立的。
[0023]進(jìn)一步地，圓形槽位的深度大于外層板的盲孔的深度，由于在鐳射鉆孔之后會(huì)有電鍍的步驟，電鍍時(shí)會(huì)把盲孔填充，同時(shí)也會(huì)填充圓形槽位，因此圓形槽位的深度需要比盲孔深，一般可設(shè)計(jì)圓形槽位的深度穿透兩至三層板，放置電鍍時(shí)把圓形槽位完全填平，如果圓形槽位被填平，則在后面的圖形轉(zhuǎn)移時(shí)，曝光機(jī)的CCD會(huì)無(wú)法捕捉到圓形槽位，即對(duì)位圓環(huán)12無(wú)法作為對(duì)位標(biāo)靶。
[0024]進(jìn)一步地，對(duì)位圓環(huán)的內(nèi)圓的直徑為I.7mm，外圓的直徑為2.3mm。因?yàn)槿绻麍A形槽位過(guò)寬或者過(guò)窄均會(huì)影響CCD的捕捉能力，也可能使對(duì)位圓環(huán)12無(wú)法作為對(duì)位標(biāo)靶。
[0025]本發(fā)明還公開了一種上述電路板外層對(duì)位結(jié)構(gòu)的生成方法，具體在鐳射鉆孔步驟中:
[0026]利用次外層板上的圓PAD作為對(duì)位標(biāo)靶在外層板上鐳射出盲孔的同時(shí)，以相同的圓PAD作為對(duì)位標(biāo)革El在外層板上錫射出對(duì)位圓環(huán);對(duì)位圓環(huán)的結(jié)構(gòu)為內(nèi)圓和外圓之間圍成的部分形成圓形槽位，該對(duì)位圓環(huán)用于在外層圖形轉(zhuǎn)移步驟中作為外層圖形轉(zhuǎn)移時(shí)的對(duì)位標(biāo)靶。
[0027]優(yōu)選的，所述圓形槽位的深度大于外層板的盲孔的深度。對(duì)位圓環(huán)的內(nèi)圓的直徑為1.7mm，外圓的直徑為2.3mm。
[0028]對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，可根據(jù)以上描述的技術(shù)方案以及構(gòu)思，做出其它各種相應(yīng)的改變以及形變，而所有的這些改變以及形變都應(yīng)該屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種電路板外層對(duì)位結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括對(duì)位圓環(huán)，所述對(duì)位圓環(huán)是在鐳射鉆孔的工序中以次外層板中設(shè)定的圓PAD作為對(duì)位標(biāo)靶從外層板向內(nèi)層鐳射而成的圓形槽位，所述圓形槽位指對(duì)位圓環(huán)的內(nèi)圓和外圓之間圍成的部分，所述圓PAD亦為外層板中的盲孔生成時(shí)的對(duì)位標(biāo)靶;所述對(duì)位圓環(huán)用于在外層圖形轉(zhuǎn)移的工序中作為外層圖形轉(zhuǎn)移時(shí)的對(duì)位標(biāo)靶。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路板外層對(duì)位結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述圓形槽位的深度大于外層板的盲孔的深度。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電路板外層對(duì)位結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述對(duì)位圓環(huán)的內(nèi)圓的直徑為1.7_，外圓的直徑為2.3_。4.一種電路板外層對(duì)位結(jié)構(gòu)的生成方法，其中制作電路板外層的步驟包括:壓板步驟，鐳射鉆孔步驟，機(jī)械鉆孔步驟，電鍍步驟，以及外層圖形轉(zhuǎn)移步驟，其特征在于，在鐳射鉆孔步驟中: 利用次外層板上的圓PAD作為對(duì)位標(biāo)靶在外層板上鐳射出盲孔的同時(shí)，以相同的圓PAD作為對(duì)位標(biāo)靶在外層板上鐳射出對(duì)位圓環(huán);對(duì)位圓環(huán)的結(jié)構(gòu)為內(nèi)圓和外圓之間圍成的部分形成圓形槽位，該對(duì)位圓環(huán)用于在外層圖形轉(zhuǎn)移步驟中作為外層圖形轉(zhuǎn)移時(shí)的對(duì)位標(biāo)靶。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電路板外層對(duì)位結(jié)構(gòu)的生成方法，其特征在于，所述圓形槽位的深度大于外層板的盲孔的深度。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電路板外層對(duì)位結(jié)構(gòu)的生成方法，其特征在于，對(duì)位圓環(huán)的內(nèi)圓的直徑為1.7_，外圓的直徑為2.3_。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種電路板外層對(duì)位結(jié)構(gòu)和生成方法，對(duì)位結(jié)構(gòu)包括對(duì)位圓環(huán)，所述對(duì)位圓環(huán)是在鐳射鉆孔的工序中以次外層板中設(shè)定的圓PAD作為對(duì)位標(biāo)靶從外層板向內(nèi)層鐳射而成的圓形槽位，所述圓形槽位指對(duì)位圓環(huán)的內(nèi)圓和外圓之間圍成的部分，所述圓PAD亦為外層板中的盲孔生成時(shí)的對(duì)位標(biāo)靶；所述對(duì)位圓環(huán)用于在外層圖形轉(zhuǎn)移的工序中作為外層圖形轉(zhuǎn)移時(shí)的對(duì)位標(biāo)靶。本發(fā)明通過(guò)在鐳射鉆孔步驟中鐳射出對(duì)位圓環(huán)作為圖形轉(zhuǎn)移時(shí)的對(duì)位標(biāo)靶，只需要計(jì)算出偏移量進(jìn)行修正便可使圖形轉(zhuǎn)移時(shí)能夠準(zhǔn)確地與盲孔位置對(duì)位，有效改善外層圖形轉(zhuǎn)移所出現(xiàn)的崩盲孔問(wèn)題。
【IPC分類】H05K3/46, H05K1/02
【公開號(hào)】CN105578734
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201610137321
【發(fā)明人】羅郁新, 劉幸
【申請(qǐng)人】廣州美維電子有限公司
【公開日】2016年5月11日
【申請(qǐng)日】2016年3月10日