退磁檢測(cè)電路的制作方法
【專(zhuān)利摘要】一種退磁檢測(cè)電路，與具有待測(cè)儲(chǔ)能組件的外部電路相連，包括具有開(kāi)關(guān)管的輸出功率模塊，該開(kāi)關(guān)管與該待測(cè)儲(chǔ)能組件耦合；取樣模塊，對(duì)該開(kāi)關(guān)管與該待測(cè)儲(chǔ)能組件耦合處的信號(hào)進(jìn)行取樣，并依據(jù)取樣的結(jié)果發(fā)送取樣信號(hào)至開(kāi)關(guān)及濾波模塊，對(duì)該取樣信號(hào)進(jìn)行濾波后發(fā)送濾波信號(hào)，其中具有一開(kāi)關(guān)，當(dāng)閉合時(shí)，令該濾波信號(hào)等于該取樣信號(hào)；偏置模塊，接收該取樣信號(hào)，于附加一失調(diào)電壓后發(fā)送偏置信號(hào)；以及比較器模塊，包括一比較器，該比較器的一端接收該濾波信號(hào)，另一端接收該偏置信號(hào)，并對(duì)該濾波信號(hào)及該偏置信號(hào)進(jìn)行比較，再依據(jù)比較結(jié)果控制該開(kāi)關(guān)與該開(kāi)關(guān)管。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
退磁檢測(cè)電路
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種退磁檢測(cè)電路，尤指一種與具有待測(cè)儲(chǔ)能組件的外部電路相連的退磁檢測(cè)電路。
【背景技術(shù)】
[0002]發(fā)光二極管(Light-Emitting D1de，LED)照明具有發(fā)光效率高、壽命長(zhǎng)、節(jié)能環(huán)保等特點(diǎn)，因此得到越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。然而，隨著技術(shù)進(jìn)步，用戶追求更高性能LED產(chǎn)品，同時(shí)對(duì)系統(tǒng)成本的控制也越來(lái)越苛刻。
[0003]—般LED的電源來(lái)自于交流電形式的市電，因此需要有AC-DC電路將市電轉(zhuǎn)換為可用以驅(qū)動(dòng)LED的恒流電源。
[0004]傳統(tǒng)的用于驅(qū)動(dòng)LED的AC-DC簡(jiǎn)化電路如圖1所示，其中，該電路有三個(gè)繞組，分別為原邊繞組NP、副邊繞組NS以及輔助繞組NA。當(dāng)芯片正常工作后，輔助繞組NA通過(guò)電阻Rl、R2檢測(cè)副邊繞組電流的過(guò)零點(diǎn)，并開(kāi)啟新的周期，這樣的輔助繞組NA普遍應(yīng)用在目前大部分的LED驅(qū)動(dòng)電路中。
[0005]然而，上述系統(tǒng)的其中一個(gè)缺點(diǎn)是輔助繞組NA的結(jié)構(gòu)會(huì)占用很多額外的體積，不僅增加了系統(tǒng)的生產(chǎn)成本也同時(shí)增加了制作難度。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]鑒于現(xiàn)有技術(shù)的種種缺失，本發(fā)明的主要目的，即在于提供一種無(wú)須輔助繞組亦能達(dá)成相同恒流功效的退磁檢測(cè)電路，因此可減少系統(tǒng)的生產(chǎn)成本與制作難度。
[0007]本發(fā)明的退磁檢測(cè)電路，與具有待測(cè)儲(chǔ)能組件的外部電路相連，包括具有開(kāi)關(guān)管的輸出功率模塊，該開(kāi)關(guān)管與該待測(cè)儲(chǔ)能組件耦合；取樣模塊，對(duì)該開(kāi)關(guān)管與該待測(cè)儲(chǔ)能組件耦合處的信號(hào)進(jìn)行取樣，并依據(jù)取樣的結(jié)果發(fā)送取樣信號(hào)至開(kāi)關(guān)及濾波模塊，并對(duì)該取樣信號(hào)進(jìn)行濾波后發(fā)送濾波信號(hào)，其中具有一開(kāi)關(guān)，當(dāng)閉合時(shí)，令該濾波信號(hào)等于該取樣信號(hào)；偏置模塊，接收該取樣信號(hào)，并于附加一失調(diào)電壓后發(fā)送偏置信號(hào)；以及比較器模塊，包括一比較器，該比較器的一端接收該濾波信號(hào)，另一端接收該偏置信號(hào)，并對(duì)該濾波信號(hào)及該偏置信號(hào)進(jìn)行比較，再依據(jù)比較的結(jié)果控制該開(kāi)關(guān)與該開(kāi)關(guān)管。
[0008]相較于現(xiàn)有技術(shù)，由于本發(fā)明的退磁檢測(cè)電路不具有輔助繞組，并以取樣模塊對(duì)信號(hào)進(jìn)行取樣，以開(kāi)關(guān)及濾波模塊對(duì)對(duì)該取樣信號(hào)進(jìn)行濾波并發(fā)送、偏置模塊接收該取樣信號(hào)并附加一失調(diào)電壓后發(fā)送，比較器模塊接收以上該濾波信號(hào)及該偏置信號(hào)并進(jìn)行比較，依據(jù)比較的結(jié)果控制該開(kāi)關(guān)與該開(kāi)關(guān)管，故能在達(dá)到與現(xiàn)有技術(shù)相同恒流功效之下，減少電路的體積從而減少生產(chǎn)成本與制作難度，充分地解決了現(xiàn)有技術(shù)的缺失。
【附圖說(shuō)明】
[0009]圖1為現(xiàn)有技術(shù)所使用的驅(qū)動(dòng)電路的示意圖。
[0010]圖2為使用本發(fā)明的退磁檢測(cè)電路的驅(qū)動(dòng)電路不意圖。
[0011]圖3為圖2中各節(jié)點(diǎn)的信號(hào)時(shí)序圖。
[0012]圖4為使用本發(fā)明的退磁檢測(cè)電路的另一驅(qū)動(dòng)電路示意圖。
[0013]圖5為使用本發(fā)明的退磁檢測(cè)電路的又一驅(qū)動(dòng)電路示意圖。
[0014]符號(hào)說(shuō)明:
[0015]NP原邊繞組
[0016]NS副邊繞組
[0017]NA輔助繞組
[0018]R1、R2 電阻
[0019]21輸出功率模塊
[0020]22取樣模塊
[0021]23開(kāi)關(guān)及濾波模塊
[0022]24偏置模塊
[0023]25比較器模塊
[0024]R3、R4、R5 電阻
[0025]RCS電阻
[0026]Ml開(kāi)關(guān)管
[0027]CMP比較器
[0028]SI開(kāi)關(guān)
[0029]Drain、GT 節(jié)點(diǎn)
[0030]ZCS 取樣信號(hào)
[0031]ZCSRC 濾波信號(hào)
[0032]Tl時(shí)間點(diǎn)
[0033]CMPO CMP輸出端信號(hào)
【具體實(shí)施方式】
[0034]以下藉由特定的具體實(shí)施例說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式，熟悉此技術(shù)的人士可由本說(shuō)明書(shū)所揭示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)與功效。本發(fā)明亦可藉由其他不同的具體實(shí)施例加以施行或應(yīng)用。
[0035]請(qǐng)參閱圖2，圖2為使用本發(fā)明的退磁檢測(cè)電路的驅(qū)動(dòng)電路示意圖。于一實(shí)施例中，本發(fā)明的一種退磁檢測(cè)電路，與具有待測(cè)儲(chǔ)能組件的外部電路相連，例如具有待測(cè)的原邊繞組NP、副邊繞組NS的LED驅(qū)動(dòng)電路，而本發(fā)明的退磁檢測(cè)電路包括以下模塊:
[0036]輸出功率模塊21包括一開(kāi)關(guān)管Ml，開(kāi)關(guān)管Ml與該待測(cè)儲(chǔ)能組件耦合。
[0037]取樣模塊22對(duì)開(kāi)關(guān)管Ml與該待測(cè)儲(chǔ)能組件耦合處Drain的信號(hào)進(jìn)行取樣，并依據(jù)取樣的結(jié)果發(fā)送取樣信號(hào)ZCS。
[0038]開(kāi)關(guān)及濾波模塊23包括開(kāi)關(guān)SI與濾波電路，用以接收取樣信號(hào)ZCS，并對(duì)取樣信號(hào)ZCS進(jìn)行濾波后發(fā)送濾波信號(hào)ZCSRC，其中，當(dāng)開(kāi)關(guān)SI閉合時(shí)，令濾波信號(hào)ZCSRC等于該取樣信號(hào)ZCS。
[0039]偏置模塊24接收取樣信號(hào)ZCS，并于附加一失調(diào)電壓后發(fā)送偏置信號(hào)。
[0040]比較器模塊25包括一比較器CMP，比較器CMP的一端接收濾波信號(hào)ZCSRC，另一端接收該偏置信號(hào)，并對(duì)濾波信號(hào)ZCSRC及該偏置信號(hào)進(jìn)行比較，再依據(jù)比較的結(jié)果控制開(kāi)關(guān)SI與開(kāi)關(guān)管Ml。
[0041]請(qǐng)同時(shí)參閱圖2及圖3，圖3為圖2中各節(jié)點(diǎn)的信號(hào)時(shí)序圖。節(jié)點(diǎn)GT為開(kāi)關(guān)管Ml的柵極；節(jié)點(diǎn)Drain為開(kāi)關(guān)管Ml與該待測(cè)儲(chǔ)能組件親合處；ZCS為對(duì)節(jié)點(diǎn)Drain的信號(hào)進(jìn)行取樣后的該取樣信號(hào)；ZCSRC為ZCS經(jīng)濾波后的該濾波信號(hào)；S1為開(kāi)關(guān)SI的信號(hào)；以及CMPO為比較器CMP的輸出端。
[0042]首先，當(dāng)比較器CMP兩輸入端電壓相等時(shí)，由于比較器CMP的負(fù)端存在失調(diào)電壓，所以比較器CMP的輸出端CMPO維持為“O”電平。當(dāng)副邊電感NS電流下降到O時(shí)，如圖3中Tl時(shí)間點(diǎn)所示，節(jié)點(diǎn)Drain的信號(hào)開(kāi)始震蕩，表現(xiàn)形式就是Drain電壓開(kāi)始下降，與Drain的信號(hào)相關(guān)聯(lián)的取樣信號(hào)ZCS也開(kāi)始下降，而ZCS經(jīng)濾波后的濾波信號(hào)ZCSRC也隨之下降，然而，由于濾波信號(hào)ZCSRC經(jīng)過(guò)濾波，ZCSRC電壓下降的斜率要小于ZCS電壓的下降斜率。當(dāng)ZCS電壓下降到即使加上失調(diào)電壓也小于ZCSRC電壓時(shí)，比較器CMP的輸出CMPO翻轉(zhuǎn)成” I”電平，這將使節(jié)點(diǎn)GT的信號(hào)變?yōu)椤?I”電平，令開(kāi)關(guān)管Ml導(dǎo)通，從而開(kāi)始新的周期。
[0043]另外，當(dāng)GT的信號(hào)改變?yōu)椤癘”電平的那一瞬間，令開(kāi)關(guān)SI閉合，使得ZCSRC的電壓等于ZCS的電壓，從而讓比較器CMP的輸出端CMPO維持為“O”電平。
[0044]如圖2所示，于一實(shí)施例中，開(kāi)關(guān)管Ml可以是場(chǎng)效應(yīng)晶體管，且其中該場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極與該待測(cè)儲(chǔ)能組件耦合。另外，該場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極可與電阻RCS耦合后接地，以電阻RCS上的電壓作為參考電壓，在到達(dá)設(shè)定值時(shí)令GT的信號(hào)改變?yōu)椤癘”電平。
[0045]如圖2所示，于一實(shí)施例中，取樣模塊22可包括至少一個(gè)電阻，例如圖2所示的串聯(lián)電阻R3、R4及R5，并以分壓的分式進(jìn)行取樣。
[0046]請(qǐng)參閱圖4，圖4為使用本發(fā)明的退磁檢測(cè)電路的另一驅(qū)動(dòng)電路的示意圖。于此實(shí)施例中，濾波電路23可為如圖4所示的單獨(dú)電容，在其他的實(shí)施例中，也可為如圖2所示的RC電路。圖4所示電路運(yùn)作原理與圖2所示的電路相同，差別之處在于圖4電路于Drain電壓開(kāi)始下降時(shí)，濾波信號(hào)ZCSRC并不隨Drain電壓的變化而改變，直到下一次開(kāi)關(guān)SI閉入口 ο
[0047]如圖2所示，于一實(shí)施例中，比較器模塊25還可包括邏輯電路，例如鎖存器(latch)電路，該邏輯電路耦合于比較器CMP的輸出端。
[0048]請(qǐng)參閱圖5，圖5為使用本發(fā)明的退磁檢測(cè)電路的又一驅(qū)動(dòng)電路的不意圖。如圖5所不，于一實(shí)施例中，開(kāi)關(guān)及濾波模塊23、偏置模塊24與比較器模塊25可設(shè)置于同一芯片上。在其他的實(shí)施例中，開(kāi)關(guān)及濾波模塊23、偏置模塊24與比較器模塊25可分開(kāi)設(shè)置于不同的芯片上。
[0049]于一實(shí)施例中，本發(fā)明的退磁檢測(cè)電路與該外部電路可應(yīng)用在發(fā)光二極管的驅(qū)動(dòng)電路中。舉例來(lái)說(shuō)，例如圖2、圖4及圖5所示的電路，可應(yīng)用在驅(qū)動(dòng)LED的AC-DC電路中。
[0050]現(xiàn)有技術(shù)采用了輔助繞組，那樣的結(jié)構(gòu)將會(huì)占用很多額外的體積，相較之下，由于本發(fā)明的退磁檢測(cè)電路不具有輔助繞組，并以取樣模塊對(duì)信號(hào)進(jìn)行取樣，以開(kāi)關(guān)及濾波模塊對(duì)該取樣信號(hào)進(jìn)行濾波并發(fā)送、偏置模塊接收該取樣信號(hào)并附加一失調(diào)電壓后發(fā)送，比較器模塊接收以上該濾波信號(hào)及該偏置信號(hào)并進(jìn)行比較，依據(jù)比較的結(jié)果控制該開(kāi)關(guān)與該開(kāi)關(guān)管，藉此達(dá)到與現(xiàn)有技術(shù)相同恒流功效，在另一方面又能減少電路的體積從而減少生產(chǎn)成本與制作難度，充分地解決了現(xiàn)有技術(shù)的缺失。
[0051]藉由以上較佳具體實(shí)施例的描述，本領(lǐng)域具有通常知識(shí)者當(dāng)可更加清楚本發(fā)明的特征與精神，惟上述實(shí)施例僅為說(shuō)明本發(fā)明的原理及其功效，而非用以限制本發(fā)明。因此，任何對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行的修改及變化仍不脫離本發(fā)明的精神，且本發(fā)明的權(quán)利范圍應(yīng)如后述的權(quán)利要求所列。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種退磁檢測(cè)電路，與具有待測(cè)儲(chǔ)能組件的外部電路相連，其特征在于，所述退磁檢測(cè)電路包括: 輸出功率模塊，包括一開(kāi)關(guān)管，該開(kāi)關(guān)管與該待測(cè)儲(chǔ)能組件耦合； 取樣模塊，對(duì)該開(kāi)關(guān)管與該待測(cè)儲(chǔ)能組件耦合處的信號(hào)進(jìn)行取樣，并依據(jù)取樣的結(jié)果發(fā)送取樣信號(hào)； 開(kāi)關(guān)及濾波模塊，包括開(kāi)關(guān)及濾波電路，用以接收該取樣信號(hào)，并對(duì)該取樣信號(hào)進(jìn)行濾波后發(fā)送濾波信號(hào)，其中，當(dāng)該開(kāi)關(guān)閉合時(shí)，令該濾波信號(hào)等于該取樣信號(hào)； 偏置模塊，接收該取樣信號(hào)，并于附加一失調(diào)電壓后發(fā)送偏置信號(hào)；以及比較器模塊，包括一比較器，該比較器的一端接收該濾波信號(hào)，另一端接收該偏置信號(hào)，并對(duì)該濾波信號(hào)及該偏置信號(hào)進(jìn)行比較，再依據(jù)比較結(jié)果控制該開(kāi)關(guān)與該開(kāi)關(guān)管。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的退磁檢測(cè)電路，其特征在于，該開(kāi)關(guān)管是場(chǎng)效應(yīng)晶體管，且其中該場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極與該待測(cè)儲(chǔ)能組件耦合。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的退磁檢測(cè)電路，其特征在于，該場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極與電阻親合后接地。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的退磁檢測(cè)電路，其特征在于，該取樣模塊包括至少一個(gè)電阻，以分壓的分式進(jìn)行取樣。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的退磁檢測(cè)電路，其特征在于，該濾波電路為單獨(dú)電容或RC電路。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的退磁檢測(cè)電路，其特征在于，該比較器模塊還包括邏輯電路，該邏輯電路耦合于該比較器的輸出端。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的退磁檢測(cè)電路，其特征在于，該開(kāi)關(guān)及濾波模塊、偏置模塊與比較器模塊設(shè)置于同一芯片上。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的退磁檢測(cè)電路，其特征在于，該退磁檢測(cè)電路與該外部電路應(yīng)用在發(fā)光二極管的驅(qū)動(dòng)電路中。
【文檔編號(hào)】H05B37/02GK105873305SQ201510024617
【公開(kāi)日】2016年8月17日
【申請(qǐng)日】2015年1月19日
【發(fā)明人】莊華龍, 胡三亞
【申請(qǐng)人】帝奧微電子有限公司