壓電振動(dòng)器件及壓電振動(dòng)器件與電路基板的接合構(gòu)造
【專利摘要】在夾層構(gòu)造的壓電振動(dòng)器件中，能夠一邊削減成本、一邊使用貫通孔來實(shí)現(xiàn)第2密封構(gòu)件的兩主面之間的導(dǎo)通。晶體振子(101)設(shè)有：晶體振動(dòng)板(2)；第1密封構(gòu)件(3)，其覆蓋晶體振動(dòng)板(2)的第1激振電極(221)；以及第2密封構(gòu)件(4)，其覆蓋晶體振動(dòng)板(2)的第2激振電極(222)，形成有使用流動(dòng)性導(dǎo)電接合材料(62)與電路基板(61)連接的一外部電極端子(431)、另一外部電極端子(432)。在第2密封構(gòu)件(4)中形成有在一主面(411)與另一主面(412)之間貫通的第2貫通孔(441)、第3貫通孔(442)，在另一主面(412)上形成有一外部電極端子(431)、另一外部電極端子(432)。在第2貫通孔(441)、第3貫通孔(442)中，分別形成有用于實(shí)現(xiàn)在一主面(411)和另一主面(412)上形成的電極的導(dǎo)通的貫通電極(71)，且存在貫通部分(72)。
【專利說明】
壓電振動(dòng)器件及壓電振動(dòng)器件與電路基板的接合構(gòu)造
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及壓電振動(dòng)器件、以及壓電振動(dòng)器件與電路基板的接合構(gòu)造。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來，各種電子設(shè)備的動(dòng)作頻率的高頻化、封裝的小型化(尤其是低矮化)不斷得到發(fā)展。因此，隨著高頻化、封裝的小型化，也要求壓電振動(dòng)器件(例如晶體振子等)應(yīng)對高頻化、封裝的小型化。
[0003]在這種壓電振動(dòng)器件中，其殼體由長方體的封裝構(gòu)成。該封裝包括:第I密封構(gòu)件以及第2密封構(gòu)件，其由玻璃、水晶構(gòu)成；晶體振動(dòng)板，其由水晶構(gòu)成，在兩主面上形成有激振電極，第I密封構(gòu)件和第2密封構(gòu)件隔著晶體振動(dòng)板層疊接合，配置在封裝的內(nèi)部(內(nèi)部空間)的晶體振動(dòng)板的激振電極被氣密地密封(例如、專利文獻(xiàn)I)。以下將這樣的壓電振動(dòng)器件的層疊形態(tài)稱為夾層構(gòu)造。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0005]專利文獻(xiàn)
[0006]專利文獻(xiàn)1:日本特開2013 — 254855號(hào)公報(bào)
【發(fā)明內(nèi)容】
[0007]不過，在該專利文獻(xiàn)I所示的晶體振子中，在內(nèi)部空間內(nèi)，在第2密封構(gòu)件中設(shè)有貫通孔，在貫通孔內(nèi)填埋有電極材料。因此，在該晶體振子中，能夠在第2密封構(gòu)件的兩主面之間實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通，而且，貫通孔內(nèi)被電極材料填埋，從而內(nèi)部空間(封裝內(nèi)部)被氣密地密封。
[0008]然而，在專利文獻(xiàn)I所示的晶體振子中，為了使用貫通孔來實(shí)現(xiàn)第2密封構(gòu)件的兩主面之間的導(dǎo)通，可使用填滿貫通孔內(nèi)的電極材料，成本升高。
[0009]因此，為了解決上述問題，本發(fā)明的目的在于提供一種能夠一邊削減成本、一邊使用貫通孔來實(shí)現(xiàn)第2密封構(gòu)件的兩主面之間的導(dǎo)通的夾層構(gòu)造的壓電振動(dòng)器件、以及壓電振動(dòng)器件與電路基板的接合構(gòu)造。
[0010]為了達(dá)成上述的目的，本發(fā)明的壓電振動(dòng)器件設(shè)有:壓電振動(dòng)板，其在基板的一主面上形成有第I激振電極，在所述基板的另一主面上形成有與所述第I激振電極成對的第2激振電極;第I密封構(gòu)件，其覆蓋所述壓電振動(dòng)板的所述第I激振電極;第2密封構(gòu)件，其覆蓋所述壓電振動(dòng)板的所述第2激振電極，設(shè)有使用流動(dòng)性導(dǎo)電接合材料與外部的電路基板電連接的外部電極端子，所述第I密封構(gòu)件與所述壓電振動(dòng)板接合、所述第2密封構(gòu)件與所述壓電振動(dòng)板接合，從而形成將包括所述第I激振電極和所述第2激振電極在內(nèi)的所述壓電振動(dòng)板的振動(dòng)部氣密地密封的內(nèi)部空間，其特征在于，在所述第2密封構(gòu)件中形成有在一主面與另一主面之間貫通的第2密封構(gòu)件用貫通孔，在所述另一主面上形成有所述外部電極端子，在所述第2密封構(gòu)件用貫通孔中，形成有用于實(shí)現(xiàn)在所述一主面和所述另一主面上形成的電極的導(dǎo)通的貫通電極，且存在貫通部分。
[0011]根據(jù)本發(fā)明，在所述第2密封構(gòu)件用貫通孔中形成有所述貫通電極，且存在所述貫通部分，因此，在所述貫通部分沒有形成所述貫通電極。因此，能夠?qū)⑺鲐炌姌O的材料的使用量減少與填埋所述貫通部分的所述貫通電極的量相當(dāng)?shù)牧浚浣Y(jié)果，能夠削減成本。而且，根據(jù)本發(fā)明，能夠利用在所述第2密封構(gòu)件用貫通孔中形成的所述貫通電極來實(shí)現(xiàn)所述第2密封構(gòu)件的兩主面之間(所述一主面與所述另一主面之間)的導(dǎo)通。因此，與例如專利文獻(xiàn)I的技術(shù)等現(xiàn)有技術(shù)相比，無需使用金屬的電極材料來填埋所述第2密封構(gòu)件用貫通孔。
[0012]另外，根據(jù)本發(fā)明，在使用流動(dòng)性導(dǎo)電接合材料與外部的電路基板電連接的接合構(gòu)造中，在所述第2密封構(gòu)件用貫通孔中形成有所述貫通電極，且存在所述貫通部分，因此，在使用流動(dòng)性導(dǎo)電接合材料將所述外部電極端子與外部的電路基板形成了電連接時(shí)，流動(dòng)性導(dǎo)電接合材料從所述外部電極端子流向所述第2密封構(gòu)件用貫通孔，蔓延到所述第2密封構(gòu)件用貫通孔的貫通部分。另外，如果增多流動(dòng)性導(dǎo)電接合材料的使用量，就填埋所述第2密封構(gòu)件用貫通孔的貫通部分。因此，在該壓電振動(dòng)器件與外部的電路基板接合時(shí)，接合應(yīng)力施加于所述外部電極端子，但該接合應(yīng)力分散掉與流向所述第2密封構(gòu)件用貫通孔并蔓延到所述第2密封構(gòu)件用貫通孔的貫通部分的流動(dòng)性導(dǎo)電接合材料的量相應(yīng)的量，因此，在該壓電振動(dòng)器件與外部的電路基板接合時(shí)，能夠使施加于所述外部電極端子的接合應(yīng)力實(shí)質(zhì)上降低。
[0013]另外，在使用流動(dòng)性導(dǎo)電接合材料來將所述外部電極端子與外部的電路基板形成了電連接時(shí)，所述流動(dòng)性導(dǎo)電接合材料附著于所述外部電極端子，而且，也向所述第2密封構(gòu)件用貫通孔的所述貫通部分?jǐn)U散并附著于所述貫通部分，因此，能夠使接合區(qū)域?qū)嵸|(zhì)上增加。該作用效果對小型的該壓電振動(dòng)器件是有效的，即使縮小該壓電振動(dòng)器件的封裝尺寸，也能夠使接合區(qū)域?qū)嵸|(zhì)上是同等大小或擴(kuò)大，其結(jié)果，能夠提高接合強(qiáng)度。
[0014]作為本發(fā)明的具體的結(jié)構(gòu)，優(yōu)選所述第2密封構(gòu)件用貫通孔配置在所述內(nèi)部空間的外方。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，所述第2密封構(gòu)件用貫通孔沒有形成在所述內(nèi)部空間內(nèi)，因此，不產(chǎn)生由于形成所述第2密封構(gòu)件用貫通孔而使所述內(nèi)部空間無法氣密地密封這樣的問題。
[0015]在所述結(jié)構(gòu)中，也可以是，在所述壓電振動(dòng)板中形成有在一主面與另一主面之間貫通的壓電振動(dòng)板用貫通孔，在所述壓電振動(dòng)板用貫通孔中形成有用于實(shí)現(xiàn)在所述一主面和所述另一主面上形成的電極的導(dǎo)通的貫通電極，且存在貫通部分，所述壓電振動(dòng)板用貫通孔的貫通部分與所述第2密封構(gòu)件用貫通孔的貫通部分至少局部重疊。
[0016]在該情況下，所述壓電振動(dòng)板用貫通孔的貫通部分與所述第2密封構(gòu)件用貫通孔的貫通部分至少局部重疊，因此，通過對重疊部分進(jìn)行確認(rèn)，能夠使用所述壓電振動(dòng)板用貫通孔和所述第2密封構(gòu)件用貫通孔來防止所述第2密封構(gòu)件與所述壓電振動(dòng)板之間的層疊位置偏移。
[0017]在所述結(jié)構(gòu)中，也可以是，在所述第I密封構(gòu)件中形成有在一主面與另一主面之間貫通的第I密封構(gòu)件用貫通孔，在所述第I密封構(gòu)件用貫通孔中，形成有用于實(shí)現(xiàn)在所述一主面和所述另一主面上形成的電極的導(dǎo)通的貫通電極，且形成有貫通部分，在所述壓電振動(dòng)板用貫通孔的貫通部分、所述第2密封構(gòu)件用貫通孔的貫通部分和所述第I密封構(gòu)件用貫通孔的貫通部分中，分別至少局部重疊。
[0018]在該情況下，在所述壓電振動(dòng)板用貫通孔的貫通部分、所述第2密封構(gòu)件用貫通孔的貫通部分和所述第I密封構(gòu)件用貫通孔的貫通部分中，分別至少局部重疊，因此通過對重疊部分進(jìn)行確認(rèn)，能夠防止第I密封構(gòu)件、所述第2密封構(gòu)件與所述壓電振動(dòng)板之間的層疊位置偏移。
[0019]另外，所述壓電振動(dòng)板用貫通孔的貫通部分、所述第2密封構(gòu)件用貫通孔的貫通部分、所述第I密封構(gòu)件用貫通孔的貫通部分間至少局部重疊，因此，即使在為了與外部的電路基板電連接所使用的流動(dòng)性導(dǎo)電接合材料中存在氣泡，也能夠使流動(dòng)性導(dǎo)電接合材料的氣泡(氣體)經(jīng)由所述第2密封構(gòu)件用貫通孔、所述壓電振動(dòng)板用貫通孔、以及第I密封構(gòu)件用貫通孔相重疊部分從所述第I密封構(gòu)件的一主面向外部排出。
[0020]在所述結(jié)構(gòu)中，也可以是，所述壓電振動(dòng)板的所述第I激振電極經(jīng)由在所述第I密封構(gòu)件的所述一主面上形成的第I端子與所述第2密封構(gòu)件的所述外部電極端子中的一外部電極端子連接，所述壓電振動(dòng)板的所述第2激振電極經(jīng)由在所述第I密封構(gòu)件的所述一主面上形成的第2端子與所述第2密封構(gòu)件的所述外部電極端子中的另一外部電極端子連接。在該情況下，也可以是，分別在所述第I端子與所述一外部電極端子之間、以及在所述第2端子與所述另一外部電極端子之間分別設(shè)置有所述壓電振動(dòng)板用貫通孔的貫通部分、所述第2密封構(gòu)件用貫通孔的貫通部分、所述第I密封構(gòu)件用貫通孔的貫通部分相重疊部分。
[0021]根據(jù)本結(jié)構(gòu)，所述壓電振動(dòng)板用貫通孔的貫通部分、所述第2密封構(gòu)件用貫通孔的貫通部分、所述第I密封構(gòu)件用貫通孔的貫通部分間至少局部重疊，因此，即使在為了與外部的電路基板電連接所使用的流動(dòng)性導(dǎo)電接合材料中存在氣泡，也能夠使流動(dòng)性導(dǎo)電接合材料的氣泡經(jīng)由所述第2密封構(gòu)件用貫通孔、所述壓電振動(dòng)板用貫通孔以及第I密封構(gòu)件用貫通孔相重疊部分從所述第I密封構(gòu)件的一主面向外部排出。
[0022 ]此外，在使用流動(dòng)性導(dǎo)電接合材料將外部電極端子(一外部電極端子、另一外部電極端子)與外部的電路基板形成了電連接時(shí)，流動(dòng)性導(dǎo)電接合材料從所述外部電極端子流向所述第2密封構(gòu)件用貫通孔，并蔓延到所述第2密封構(gòu)件用貫通孔的貫通部分。此時(shí)，由于蔓延到貫通部分的流動(dòng)性導(dǎo)電接合材料的侵蝕作用，擔(dān)心氣密地密封有壓電振動(dòng)板的振動(dòng)部的內(nèi)部空間的氣密性的降低。不過，根據(jù)所述結(jié)構(gòu)，作為從所述壓電振動(dòng)板的所述第I激振電極到所述外部電極端子(一外部電極端子)的路徑的長度，進(jìn)而，作為從所述壓電振動(dòng)板的所述第2激振電極到所述外部電極端子(另一外部電極端子)的路徑的長度，能夠確保較長的距離，因此，能夠抑制流動(dòng)性導(dǎo)電接合材料的侵蝕作用對內(nèi)部空間的氣密性降低的影響。
[0023]另外，通過將設(shè)于所述第I密封構(gòu)件的所述一主面上的第I端子以及第2端子用作壓電振動(dòng)板的檢查用端子，能夠容易地進(jìn)行壓電振動(dòng)板的檢查。而且，能夠容易地變更第I端子以及第2端子的大小，由此，能夠根據(jù)要求對從外部電極端子(一外部電極端子、另一外部電極端子)表現(xiàn)出來的壓電振動(dòng)板容量進(jìn)行微調(diào)。
[0024]在所述結(jié)構(gòu)中，也可以是，各所述重疊的部分分別設(shè)置于所述內(nèi)部空間的密封區(qū)域的外方。
[0025]根據(jù)本結(jié)構(gòu)，在氣密地密封有壓電振動(dòng)板的振動(dòng)部的內(nèi)部空間的密封區(qū)域的外方(與氣密性無關(guān)的區(qū)域)設(shè)置各所述重疊的部分，因此，能夠更加抑制因流動(dòng)性導(dǎo)電接合材料(焊料等)的侵蝕作用引起的內(nèi)部空間的氣密性降低。
[0026]另外，根據(jù)本結(jié)構(gòu)，在使用流動(dòng)性導(dǎo)電接合材料將壓電振動(dòng)器件與外部的電路基板接合時(shí)，流動(dòng)性導(dǎo)電接合材料從外部電極端子流向第2密封構(gòu)件用貫通孔，并蔓延到貫通孔(第2密封構(gòu)件用貫通孔、壓電振動(dòng)板用貫通孔、第I密封構(gòu)件用貫通孔)的貫通部分，填埋該貫通孔的貫通部分。因此，壓電振動(dòng)器件與外部的電路基板接合時(shí)產(chǎn)生的接合應(yīng)力被分散掉與蔓延到貫通孔的貫通部分的流動(dòng)性導(dǎo)電接合材料的量相當(dāng)?shù)牧?，因此，能夠在接合時(shí)使施加于外部電極端子的接合應(yīng)力降低。
[0027]另外，根據(jù)本結(jié)構(gòu)，在與設(shè)于密封區(qū)域內(nèi)的壓電振動(dòng)板的振動(dòng)部分開的位置設(shè)有貫通孔(壓電振動(dòng)板用貫通孔、第I密封構(gòu)件用貫通孔、第2密封構(gòu)件用貫通孔)，因此，在壓電振動(dòng)器件與外部的電路基板接合時(shí)，即使貫通孔的貫通部分被熱膨脹率與壓電振動(dòng)板等的熱膨脹率不同的流動(dòng)性導(dǎo)電接合材料填埋，也能夠抑制所產(chǎn)生的接合應(yīng)力對壓電振動(dòng)板的振動(dòng)部的影響。
[0028]詳細(xì)而言，在壓電振動(dòng)器件與外部的電路基板接合時(shí)，在貫通孔的貫通部分由流動(dòng)性導(dǎo)電接合材料填埋了的情況下，擔(dān)心在因流動(dòng)性導(dǎo)電接合材料與壓電振動(dòng)板等之間的熱膨脹率差而產(chǎn)生的應(yīng)力的作用下對壓電振動(dòng)板的振動(dòng)部帶來不良影響。不過，根據(jù)本結(jié)構(gòu)，即使貫通孔的貫通部分由流動(dòng)性導(dǎo)電接合材料填埋了，也配置在壓電振動(dòng)板的振動(dòng)部與貫通孔分開的位置，因此，能夠抑制因熱膨脹率差而產(chǎn)生的上述應(yīng)力對壓電振動(dòng)板的振動(dòng)部的影響。另外，密封區(qū)域的密封部介于壓電振動(dòng)板的振動(dòng)部與貫通孔之間，因此，因熱膨脹率差而產(chǎn)生的上述應(yīng)力不會(huì)從填埋到貫通孔的流動(dòng)性導(dǎo)電接合材料直接向壓電振動(dòng)板的振動(dòng)部傳遞。這樣，因熱膨脹率差而產(chǎn)生的上述應(yīng)力的傳遞被密封區(qū)域的密封部阻隔，因此，能夠使向壓電振動(dòng)板的振動(dòng)部傳遞的應(yīng)力降低。
[0029]在所述結(jié)構(gòu)中，也可以是，在所述壓電振動(dòng)板的一主面上形成有用于與所述第I密封構(gòu)件密封接合的振動(dòng)側(cè)第I接合圖案，在所述壓電振動(dòng)板的另一主面上形成有用于與所述第2密封構(gòu)件密封接合的振動(dòng)側(cè)第2接合圖案，在所述第I密封構(gòu)件上形成有用于與所述壓電振動(dòng)板接合的密封側(cè)第I接合圖案，在所述第2密封構(gòu)件形成有用于與所述壓電振動(dòng)板接合的密封側(cè)第2接合圖案，所述密封側(cè)第I接合圖案和所述振動(dòng)側(cè)第I接合圖案被擴(kuò)散接合，所述密封側(cè)第2接合圖案和所述振動(dòng)側(cè)第2接合圖案被擴(kuò)散接合，所述第I密封構(gòu)件與所述壓電振動(dòng)板之間具有1.ΟΟμπι以下的間隙，所述第2密封構(gòu)件與所述壓電振動(dòng)板之間具有
1.ΟΟμπι以下的間隙。
[0030]在該情況下，該壓電振動(dòng)器件的封裝的高度沒有產(chǎn)生偏差。例如在與本結(jié)構(gòu)不同、并使用間隙大于I ym的Sn接合材料那樣的金屬糊劑密封材料的情況下，在將金屬糊劑密封材料形成在圖案(所述振動(dòng)側(cè)第I接合圖案、所述振動(dòng)側(cè)第2接合圖案、所述密封側(cè)第I接合圖案、所述密封側(cè)第2接合圖案)上時(shí)的高度產(chǎn)生偏差。另外，在接合后，也由于所形成的圖案(所述振動(dòng)側(cè)第I接合圖案、所述振動(dòng)側(cè)第2接合圖案、所述密封側(cè)第I接合圖案、所述密封側(cè)第2接合圖案)的熱容量分布，沒有成為均勻的間隙。因此，在現(xiàn)有技術(shù)中，在為第I密封構(gòu)件、第2密封構(gòu)件、壓電振動(dòng)板這3個(gè)構(gòu)件層疊而成的構(gòu)造的情況下，這3個(gè)構(gòu)件之間各自的間隙產(chǎn)生差異。其結(jié)果，層疊起來的3個(gè)構(gòu)件就以沒有保持平行的狀態(tài)接合。尤其是，該問題隨著低矮化而變得顯著。相對于此，在本結(jié)構(gòu)中，上限設(shè)定成1.ΟΟμπι，因此，能夠?qū)⑺龅贗密封構(gòu)件、所述第2密封構(gòu)件、所述壓電振動(dòng)板這3個(gè)構(gòu)件以保持在平行的狀態(tài)層疊接合，本結(jié)構(gòu)能夠應(yīng)對低矮化。
[0031]為了達(dá)成上述的目的，本發(fā)明的壓電振動(dòng)器件與電路基板的接合構(gòu)造的特征在于，本發(fā)明的壓電振動(dòng)器件使用流動(dòng)性導(dǎo)電接合材料與電路基板電連接，在所述外部電極端子與所述電路基板形成了電連接時(shí)，利用所述流動(dòng)性導(dǎo)電接合材料填埋所述第2密封構(gòu)件用貫通孔的貫通部分。
[0032]根據(jù)本發(fā)明，在所述外部電極端子與所述電路基板形成了電連接時(shí)，利用所述流動(dòng)性導(dǎo)電接合材料填埋所述第2密封構(gòu)件用貫通孔的貫通部分，因此，與專利文獻(xiàn)I的技術(shù)等現(xiàn)有技術(shù)相比，能夠?qū)⑺鲐炌姌O的材料的使用量削減掉與填埋所述貫通部分的所述流動(dòng)性導(dǎo)電接合材料的量相當(dāng)?shù)牧?。其結(jié)果，與現(xiàn)有技術(shù)相比，無需使用金屬的電極材料來填埋所述第2密封構(gòu)件用貫通孔。
[0033]另外，根據(jù)本發(fā)明，所述流動(dòng)性導(dǎo)電接合材料從所述外部電極端子流向所述第2密封構(gòu)件用貫通孔，并蔓延到所述第2密封構(gòu)件用貫通孔的貫通部分。另外，只要增多所述流動(dòng)性導(dǎo)電接合材料的使用量，就可填埋所述第2密封構(gòu)件用貫通孔的貫通部分。因此，在所述壓電振動(dòng)器件與所述電路基板接合時(shí)接合應(yīng)力施加于所述外部電極端子，但該接合應(yīng)力分散掉與流向所述第2密封構(gòu)件用貫通孔并蔓延到所述第2密封構(gòu)件用貫通孔的貫通部分的所述流動(dòng)性導(dǎo)電接合材料的量相當(dāng)?shù)牧浚虼?，在所述壓電振?dòng)器件與所述電路基板接合時(shí)，能夠使施加于所述外部電極端子的接合應(yīng)力實(shí)質(zhì)上降低。
[0034]另外，在使用所述流動(dòng)性導(dǎo)電接合材料將所述外部電極端子與所述電路基板形成了電連接時(shí)，所述流動(dòng)性導(dǎo)電接合材料附著于所述外部電極端子，而且，也向所述第2密封構(gòu)件用貫通孔的所述貫通部分?jǐn)U散并附著于所述貫通部分，因此，能夠使接合區(qū)域?qū)嵸|(zhì)上增加。該作用效果對小型的所述壓電振動(dòng)器件是有效的，即使縮小所述壓電振動(dòng)器件的封裝尺寸，也能夠使接合區(qū)域?qū)嵸|(zhì)上是同等大小或擴(kuò)大，其結(jié)果，能夠提高接合強(qiáng)度。
[0035]為了達(dá)成上述的目的，本發(fā)明的另一壓電振動(dòng)器件與電路基板的接合構(gòu)造的特征在于，使用流動(dòng)性導(dǎo)電接合材料將本發(fā)明的壓電振動(dòng)器件與電路基板電連接，在所述外部電極端子與所述電路基板形成了電連接時(shí)，利用所述流動(dòng)性導(dǎo)電接合材料填埋所述壓電振動(dòng)板用貫通孔的貫通部分以及所述第2密封構(gòu)件用貫通孔的貫通部分。
[0036]根據(jù)本發(fā)明，在所述外部電極端子與所述電路基板形成了電連接時(shí)，利用所述流動(dòng)性導(dǎo)電接合材料填埋所述壓電振動(dòng)板用貫通孔的貫通部分以及所述第2密封構(gòu)件用貫通孔的貫通部分，因此，與專利文獻(xiàn)I的技術(shù)等現(xiàn)有技術(shù)相比，能夠?qū)⑺鰤弘娬駝?dòng)板用貫通孔的貫通電極以及所述第2密封構(gòu)件用貫通孔的貫通電極的使用量削減掉與填埋所述壓電振動(dòng)板用貫通孔的貫通部分以及所述第2密封構(gòu)件用貫通孔的貫通部分的所述流動(dòng)性導(dǎo)電接合材料的量相當(dāng)?shù)牧俊Ｆ浣Y(jié)果，與現(xiàn)有技術(shù)相比，無需使用金屬的電極材料來填埋所述壓電振動(dòng)板用貫通孔以及所述第2密封構(gòu)件用貫通孔。
[0037]另外，根據(jù)本發(fā)明，所述流動(dòng)性導(dǎo)電接合材料從所述外部電極端子流向所述第2密封構(gòu)件用貫通孔以及所述壓電振動(dòng)板用貫通孔，并蔓延到所述第2密封構(gòu)件用貫通孔的貫通部分以及所述壓電振動(dòng)板用貫通孔的貫通部分，填埋所述第2密封構(gòu)件用貫通孔的貫通部分以及所述壓電振動(dòng)板用貫通孔的貫通部分。因此，在所述壓電振動(dòng)器件與所述電路基板接合時(shí)接合應(yīng)力施加于所述外部電極端子，但該接合應(yīng)力分散掉與流向所述第2密封構(gòu)件用貫通孔以及所述壓電振動(dòng)板用貫通孔并蔓延到所述第2密封構(gòu)件用貫通孔的貫通部分以及所述壓電振動(dòng)板用貫通孔的貫通部分的所述流動(dòng)性導(dǎo)電接合材料的量相當(dāng)?shù)牧?，因此，在所述壓電振?dòng)器件與所述電路基板接合時(shí)，能夠使施加于所述外部電極端子的接合應(yīng)力實(shí)質(zhì)上降低。
[0038]另外，在使用所述流動(dòng)性導(dǎo)電接合材料將所述外部電極端子與所述電路基板形成了電連接時(shí)，所述流動(dòng)性導(dǎo)電接合材料附著于所述外部電極端子，而且，也向所述第2密封構(gòu)件用貫通孔的所述貫通部分以及所述壓電振動(dòng)板用貫通孔的貫通部分?jǐn)U散并附著于這些貫通部分，因此，能夠使接合區(qū)域?qū)嵸|(zhì)上增加。該作用效果對小型的所述壓電振動(dòng)器件是有效的，即使縮小所述壓電振動(dòng)器件的封裝尺寸，也能夠使接合區(qū)域?qū)嵸|(zhì)上是同等大小或擴(kuò)大，其結(jié)果，能夠提高接合強(qiáng)度。
[0039]為了達(dá)成上述的目的，本發(fā)明的另一壓電振動(dòng)器件與電路基板的接合構(gòu)造的特征在于，本發(fā)明的壓電振動(dòng)器件使用流動(dòng)性導(dǎo)電接合材料與電路基板電連接，在所述外部電極端子與所述電路基板形成了電連接時(shí)，利用所述流動(dòng)性導(dǎo)電接合材料填埋所述壓電振動(dòng)板用貫通孔的貫通部分、所述第2密封構(gòu)件用貫通孔的貫通部分以及所述第I密封構(gòu)件用貫通孔的貫通部分。
[0040]根據(jù)本發(fā)明，在所述外部電極端子與所述電路基板形成了電連接時(shí)，利用所述流動(dòng)性導(dǎo)電接合材料填埋所述壓電振動(dòng)板用貫通孔的貫通部分、所述第2密封構(gòu)件用貫通孔的貫通部分以及所述第I密封構(gòu)件用貫通孔的貫通部分，因此，與專利文獻(xiàn)I的技術(shù)等現(xiàn)有技術(shù)相比，能夠?qū)⑺鰤弘娬駝?dòng)板用貫通孔的貫通電極、所述第2密封構(gòu)件用貫通孔的貫通電極以及所述第I密封構(gòu)件用貫通孔的貫通電極的材料的使用量，削減掉與填埋所述壓電振動(dòng)板用貫通孔的貫通部分、所述第2密封構(gòu)件用貫通孔的貫通部分以及所述第I密封構(gòu)件用貫通孔的貫通部分的所述流動(dòng)性導(dǎo)電接合材料的量相當(dāng)?shù)牧?。其結(jié)果，與現(xiàn)有技術(shù)相比，無需使用金屬的電極材料來填埋所述壓電振動(dòng)板用貫通孔、所述第2密封構(gòu)件用貫通孔以及所述第I密封構(gòu)件用貫通孔。
[0041]另外，根據(jù)本發(fā)明，所述流動(dòng)性導(dǎo)電接合材料從所述外部電極端子流向所述第2密封構(gòu)件用貫通孔、所述壓電振動(dòng)板用貫通孔以及所述第I密封構(gòu)件用貫通孔，并蔓延到所述第2密封構(gòu)件用貫通孔的貫通部分、所述壓電振動(dòng)板用貫通孔的貫通部分以及所述第I密封構(gòu)件用貫通孔的貫通部分，填埋所述第2密封構(gòu)件用貫通孔的貫通部分、所述壓電振動(dòng)板用貫通孔的貫通部分以及所述第I密封構(gòu)件用貫通孔的貫通部分。因此，在所述壓電振動(dòng)器件與所述電路基板接合時(shí)，接合應(yīng)力施加于所述外部電極端子，但該接合應(yīng)力分散掉與流向所述第2密封構(gòu)件用貫通孔、所述壓電振動(dòng)板用貫通孔以及所述第I密封構(gòu)件用貫通孔并蔓延到所述第2密封構(gòu)件用貫通孔的貫通部分、所述壓電振動(dòng)板用貫通孔的貫通部分以及所述第I密封構(gòu)件用貫通孔的貫通部分的所述流動(dòng)性導(dǎo)電接合材料的量相當(dāng)?shù)牧?，因此，在所述壓電振?dòng)器件與所述電路基板接合時(shí)，能夠使施加于所述外部電極端子的接合應(yīng)力實(shí)質(zhì)上降低。
[0042]另外，在使用所述流動(dòng)性導(dǎo)電接合材料將所述外部電極端子與所述電路基板形成了電連接時(shí)，所述流動(dòng)性導(dǎo)電接合材料附著于所述外部電極端子，而且，也向所述第2密封構(gòu)件用貫通孔的所述貫通部分、所述壓電振動(dòng)板用貫通孔的貫通部分以及所述第I密封構(gòu)件用貫通孔的貫通部分?jǐn)U散并附著于這些貫通部分，因此，能夠使接合區(qū)域?qū)嵸|(zhì)上增加。該作用效果對小型的所述壓電振動(dòng)器件是有效的，即使縮小所述壓電振動(dòng)器件的封裝尺寸，也能夠使接合區(qū)域?qū)嵸|(zhì)上是同等大小或擴(kuò)大，其結(jié)果，能夠提高接合強(qiáng)度。
[0043]根據(jù)本發(fā)明，能夠一邊削減夾層構(gòu)造的壓電振動(dòng)器件的成本、一邊使用貫通孔來實(shí)現(xiàn)第2密封構(gòu)件的兩主面之間的導(dǎo)通。
【附圖說明】
[0044]圖1是表示本實(shí)施方式的晶體振子的各構(gòu)成的概要結(jié)構(gòu)圖。
[0045]圖2是本實(shí)施方式的晶體振子的第I密封構(gòu)件的概要俯視圖。
[0046]圖3是本實(shí)施方式的晶體振子的第I密封構(gòu)件的概要背面圖。
[0047]圖4是本實(shí)施方式的晶體振子的晶體振動(dòng)板的概要俯視圖。
[0048]圖5是本實(shí)施方式的晶體振子的晶體振動(dòng)板的概要背面圖。
[0049]圖6是本實(shí)施方式的晶體振子的第2密封構(gòu)件的概要俯視圖。
[0050]圖7是本實(shí)施方式的晶體振子的第2密封構(gòu)件的概要背面圖。
[0051]圖8是表示圖1所示的晶體振子與電路基板的接合構(gòu)造的圖，是表示貫通孔內(nèi)的流動(dòng)性導(dǎo)電接合材料的附著位置的圖。
[0052]圖9是表示圖1所示的晶體振子與電路基板的接合構(gòu)造的圖，是表示貫通孔內(nèi)的流動(dòng)性導(dǎo)電接合材料的附著位置的圖。
[0053]圖10是表示本實(shí)施方式的晶體振蕩器的各構(gòu)成的概要結(jié)構(gòu)圖。
[0054]圖11是本實(shí)施方式的晶體振蕩器的第I密封構(gòu)件的概要俯視圖。
[0055]圖12是本實(shí)施方式的晶體振蕩器的第I密封構(gòu)件的概要背面圖。
[0056]圖13是本實(shí)施方式的晶體振蕩器的晶體振動(dòng)板的概要俯視圖。
[0057]圖14是本實(shí)施方式的晶體振蕩器的晶體振動(dòng)板的概要背面圖。
[0058]圖15是本實(shí)施方式的晶體振蕩器的第2密封構(gòu)件的概要俯視圖。
[0059]圖16是本實(shí)施方式的晶體振蕩器的第2密封構(gòu)件的概要背面圖。
[0060]圖17是表示圖10所示的晶體振蕩器與電路基板的接合構(gòu)造的圖，是表示貫通孔內(nèi)的流動(dòng)性導(dǎo)電接合材料的附著位置的圖。
[0061]圖18是表示圖10所示的晶體振蕩器與電路基板的接合構(gòu)造的圖，是表示貫通孔內(nèi)的流動(dòng)性導(dǎo)電接合材料的附著位置的圖。
[0062]圖19是表示本實(shí)施方式的變形例的晶體振子的各構(gòu)成的概要結(jié)構(gòu)圖。
[0063]圖20是本實(shí)施方式的變形例的晶體振子的第I密封構(gòu)件的概要俯視圖。
[0064]圖21是本實(shí)施方式的變形例的晶體振子的第I密封構(gòu)件的概要背面圖。
[0065]圖22是本實(shí)施方式的變形例的晶體振子的晶體振動(dòng)板的概要俯視圖。
[0066]圖23是本實(shí)施方式的變形例的晶體振子的晶體振動(dòng)板的概要背面圖。
[0067]圖24是本實(shí)施方式的變形例的晶體振子的第2密封構(gòu)件的概要俯視圖。
[0068]圖25是本實(shí)施方式的變形例的晶體振子的第2密封構(gòu)件的概要背面圖。
[0069]圖26是表示圖19所示的晶體振子與電路基板的接合構(gòu)造的圖，是表示貫通孔內(nèi)的流動(dòng)性導(dǎo)電接合材料的附著位置的圖。
[0070]圖27是表示圖19所示的晶體振子與電路基板的接合構(gòu)造的圖，是表示貫通孔內(nèi)的流動(dòng)性導(dǎo)電接合材料的附著位置的圖。
【具體實(shí)施方式】
[0071]以下，參照【附圖說明】本發(fā)明的實(shí)施方式。此外，在以下所示的實(shí)施方式中，示出了將本發(fā)明適用于晶體振子作為進(jìn)行壓電振動(dòng)的壓電振動(dòng)器件的情況。
[0072]—晶體振子一
[0073]如圖1所示，在本實(shí)施方式的晶體振子101中設(shè)有:晶體振動(dòng)板2(在本發(fā)明中所謂的壓電振動(dòng)板)；第I密封構(gòu)件3，其覆蓋晶體振動(dòng)板2的第I激振電極221(參照圖4)，對在晶體振動(dòng)板2的一主面211上形成的第I激振電極221進(jìn)行氣密地密封;第2密封構(gòu)件4，其在該晶體振動(dòng)板2的另一主面212上覆蓋晶體振動(dòng)板2的第2激振電極222(參照圖5)，對與第I激振電極221成對地形成的第2激振電極222進(jìn)行氣密地密封。
[0074]在該晶體振子101中，晶體振動(dòng)板2與第I密封構(gòu)件3被接合、晶體振動(dòng)板2與第2密封構(gòu)件4被接合而構(gòu)成夾層構(gòu)造的封裝12。
[0075]并且，通過將第I密封構(gòu)件3和第2密封構(gòu)件4隔著晶體振動(dòng)板2接合，形成封裝12的內(nèi)部空間13，在該封裝12的內(nèi)部空間13內(nèi)氣密地密封有包括在晶體振動(dòng)板2的兩主面211、212上形成的第I激振電極221以及第2激振電極222的振動(dòng)部23。此外，內(nèi)部空間13如圖1所示那樣位于偏向封裝12的俯視一端側(cè)(俯視左側(cè))的位置。
[0076]本實(shí)施方式的晶體振子101是1.0_X0.8mm的封裝尺寸，實(shí)現(xiàn)了小型化和低矮化。另外，隨著小型化，在本封裝12中，未形成城垛結(jié)構(gòu)(castellat1n)，而是使用貫通孔(參照第I貫通孔261、第2貫通孔441、第3貫通孔442)實(shí)現(xiàn)了電極的導(dǎo)通。
[0077]接著，使用圖1?7對上述的晶體振子101的各構(gòu)成進(jìn)行說明。此外，在此，對構(gòu)成為晶體振動(dòng)板2、第I密封構(gòu)件3以及第2密封構(gòu)件4沒有接合的各單體的各構(gòu)件進(jìn)行說明。
[0078]如圖4、5所示，晶體振動(dòng)板2由作為壓電材料的水晶構(gòu)成，其兩主面(一主面211、另一主面212)成形(鏡面加工)成平坦平滑面。
[0079]另外，在晶體振動(dòng)板2的兩主面211、212(—主面211、另一主面212)上形成有一對(成對的)激振電極(第I激振電極221、第2激振電極222)。并且，在兩主面211、212上以包圍一對第I激振電極221、第2激振電極222的方式形成有兩個(gè)缺口部24(貫通形狀)而構(gòu)成了振動(dòng)部23。缺口部24由俯視凹形狀體241(由兩個(gè)長方形從I個(gè)俯視長方形的兩端分別沿著與長方形的長度方向呈直角的方向延伸而成形成的3個(gè)俯視長方形構(gòu)成的俯視體)和俯視長方形狀體242構(gòu)成，俯視凹形狀體241與俯視長方形狀體242之間成為配置用于將第I激振電極221以及第2激振電極222向外部電極端子(一外部電極端子431、另一外部電極端子432;參照下述內(nèi)容)引出的引出電極(第I引出電極223、第2引出電極224)的導(dǎo)通路徑213。關(guān)于電極圖案，從一對第I激振電極221、第2激振電極222分別引出來的第I引出電極223、第2引出電極224，借助振動(dòng)側(cè)第I接合圖案251以及振動(dòng)側(cè)第2接合圖案252與在第2密封構(gòu)件4上形成的外部電極端子(一外部電極端子431、另一外部電極端子432)電連接。
[0080]在該晶體振動(dòng)板2上，在沿著兩主面211、212的振動(dòng)部23的外方以包圍振動(dòng)部23的方式分別設(shè)有用于接合第I密封構(gòu)件3和第2密封構(gòu)件4的振動(dòng)側(cè)密封部25。振動(dòng)側(cè)密封部25如圖4、5所示那樣位于偏向兩主面211、212的俯視左側(cè)的位置。
[0081]在該晶體振動(dòng)板2的一主面211的振動(dòng)側(cè)密封部25上形成有用于與第I密封構(gòu)件3接合的振動(dòng)側(cè)第I接合圖案251，第I激振電極221與振動(dòng)側(cè)第I接合圖案251相連。另外，在晶體振動(dòng)板2的另一主面212的振動(dòng)側(cè)密封部25上形成有用于與第2密封構(gòu)件4接合的振動(dòng)側(cè)第2接合圖案252，第2激振電極222與振動(dòng)側(cè)第2接合圖案252相連。內(nèi)部空間13形成在振動(dòng)側(cè)第I接合圖案251以及振動(dòng)側(cè)第2接合圖案252這兩者的內(nèi)方(內(nèi)側(cè))。
[0082]在晶體振動(dòng)板2的一主面211上形成有用于與第I密封構(gòu)件3接合的振動(dòng)側(cè)第I接合圖案251，振動(dòng)側(cè)第I接合圖案251由在一主面211上物理氣相生長而形成的基底PVD膜2511和在基底PVD膜2511上物理氣相生長而層疊形成的電極PVD膜2512構(gòu)成。另外，在晶體振動(dòng)板2的另一主面212上形成有用于與第2密封構(gòu)件4接合的振動(dòng)側(cè)第2接合圖案252，振動(dòng)側(cè)第
2接合圖案252由在另一主面212上物理氣相生長而形成的基底PVD膜2521和在基底PVD膜2521上物理氣相生長而層疊形成的電極PVD膜2522構(gòu)成。也就是說，振動(dòng)側(cè)第I接合圖案251和振動(dòng)側(cè)第2接合圖案252由同一結(jié)構(gòu)構(gòu)成，是通過多個(gè)層層疊于兩主面211、212的振動(dòng)側(cè)密封部25上而構(gòu)成的，從其最下層側(cè)起蒸鍍形成有Ti層(或Cr層)和Au層。這樣，在振動(dòng)側(cè)第I接合圖案251和振動(dòng)側(cè)第2接合圖案252中，基底PVD膜2511、2521由單一的材料(Ti(或Cr))構(gòu)成，電極PVD膜2512、2522由單一的材料(Au)構(gòu)成，電極PVD膜2512、2522的厚度比基底PVD膜2511、2521的厚度厚。另外，在晶體振動(dòng)板2的一主面211上形成的第I激振電極221和振動(dòng)側(cè)第I接合圖案251具有同一厚度，第I激振電極221的表面(主面)和振動(dòng)側(cè)第I接合圖案251的表面(主面)由同一金屬構(gòu)成，在晶體振動(dòng)板2的另一主面212上形成的第2激振電極222和振動(dòng)側(cè)第2接合圖案252具有同一厚度，第2激振電極222的表面(主面)和振動(dòng)側(cè)第2接合圖案252的表面(主面)由同一金屬構(gòu)成。另外，振動(dòng)側(cè)第I接合圖案251和振動(dòng)側(cè)第2接合圖案252是非Sn圖案。此外，在同一主面上，是同一金屬且同一厚度的結(jié)構(gòu)，在對振動(dòng)側(cè)第1、2接合圖案251、252與振動(dòng)側(cè)(第I激振電極221、第2激振電極222)進(jìn)行了比較的情況下，只要最上層(至少暴露著的面)的金屬(電極PVD膜2512、2522等)相同，則即使其基底金屬(基底PVD膜2511、2521)的種類、厚度不同，也能夠進(jìn)行接合。另外，在振動(dòng)側(cè)第I接合圖案251以及振動(dòng)側(cè)第2接合圖案252中，分別成為電極PVD膜2512、2522俯視呈鱗片狀體的表面。在此所謂的鱗片狀體是指，被活化而微觀上成為單片狀體的金屬像鋪草席那樣重疊而俯視看來沒有(或幾乎沒有)間隙的形態(tài)。
[0083]另外，如圖4、5所示，在晶體振動(dòng)板2中形成有在一主面211與另一主面212之間貫通的第I貫通孔261(本發(fā)明中所謂的壓電振動(dòng)板用貫通孔)，與第I激振電極221相連的振動(dòng)偵樵I接合圖案251經(jīng)由第I貫通孔261向另一主面212側(cè)引出。如圖1、4、5所示，在第I貫通孔261中，沿著第I貫通孔261的內(nèi)壁面形成有用于實(shí)現(xiàn)在一主面211和另一主面212上形成的電極的導(dǎo)通的貫通電極71。并且，第I貫通孔261的中央部分成為在一主面211與另一主面212之間貫通的空心狀態(tài)的貫通部分72。該第I貫通孔261配置在內(nèi)部空間13的外方，如圖4所示那樣位于偏向兩主面211、212的俯視另一端側(cè)(俯視右側(cè))的位置，第I貫通孔261沒有形成在內(nèi)部空間13的內(nèi)方。在此所謂的內(nèi)部空間13的內(nèi)方，指的是不包括接合材料11之上在內(nèi)而嚴(yán)格地指接合材料11的內(nèi)周面的內(nèi)側(cè)。
[0084]第I密封構(gòu)件3使用了彎曲剛度(截面慣性矩X楊氏模量)是1000[N.mm2]以下的材料。具體而言，如圖2、3所示，第I密封構(gòu)件3是由I張玻璃晶片形成的長方體的基板，該第I密封構(gòu)件3的另一主面312(與晶體振動(dòng)板2接合的面)成形(鏡面加工)成平坦平滑面。
[0085]在該第I密封構(gòu)件3的另一主面312設(shè)有用于與晶體振動(dòng)板2接合的密封側(cè)第I密封部32。密封側(cè)第I密封部32如圖3所示那樣位于偏向第I密封構(gòu)件3的另一主面312的俯視左側(cè)的位置。
[0086]在第I密封構(gòu)件3的密封側(cè)第I密封部32上形成有用于與晶體振動(dòng)板2接合的密封側(cè)第I接合圖案321。密封側(cè)第I接合圖案321在第I密封構(gòu)件3的密封側(cè)第I密封部32上的全部位置設(shè)為同一寬度。
[0087]該密封側(cè)第I接合圖案321由在第I密封構(gòu)件3上物理氣相生長而形成的基底PVD膜3211和在基底PVD膜3211上物理氣相生長而層疊形成的電極PVD膜3212構(gòu)成。此外，在本實(shí)施方式中，基底PVD膜3211使用了Ti(或Cr)，電極PVD膜3212使用了 Au。另外，密封側(cè)第I接合圖案321是非Sn圖案。具體而言，密封側(cè)第I接合圖案321是通過多個(gè)層層疊于另一主面312的密封側(cè)第I密封部32上而構(gòu)成的，從其最下層側(cè)起蒸鍍形成有Ti層(或Cr層)和Au層。另夕卜，在密封側(cè)第I接合圖案321中，電極PVD膜3212成為俯視呈鱗片狀體的表面。
[0088]第2密封構(gòu)件4使用了彎曲剛度(斷面慣性矩X楊氏模量)是1000[N.mm2]以下的材料。具體而言，如圖6所示，第2密封構(gòu)件4是由I張玻璃晶片形成的長方體的基板，該第2密封構(gòu)件4的一主面411(與晶體振動(dòng)板2接合的面)成形(鏡面加工)成平坦平滑面。
[0089]在該第2密封構(gòu)件4的一主面411設(shè)有用于與晶體振動(dòng)板2接合的密封側(cè)第2密封部42。密封側(cè)第2密封部42如圖6所示那樣位于偏向第2密封構(gòu)件4的一主面411的俯視左側(cè)的位置。
[0090]另外，在第2密封構(gòu)件4的另一主面412(不面對晶體振動(dòng)板2的靠外方的主面)設(shè)有與外部電連接的一對外部電極端子(一外部電極端子431、另一外部電極端子432)。一外部電極端子431借助振動(dòng)側(cè)第I接合圖案2 51與第I激振電極2 21直接電連接，另一外部電極端子432借助振動(dòng)側(cè)第2接合圖案252與第2激振電極222直接電連接。一外部電極端子431、另一外部電極端子432如圖7所示那樣分別位于第2密封構(gòu)件4的另一主面412的俯視長度方向兩端。這一對外部電極端子(一外部電極端子431、另一外部電極端子432)由在另一主面412上物理氣相生長而形成的基底PVD膜4311、4321和在基底PVD膜4311、4321上物理氣相生長而層疊形成的電極PVD膜4312、4322構(gòu)成。另外，相比于上述的振動(dòng)側(cè)第I接合圖案251、振動(dòng)側(cè)第2接合圖案252、密封側(cè)第I接合圖案321、密封側(cè)第2接合圖案421各自的基底PVD膜2511、2521、3211、4211的厚度而言，外部電極端子(一外部電極端子431、另一外部電極端子432)的基底PVD膜4311、4321的厚度相對較厚。另外，一外部電極端子431以及另一外部電極端子432分別占據(jù)第2密封構(gòu)件4的另一主面412中的I /3以上的區(qū)域。
[0091]另外，在第2密封構(gòu)件4的密封側(cè)第2密封部42上形成有用于與晶體振動(dòng)板2接合的密封側(cè)第2接合圖案421。密封側(cè)第2接合圖案421在第2密封構(gòu)件4的密封側(cè)第2密封部42上的全部位置設(shè)為同一寬度。
[0092]該密封側(cè)第2接合圖案421由在第2密封構(gòu)件4上物理氣相生長而形成的基底PVD膜4211和在基底PVD膜4211上物理氣相生長而層疊形成的電極PVD膜4212構(gòu)成。此外，在本實(shí)施方式中，基底PVD膜4211使用了Ti(或Cr)，電極PVD膜4212使用了 Au。另外，密封側(cè)第2接合圖案421是非Sn圖案。具體而言，密封側(cè)第2接合圖案421是通過多個(gè)層層疊于另一主面412的密封側(cè)第2密封部42上而構(gòu)成的，從其最下層側(cè)起蒸鍍形成有Ti層(或Cr層)和Au層。另夕卜，在密封側(cè)第2接合圖案421中，電極PVD膜4212成為俯視呈鱗片狀體的表面。
[0093]另外，如圖1、6、7所示，在第2密封構(gòu)件4中形成有在一主面411與另一主面412之間貫通的兩個(gè)貫通孔(第2貫通孔441和第3貫通孔442;本發(fā)明中所謂的第2密封構(gòu)件用貫通孔)。在第2貫通孔441和第3貫通孔442中，分別沿著第2貫通孔441和第3貫通孔442這兩者的內(nèi)壁面形成有用于實(shí)現(xiàn)在一主面411和另一主面412上形成的電極的導(dǎo)通的貫通電極71。并且，第2貫通孔441和第3貫通孔442這兩者的中央部分成為在一主面411與另一主面412之間貫通的空心狀態(tài)的貫通部分72。這些第2貫通孔441以及第3貫通孔442配置在內(nèi)部空間13的外方，如圖6、7所示那樣第2貫通孔441位于偏向兩主面(一主面411、另一主面412)的俯視右側(cè)的位置，第3貫通孔442位于俯視左上側(cè)，第2貫通孔441以及第3貫通孔442沒有形成在內(nèi)部空間13的內(nèi)方。在此所謂的內(nèi)部空間13的內(nèi)方，指的是不包括接合材料11之上而是嚴(yán)格地接合材料11的內(nèi)周面的內(nèi)側(cè)。并且，與晶體振動(dòng)板2的第I激振電極221相連的振動(dòng)側(cè)第I接合圖案251和一外部電極端子431借助晶體振動(dòng)板2的第I貫通孔261和第2貫通孔441導(dǎo)通。與晶體振動(dòng)板2的第2激振電極222相連的振動(dòng)側(cè)第2接合圖案252借助第3貫通孔442以及密封側(cè)第2接合圖案421與另一外部電極端子432導(dǎo)通。
[0094]在由上述結(jié)構(gòu)構(gòu)成的晶體振子101中，沒有如現(xiàn)有技術(shù)那樣另外使用粘接劑等接合專用材料，晶體振動(dòng)板2和第I密封構(gòu)件3以振動(dòng)側(cè)第I接合圖案251以及密封側(cè)第I接合圖案321重疊后的狀態(tài)被擴(kuò)散接合，晶體振動(dòng)板2和第2密封構(gòu)件4以振動(dòng)側(cè)第2接合圖案252以及密封側(cè)第2接合圖案421重疊后的狀態(tài)被擴(kuò)散接合，制造出圖1所示的夾層構(gòu)造的封裝12。另外，在振動(dòng)側(cè)第2接合圖案252以及密封側(cè)第2接合圖案421重疊后的狀態(tài)下，晶體振動(dòng)板2和第2密封構(gòu)件4的壓電振動(dòng)板用貫通孔(第I貫通孔261)的貫通部分72和第2密封構(gòu)件用貫通孔(第2貫通孔441)的貫通部分72這兩者的至少局部(在本實(shí)施方式，是貫通部分72的整體)重疊。此外，振動(dòng)側(cè)第I接合圖案251以及密封側(cè)第I接合圖案321自身成為在擴(kuò)散接合后所生成的接合材料11，振動(dòng)側(cè)第2接合圖案252以及密封側(cè)第2接合圖案421自身成為在擴(kuò)散接合后所生成的接合材料11。在本實(shí)施方式中，以常溫進(jìn)行了擴(kuò)散接合。在此所謂的常溫是指5°C?35°C。利用該常溫?cái)U(kuò)散接合，具有下述效果(抑制氣體的產(chǎn)生和接合良好)，但這是比共晶焊料的熔點(diǎn)即183°C低的值，是優(yōu)選的例子。然而，并不是僅憑常溫?cái)U(kuò)散接合具有下述效果，只要是在常溫以上且小于230°C的溫度下進(jìn)行擴(kuò)散接合即可。尤其是，通過在200°C以上且小于230°C的溫度下進(jìn)行擴(kuò)散接合，既是小于無Pb焊料的熔點(diǎn)即230°C，又成為Au的再結(jié)晶溫度(200°C)以上，因此，能夠使接合部分的不穩(wěn)定區(qū)域穩(wěn)定化。另外，在本實(shí)施方式中，沒有使用Au — Sn這樣的接合專用材料，因此沒有產(chǎn)生鍍敷氣體、粘合劑氣體、金屬氣體等氣體。因而，能夠設(shè)為Au的再結(jié)晶溫度以上。
[0095]另外，在此處制造成的封裝12中，如上所述，通過擴(kuò)散接合，將密封側(cè)第I接合圖案321和振動(dòng)側(cè)第I接合圖案251接合，將密封側(cè)第2接合圖案421和振動(dòng)側(cè)第2接合圖案252接合，除了該接合以外，也可以是，密封側(cè)第I接合圖案321和振動(dòng)側(cè)第I接合圖案251被加壓擴(kuò)散接合，密封側(cè)第2接合圖案421和振動(dòng)側(cè)第2接合圖案252被加壓擴(kuò)散接合。在該情況下，通過加壓，易于確保接合部位(能夠使接合面積實(shí)質(zhì)上增加)，不用進(jìn)行高溫加熱就能夠良好地進(jìn)行僅基于擴(kuò)散接合的接合。
[0096]另外，在此處制造成的封裝12中，第I密封構(gòu)件3與晶體振動(dòng)板2之間具有1.ΟΟμπι以下的間隙，第2密封構(gòu)件4與晶體振動(dòng)板2之間具有1.ΟΟμπι以下的間隙。也就是說，第I密封構(gòu)件3與晶體振動(dòng)板2之間的接合材料11的厚度是1.ΟΟμπι以下，第2密封構(gòu)件4與晶體振動(dòng)板2之間的接合材料11的厚度是1.ΟΟμπι以下(具體而言，在本實(shí)施方式的Au-Au接合中，是0.15μπι?1.0 O μπι)。此外，作為比較，在使用了 S η的以往的金屬糊劑密封材料中，接合材料的厚度為5ym?20ym。
[0097]另外，密封側(cè)第I接合圖案321和振動(dòng)側(cè)第I接合圖案251擴(kuò)散接合而成的接合圖案的厚度與密封側(cè)第2接合圖案421和振動(dòng)側(cè)第2接合圖案252擴(kuò)散接合而成的接合圖案的厚度相同，不同于與外部電連接的外部電極端子(一外部電極端子431、另一外部電極端子432)的厚度。
[0098]另外，在此處制造成的封裝12中，如圖1?7所示，內(nèi)部空間13位于偏向俯視左側(cè)的位置。另外，在俯視時(shí)，在第I密封構(gòu)件3形成的密封側(cè)第I接合圖案321與在第2密封構(gòu)件4形成的密封側(cè)第2接合圖案421不重疊。具體而言，密封側(cè)第I接合圖案321內(nèi)的俯視區(qū)域比密封側(cè)第2接合圖案421內(nèi)的俯視區(qū)域大。此外，在本實(shí)施方式中，密封側(cè)第I接合圖案321內(nèi)的俯視區(qū)域比密封側(cè)第2接合圖案421內(nèi)的俯視區(qū)域大，但并不限定于此，也可以是，密封側(cè)第2接合圖案421內(nèi)的俯視區(qū)域比密封側(cè)第I接合圖案321內(nèi)的俯視區(qū)域大。然而，由于在第2密封構(gòu)件上形成有一外部電極端子431、另一外部電極端子432，因此，密封側(cè)第I接合圖案321內(nèi)的俯視區(qū)域比密封側(cè)第2接合圖案421內(nèi)的俯視區(qū)域大，配線圖案的走線(導(dǎo)通路徑的確保)變得容易，而且，能夠使配線圖案的走線區(qū)域(導(dǎo)通確保區(qū)域)增多。
[0099]另外，與在晶體振動(dòng)板2上形成的振動(dòng)側(cè)第I接合圖案251以及振動(dòng)側(cè)第2接合圖案252相比，在第I密封構(gòu)件3上形成的密封側(cè)第I接合圖案321、以及在第2密封構(gòu)件4上形成的密封側(cè)第2接合圖案421的寬度相對較寬。
[0100]另外，如圖1、3?6所示，此處制造成的晶體振子1I的內(nèi)部空間13位于偏向俯視左側(cè)的位置。
[0101]另外，在第2密封構(gòu)件4中形成有配置在內(nèi)部空間13的外方的貫通孔(第2貫通孔441、第3貫通孔442)，在內(nèi)部空間13的內(nèi)方?jīng)]有形成有貫通孔(第2貫通孔441、第3貫通孔442) ο
[0102]并且，如上述那樣制造成的晶體振子101使用流動(dòng)性導(dǎo)電接合材料(焊料)62與電路基板61電連接。在此，在外部電極端子(一外部電極端子431、另一外部電極端子432)與電路基板61電連接的接合構(gòu)造中，如圖8、9所示，利用焊料62填埋第2密封構(gòu)件用貫通孔即第2貫通孔441的貫通部分72以及第2密封構(gòu)件用貫通孔即第3貫通孔442的貫通部分72，利用焊料62填埋壓電振動(dòng)板用貫通孔即第I貫通孔261的貫通部分72，晶體振子101與電路基板61接合。此外，在圖8所示的接合構(gòu)造中，第I貫通孔261的貫通部分72、第2貫通孔441的貫通部分72、以及第3貫通孔442的貫通部分72整體被焊料62填埋。另外，在圖9所示的接合構(gòu)造中，第2貫通孔441的貫通部分72、以及第3貫通孔442的貫通部分72整體被焊料62填埋，第I貫通孔261的貫通部分72的局部被焊料62填埋。
[0103]如上述那樣，根據(jù)本實(shí)施方式的晶體振子101，在第2密封構(gòu)件用貫通孔(第2貫通孔441、第3貫通孔442)中形成有貫通電極71，且存在貫通部分72，因此，在貫通部分72沒有形成貫通電極71。因此，能夠?qū)⒇炌姌O71的材料的使用量減少掉與填埋貫通部分72的貫通電極71的量相當(dāng)?shù)牧?，其結(jié)果，能夠削減成本。而且，根據(jù)本實(shí)施方式，能夠利用形成在第2密封構(gòu)件用貫通孔(第2貫通孔441、第3貫通孔442)中的貫通電極71來實(shí)現(xiàn)第2密封構(gòu)件4的兩主面之間(一主面411與另一主面412之間)的導(dǎo)通。因此，例如與現(xiàn)有技術(shù)(專利文獻(xiàn)I的技術(shù)等)相比，無需使用金屬的電極材料來填埋第2密封構(gòu)件用貫通孔(第2貫通孔441、第3貫通孔442)。
[0104]另外，根據(jù)本實(shí)施方式，在使用焊料62與外部的電路基板61電連接的接合構(gòu)造中，在第2密封構(gòu)件用貫通孔(第2貫通孔441、第3貫通孔442)中形成有貫通電極71，且存在貫通電極71，因此，在使用焊料62將外部電極端子(一外部電極端子431、另一外部電極端子432)與外部的電路基板61形成了電連接時(shí)，焊料62從外部電極端子(一外部電極端子431、另一外部電極端子432)流向第2密封構(gòu)件用貫通孔(第2貫通孔441、第3貫通孔442)，并蔓延到第2密封構(gòu)件用貫通孔(第2貫通孔441、第3貫通孔442)的貫通部分72。另外，只要增多焊料62的使用量，就能夠填埋第2密封構(gòu)件用貫通孔(第2貫通孔441、第3貫通孔442)的貫通部分72(參照圖8)。因此，在晶體振子101與外部的電路基板61接合時(shí)，接合應(yīng)力施加于外部電極端子(一外部電極端子431、另一外部電極端子432 )，但該接合應(yīng)力分散掉與流向第2密封構(gòu)件用貫通孔(第2貫通孔441、第3貫通孔442)并蔓延到第2密封構(gòu)件用貫通孔(第2貫通孔441、第3貫通孔442)的貫通部分72的焊料62的量相當(dāng)?shù)牧浚虼?，在晶體振子101與外部的電路基板61接合時(shí)，能夠使施加于外部電極端子(一外部電極端子431、另一外部電極端子432)的接合應(yīng)力實(shí)質(zhì)上降低。
[0105]另外，在使用焊料62將外部電極端子(一外部電極端子431、另一外部電極端子432)與電路基板61形成了電連接時(shí)，焊料62附著于外部電極端子(一外部電極端子431、另一外部電極端子432)，而且，也向第2密封構(gòu)件用貫通孔(第2貫通孔441、第3貫通孔442)的貫通電極71擴(kuò)散并附著于貫通電極71，因此，能夠使接合區(qū)域?qū)嵸|(zhì)上增加。該作用效果對小型的晶體振子101是有效的，即使縮小晶體振子101的封裝尺寸，也能夠使接合區(qū)域?qū)嵸|(zhì)上是同等大小或擴(kuò)大，其結(jié)果，能夠提高接合強(qiáng)度。
[0106]另外，第I貫通孔261的貫通部分72、第2密封構(gòu)件用貫通孔(第2貫通孔441、第3貫通孔442)的貫通部分72這兩者的至少局部重疊(在本實(shí)施方式中，是整體)，因此，通過對重疊部分進(jìn)行確認(rèn)，能夠使用第I貫通孔261和第2密封構(gòu)件用貫通孔(第2貫通孔441、第3貫通孔442)來防止第2密封構(gòu)件4與晶體振動(dòng)板2之間的層疊位置偏移。
[0107]另外，根據(jù)本實(shí)施方式，在晶體振子101的封裝12的高度上不產(chǎn)生偏差。例如，在與本實(shí)施方式不同、密封構(gòu)件(本實(shí)施方式中所謂的第I密封構(gòu)件3、第2密封構(gòu)件4)與晶體振動(dòng)板2之間的間隙大于Imi的使用Sn接合材料那樣的金屬糊劑密封材料的情況下，在使金屬糊劑密封材料形成在圖案(振動(dòng)側(cè)第I接合圖案251、振動(dòng)側(cè)第2接合圖案252、密封側(cè)第I接合圖案321、密封側(cè)第2接合圖案421)上時(shí)的高度產(chǎn)生偏差。另外，在接合后，也由于所形成的圖案(振動(dòng)側(cè)第I接合圖案251、振動(dòng)側(cè)第2接合圖案252、密封側(cè)第I接合圖案321、密封側(cè)第2接合圖案421)的熱容量分布的差異，成不了均勻的間隙(本實(shí)施方式中所謂的第I密封構(gòu)件3與晶體振動(dòng)板2之間的間隙、本實(shí)施方式中所謂的第2密封構(gòu)件4與晶體振動(dòng)板2之間的間隙)。因此，在現(xiàn)有技術(shù)中，在第I密封構(gòu)件、第2密封構(gòu)件、壓電振動(dòng)板這3個(gè)構(gòu)件層疊而成的構(gòu)造的情況下，這3個(gè)構(gòu)件之間各自的間隙產(chǎn)生差異。其結(jié)果，層疊起來的3個(gè)構(gòu)件就以沒有保持平行的狀態(tài)接合。尤其是，該問題隨著低矮化而變得顯著。因此，在本實(shí)施方式中，間隙的上限設(shè)定成I.0Oym，因此，能夠?qū)⒌贗密封構(gòu)件3、第2密封構(gòu)件4、晶體振動(dòng)板2這3個(gè)構(gòu)件以保持平行的狀態(tài)層疊接合，本實(shí)施方式能夠應(yīng)對低矮化。
[0108]另外，在第2密封構(gòu)件4中形成有配置在內(nèi)部空間13的外方的貫通孔(第2貫通孔441、第3貫通孔442)，因此，第2貫通孔441、第3貫通孔442的影響不會(huì)波及內(nèi)部空間13，與第2貫通孔441、第3貫通孔442配置在內(nèi)部空間13的內(nèi)方的結(jié)構(gòu)相比，本實(shí)施方式能夠避免因第2貫通孔441、第3貫通孔442產(chǎn)生的氣密不良。
[0109]另外，在與本實(shí)施方式不同而將貫通孔配置在內(nèi)部空間內(nèi)的情況下，需要確保內(nèi)部空間的氣密，需要利用金屬等填埋內(nèi)部空間內(nèi)的貫通孔的工序。相對于此，根據(jù)本實(shí)施方式，貫通孔(第2貫通孔441、第3貫通孔442)形成在內(nèi)部空間13的外方，因此，能夠以與振動(dòng)側(cè)第I接合圖案251、振動(dòng)側(cè)第2接合圖案252、密封側(cè)第I接合圖案321以及密封側(cè)第2接合圖案421各自的圖案形成相同的工序，進(jìn)行配線圖案的走線，能夠抑制制造成本。
[0110]另外，內(nèi)部空間13位于偏向俯視一端側(cè)(在本實(shí)施方式中，俯視左側(cè))的位置，因此，易于在俯視另一端側(cè)(在本實(shí)施方式中，俯視右側(cè))形成貫通孔(第2貫通孔441)、電極圖案，能夠容易地形成給配置在內(nèi)部空間13的第I激振電極221以及第2激振電極222帶來影響的電極圖案。而且，也能夠容易地配置給內(nèi)部空間13的氣密密封帶來影響的貫通孔(第2貫通孔441、第3貫通孔442)。
[0111]另外，在第I密封構(gòu)件3上，形成有在全部位置設(shè)為同一寬度的密封側(cè)第I接合圖案321，在第2密封構(gòu)件4上形成有在全部位置設(shè)為同一寬度的密封側(cè)第2接合圖案421，在第2密封構(gòu)件4中形成有配置在內(nèi)部空間13的外方的貫通孔(第2貫通孔441、第3貫通孔442)，因此，能利用圖案的寬度上的差異，抑制接合材料11向圖案的寬度較寬的圖案流動(dòng)，其結(jié)果，能夠使第I密封構(gòu)件3以及第2密封構(gòu)件4接合到晶體振動(dòng)板2的接合狀態(tài)穩(wěn)定。而且，在第2密封構(gòu)件4中形成有配置在內(nèi)部空間13的外方的貫通孔(第2貫通孔441、第3貫通孔442)，因此，貫通孔(第2貫通孔441、第3貫通孔442)的影響不會(huì)波及內(nèi)部空間13，與貫通孔(第2貫通孔441、第3貫通孔442)配置在內(nèi)部空間13的內(nèi)方的結(jié)構(gòu)相比，本實(shí)施方式能夠避免因貫通孔(第2貫通孔441、第3貫通孔442)產(chǎn)生的氣密不良。
[0112]另外，根據(jù)本實(shí)施方式的晶體振子101與電路基板61的接合構(gòu)造，在外部電極端子(一外部電極端子431、另一外部電極端子432)與電路基板61形成了電連接時(shí)，利用焊料62填埋第2密封構(gòu)件用貫通孔(第2貫通孔441、第3貫通孔442)的貫通部分72，因此，與現(xiàn)有技術(shù)(專利文獻(xiàn)I的技術(shù)等)相比，本實(shí)施方式能夠?qū)⒇炌姌O71的材料的使用量削減掉與填埋貫通電極71的焊料62的量相當(dāng)?shù)牧?。其結(jié)果，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)施方式無需使用金屬的電極材料來填埋第2密封構(gòu)件用貫通孔(第2貫通孔441、第3貫通孔442)。
[0113]另外，根據(jù)本實(shí)施方式的晶體振子101與電路基板61的接合構(gòu)造，焊料62從外部電極端子(一外部電極端子431、另一外部電極端子432)流向第2密封構(gòu)件用貫通孔(第2貫通孔441、第3貫通孔442)，并蔓延到第2密封構(gòu)件用貫通孔(第2貫通孔441、第3貫通孔442)的貫通部分72。另外，只要增多焊料62的使用量，就可填埋第2密封構(gòu)件用貫通孔(第2貫通孔441、第3貫通孔442)的貫通部分72(參照圖8)。因此，在晶體振子101與電路基板61接合時(shí)，接合應(yīng)力施加于外部電極端子(一外部電極端子431、另一外部電極端子432)，該接合應(yīng)力分散掉與流向第2密封構(gòu)件用貫通孔(第2貫通孔441、第3貫通孔442)并蔓延到第2密封構(gòu)件用貫通孔(第2貫通孔441、第3貫通孔442)的貫通部分72的焊料62的量相當(dāng)?shù)牧?，因此，在晶體振子101與電路基板61接合時(shí)，能夠使施加于外部電極端子(一外部電極端子431、另一外部電極端子432)的接合應(yīng)力實(shí)質(zhì)上降低。
[0114]另外，在使用焊料62將外部電極端子(一外部電極端子431、另一外部電極端子432)與電路基板61形成了電連接時(shí)，焊料62附著于外部電極端子(一外部電極端子431、另一外部電極端子432)，而且，也向第2密封構(gòu)件用貫通孔(第2貫通孔441、第3貫通孔442)的貫通電極71擴(kuò)散并附著于貫通電極71，因此，能夠使接合區(qū)域?qū)嵸|(zhì)上增加。該作用效果對小型的晶體振子101是有效的，即使縮小晶體振子101的封裝尺寸，也能夠使接合區(qū)域?qū)嵸|(zhì)上是同等大小或擴(kuò)大，其結(jié)果，能夠提高接合強(qiáng)度。
[0115]另外，根據(jù)本實(shí)施方式的晶體振子101與電路基板61的接合構(gòu)造，在外部電極端子(一外部電極端子431、另一外部電極端子432)與電路基板61形成了電連接時(shí)，利用焊料62填埋第I貫通孔261的貫通部分72以及第2密封構(gòu)件用貫通孔(第2貫通孔441、第3貫通孔442)的貫通部分72，因此，與現(xiàn)有技術(shù)(專利文獻(xiàn)I的技術(shù)等)相比，本實(shí)施方式適合于將第I貫通孔261的貫通電極71以及第2密封構(gòu)件用貫通孔(第2貫通孔441、第3貫通孔442)的貫通電極71的材料的使用量，削減掉與填埋第I貫通孔261的貫通部分72以及第2密封構(gòu)件用貫通孔(第2貫通孔441、第3貫通孔442)的貫通部分72的焊料62的量相當(dāng)?shù)牧?。其結(jié)果，與現(xiàn)有技術(shù)相比，無需使用金屬的電極材料來填埋第I貫通孔261以及第2密封構(gòu)件用貫通孔(第2貫通孔441、第3貫通孔442)。
[0116]另外，根據(jù)本實(shí)施方式的晶體振子101與電路基板61的接合構(gòu)造，焊料62從外部電極端子(一外部電極端子431、另一外部電極端子432)流向第2密封構(gòu)件用貫通孔(第2貫通孔441、第3貫通孔442)以及第I貫通孔261，并蔓延到第2密封構(gòu)件用貫通孔(第2貫通孔441、第3貫通孔442)的貫通部分72以及第I貫通孔261的貫通部分72，填埋第2密封構(gòu)件用貫通孔(第2貫通孔441、第3貫通孔442)的貫通部分72以及第I貫通孔261的貫通部分72。因此，在晶體振子1I與電路基板61接合時(shí)，接合應(yīng)力施加于外部電極端子(一外部電極端子431、另一外部電極端子432)，但該接合應(yīng)力分散掉與流向第2密封構(gòu)件用貫通孔(第2貫通孔441、第3貫通孔442)以及第I貫通孔261并蔓延到第2密封構(gòu)件用貫通孔(第2貫通孔441、第3貫通孔442)的貫通部分72以及第I貫通孔261的貫通部分72的焊料62的量相當(dāng)?shù)牧?，因此，適合于在晶體振子101與電路基板61接合時(shí)，使施加于外部電極端子(一外部電極端子431、另一外部電極端子432)的接合應(yīng)力實(shí)質(zhì)上降低。
[0117]另外，在使用焊料62將外部電極端子(一外部電極端子431、另一外部電極端子432)與電路基板61形成了電連接時(shí)，焊料62附著于外部電極端子(一外部電極端子431、另一外部電極端子432)，而且，也向第2密封構(gòu)件用貫通孔(第2貫通孔441、第3貫通孔442)的貫通電極71以及第I貫通孔261的貫通部分72擴(kuò)散并附著于貫通電極71以及貫通部分72，因此，適合于使接合區(qū)域?qū)嵸|(zhì)上增加。該作用效果對小型的晶體振子101是有效的，即使縮小晶體振子101的封裝尺寸，也能夠使接合區(qū)域?qū)嵸|(zhì)上是同等大小或擴(kuò)大，其結(jié)果，能夠提高接合強(qiáng)度。
[0118]此外，在本實(shí)施方式中，第I密封構(gòu)件3以及第2密封構(gòu)件4使用了玻璃，但并不限定于此，也可以使用晶體。
[0119]另外，在本實(shí)施方式中，壓電振動(dòng)板使用了晶體，但并不限定于此，只要是壓電材料，就也可以是其他材料，也可以是鈮酸鋰、鉭酸鋰等。
[0120]另外，在本實(shí)施方式中，作為接合材料11，使用了Ti(或Cr)和Au，但并不限定于此，接合材料11也可以例如由Ni和Au構(gòu)成。
[0121]另外，在本實(shí)施方式中，振動(dòng)側(cè)第I接合圖案251、振動(dòng)側(cè)第2接合圖案252、密封側(cè)第I接合圖案321以及密封側(cè)第2接合圖案421含有Ti(或Cr)和Au，但并不限定于此，也可以含有Cu(Cu單體或Cu合金)。在該情況下，能夠有助于緩和制造時(shí)(接合時(shí)、產(chǎn)生加壓等外力所造成的沖擊時(shí)等)、使用時(shí)(下落等產(chǎn)生外力所造成的沖擊時(shí)、軟釬焊安裝時(shí)等)的應(yīng)力。也就是說，振動(dòng)側(cè)第I接合圖案251、振動(dòng)側(cè)第2接合圖案252、密封側(cè)第I接合圖案321以及密封側(cè)第2接合圖案421含有Cu，從而機(jī)械強(qiáng)度得以提高。
[0122]另外，在基底PVD膜2511、2521、3211、4211使用了 Cr的情況下，能夠通過使基底PVD膜 2511、2521、3211、4211含有&1來抑制0向電極?￥0膜2512、2522、3212、4212擴(kuò)散。其結(jié)果，即使增厚使用了 Cr的層，也能夠抑制Cr向電極PVD膜2512、2522、3212、4212擴(kuò)散，能夠增厚使用了Cr的層，能夠抑制制造偏差。實(shí)際上，即使將Cr的層設(shè)為0.2μπι，也能夠抑制Cr向電極PVD 膜 2512、2522、3212、4212 擴(kuò)散。
[0123]另外，在本實(shí)施方式中，第2密封構(gòu)件4是由I張玻璃晶片成形而成的長方體的基板，但并不限定于此，也可以是由玻璃晶片成形而成的兩個(gè)長方體。在該情況下，成為如下結(jié)構(gòu):在I個(gè)長方體的基板上形成密封側(cè)第2接合圖案421、第3貫通孔442以及另一外部電極端子432，利用該基板進(jìn)行氣密地密封，在另一個(gè)長方體的基板上形成第2貫通孔441和一外部電極端子431 ο根據(jù)本結(jié)構(gòu)，能夠使一對外部電極端子(一外部電極端子431、另一外部電極端子432)完全分離，能夠防止短路。另外，在不是由玻璃晶片而是由金屬材料成形出兩個(gè)長方體的第2密封構(gòu)件4的情況下，而且，也無需形成第3貫通孔442，能夠減少貫通孔的數(shù)量而有助于小型化。
[0124]另外，在本實(shí)施方式中，形成了如圖1?7所示那樣的第I引出電極223、第2引出電極224，但并不限定于此，也可以是，在第I引出電極223、第2引出電極224的任意的位置的最上層使用Cr，而且，在第I引出電極223、第2引出電極224與振動(dòng)側(cè)第I接合圖案251、振動(dòng)側(cè)第2接合圖案252之間存在間隙。尤其是，優(yōu)選間隙設(shè)于振動(dòng)側(cè)密封部25上。通過設(shè)為這樣的結(jié)構(gòu)，在制造工序中，直到加熱熔接之前，第I引出電極223、第2引出電極224與振動(dòng)側(cè)第I接合圖案251、振動(dòng)側(cè)第2接合圖案252都沒有電連接。其結(jié)果，在進(jìn)行振動(dòng)檢查的檢查工序中，能夠進(jìn)行僅以激振電極(第I激振電極221、第2激振電極222)為對象的各種檢查，振動(dòng)檢查的自由度增加。
[0125]另外，如上所述，在圖8所示的形態(tài)中，起到第I貫通孔261的貫通部分72以及第2密封構(gòu)件用貫通孔(第2貫通孔441、第3貫通孔442)的貫通部分72的整體被焊料62填埋的作用效果。關(guān)于該作用效果，本實(shí)施方式最佳，但即使僅第2密封構(gòu)件用貫通孔(第2貫通孔441、第3貫通孔442)的貫通部分72被焊料62填埋，也具有一定的上述作用效果。另外，如圖9所示，即使壓電振動(dòng)板用貫通孔(第I貫通孔261)的貫通部分72的局部以及第2密封構(gòu)件用貫通孔(第2貫通孔441、第3貫通孔442)的貫通部分72的整體被焊料62填埋，也具有一定的上述作用效果，即使第2密封構(gòu)件用貫通孔(第2貫通孔441、第3貫通孔442)的貫通部分72的局部被焊料62填埋，也具有一定的上述作用效果。
[0126]—晶體振蕩器一
[0127]另外，在本實(shí)施方式中，作為壓電振動(dòng)器件，使用了晶體振子，但并不限定于此，也可以如下述那樣是晶體振蕩器(參照圖10)。以下，示出了將本發(fā)明適用于晶體振蕩器而作為進(jìn)行壓電振動(dòng)的壓電振動(dòng)器件的情況。此外，出于方便，對與上述的晶體振子101通用的構(gòu)成標(biāo)注同一附圖標(biāo)記。另外，由通用的構(gòu)成產(chǎn)生的作用效果也與圖1所示的晶體振子101是相同的，在以下的說明中，將其省略。
[0128]如圖10所示，在本實(shí)施方式的晶體振蕩器102中設(shè)有:晶體振動(dòng)板2(本發(fā)明中所謂的壓電振動(dòng)板)；第I密封構(gòu)件3，其覆蓋晶體振動(dòng)板2的第I激振電極221(參照圖13)，對在晶體振動(dòng)板2的一主面211上形成的第I激振電極221進(jìn)行氣密地密封;第2密封構(gòu)件4，其在該晶體振動(dòng)板2的另一主面212上覆蓋晶體振動(dòng)板2的第2激振電極222(參照圖14)，對與第I激振電極221成對地形成的第2激振電極222進(jìn)行氣密地密封;搭載于第I密封構(gòu)件的除了壓電振動(dòng)元件以外的電子元器件(在本實(shí)施方式中，IC5)。
[0129]在該晶體振蕩器102中，晶體振動(dòng)板2與第I密封構(gòu)件3接合、晶體振動(dòng)板2與第2密封構(gòu)件4接合，而構(gòu)成夾層構(gòu)造的封裝12。
[0130]并且，通過使第I密封構(gòu)件3與第2密封構(gòu)件4隔著晶體振動(dòng)板2接合，形成封裝12的內(nèi)部空間13，在該封裝12的內(nèi)部空間13內(nèi)氣密地密封有包括在晶體振動(dòng)板2的兩主面211、212上形成的第I激振電極221以及第2激振電極222的振動(dòng)部23。此外，內(nèi)部空間13如圖10所示那樣位于偏向封裝12的俯視一端側(cè)(俯視左側(cè))的位置。
[0131 ]本實(shí)施方式的晶體振蕩器102是1.2mmX 1.0mm的封裝尺寸，實(shí)現(xiàn)了小型化和低矮化。另外，隨著小型化，在本封裝12中沒有形成城垛結(jié)構(gòu)，就使用貫通孔(第4貫通孔262?第18貫通孔446)實(shí)現(xiàn)了電極的導(dǎo)通。
[0132]接著，使用圖10?16對上述晶體振蕩器102的各構(gòu)成進(jìn)行說明。此外，在此，對構(gòu)成為晶體振動(dòng)板2、第I密封構(gòu)件3以及第2密封構(gòu)件4沒有接合的各單體的各構(gòu)件進(jìn)行說明。
[0133]如圖13、14所示，晶體振動(dòng)板2由作為壓電材料的水晶構(gòu)成、其兩主面(一主面211、另一主面212)成形(鏡面加工)成平坦平滑面。
[0134]另外，在晶體振動(dòng)板2的兩主面211、212(—主面211、另一主面212)上形成有一對(成對的)激振電極(第I激振電極221、第2激振電極222)。并且，在兩主面211、212上以包圍一對第I激振電極221、第2激振電極222的方式形成兩個(gè)缺口部24(貫通形狀)而構(gòu)成了振動(dòng)部23。缺口部24由俯視凹形狀體241(由兩個(gè)長方形從I個(gè)俯視長方形的兩端分別沿著與長方形的長度方向呈直角的方向延伸而成形成的3個(gè)俯視長方形構(gòu)成的俯視體)和俯視長方形狀體242構(gòu)成，俯視凹形狀體241與俯視長方形狀體242之間成為配置用于將第I激振電極221以及第2激振電極222向外部電極端子(參照下述內(nèi)容)引出的引出電極(第I引出電極223、第2引出電極224)的導(dǎo)通路徑213。關(guān)于電極圖案，從一對第I激振電極221、第2激振電極222分別引出來的第I引出電極223、第2引出電極224借助振動(dòng)側(cè)第I接合圖案251以及振動(dòng)側(cè)第2接合圖案252與在第I密封構(gòu)件3上形成的電極圖案33電連接。
[0135]在該晶體振動(dòng)板2中，在沿著兩主面211、212的振動(dòng)部23的外方，以包圍振動(dòng)部23的方式分別設(shè)有用于接合第I密封構(gòu)件3和第2密封構(gòu)件4的振動(dòng)側(cè)密封部25。振動(dòng)側(cè)密封部25如圖13、14所示那樣位于偏向兩主面211、212的俯視左側(cè)的位置。
[0136]在該晶體振動(dòng)板2的一主面211的振動(dòng)側(cè)密封部25上形成有用于與第I密封構(gòu)件3接合的振動(dòng)側(cè)第I接合圖案251，第I激振電極221與振動(dòng)側(cè)第I接合圖案251相連。振動(dòng)側(cè)第I接合圖案251由在一主面211上物理氣相生長而形成的基底PVD膜2511和在基底PVD膜2511上物理氣相生長而層疊形成的電極PVD膜2512構(gòu)成。另外，在晶體振動(dòng)板2的另一主面212的振動(dòng)側(cè)密封部25上形成有用于與第2密封構(gòu)件4接合的振動(dòng)側(cè)第2接合圖案252、第2激振電極222與振動(dòng)側(cè)第2接合圖案252相連。振動(dòng)側(cè)第2接合圖案252由在另一主面212上物理氣相生長而形成的基底PVD膜2521和在基底PVD膜2521上物理氣相生長而層疊形成的電極PVD膜2522構(gòu)成。內(nèi)部空間13形成在振動(dòng)側(cè)第I接合圖案251以及振動(dòng)側(cè)第2接合圖案252這兩者的內(nèi)方(內(nèi)側(cè))。
[0137]振動(dòng)側(cè)第I接合圖案251和振動(dòng)側(cè)第2接合圖案252由同一結(jié)構(gòu)構(gòu)成，是通過多個(gè)層層疊于兩主面211、212的振動(dòng)側(cè)密封部25上而構(gòu)成的，從其最下層側(cè)起蒸鍍形成有Ti層(或Cr層)和Au層。這樣，在振動(dòng)側(cè)第I接合圖案251和振動(dòng)側(cè)第2接合圖案252中，基底PVD膜2511、2521由單一的材料(11(或0))構(gòu)成，電極?￥0膜2512、2522由單一的材料(厶11)構(gòu)成，電極PVD膜2512、2522的厚度比基底PVD膜2511、2521的厚度厚。另外，在晶體振動(dòng)板2的一主面211上形成的第I激振電極221和振動(dòng)側(cè)第I接合圖案251具有同一厚度，第I激振電極221的表面(主面)和振動(dòng)側(cè)第I接合圖案251的表面(主面)由同一金屬構(gòu)成，在晶體振動(dòng)板2的另一主面212上形成的第2激振電極222和振動(dòng)側(cè)第2接合圖案252具有同一厚度，第2激振電極222的表面(主面)和振動(dòng)側(cè)第2接合圖案252的表面(主面)由同一金屬構(gòu)成。另外，振動(dòng)側(cè)第I接合圖案251和振動(dòng)側(cè)第2接合圖案252是非Sn圖案。此外，在同一主面上，是同一金屬且同一厚度的結(jié)構(gòu)，在對振動(dòng)側(cè)第1、2接合圖案251、252和振動(dòng)側(cè)(第I激振電極221、第2激振電極222)進(jìn)行了比較的情況下，只要最上層(至少暴露著的面)的金屬(電極PVD膜2512、2522等)相同，則即使其基底金屬(基底PVD膜2511、2521)的種類、厚度不同，也能夠進(jìn)行接合。另夕卜，在振動(dòng)側(cè)第I接合圖案251以及振動(dòng)側(cè)第2接合圖案252中，電極PVD膜2512、2522分別成為俯視呈鱗片狀體的表面。在此所謂的鱗片狀體是指，被活化而微觀上成為單片狀體的金屬像鋪草席那樣重疊、俯視時(shí)沒有(或幾乎沒有)間隙的形態(tài)。
[0138]另外，如圖13、14所示，在晶體振動(dòng)板2中形成有在一主面211與另一主面212之間貫通的壓電振動(dòng)板用貫通孔(第4貫通孔262、第5貫通孔263、第6貫通孔264、第7貫通孔265、第8貫通孔266)，與第2激振電極222相連的振動(dòng)側(cè)第2接合圖案252經(jīng)由第4貫通孔262向一主面211側(cè)引出。另外，第5貫通孔263是與第I密封構(gòu)件3的第10貫通孔342以及第2密封構(gòu)件4的第15貫通孔443相連的貫通孔，是用于將IC5與第I外部電極端子433導(dǎo)通的導(dǎo)通路徑。另夕卜，第6貫通孔264是與第I密封構(gòu)件3的第11貫通孔343以及第2密封構(gòu)件的第16貫通孔444相連的貫通孔，是用于將IC5與第2外部電極端子434導(dǎo)通的導(dǎo)通路徑。另外，第7貫通孔265是與第I密封構(gòu)件3的第12貫通孔344以及第2密封構(gòu)件4的第17貫通孔445相連的貫通孔，是用于將IC5與第3外部電極端子435導(dǎo)通的導(dǎo)通路徑。另外，第8貫通孔266是與第I密封構(gòu)件3的第13貫通孔345以及第2密封構(gòu)件4的第18貫通孔446相連的貫通孔，是用于將IC5與第4外部電極端子436導(dǎo)通的導(dǎo)通路徑。如圖10、13、14所示，在這些第4貫通孔262、第5貫通孔263、第6貫通孔264、第7貫通孔265、第8貫通孔266中，沿著第4貫通孔262、第5貫通孔263、第6貫通孔264、第7貫通孔265、第8貫通孔266各自的內(nèi)壁面形成有用于實(shí)現(xiàn)在一主面211和另一主面212上形成的電極的導(dǎo)通的貫通電極71。并且，第4貫通孔262、第5貫通孔263、第6貫通孔264、第7貫通孔265、第8貫通孔266各自的中央部分成為在一主面211與另一主面212之間貫通的空心狀態(tài)的貫通部分72。第4貫通孔262、第5貫通孔263、第6貫通孔264、第7貫通孔
265、第8貫通孔266形成在內(nèi)部空間13的外方。另外，第4貫通孔262、第5貫通孔263、第6貫通孔264、第7貫通孔265、第8貫通孔266沒有形成在內(nèi)部空間13的內(nèi)方。在此所謂的內(nèi)部空間13的內(nèi)方，指的是不包括接合材料11之上而嚴(yán)格地接合材料11的內(nèi)周面的內(nèi)側(cè)。
[0139]第I密封構(gòu)件3使用了彎曲剛度(截面慣性矩X楊氏模量)是1000[N.mm2]以下的材料。具體而言，如圖11、12所示，第I密封構(gòu)件3是由I張玻璃晶片形成的長方體的基板，該第I密封構(gòu)件3的另一主面312(與晶體振動(dòng)板2接合的面)和一主面311(搭載IC5的面)成形(鏡面加工)成平坦平滑面。
[0140]在該第I密封構(gòu)件3的另一主面312上設(shè)有用于與晶體振動(dòng)板2接合密封側(cè)第I密封部32。密封側(cè)第I密封部32如圖12所示那樣位于偏向第I密封構(gòu)件3的另一主面312的俯視左側(cè)的位置。
[0141]在第I密封構(gòu)件3的密封側(cè)第I密封部32上形成有用于與晶體振動(dòng)板2接合的密封側(cè)第I接合圖案321。密封側(cè)第I接合圖案321在第I密封構(gòu)件3的密封側(cè)第I密封部32上的全部位置設(shè)為同一寬度。
[0142]該密封側(cè)第I接合圖案321由在第I密封構(gòu)件3上物理氣相生長而形成的基底PVD膜3211和在基底PVD膜3211上物理氣相生長而層疊形成的電極PVD膜3212構(gòu)成。此外，在本實(shí)施方式中，基底PVD膜3211使用了Ti(或Cr)，電極PVD膜3212使用了 Au。另外，密封側(cè)第I接合圖案321是非Sn圖案。具體而言，密封側(cè)第I接合圖案321是通過多個(gè)層層疊于另一主面312的密封側(cè)第I密封部32上而構(gòu)成的，從其最下層側(cè)起蒸鍍形成有Ti層(或Cr層)和Au層。另夕卜，在密封側(cè)第I接合圖案321中，電極PVD膜3212成為俯視呈鱗片狀體的表面。
[0143]另外，如圖10、11、12所示，在第I密封構(gòu)件3中形成有在一主面311與另一主面312之間貫通的6個(gè)貫通孔(第9貫通孔341、第10貫通孔342、第11貫通孔343、第12貫通孔344、第13貫通孔345、第14貫通孔346;本發(fā)明中所謂的第2密封構(gòu)件用貫通孔)。如圖10、11、12所示，在這些第9貫通孔341、第10貫通孔342、第11貫通孔343、第12貫通孔344、第13貫通孔345、第14貫通孔346中，沿著第9貫通孔341、第10貫通孔342、第11貫通孔343、第12貫通孔344、第13貫通孔345、第14貫通孔346各自的內(nèi)壁面形成有用于實(shí)現(xiàn)在一主面311和另一主面312上形成的電極的導(dǎo)通的貫通電極71。具體而言，第10貫通孔342、第11貫通孔343、第12貫通孔344、第13貫通孔345是用于實(shí)現(xiàn)振蕩器用導(dǎo)通的貫通孔，第9貫通孔341(用于實(shí)現(xiàn)第2激振電極222的導(dǎo)通的貫通孔)、第14貫通孔346(用于實(shí)現(xiàn)第I激振電極221的導(dǎo)通的貫通孔)是用于實(shí)現(xiàn)晶體振動(dòng)板2用導(dǎo)通的貫通孔。并且，第9貫通孔341、第10貫通孔342、第11貫通孔343、第12貫通孔344、第13貫通孔345、第14貫通孔346的中央部分成為在一主面311與另一主面312之間貫通的空心狀態(tài)的貫通部分72。
[0144]另外，在第I密封構(gòu)件3的一主面311上形成有包括用于搭載作為振蕩電路元件的IC5的搭載焊盤在內(nèi)的6個(gè)電極圖案33。6個(gè)電極圖案33分別單獨(dú)地導(dǎo)向第9貫通孔341、第10貫通孔342、第11貫通孔343、第12貫通孔344、第13貫通孔345、第14貫通孔346。
[0145]第2密封構(gòu)件4使用了彎曲剛度(截面慣性矩X楊氏模量)是1000[N.mm2]以下的材料。具體而言，如圖15、16所示，第2密封構(gòu)件4是由I張玻璃晶片形成的長方體的基板，該第2密封構(gòu)件4的一主面411(與晶體振動(dòng)板2接合的面)成形(鏡面加工)成平坦平滑面。
[0146]在該第2密封構(gòu)件4的一主面411上設(shè)有用于與晶體振動(dòng)板2接合的密封側(cè)第2密封部42。密封側(cè)第2密封部42如圖15所示那樣位于偏向第2密封構(gòu)件4的一主面411的俯視左側(cè)的位置。
[0147]另外，在第2密封構(gòu)件4的另一主面412(不面對晶體振動(dòng)板2的靠外方的主面)上設(shè)有與外部電連接的4個(gè)外部電極端子(第I外部電極端子433、第2外部電極端子434、第3外部電極端子435、第4外部電極端子436)。第I外部電極端子433、第2外部電極端子434、第3外部電極端子435、第4外部電極端子436分別位于4個(gè)角部。這些外部電極端子(第I外部電極端子433、第2外部電極端子434、第3外部電極端子435、第4外部電極端子436)由在另一主面412上物理氣相生長而形成的基底PVD膜4331、4341、4351、4361和在基底PVD膜4331,4341,4351、4361上物理氣相生長而層疊形成的電極?￥0膜4332、4342、4352、4362構(gòu)成。另外，相對于上述的振動(dòng)側(cè)第I接合圖案251、振動(dòng)側(cè)第2接合圖案252、密封側(cè)第I接合圖案321以及密封側(cè)第2接合圖案421各自的基底PVD膜2511、2521、3211、4211的厚度而言，外部電極端子(第I外部電極端子433、第2外部電極端子434、第3外部電極端子435、第4外部電極端子436)的基底PVD膜4331、4341、4351、4361的厚度相對較厚。
[0148]另外，在第2密封構(gòu)件4的密封側(cè)第2密封部42上形成有用于與晶體振動(dòng)板2接合的密封側(cè)第2接合圖案421。密封側(cè)第2接合圖案421在第2密封構(gòu)件4的密封側(cè)第2密封部42上的全部位置設(shè)為同一寬度。
[0149]該密封側(cè)第2接合圖案421由在第2密封構(gòu)件4上物理氣相生長而形成的基底PVD膜4211和在基底PVD膜4211物理氣相生長而層疊形成的電極PVD膜4212構(gòu)成。此外，在本實(shí)施方式中，基底PVD膜4211使用了 Ti (或Cr )，電極PVD膜4212使用了 Au。另外，密封側(cè)第2接合圖案421是非Sn圖案。具體而言，密封側(cè)第2接合圖案421是通過多個(gè)層層疊于一主面411的密封側(cè)第2密封部42上而構(gòu)成的，從其最下層側(cè)起蒸鍍形成有Ti層(或Cr層)和Au層。另外，在密封側(cè)第2接合圖案421中，電極PVD膜4212成為俯視呈鱗片狀體的表面。
[0150]另外，如圖10、15、16所示，在第2密封構(gòu)件4中形成有在一主面411與另一主面412之間貫通的4個(gè)貫通孔(第15貫通孔443、第16貫通孔444、第17貫通孔445、第18貫通孔446;本發(fā)明中所謂的第2密封構(gòu)件用貫通孔)。如圖10、15、16所示，在第15貫通孔443、第16貫通孔444、第17貫通孔445、第18貫通孔446中，沿著第15貫通孔443、第16貫通孔444、第17貫通孔445、第18貫通孔446各自的內(nèi)壁面形成有用于實(shí)現(xiàn)在一主面411和另一主面412上形成的電極的導(dǎo)通的貫通電極。并且，第15貫通孔443、第16貫通孔444、第17貫通孔445、第18貫通孔446的中央部分成為在一主面411與另一主面412之間貫通的空心狀態(tài)的貫通部分72。這些第15貫通孔443、第16貫通孔444、第17貫通孔445、第18貫通孔446配置在內(nèi)部空間13的外方，第15貫通孔443、第16貫通孔444、第17貫通孔445、第18貫通孔446沒有形成在內(nèi)部空間13的內(nèi)方。
[0151]在由上述結(jié)構(gòu)構(gòu)成的晶體振蕩器102中，沒有如現(xiàn)有技術(shù)那樣另外使用接合專用材料，晶體振動(dòng)板2和第I密封構(gòu)件3以振動(dòng)側(cè)第I接合圖案251以及密封側(cè)第I接合圖案321重疊后的狀態(tài)被擴(kuò)散接合、晶體振動(dòng)板2和第2密封構(gòu)件4以振動(dòng)側(cè)第2接合圖案252以及密封側(cè)第2接合圖案421重疊后的狀態(tài)被擴(kuò)散接合，從而制造出圖10所示的夾層構(gòu)造的封裝12。另外，在振動(dòng)側(cè)第2接合圖案252以及密封側(cè)第2接合圖案421重疊后的狀態(tài)下，晶體振動(dòng)板2和第2密封構(gòu)件4的壓電振動(dòng)板用貫通孔(第5貫通孔263、第6貫通孔264、第7貫通孔265、第8貫通孔266)的貫通部分72和第2密封構(gòu)件用貫通孔(第15貫通孔443、第16貫通孔444、第17貫通孔445、第18貫通孔446)的貫通部分72這兩者的至少局部(在本實(shí)施方式中，是貫通部分72的整體)重疊。另外，在振動(dòng)側(cè)第I接合圖案251以及密封側(cè)第I接合圖案321重疊后的狀態(tài)下，在晶體振動(dòng)板2和第I密封構(gòu)件3的壓電振動(dòng)板用貫通孔(第4貫通孔262、第5貫通孔
263、第6貫通孔264、第7貫通孔265、第8貫通孔266)的貫通部分72和第I密封構(gòu)件用貫通孔(第9貫通孔341、第10貫通孔342、第11貫通孔343、第12貫通孔344、第13貫通孔345)的貫通部分72中，各自的至少局部(在本實(shí)施方式中，是貫通部分72的整體)重疊。
[0152]此外，振動(dòng)側(cè)第I接合圖案251以及密封側(cè)第I接合圖案321自身成為在擴(kuò)散接合后所生成的接合材料11，振動(dòng)側(cè)第2接合圖案252以及密封側(cè)第2接合圖案421自身成為在擴(kuò)散接合后所生成的接合材料11。在本實(shí)施方式中，以常溫(5°C?35°C)進(jìn)行了擴(kuò)散接合。然而，并不只限定于常溫?cái)U(kuò)散接合，只要在常溫以上且小于230°C的溫度下進(jìn)行擴(kuò)散接合即可。尤其是，通過在200°C以上且小于230°C的溫度下進(jìn)行擴(kuò)散接合，由于是小于無Pb焊料的熔點(diǎn)SP230°C，而且成為Au的再結(jié)晶溫度(200°C)以上，因此，能夠使接合部分的不穩(wěn)定區(qū)域穩(wěn)定化。另外，在本實(shí)施方式中，沒有使用Au — Sn這樣的接合專用材料，因此，沒有產(chǎn)生鍍敷氣體、粘合劑氣體、金屬氣體等。因而，能夠設(shè)為Au的再結(jié)晶溫度以上。
[0153]另外，在此處制造成的封裝12中，如上所述，通過擴(kuò)散接合，密封側(cè)第I接合圖案321和振動(dòng)側(cè)第I接合圖案251接合，密封側(cè)第2接合圖案421和振動(dòng)側(cè)第2接合圖案252接合，但除了該接合以外，也可以是，密封側(cè)第I接合圖案321和振動(dòng)側(cè)第I接合圖案251被加壓擴(kuò)散接合，密封側(cè)第2接合圖案421和振動(dòng)側(cè)第2接合圖案252被加壓擴(kuò)散接合。在該情況下，通過加壓，易于確保接合部位(能夠使接合面積實(shí)質(zhì)上增加)，不使用高溫加熱就還能夠良好地進(jìn)行僅基于擴(kuò)散接合的接合。
[0154]另外，在此處制造成的封裝12中，第I密封構(gòu)件3與晶體振動(dòng)板2之間具有1.ΟΟμπι以下的間隙，第2密封構(gòu)件4與晶體振動(dòng)板2之間具有1.ΟΟμπι以下的間隙。也就是說，第I密封構(gòu)件3與晶體振動(dòng)板2之間的接合材料11的厚度是1.ΟΟμπι以下，第2密封構(gòu)件4與晶體振動(dòng)板2之間的接合材料11的厚度是1.ΟΟμπι以下(具體而言，在本實(shí)施方式的Au-Au接合中，是0.15μπι?I.ΟΟμπι)。此外，作為比較，利用使用了Sn的以往的金屬糊劑密封材料，厚度成為5μηι?2 Oum ο
[0155]另外，密封側(cè)第I接合圖案321和振動(dòng)側(cè)第I接合圖案251被擴(kuò)散接合而成的接合圖案的厚度與密封側(cè)第2接合圖案421和振動(dòng)側(cè)第2接合圖案252被擴(kuò)散接合而成的接合圖案的厚度相同，不同于與外部電連接的外部電極端子(第I外部電極端子433、第2外部電極端子434、第3外部電極端子435、第4外部電極端子436)的厚度。
[0156]另外，在此處制造成的封裝12中，如圖1O所示，內(nèi)部空間13位于偏向俯視左側(cè)的位置。另外，俯視時(shí)，在第I密封構(gòu)件3上形成的密封側(cè)第I接合圖案321和在第2密封構(gòu)件4上形成的密封側(cè)第2接合圖案421不重疊。具體而言，密封側(cè)第I接合圖案321內(nèi)的俯視區(qū)域比密封側(cè)第2接合圖案421內(nèi)的俯視區(qū)域大。此外，在本實(shí)施方式中，密封側(cè)第I接合圖案321內(nèi)的俯視區(qū)域比密封側(cè)第2接合圖案421內(nèi)的俯視區(qū)域大，但并不限定于此，密封側(cè)第2接合圖案421內(nèi)的俯視區(qū)域也可以比密封側(cè)第I接合圖案321內(nèi)的俯視區(qū)域大。然而，在第2密封構(gòu)件上形成有外部電極端子(第I外部電極端子433、第2外部電極端子434、第3外部電極端子435、第4外部電極端子436)，因此，密封側(cè)第I接合圖案321內(nèi)的俯視區(qū)域比密封側(cè)第2接合圖案421內(nèi)的俯視區(qū)域大。因而，配線圖案的走線(導(dǎo)通路徑的確保)變得容易，而且，能夠增多配線圖案的走線區(qū)域(導(dǎo)通確保區(qū)域)。
[0157]另外，在第I密封構(gòu)件3的一主面311上形成有相對于晶體振動(dòng)板2的第I激振電極221成為異名極的晶體振動(dòng)板2用調(diào)整電極(本實(shí)施方式中，將第9貫通孔341作為導(dǎo)通路徑的電極圖案33)，如圖11、13所示，將第9貫通孔341作為導(dǎo)通路徑的電極圖案33與第I激振電極221不重疊。另外，在第I密封構(gòu)件3的一主面311上形成有相對于晶體振動(dòng)板2的第I激振電極221成為同名極的晶體振動(dòng)板2用調(diào)整電極(本實(shí)施方式中，將第14貫通孔346作為導(dǎo)通路徑的電極圖案33)，如圖11、13所示，將第9貫通孔341作為導(dǎo)通路徑的電極圖案33與第I引出電極223的局部重疊。此外，在本實(shí)施方式中，將第9貫通孔341作為導(dǎo)通路徑的電極圖案33與第I引出電極223的局部重疊，但也可以與第I激振電極221的至少局部重疊。
[0158]另外，在本實(shí)施方式中，也可以沒有將用于設(shè)置IC5的空間設(shè)置于晶體振動(dòng)板2，能夠進(jìn)行封裝的低矮化。另外，僅通過改變在第I密封構(gòu)件3的一主面上形成的IC5用的圖案就能夠使之應(yīng)對任意的振蕩條件。另外，能夠在IC5的背面作標(biāo)記，即使是在第I密封構(gòu)件3使用了透明材料的情況下，不需要作特殊標(biāo)記。另外，在現(xiàn)有技術(shù)中，在第I密封構(gòu)件3、晶體振動(dòng)板2等設(shè)置凹部，必須將作為振蕩電路元件的IC5安裝于所述凹部，因此，壓電振動(dòng)器件的外形必須大于振蕩電路元件的外形。然而，根據(jù)本實(shí)施方式，在第I密封構(gòu)件3中，在一主面311設(shè)置IC5，另一主面312與晶體振動(dòng)板2的一主面211接合，因此，能夠使IC5的尺寸和晶體振蕩器102的尺寸相同，有利于小型化以及低矮化。
[0159]另外，與在晶體振動(dòng)板2上形成的振動(dòng)側(cè)第I接合圖案251以及振動(dòng)側(cè)第2接合圖案252相比，在第I密封構(gòu)件3上形成的密封側(cè)第I接合圖案321、以及在第2密封構(gòu)件4上形成的密封側(cè)第2接合圖案421的寬度相對較寬。
[0160]并且，如上述那樣制造成的晶體振蕩器102使用流動(dòng)性導(dǎo)電接合材料(焊料)62與電路基板61電連接。在此，在外部電極端子(第I外部電極端子433、第2外部電極端子434、第3外部電極端子435、第4外部電極端子436)與電路基板61電連接的接合構(gòu)造中，如圖17、18所示，利用焊料62填埋第2密封構(gòu)件用貫通孔(第15貫通孔443、第16貫通孔444、第17貫通孔445、第18貫通孔446)的貫通部分72，利用焊料62填埋壓電振動(dòng)板用貫通孔(第5貫通孔263、第6貫通孔264、第7貫通孔265、第8貫通孔266)的貫通部分72，從而晶體振蕩器102與電路基板61接合。此外，在圖17所示的接合構(gòu)造中，第5貫通孔263、第6貫通孔264、第7貫通孔265、第8貫通孔266、第10貫通孔342、第11貫通孔343、第12貫通孔344、第13貫通孔345、第15貫通孔443、第16貫通孔444、第17貫通孔445、第18貫通孔446的貫通部分72整體被焊料62填埋。另外，在圖18所示的接合構(gòu)造中，第5貫通孔263、第6貫通孔264、第7貫通孔265、第8貫通孔
266、第15貫通孔443、第16貫通孔444、第17貫通孔445、第18貫通孔446的貫通部分72整體被焊料62填埋，第10貫通孔342、第11貫通孔343、第12貫通孔344、第13貫通孔345的貫通部分72的局部被焊料62填埋。
[0161]如上所述，根據(jù)本實(shí)施方式的晶體振蕩器102，與上述的夾層構(gòu)造的晶體振子101同樣地能夠一邊削減成本、一邊使用第15貫通孔443、第16貫通孔444、第17貫通孔445、第18貫通孔446來實(shí)現(xiàn)第2密封構(gòu)件4的兩主面411、412間的導(dǎo)通。而且，對于與上述的夾層構(gòu)造的晶體振子101同樣的結(jié)構(gòu)，具有同樣的作用效果。
[0162]另外，根據(jù)本實(shí)施方式的晶體振蕩器102，壓電振動(dòng)板用貫通孔(第5貫通孔263、第6貫通孔264、第7貫通孔265、第8貫通孔266)的貫通部分72、第2密封構(gòu)件用貫通孔(第15貫通孔443、第16貫通孔444、第17貫通孔445、第18貫通孔446)的貫通部分72和第I密封構(gòu)件用貫通孔(第10貫通孔342、第11貫通孔343、第12貫通孔344、第13貫通孔345)的貫通部分72各自的至少局部(在本實(shí)施方式中，是整體)重疊，因此，通過對重疊部分進(jìn)行確認(rèn)，能夠防止第I密封構(gòu)件3、第2密封構(gòu)件4以及晶體振動(dòng)板2之間的層疊位置偏移。
[0163]另外，在壓電振動(dòng)板用貫通孔(第5貫通孔263、第6貫通孔264、第7貫通孔265、第8貫通孔266)的貫通部分72、第2密封構(gòu)件用貫通孔(第15貫通孔443、第16貫通孔444、第17貫通孔445、第18貫通孔446)的貫通部分72和第I密封構(gòu)件用貫通孔(第10貫通孔342、第11貫通孔343、第12貫通孔344、第13貫通孔345)的貫通部分72中，各自的至少局部(在本實(shí)施方式中，是整體)重疊，因此，即使在為了與電路基板61電連接而使用的焊料62中存在氣泡，焊料62的氣泡(氣體)也能夠經(jīng)由第2密封構(gòu)件用貫通孔(第15貫通孔443、第16貫通孔444、第17貫通孔445、第18貫通孔446)、壓電振動(dòng)板用貫通孔(第5貫通孔263、第6貫通孔264、第7貫通孔265、第8貫通孔266)、以及第I密封構(gòu)件用貫通孔(第10貫通孔342、第11貫通孔343、第12貫通孔344、第13貫通孔345)各自重疊的部分而從第I密封構(gòu)件3的一主面311向外部排出。
[0164]根據(jù)本實(shí)施方式的晶體振蕩器102與電路基板61的接合構(gòu)造，在外部電極端子(第I外部電極端子433、第2外部電極端子434、第3外部電極端子435、第4外部電極端子436)與電路基板61形成了電連接時(shí)，利用焊料62填埋壓電振動(dòng)板用貫通孔(第5貫通孔263、第6貫通孔264、第7貫通孔265、第8貫通孔266)的貫通部分72、第2密封構(gòu)件用貫通孔(第15貫通孔443、第16貫通孔444、第17貫通孔445、第18貫通孔446)的貫通部分72以及第I密封構(gòu)件用貫通孔(第10貫通孔342、第11貫通孔343、第12貫通孔344、第13貫通孔345)的貫通部分72，因此，與專利文獻(xiàn)I的技術(shù)等現(xiàn)有技術(shù)相比，能夠?qū)弘娬駝?dòng)板用貫通孔(第5貫通孔263、第6貫通孔264、第7貫通孔265、第8貫通孔266)的貫通電極、第2密封構(gòu)件用貫通孔(第15貫通孔
443、第16貫通孔444、第17貫通孔445、第18貫通孔446)的貫通電極71以及第I密封構(gòu)件用貫通孔(第10貫通孔342、第11貫通孔343、第12貫通孔344、第13貫通孔345)的貫通電極71的材料的使用量，削減掉與填埋壓電振動(dòng)板用貫通孔(第5貫通孔263、第6貫通孔264、第7貫通孔265、第8貫通孔266)的貫通部分72、第2密封構(gòu)件用貫通孔(第15貫通孔443、第16貫通孔
444、第17貫通孔445、第18貫通孔446)的貫通部分72以及第I密封構(gòu)件用貫通孔(第10貫通孔342、第11貫通孔343、第12貫通孔344、第13貫通孔345)的貫通部分72的焊料62的量相當(dāng)?shù)牧俊Ｆ浣Y(jié)果，與現(xiàn)有技術(shù)相比，無需使用金屬的電極材料來填埋壓電振動(dòng)板用貫通孔(尤其是，第5貫通孔263、第6貫通孔264、第7貫通孔265、第8貫通孔266)、第2密封構(gòu)件用貫通孔(第15貫通孔443、第16貫通孔444、第17貫通孔445、第18貫通孔446)以及第I密封構(gòu)件用貫通孔(尤其是，第10貫通孔342、第11貫通孔343、第12貫通孔344、第13貫通孔345)。
[0165]另外，根據(jù)本實(shí)施方式的晶體振蕩器102與電路基板61的接合構(gòu)造，焊料62從外部電極端子(第I外部電極端子433、第2外部電極端子434、第3外部電極端子435、第4外部電極端子436)流向第2密封構(gòu)件用貫通孔(第15貫通孔443、第16貫通孔444、第17貫通孔445、第18貫通孔446)、壓電振動(dòng)板用貫通孔(第5貫通孔263、第6貫通孔264、第7貫通孔265、第8貫通孔266)以及第I密封構(gòu)件用貫通孔(第10貫通孔342、第11貫通孔343、第12貫通孔344、第13貫通孔345)，并蔓延到第2密封構(gòu)件用貫通孔(第15貫通孔443、第16貫通孔444、第17貫通孔445、第18貫通孔446)的貫通部分72、壓電振動(dòng)板用貫通孔(第5貫通孔263、第6貫通孔264、第7貫通孔265、第8貫通孔266)的貫通部分72以及第I密封構(gòu)件用貫通孔(第10貫通孔342、第11貫通孔343、第12貫通孔344、第13貫通孔345)的貫通部分72，填埋第2密封構(gòu)件用貫通孔(第15貫通孔443、第16貫通孔444、第17貫通孔445、第18貫通孔446)的貫通部分72、壓電振動(dòng)板用貫通孔(第5貫通孔263、第6貫通孔264、第7貫通孔265、第8貫通孔266)的貫通部分72以及第I密封構(gòu)件用貫通孔(第10貫通孔342、第11貫通孔343、第12貫通孔344、第13貫通孔345)的貫通部分72。因此，在晶體振蕩器102與電路基板61接合時(shí)，接合應(yīng)力施加于外部電極端子(第I外部電極端子433、第2外部電極端子434、第3外部電極端子435、第4外部電極端子436)，但該接合應(yīng)力分散掉與流向第2密封構(gòu)件用貫通孔(第15貫通孔443、第16貫通孔444、第17貫通孔445、第18貫通孔446)、壓電振動(dòng)板用貫通孔(第5貫通孔263、第6貫通孔264、第7貫通孔265、第8貫通孔266)以及第I密封構(gòu)件用貫通孔(第10貫通孔342、第11貫通孔343、第12貫通孔344、第13貫通孔345)并蔓延到第2密封構(gòu)件用貫通孔(第15貫通孔443、第16貫通孔444、第17貫通孔445、第18貫通孔446)的貫通部分72、壓電振動(dòng)板用貫通孔(第5貫通孔263、第6貫通孔264、第7貫通孔265、第8貫通孔266)的貫通部分72以及第I密封構(gòu)件用貫通孔(第10貫通孔342、第11貫通孔343、第12貫通孔344、第13貫通孔345)的貫通部分72的焊料62的量相當(dāng)?shù)牧浚虼?，適合于在晶體振蕩器102與電路基板61接合時(shí)，使施加于外部電極端子(第I外部電極端子433、第2外部電極端子434、第3外部電極端子435、第4外部電極端子436)的接合應(yīng)力實(shí)質(zhì)上降低。
[0166]另外，使用焊料62使外部電極端子(第I外部電極端子433、第2外部電極端子434、第3外部電極端子435、第4外部電極端子436)與電路基板61形成了電連接時(shí)，焊料62附著于外部電極端子(第I外部電極端子433、第2外部電極端子434、第3外部電極端子435、第4外部電極端子436)，而且，也向第2密封構(gòu)件用貫通孔(第15貫通孔443、第16貫通孔444、第17貫通孔445、第18貫通孔446)的貫通電極71、壓電振動(dòng)板用貫通孔(第5貫通孔263、第6貫通孔
264、第7貫通孔265、第8貫通孔266)的貫通部分72以及第I密封構(gòu)件用貫通孔(第10貫通孔342、第11貫通孔343、第12貫通孔344、第13貫通孔345)的貫通部分72擴(kuò)散并附著于這些貫通電極71以及貫通部分72，因此，適合于使接合區(qū)域?qū)嵸|(zhì)上增加。該作用效果對小型的晶體振蕩器102是有效的，即使縮小晶體振蕩器102的封裝尺寸，也能夠使接合區(qū)域?qū)嵸|(zhì)上是同等大小或擴(kuò)大，其結(jié)果，能夠提高接合強(qiáng)度。
[0167]另外，如上所述，圖17所示的形態(tài)中，起到壓電振動(dòng)板用貫通孔(第5貫通孔263、第6貫通孔264、第7貫通孔265、第8貫通孔266)的貫通部分72、第I密封構(gòu)件用貫通孔(第10貫通孔342、第11貫通孔343、第12貫通孔344、第13貫通孔345)的貫通部分72以及第2密封構(gòu)件用貫通孔(第15貫通孔443、第16貫通孔444、第17貫通孔445、第18貫通孔446)的貫通部分72的整體被焊料62填埋的作用效果。關(guān)于該作用效果，本實(shí)施方式最佳，但即使僅第2密封構(gòu)件用貫通孔(第15貫通孔443、第16貫通孔444、第17貫通孔445、第18貫通孔446)的貫通部分72被焊料62填埋，也具有一定的上述作用效果。
[0168]另外，即使是焊料62沒有附著于第I密封構(gòu)件用貫通孔(第10貫通孔342、第11貫通孔343、第12貫通孔344、第13貫通孔345)的貫通部分72，壓電振動(dòng)板用貫通孔(第5貫通孔263、第6貫通孔264、第7貫通孔265、第8貫通孔266)的貫通部分72的局部、以及第2密封構(gòu)件用貫通孔(第15貫通孔443、第16貫通孔444、第17貫通孔445、第18貫通孔446)的貫通部分72整體被焊料62填埋，也具有一定的上述作用效果。
[0169]另外，如圖18所示，即使壓電振動(dòng)板用貫通孔(第5貫通孔263、第6貫通孔264、第7貫通孔265、第8貫通孔266)的貫通部分72整體、第I密封構(gòu)件用貫通孔(第10貫通孔342、第11貫通孔343、第12貫通孔344、第13貫通孔345)的貫通部分72的局部以及第2密封構(gòu)件用貫通孔(第15貫通孔443、第16貫通孔444、第17貫通孔445、第18貫通孔446)的貫通部分72整體被焊料62填埋，也具有一定的上述作用效果。
[0170]此外，本發(fā)明可以在不脫離其精神、主旨或主要特征的情況下以其他各種各樣的方式實(shí)施。因此，上述的實(shí)施方式在所有方面只不過是例示，構(gòu)不成限定性解釋。本發(fā)明的范圍由權(quán)利要求書示出，說明書正文沒有任何約束。而且，屬于權(quán)利要求書的等同范圍內(nèi)的變形、變更都屬于本發(fā)明的范圍內(nèi)。
[0171]例如，在上述的本實(shí)施方式的晶體振蕩器102中，將外部電極端子設(shè)為第I外部電極端子433、第2外部電極端子434、第3外部電極端子435、第4外部電極端子436這4個(gè)端子，但并不限定于此，也能夠?qū)⒈景l(fā)明適用于將外部電極端子設(shè)為6個(gè)端子、8個(gè)端子這樣的任意端子的情況。
[0172](晶體振子的變形例)
[0173]在此，對上述的本實(shí)施方式的晶體振子的變形例進(jìn)行說明。此外，出于方便，對與圖1所示的晶體振子101通用的構(gòu)成，標(biāo)注同一附圖標(biāo)記。另外，由通用的構(gòu)成產(chǎn)生的作用效果也與圖1所示的晶體振子101相同，在以下的說明中將其省略。以下，主要對本形態(tài)的圖19所示的晶體振子1lA與圖1所示的晶體振子101不同的點(diǎn)進(jìn)行說明。
[0174]在本形態(tài)的晶體振子101A中，如圖19所示，晶體振動(dòng)板2的第I激振電極221經(jīng)由在第I密封構(gòu)件3的一主面311上形成的第I端子37，與第2密封構(gòu)件4的一外部電極端子431連接。另外，壓電振動(dòng)板2的第2激振電極222經(jīng)由在第I密封構(gòu)件3的一主面311上形成的第2端子38，與第2密封構(gòu)件4的另一外部電極端子432連接。在該情況下，在第I端子37與一外部電極端子431之間、以及在第2端子38與另一外部電極端子432之間分別設(shè)有壓電振動(dòng)板用貫通孔的貫通部分、第2密封構(gòu)件用貫通孔的貫通部分以及第I密封構(gòu)件用貫通孔的貫通部分各自的重疊部分。對于本形態(tài)的晶體振子1lA的特征，參照圖19?25詳細(xì)地進(jìn)行說明。
[0175]在晶體振子1lA中，與圖1所示的晶體振子101不同，晶體振動(dòng)板2的一對第I激振電極221、第2激振電極222不與振動(dòng)側(cè)第I接合圖案251以及振動(dòng)側(cè)第2接合圖案252電連接。在晶體振動(dòng)板2中，在沿著兩主面211、212的振動(dòng)部23的外方，以包圍振動(dòng)部23的方式分別設(shè)有用于接合第I密封構(gòu)件3和第2密封構(gòu)件4的振動(dòng)側(cè)密封部25。在晶體振動(dòng)板2的一主面211的振動(dòng)側(cè)密封部25上形成有用于與第I密封構(gòu)件3接合的振動(dòng)側(cè)第I接合圖案251。另外，在晶體振動(dòng)板2的另一主面212的振動(dòng)側(cè)密封部25上形成有用于與第2密封構(gòu)件4接合的振動(dòng)側(cè)第2接合圖案252。
[0176]如圖22、23所示，在晶體振動(dòng)板2中形成有在一主面211與另一主面212之間貫通的3個(gè)貫通孔(第19貫通孔267、第20貫通孔268、第21貫通孔269)。第19貫通孔267(本發(fā)明中所謂的壓電振動(dòng)板用貫通孔)是與第I密封構(gòu)件3的第22貫通孔347以及第2密封構(gòu)件4的第26貫通孔447相連的貫通孔。另外，第20貫通孔268(本發(fā)明中所謂的壓電振動(dòng)板用貫通孔)是與第I密封構(gòu)件3的第24貫通孔349以及第2密封構(gòu)件4的第27貫通孔448相連的貫通孔。另夕卜，第21貫通孔269是與從第2激振電極222引出來的第2引出電極224以及第I密封構(gòu)件3的第25貫通孔350相連的貫通孔。第19貫通孔267以及第20貫通孔268分別位于晶體振動(dòng)板2的俯視長度方向兩端部。
[0177]如圖19、22、23所示，在這些第19貫通孔267、第20貫通孔268、第21貫通孔269中，沿著第19貫通孔267、第20貫通孔268、第21貫通孔269各自的內(nèi)壁面形成有用于實(shí)現(xiàn)在一主面211和另一主面212上形成的電極的導(dǎo)通的貫通電極71。并且，第19貫通孔267、第20貫通孔268、第21貫通孔269各自的中央部分成為在一主面211與另一主面212之間貫通的空心狀態(tài)的貫通部分72。在第19貫通孔267、第20貫通孔268、第21貫通孔269各自的外側(cè)四周形成有連接用接合圖案73。連接用接合圖案73是與振動(dòng)側(cè)第I接合圖案251、振動(dòng)側(cè)第2接合圖案252同樣的結(jié)構(gòu)，由在晶體振動(dòng)板2的兩主面(一主面211、另一主面212)上物理氣相生長而形成的基底PVD膜和在該基底PVD膜上物理氣相生長而層疊形成的電極PVD膜構(gòu)成。第21貫通孔269的連接用接合圖案73與從第2激振電極222引出來的第2引出電極224—體地形成。
[0178]在晶體振子1lA中，在俯視時(shí)，第19貫通孔267、第20貫通孔268形成在內(nèi)部空間13的外方(接合材料11的外周面的外側(cè))。另一方面，在俯視時(shí)，第21貫通孔269形成在內(nèi)部空間13的內(nèi)方(接合材料11的內(nèi)周面的內(nèi)側(cè))。并且，第19貫通孔267、第20貫通孔268、第21貫通孔269不與振動(dòng)側(cè)第I接合圖案251以及振動(dòng)側(cè)第2接合圖案252電連接。
[0179]在晶體振子1IA中，與圖1所示的晶體振子1I不同，如圖19、20所示，在第I密封構(gòu)件3的一主面311(不面對晶體振動(dòng)板2的靠外方的主面)上設(shè)有第I端子37以及第2端子38。第I端子37以將第22貫通孔347和第23貫通孔348相連的方式設(shè)置，第2端子38以將第24貫通孔349和第25貫通孔350相連的方式設(shè)置。第I端子37以及第2端子38由在一主面311上物理氣相生長而形成的基底PVD膜3711、3811和在基底PVD膜3711、3811上物理氣相生長而層疊形成的電極PVD膜3712、3812構(gòu)成。在本形態(tài)中，第I端子37以及第2端子38分別位于第I密封構(gòu)件3的一主面311的俯視長度方向兩端部。
[0180]在第I密封構(gòu)件3的另一主面312上設(shè)有用于與晶體振動(dòng)板2接合的密封側(cè)第I密封部32。在密封側(cè)第I密封部32上形成有用于與晶體振動(dòng)板2接合的密封側(cè)第I接合圖案321。
[0181]如圖19、20、21所示，在第I密封構(gòu)件3中形成有在一主面311與另一主面312之間貫通的4個(gè)貫通孔(第22貫通孔347、第23貫通孔348、第24貫通孔349、第25貫通孔350)。第22貫通孔347(本發(fā)明中所謂的第I密封構(gòu)件用貫通孔)是與第I端子37以及晶體振動(dòng)板2的第19貫通孔267相連的貫通孔。第23貫通孔348是與第I端子37以及從晶體振動(dòng)板2的第I激振電極221引出來的第I引出電極223相連的貫通孔。第24貫通孔349(本發(fā)明中所謂的第I密封構(gòu)件用貫通孔)是與第2端子38以及晶體振動(dòng)板2的第20貫通孔268相連的貫通孔。第25貫通孔350是與第2端子38以及晶體振動(dòng)板2的第21貫通孔269相連的貫通孔。第22貫通孔347以及第24貫通孔349分別位于第I密封構(gòu)件3的俯視長度方向兩端部。
[0182]如圖19、20、21所示，在這些第22貫通孔347、第23貫通孔348、第24貫通孔349、第25貫通孔350中，沿著第22貫通孔347、第23貫通孔348、第24貫通孔349、第25貫通孔350各自的內(nèi)壁面形成有用于實(shí)現(xiàn)在一主面311和另一主面312上形成的電極的導(dǎo)通的貫通電極71。并且，第22貫通孔347、第23貫通孔348、第24貫通孔349、第25貫通孔350各自的中央部分成為在一主面311與另一主面312之間貫通的空心狀態(tài)的貫通部分72。在第22貫通孔347、第23貫通孔348、第24貫通孔349、第25貫通孔350各自的外側(cè)四周形成有連接用接合圖案73。連接用接合圖案73是與密封側(cè)第I接合圖案321同樣的結(jié)構(gòu)，由在第I密封構(gòu)件3的另一主面312上物理氣相生長而形成的基底PVD膜和在該基底PVD膜上物理氣相生長而層疊形成的電極PVD膜構(gòu)成。
[0183]在晶體振子1lA中，第22貫通孔347、第24貫通孔349在俯視時(shí)形成在內(nèi)部空間13的外方。另一方面，在俯視時(shí)，第23貫通孔348、第25貫通孔350形成在內(nèi)部空間13的內(nèi)方。并且，第22貫通孔347、第23貫通孔348、第24貫通孔349、第25貫通孔350不與密封側(cè)第I接合圖案321電連接。另外，第I端子37以及第2端子38也不與密封側(cè)第I接合圖案321電連接。
[0184]在第2密封構(gòu)件4的一主面411上設(shè)有用于與晶體振動(dòng)板2接合的密封側(cè)第2密封部42。在密封側(cè)第2密封部42上形成有用于與晶體振動(dòng)板2接合的密封側(cè)第2接合圖案421。
[0185]在第2密封構(gòu)件4的另一主面412(不面對晶體振動(dòng)板2的靠外方的主面)上設(shè)有與外部電連接的一對外部電極端子(一外部電極端子431、另一外部電極端子432)。一外部電極端子431、另一外部電極端子432如圖19、25所示那樣分別位于第2密封構(gòu)件4的另一主面412的俯視長度方向兩端。這一對外部電極端子(一外部電極端子431、另一外部電極端子432)由在另一主面412上物理氣相生長而形成的基底PVD膜4311、4321和在基底PVD膜4311、4321上物理氣相生長而層疊形成的電極PVD膜4312、4322構(gòu)成。
[0186]如圖19、24、25所示，在第2密封構(gòu)件4中形成有在一主面411與另一主面412之間貫通的兩個(gè)貫通孔(第26貫通孔447、第27貫通孔448)。第26貫通孔447(本發(fā)明中所謂的第2密封構(gòu)件用貫通孔)是與一外部電極端子431以及晶體振動(dòng)板2的第19貫通孔267相連的貫通孔。第27貫通孔448(本發(fā)明中所謂的第2密封構(gòu)件用貫通孔)是與另一外部電極端子432以及晶體振動(dòng)板2的第20貫通孔268相連的貫通孔。第26貫通孔447以及第27貫通孔448分別位于第2密封構(gòu)件4的俯視長度方向兩端部。
[0187]如圖19、24、25所示，在這些第26貫通孔447、第27貫通孔448中，沿著第26貫通孔447、第27貫通孔448各自的內(nèi)壁面形成有用于實(shí)現(xiàn)在一主面411和另一主面412上形成的電極的導(dǎo)通的貫通電極71。并且，第26貫通孔447、第27貫通孔448的中央部分成為在一主面411與另一主面412之間貫通的空心狀態(tài)的貫通部分72。在第26貫通孔447、第27貫通孔448各自的外側(cè)四周形成有連接用接合圖案73。另外，在一主面411上，在密封側(cè)第2接合圖案421的內(nèi)方，形成有與設(shè)于晶體振動(dòng)板2的第21貫通孔269的外側(cè)四周的連接用接合圖案73接合的連接用接合圖案73。連接用接合圖案73是與密封側(cè)第2接合圖案421同樣的結(jié)構(gòu)，由在第2密封構(gòu)件4的一主面411上物理氣相生長而形成的基底PVD膜和在該基底PVD膜上物理氣相生長而層疊形成的電極PVD膜構(gòu)成。
[0188]在晶體振子1lA中，俯視時(shí)，第26貫通孔447、第27貫通孔448形成在內(nèi)部空間13的外方。并且，第26貫通孔447、第27貫通孔448不與密封側(cè)第2接合圖案421電連接。另外，一外部電極端子431、另一外部電極端子432也不與密封側(cè)第2接合圖案421電連接。
[0189]在由上述結(jié)構(gòu)構(gòu)成的晶體振子1lA中，不像現(xiàn)有技術(shù)那樣另外使用粘接劑等接合專用材料，晶體振動(dòng)板2和第I密封構(gòu)件3以振動(dòng)側(cè)第I接合圖案251以及密封側(cè)第I接合圖案321重疊后的狀態(tài)被擴(kuò)散接合，晶體振動(dòng)板2和第2密封構(gòu)件4以振動(dòng)側(cè)第2接合圖案252以及密封側(cè)第2接合圖案421重疊后的狀態(tài)被擴(kuò)散接合，從而制造出圖19所示的夾層構(gòu)造的封裝12。由此，封裝12的內(nèi)部空間13、也就是說振動(dòng)部23的收容空間被氣密地密封。此外，振動(dòng)側(cè)第I接合圖案251以及密封側(cè)第I接合圖案321自身成為在擴(kuò)散接合后所生成的接合材料11，振動(dòng)側(cè)第2接合圖案252以及密封側(cè)第2接合圖案421自身成為在擴(kuò)散接合后所生成的接合材料11。
[0190]此時(shí)，第19貫通孔267、第20貫通孔268、第21貫通孔269、第22貫通孔347、第23貫通孔348、第24貫通孔349、第25貫通孔350，第26貫通孔447、第27貫通孔448各自的外側(cè)四周的連接用接合圖案73彼此也以重疊后的狀態(tài)被擴(kuò)散接合。具體而言，第19貫通孔267以及第22貫通孔347的連接用接合圖案73彼此被擴(kuò)散接合。第19貫通孔267以及第26貫通孔447的連接用接合圖案73彼此被擴(kuò)散接合。另外，第20貫通孔268以及第24貫通孔349的連接用接合圖案73彼此被擴(kuò)散接合。第20貫通孔268以及第27貫通孔448的連接用接合圖案73彼此被擴(kuò)散接合。另外，第21貫通孔269以及第25貫通孔350的連接用接合圖案73彼此被擴(kuò)散接合。第21貫通孔269的連接用接合圖案73以與設(shè)于第2密封構(gòu)件4的一主面411的連接用接合圖案73重疊后的狀態(tài)被擴(kuò)散接合。并且，各連接用接合圖案73彼此成為在擴(kuò)散接合后所生成的接合材料14。第23貫通孔348的連接用接合圖案73以與從晶體振動(dòng)板2的第I激振電極221引出來的第I引出電極223重疊后的狀態(tài)被擴(kuò)散接合。并且，連接用接合圖案73以及第I引出電極223自身成為在擴(kuò)散接合后所生成的接合材料14。通過擴(kuò)散接合形成的這些接合材料14起到使貫通孔的貫通電極71彼此導(dǎo)通的作用、以及使接合部位氣密地密封的作用。另外，在圖19中，設(shè)于密封用的接合材料11的外方的接合材料14以實(shí)線表示，設(shè)于接合材料11的內(nèi)方的接合材料14以虛線表示。
[0191]在本形態(tài)中，第I激振電極221經(jīng)由第23貫通孔348、第I端子37、第22貫通孔347、第19貫通孔267、以及第26貫通孔447與一外部電極端子431電連接。另外，第2激振電極222經(jīng)由第21貫通孔269、第25貫通孔350、第2端子38、第24貫通孔349、第20貫通孔268、以及第27貫通孔448與另一外部電極端子432電連接。此時(shí)，第I激振電極221、第2激振電極222、一外部電極端子431、以及另一外部電極端子432不與用于對振動(dòng)部23進(jìn)行氣密地密封的接合材料11(振動(dòng)側(cè)第I接合圖案251以及密封側(cè)第I接合圖案321，振動(dòng)側(cè)第2接合圖案252以及密封側(cè)第2接合圖案421)電連接。也就是說，通過使從第I激振電極221到一外部電極端子431的電連接路徑經(jīng)由第I密封構(gòu)件3的一主面311上的第I端子37，該連接路徑以不與接合材料11電連接的方式設(shè)置。同樣地，通過使從第2激振電極222到另一外部電極端子432的電連接路徑經(jīng)由第I密封構(gòu)件3的一主面311上的第2端子38，該連接路徑以不與接合材料11電連接的方式設(shè)置。
[0192]在封裝12中，第I密封構(gòu)件3與晶體振動(dòng)板2之間具有1.ΟΟμπι以下的間隙，第2密封構(gòu)件4與晶體振動(dòng)板2之間具有1.ΟΟμπι以下的間隙。也就是說，第I密封構(gòu)件3與晶體振動(dòng)板2之間的接合材料11的厚度是1.ΟΟμπι以下，第2密封構(gòu)件4與晶體振動(dòng)板2之間的接合材料11的厚度是1.ΟΟμπι以下(具體而言，在本形態(tài)的Au—Au接合中，是0.15μηι?1.ΟΟμπι)。
[0193]在晶體振子101Α中，在晶體振動(dòng)板2和第2密封構(gòu)件4中，振動(dòng)側(cè)第2接合圖案252以及密封側(cè)第2接合圖案421重疊后的狀態(tài)下，壓電振動(dòng)板用貫通孔(第19貫通孔267、第20貫通孔268)的貫通部分72和第2密封構(gòu)件用貫通孔(第26貫通孔447、第27貫通孔448)的貫通部分72各自的至少局部(在本形態(tài)中，是貫通部分72的整體)重疊。另外，在晶體振動(dòng)板2和第I密封構(gòu)件3中，振動(dòng)側(cè)第I接合圖案251以及密封側(cè)第I接合圖案321重疊后的狀態(tài)下，壓電振動(dòng)板用貫通孔(第19貫通孔267、第20貫通孔268)的貫通部分72和第I密封構(gòu)件用貫通孔(第22貫通孔347、第24貫通孔349)的貫通部分72各自的至少局部(在本形態(tài)中，是貫通部分72的整體)重疊。并且，在壓電振動(dòng)板用貫通孔(第19貫通孔267、第20貫通孔268)的貫通部分72、第I密封構(gòu)件用貫通孔(第22貫通孔347、第24貫通孔349)的貫通部分72以及第2密封構(gòu)件用貫通孔(第26貫通孔447以及第27貫通孔448)的貫通部分72中，各自的至少局部(在本形態(tài)中，是貫通部分72的整體)重疊。第2密封構(gòu)件用貫通孔、壓電振動(dòng)板用貫通孔、以及第I密封構(gòu)件用貫通孔各自的重疊部分設(shè)于封裝12的內(nèi)部空間13的密封區(qū)域(接合材料
11的內(nèi)周面的內(nèi)側(cè)的區(qū)域)的外方。在本形態(tài)中，晶體振動(dòng)板2的第21貫通孔269的貫通部分72和第I密封構(gòu)件3的第25貫通孔350的貫通部分72各自的至少局部(在本形態(tài)中，是貫通部分72的整體)也重疊，第21貫通孔269以及第25貫通孔350的貫通部分72被金屬等填埋。此夕卜，第21貫通孔269的貫通部分72和第25貫通孔350的貫通部分72也可以以不重疊的方式使第21貫通孔269以及第25貫通孔350的位置錯(cuò)開地設(shè)置。另外，第21貫通孔269以及第25貫通孔350的貫通部分72也可以設(shè)為沒有被金屬填埋的結(jié)構(gòu)。
[0194]上述那樣制造成的晶體振子101Α使用流動(dòng)性導(dǎo)電接合材料(焊料)62與電路基板61電連接。在此，在外部電極端子(一外部電極端子431、另一外部電極端子432)與電路基板61電連接的接合構(gòu)造中，如圖26、27所示，利用焊料62填埋第2密封構(gòu)件用貫通孔(第26貫通孔447、第27貫通孔448)的貫通部分72，利用焊料62填埋壓電振動(dòng)板用貫通孔(第19貫通孔
267、第20貫通孔268)的貫通部分72，晶體振子1lA與電路基板61接合。此外，在圖26所示的接合構(gòu)造中，第19貫通孔267、第20貫通孔268、第22貫通孔347、第24貫通孔349、第26貫通孔447、第27貫通孔448各自的貫通部分72整體被焊料62填埋。另外，在圖27所示的接合構(gòu)造中，第19貫通孔267、第20貫通孔268、第26貫通孔447、第27貫通孔448各自的貫通部分72整體被焊料62填埋，第22貫通孔347、第24貫通孔349各自的貫通部分72的局部被焊料62填埋。
[0195]根據(jù)本形態(tài)的晶體振子101A，壓電振動(dòng)板用貫通孔(第19貫通孔267、第20貫通孔268)的貫通部分72、第I密封構(gòu)件用貫通孔(第22貫通孔347、第24貫通孔349)的貫通部分72、第2密封構(gòu)件用貫通孔(第26貫通孔447、第27貫通孔448)的貫通部分72的至少局部(在本形態(tài)中，整體)重疊，因此，通過對重疊的部分進(jìn)行確認(rèn)，能夠防止第I密封構(gòu)件3、第2密封構(gòu)件4以及晶體振動(dòng)板2之間的層疊位置偏移。
[0196]另外，在壓電振動(dòng)板用貫通孔(第19貫通孔267、第20貫通孔268)的貫通部分72、第I密封構(gòu)件用貫通孔(第22貫通孔347、第24貫通孔349)的貫通部分72以及第2密封構(gòu)件用貫通孔(第26貫通孔447、第27貫通孔448)的貫通部分72中，各自的至少局部(在本形態(tài)中，整體)重疊，因此，即使在為了與電路基板61電連接而使用的焊料62中存在氣泡，也能夠使焊料62的氣泡經(jīng)由第2密封構(gòu)件用貫通孔、壓電振動(dòng)板用貫通孔、以及第I密封構(gòu)件用貫通孔的重疊部分從第I密封構(gòu)件3的一主面311向外部排出。
[0197]此外，在利用焊料62將外部電極端子(一外部電極端子431、另一外部電極端子432)與電路基板61形成了電連接時(shí)，焊料62從外部電極端子流向第2密封構(gòu)件用貫通孔(第26貫通孔447、第27貫通孔448)，并蔓延到第2密封構(gòu)件用貫通孔的貫通部分72。另外，只要增多焊料62的使用量，就可填埋第2密封構(gòu)件用貫通孔的貫通部分72(參照圖26)。此時(shí)，擔(dān)心由于蔓延到貫通部分72的焊料62的侵蝕作用而使氣密地密封有晶體振動(dòng)板2的振動(dòng)部23的內(nèi)部空間13的氣密性的降低。不過，根據(jù)本形態(tài)，作為從晶體振動(dòng)板2的第I激振電極221到一外部電極端子431的路徑的長度，進(jìn)而，作為從晶體振動(dòng)板2的第2激振電極222到另一外部電極端子432的路徑的長度，能夠確保較長的距離，因此，能夠抑制焊料62的侵蝕作用對內(nèi)部空間13的氣密性降低的影響。另外，在氣密地密封有晶體振動(dòng)板2的振動(dòng)部23的內(nèi)部空間13的密封區(qū)域的外方(與氣密性無關(guān)的區(qū)域)設(shè)有第2密封構(gòu)件用貫通孔、壓電振動(dòng)板用貫通孔以及第I密封構(gòu)件用貫通孔各自的重疊部分，因此，能夠更加抑制因焊料62的侵蝕作用引起的內(nèi)部空間13的氣密性降低。
[0198]另外，在使用焊料62將晶體振子1lA與電路基板61接合時(shí)，焊料62從外部電極端子(一外部電極端子431、另一外部電極端子432)流向第2密封構(gòu)件用貫通孔，并蔓延到貫通孔(第2密封構(gòu)件用貫通孔、壓電振動(dòng)板用貫通孔、第I密封構(gòu)件用貫通孔)的貫通部分72，填埋貫通孔的貫通部分72。因此，在晶體振子1lA與電路基板61接合時(shí)產(chǎn)生的接合應(yīng)力，被分散掉與蔓延到貫通孔的貫通部分72的焊料62的量相當(dāng)?shù)牧?，因此，能夠在接合時(shí)使施加于外部電極端子的接合應(yīng)力降低。
[0199]另外，在與設(shè)于內(nèi)部空間13的密封區(qū)域內(nèi)的振動(dòng)部23分開的位置設(shè)有貫通孔(壓電振動(dòng)板用貫通孔、第I密封構(gòu)件用貫通孔、第2密封構(gòu)件用貫通孔)，因此，在晶體振子1lA與電路基板61接合時(shí)，即使貫通孔的貫通部分72被熱膨脹率與晶體振動(dòng)板2等不同的焊料62填埋，也能夠抑制產(chǎn)生的接合應(yīng)力對晶體振動(dòng)板2的振動(dòng)部23的影響。
[0200]詳細(xì)而言，在晶體振子1lA與電路基板61接合時(shí)，在貫通孔的貫通部分72被焊料62填埋了的情況下，擔(dān)心因焊料62與晶體振動(dòng)板2等之間的熱膨脹率差產(chǎn)生的應(yīng)力，對晶體振動(dòng)板2的振動(dòng)部23帶來不良影響。不過，根據(jù)本形態(tài)，即使貫通孔的貫通部分72被焊料62填埋，也因晶體振動(dòng)板2的振動(dòng)部23和貫通孔配置在分開的位置，因此，能夠抑制因熱膨脹率差產(chǎn)生的上述應(yīng)力對晶體振動(dòng)板2的振動(dòng)部23造成的影響。另外，密封區(qū)域的密封部(由接合材料11接合的區(qū)域)介于晶體振動(dòng)板2的振動(dòng)部23與貫通孔之間，因此，因熱膨脹率差產(chǎn)生的上述應(yīng)力，不會(huì)從填埋到貫通孔的焊料62直接向晶體振動(dòng)板2的振動(dòng)部23傳遞。這樣，因熱膨脹率差產(chǎn)生的上述應(yīng)力的傳遞被密封區(qū)域的密封部(由接合材料11接合的區(qū)域)阻隔，因此，能夠降低向晶體振動(dòng)板2的振動(dòng)部23傳遞的應(yīng)力。
[0201]另外，在第I密封構(gòu)件3的一主面311(不面對晶體振動(dòng)板2的靠外方的主面)設(shè)有第I端子37以及第2端子38，因此，通過將第I端子37以及第2端子38用作晶體振動(dòng)板2的檢查用端子，能夠容易地進(jìn)行晶體振動(dòng)板2的檢查。具體而言，不僅是在將晶體振子1lA搭載于電路基板61之前，而且，即使是在將晶體振子1lA搭載于電路基板61之后，也能夠容易地進(jìn)行晶體振動(dòng)板2的檢查。另外，但并不限于此，即使是在晶體振動(dòng)板2和第I密封構(gòu)件3接合后的狀態(tài)(第2密封構(gòu)件4沒有接合的狀態(tài))下，也能夠容易地進(jìn)行晶體振動(dòng)板2的檢查。而且，能夠容易地變更第I端子37以及第2端子38的大小、形狀，由此，能夠根據(jù)要求對從外部電極端子(一外部電極端子431、另一外部電極端子432)表現(xiàn)出來的晶體振動(dòng)板2的容量進(jìn)行微調(diào)。
[0202]本申請要求于2014年I月6日在日本提出的特愿2014 — 000486號(hào)申請的優(yōu)先權(quán)。通過引用該特愿申請，將該特愿申請的全部的內(nèi)容編入本申請。
[0203]產(chǎn)業(yè)上的可利用性
[0204]本發(fā)明適合于壓電振動(dòng)板的基板的材料使用了水晶的晶體振動(dòng)器件(晶體振子、晶體振蕩器等)。
[0205]附圖標(biāo)記的說明
[0206]101、1lA 晶體振子
[0207]102晶體振蕩器
[0208]11接合材料
[0209]12封裝
[0210]13內(nèi)部空間
[0211]14接合材料
[0212]2晶體振動(dòng)板
[0213]211一主面
[0214]212另一主面
[0215]213導(dǎo)通路徑
[0216]221第I激振電極
[0217]222第2激振電極
[0218]223第I引出電極
[0219]224第2引出電極
[0220]23振動(dòng)部
[0221]24缺口部
[0222]241俯視凹形狀體
[0223]242俯視長方形狀體
[0224]25振動(dòng)側(cè)密封部
[0225]251振動(dòng)側(cè)第^妾合圖案
[0226]2511基底 PVD 膜
[0227]2512電極 PVD 膜
[0228]252振動(dòng)側(cè)第2接合圖案
[0229]2521基底 PVD 膜
[0230]2522電極 PVD 膜
[0231]261第I貫通孔
[0232]262第4貫通孔
[0233]263第5貫通孔
[0234]264第6貫通孔
[0235]265第7貫通孔
[0236]266第8貫通孔
[0237]267第19貫通孔
[0238]268第20貫通孔
[0239]269第21貫通孔
[0240]3第I密封構(gòu)件
[0241]311一主面
[0242]312另一主面
[0243]32密封側(cè)第I密封部
[0244]321密封側(cè)第I接合圖案
[0245]3211基底 PVD 膜
[0246]3212電極 PVD 膜
[0247]33電極圖案
[0248]341第9貫通孔
[0249]342第10貫通孔
[0250]343第11貫通孔
[0251]344第12貫通孔
[0252]345第13貫通孔
[0253]346第14貫通孔
[0254]347第22貫通孔
[0255]348第23貫通孔
[0256]349第24貫通孔
[0257]350第25貫通孔
[0258]37第I端子
[0259]3711基底 PVD 膜
[0260]3712電極 PVD 膜
[0261 ]38第2端子
[0262]3811基底 PVD 膜
[0263]3812電極 PVD 膜
[0264]4第2密封構(gòu)件
[0265]411一主面
[0266]412另一主面
[0267]42密封側(cè)第2密封部
[0268]421密封側(cè)第2接合圖案
[0269]4211基底 PVD 膜
[0270]4212電極 PVD 膜
[0271]431一外部電極端子
[0272]4311基底 PVD 膜
[0273]4312電極 PVD 膜
[0274]432另一外部電極端子
[0275]4321基底 PVD 膜
[0276]4322電極 PVD 膜
[0277]433第I外部電極端子
[0278]4331基底 PVD 膜
[0279]4332電極 PVD 膜
[0280]434第2外部電極端子[0281 ]4341基底 PVD 膜
[0282]4342電極 PVD 膜
[0283]435第3外部電極端子
[0284]4351基底 PVD 膜
[0285]4352電極 PVD 膜
[0286]436第4外部電極端子
[0287]4361基底 PVD 膜
[0288]4362電極 PVD 膜
[0289]441第2貫通孔
[0290]442第3貫通孔
[0291]443第15貫通孔
[0292]444第16貫通孔
[0293]445第17貫通孔
[0294]446第18貫通孔
[0295]447第26貫通孔
[0296]448第27貫通孔
[0297]5IC
[0298]61電路基板
[0299]62焊料
[0300]71貫通電極
[0301]72貫通部分
[0302]73連接用接合圖案
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種壓電振動(dòng)器件，其設(shè)有: 壓電振動(dòng)板，其在基板的一主面上形成有第I激振電極，在所述基板的另一主面上形成有與所述第I激振電極成對的第2激振電極； 第I密封構(gòu)件，其覆蓋所述壓電振動(dòng)板的所述第I激振電極； 第2密封構(gòu)件，其覆蓋所述壓電振動(dòng)板的所述第2激振電極，設(shè)有使用流動(dòng)性導(dǎo)電接合材料與外部的電路基板電連接的外部電極端子， 所述第I密封構(gòu)件和所述壓電振動(dòng)板被接合，所述第2密封構(gòu)件和所述壓電振動(dòng)板被接合，從而形成將包括所述第I激振電極和所述第2激振電極在內(nèi)的所述壓電振動(dòng)板的振動(dòng)部氣密地密封的內(nèi)部空間，其特征在于， 在所述第2密封構(gòu)件中形成有在一主面與另一主面之間貫通的第2密封構(gòu)件用貫通孔，在所述另一主面上形成有所述外部電極端子， 在所述第2密封構(gòu)件用貫通孔中，形成有用于實(shí)現(xiàn)在所述一主面和所述另一主面上形成的電極的導(dǎo)通的貫通電極，且存在貫通部分。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓電振動(dòng)器件，其特征在于， 在所述壓電振動(dòng)板中形成有在一主面與另一主面之間貫通的壓電振動(dòng)板用貫通孔， 在所述壓電振動(dòng)板用貫通孔中，形成有用于實(shí)現(xiàn)在所述一主面和所述另一主面上形成的電極的導(dǎo)通的貫通電極，且存在貫通部分， 所述壓電振動(dòng)板用貫通孔的貫通部分和所述第2密封構(gòu)件用貫通孔的貫通部分至少局部重疊。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的壓電振動(dòng)器件，其特征在于， 在所述第I密封構(gòu)件中形成有在一主面與另一主面之間貫通的第I密封構(gòu)件用貫通孔，在所述第I密封構(gòu)件用貫通孔中，形成有用于實(shí)現(xiàn)在所述一主面和所述另一主面上形成的電極的導(dǎo)通的貫通電極，且形成有貫通部分， 在所述壓電振動(dòng)板用貫通孔的貫通部分、所述第2密封構(gòu)件用貫通孔的貫通部分以及所述第I密封構(gòu)件用貫通孔的貫通部分中，分別至少局部重疊。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的壓電振動(dòng)器件，其特征在于， 所述壓電振動(dòng)板的所述第I激振電極經(jīng)由在所述第I密封構(gòu)件的所述一主面上形成的第I端子而與所述第2密封構(gòu)件的所述外部電極端子中的一外部電極端子連接， 所述壓電振動(dòng)板的所述第2激振電極經(jīng)由在所述第I密封構(gòu)件的所述一主面上形成的第2端子而與所述第2密封構(gòu)件的所述外部電極端子中的另一外部電極端子連接。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的壓電振動(dòng)器件，其特征在于， 在所述第I端子與所述一外部電極端子之間、以及所述第2端子與所述另一外部電極端子之間，分別設(shè)有所述壓電振動(dòng)板用貫通孔的貫通部分、所述第2密封構(gòu)件用貫通孔的貫通部分以及所述第I密封構(gòu)件用貫通孔的貫通部分相重疊的部分。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的壓電振動(dòng)器件，其特征在于， 各所述重疊的部分分別設(shè)于所述內(nèi)部空間的密封區(qū)域的外方。7.根據(jù)權(quán)利要求1?6中任一項(xiàng)所述的壓電振動(dòng)器件，其特征在于， 在所述壓電振動(dòng)板的一主面上形成有用于與所述第I密封構(gòu)件密封接合的振動(dòng)側(cè)第I接合圖案， 在所述壓電振動(dòng)板的另一主面上形成有用于與所述第2密封構(gòu)件密封接合的振動(dòng)側(cè)第2接合圖案， 在所述第I密封構(gòu)件上形成有用于與所述壓電振動(dòng)板接合的密封側(cè)第I接合圖案， 在所述第2密封構(gòu)件上形成有用于與所述壓電振動(dòng)板接合的密封側(cè)第2接合圖案， 所述密封側(cè)第I接合圖案和所述振動(dòng)側(cè)第I接合圖案被擴(kuò)散接合，所述密封側(cè)第2接合圖案和所述振動(dòng)側(cè)第2接合圖案被擴(kuò)散接合， 所述第I密封構(gòu)件與所述壓電振動(dòng)板之間具有1.ΟΟμπι以下的間隙，所述第2密封構(gòu)件與所述壓電振動(dòng)板之間具有1.ΟΟμπι以下的間隙。8.一種壓電振動(dòng)器件與電路基板的接合構(gòu)造，其特征在于， 權(quán)利要求1或7所述的壓電振動(dòng)器件使用流動(dòng)性導(dǎo)電接合材料與電路基板電連接， 在所述外部電極端子與所述電路基板形成了電連接時(shí)，利用所述流動(dòng)性導(dǎo)電接合材料填埋所述第2密封構(gòu)件用貫通孔的貫通部分。9.一種壓電振動(dòng)器件與電路基板的接合構(gòu)造，其特征在于， 權(quán)利要求2所述的壓電振動(dòng)器件使用流動(dòng)性導(dǎo)電接合材料與電路基板電連接， 在所述外部電極端子與所述電路基板形成了電連接時(shí)，利用所述流動(dòng)性導(dǎo)電接合材料填埋所述壓電振動(dòng)板用貫通孔的貫通部分以及所述第2密封構(gòu)件用貫通孔的貫通部分。10.—種壓電振動(dòng)器件與電路基板的接合構(gòu)造，其特征在于， 權(quán)利要求3?6中任一項(xiàng)所述的壓電振動(dòng)器件使用流動(dòng)性導(dǎo)電接合材料與電路基板電連接， 在所述一外部電極端子以及所述另一外部電極端子與所述電路基板形成了電連接時(shí)，利用所述流動(dòng)性導(dǎo)電接合材料填埋所述壓電振動(dòng)板用貫通孔的貫通部分、所述第2密封構(gòu)件用貫通孔的貫通部分以及所述第I密封構(gòu)件用貫通孔的貫通部分。
【文檔編號(hào)】H03B5/32GK105874707SQ201480072287
【公開日】2016年8月17日
【申請日】2014年12月22日
【發(fā)明人】飯塚實(shí), 古城琢也
【申請人】株式會(huì)社大真空