原子振蕩器及其制造方法
【專利摘要】一種原子振蕩器，包括氣體隔室和多個部件。多個部件包括用于氣體隔室的溫度控制裝置；發(fā)射激勵光以激勵封裝在氣體隔室中的原子的激勵光源；用于激勵光源的溫度控制裝置；以及檢測穿過氣體隔室的激勵光的光接收元件。多個部件被安裝在具有引線的絕緣膜上。
【專利說明】
原子振蕩器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及原子振蕩器以及它的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]存在用于非常精確地測量時間的原子鐘(原子振蕩器)以及對用于小型化這樣的原子鐘的方法的討論一直在進行。原子鐘包括振蕩器，其基于構(gòu)成堿金屬等的原子的電子的躍迀能的量而操作。特別地，因為構(gòu)成堿金屬的原子的電子的躍迀能可提供非常精確的值，如果不存在干擾的話，可以獲得與晶體振蕩器相比高幾個位(places)的頻率穩(wěn)定性。
[0003]在若干類型的這樣的原子鐘中，相干布居數(shù)俘獲(CPT)原子鐘具有與晶體振蕩器相比大約高三位的頻率穩(wěn)定性并且預(yù)期提供非常小的尺寸和過低的功率消耗(例如，非專利文獻I和2)。C P T原子鐘包括光源910例如激光裝置，其中堿金屬被封裝的堿金屬隔室(cell)940，以及用于接收穿過如圖1中所示的堿金屬隔室940的激光束的光檢測器950。當(dāng)激光束被調(diào)制時，在具有特定波長的載波的兩邊上出現(xiàn)的邊帶波長同時弓I起在堿金屬中的兩次電子躍迀以激勵所述電子。在躍迀中的躍迀能是恒定的并且當(dāng)激光束的邊帶波長與對應(yīng)于躍迀能的波長匹配時，透明現(xiàn)象發(fā)生，其中光在堿金屬中的吸收降低。在原子鐘中，載波的波長被調(diào)節(jié)以便以該方式減少光在堿金屬中的吸收。另外，由光檢測器950檢測到的信號被反饋到調(diào)制器960并且調(diào)制器960調(diào)節(jié)來自于光源910例如激光裝置的激光束的調(diào)制頻率。激光束由光源910發(fā)出，經(jīng)由準(zhǔn)直透鏡920和四分之一波片930被照射在堿金屬隔室940上，并投射在光檢測器950上。從光源910到光檢測器950的元件共同稱為量子單元(在圖中由“I”表示)并且已經(jīng)期望量子單元小型化以便改進性能。
[0004]一種用于使用微機電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)在這樣非常小尺寸的原子鐘中制造堿金屬隔室的方法被公開(例如，專利文獻1-4)。在這些專利文獻中公開的方法首先使用照相平版印刷方法和蝕刻技術(shù)在硅(Si)基板中形成開口然后通過陽極粘合將玻璃粘合到Si基板。陽極粘合(bonding)是在從200到450°C范圍的溫度下通過施加從大約250到1000V范圍內(nèi)的電壓到玻璃和Si基板之間的分界面進行的。然后，堿金屬和緩沖氣體被注入并且通過陽極粘合將玻璃粘合到上表面上的開口部分而被封裝。堿金屬隔室是通過以這樣的方式從元件切開每個隔室得以形成的。
[0005]這樣的堿金屬氣體隔室(此后稱為“氣體隔室”)被加熱到預(yù)定溫度以便使封裝的堿金屬和緩沖氣體在氣體狀態(tài)。為了減少氣體隔室中的電力消耗，需要在氣體隔室部分中具有高的熱阻。因此，空心結(jié)構(gòu)被采用用于熱絕緣。
[0006]這樣的空心結(jié)構(gòu)的例子包括其中豎直空腔表面發(fā)射激光器(VCSEL)光源、MEMS型氣體隔室和光接收器在芯片比例尺的原子鐘的量子單元中的光的傳播方向上被三維地堆疊的結(jié)構(gòu)(例如，專利文獻5，圖1)。當(dāng)該結(jié)構(gòu)被詳細(xì)描述時，在量子單元的包裝件(package)內(nèi)，包括豎直空腔表面發(fā)射激光器(VCSEL)，為光學(xué)部件的1/4波片，堿金屬氣體隔室和光檢測器。這些元件被固定在由硅樹脂制成的支撐臺上以及被固定到隔離件上以便具有中空的結(jié)構(gòu)。進一步地，所述包裝件和VCSEL使用用于連接到電源的導(dǎo)線被硬布線(hardwired)，用于操作所述量子單元。具體地說，導(dǎo)線采用金線。
[0007]在空心結(jié)構(gòu)的其它例子中，VCSEL光源設(shè)置在光接收器的中心處，氣體隔室單元被設(shè)置在其前面，以及鏡子和加熱元件被設(shè)置在氣體隔室單元上。投射在氣體隔室單元上的光在鏡子上反射并被投射到光接收元件上(例如，專利文獻6，圖1和圖2)。在該例子中，每個部件是三維地堆疊的并且系留件(tether)被進一步用來具有空心結(jié)構(gòu)，使得該結(jié)構(gòu)是復(fù)雜的。
[0008]專利文獻1:美國專利號6806784
[0009]專利文獻2:美國專利申請公布號2005/0007118
[0010]專利文獻3:日本公開專利申請?zhí)?009-212416
[0011]專利文獻4:日本公開專利申請?zhí)?009-283526
[0012]專利文獻5:日本公開專利申請?zhí)?011-237401
[0013]專利文獻6: PCT國際申請的日文翻譯公布號2008-520958
[0014]非專利文獻1:Applied Physics Letters ,Vol.85 ,pp.1460-1462(2004)
[0015]非專利文獻2:ComprehensiveMicrosystems ,vo1.3 ,pp.571-612

【發(fā)明內(nèi)容】

[0016]本發(fā)明要解決的問題
[0017]如以上提到的，傳統(tǒng)地提出的中空結(jié)構(gòu)是復(fù)雜的并且在設(shè)置引線時具有困難。換句話說，傳統(tǒng)技術(shù)涉及復(fù)雜結(jié)構(gòu)并且不適合于量產(chǎn)，因為每個部件在投射光的方向上以高的精度被三維地堆疊和固定。進一步地，傳統(tǒng)技術(shù)具有缺點在于通過引線結(jié)合設(shè)置引線是復(fù)雜的，因為部件在每個層中被分離。
[0018]鑒于以上提到的問題，本發(fā)明的大體目的是要提供一種具有三維結(jié)構(gòu)和改進的量產(chǎn)率的原子振蕩器等。解決問題的手段
[0019]根據(jù)本發(fā)明的一方面，包括氣體隔室和多個部件的原子振蕩器被提供。多個部件包括用于氣體隔室的溫度控制裝置;發(fā)射激勵光以激勵封裝在氣體隔室中的原子的激勵光源;用于激勵光源的溫度控制裝置；以及檢測穿過氣體隔室的激勵光的光接收元件。多個部件被安裝在具有引線的絕緣膜上。
[0020]根據(jù)本發(fā)明的一方面，可以提供一種具有三維結(jié)構(gòu)和改進的量產(chǎn)率的原子振蕩器。
【附圖說明】
[0021 ]圖1是原子振蕩器的示意圖；
[0022]圖2是示出根據(jù)第一實施例的原子振蕩器的結(jié)構(gòu)的例子的示意圖；
[0023]圖3A是示出根據(jù)第一實施例的原子振蕩器的制造工藝的例子的(第一)示意圖；
[0024]圖3B是示出根據(jù)第一實施例的原子振蕩器的制造工藝的例子的(第一)示意圖；
[0025]圖3C是示出根據(jù)第一實施例的原子振蕩器的制造工藝的例子的(第一)示意圖；
[0026]圖4A是示出根據(jù)第一實施例的原子振蕩器的制造工藝的例子的(第二)示意圖；
[0027]圖4B是示出根據(jù)第一實施例的原子振蕩器的制造工藝的例子的(第二)示意圖；
[0028]圖5A是示出根據(jù)第一實施例的原子振蕩器的制造工藝的例子的(第三)示意圖；
[0029]圖5B是示出根據(jù)第一實施例的原子振蕩器的制造工藝的例子的(第三)示意圖；
[0030]圖6A是示出根據(jù)第二實施例的原子振蕩器的制造工藝的例子的(第一)示意圖；
[0031]圖6B是示出根據(jù)第二實施例的原子振蕩器的制造工藝的例子的(第一)示意圖；
[0032]圖6C是示出根據(jù)第二實施例的原子振蕩器的制造工藝的例子的(第一)示意圖；
[0033]圖7是示出根據(jù)第二實施例的原子振蕩器的制造工藝的例子的(第二)示意圖；
[0034]圖8A是示出根據(jù)第三實施例的原子振蕩器的制造工藝的例子的(第一)示意圖；
[0035]圖SB是示出根據(jù)第三實施例的原子振蕩器的制造工藝的例子的(第一)示意圖；
[0036]圖9A是示出根據(jù)第三實施例的原子振蕩器的制造工藝的例子的(第二)示意圖；
[0037]圖9B是示出根據(jù)第三實施例的原子振蕩器的制造工藝的例子的(第二)示意圖；
[0038]圖10是示出根據(jù)第三實施例的原子振蕩器的制造工藝的例子的(第三)示意圖；
[0039]圖11是示出根據(jù)第四實施例的原子振蕩器的制造工藝的例子的示意圖；
[0040]圖12A是示出根據(jù)第五實施例的原子振蕩器的制造工藝的例子的示意圖；
[0041]圖12B是示出根據(jù)第五實施例的原子振蕩器的制造工藝的例子的示意圖；
[0042]圖13是示出根據(jù)第六實施例的原子振蕩器的制造工藝的例子的示意圖；
[0043]圖14A是示出根據(jù)第七實施例的原子振蕩器的制造工藝的例子的(第一)示意圖；
[0044]圖14B是示出根據(jù)第七實施例的原子振蕩器的制造工藝的例子的(第一)示意圖；
[0045]圖15A是示出根據(jù)第七實施例的原子振蕩器的制造工藝的例子的(第二)示意圖；
[0046]圖15B是示出根據(jù)第七實施例的原子振蕩器的制造工藝的例子的(第二)示意圖；
[0047]圖16A是示出根據(jù)第八實施例的原子振蕩器的制造工藝的例子的示意圖；
[0048]圖16B是示出根據(jù)第八實施例的原子振蕩器的制造工藝的例子的示意圖；
[0049]圖17A是示出根據(jù)第九實施例的原子振蕩器的制造工藝的例子的(第一)示意圖；
[0050]圖17B是示出根據(jù)第九實施例的原子振蕩器的制造工藝的例子的(第一)示意圖；以及
[0051]圖18是示出根據(jù)第九實施例的原子振蕩器的制造工藝的例子的(第二)示意圖。
【具體實施方式】
[0052]在下文中，參照附圖描述用于實施本發(fā)明的實施例。在每個附圖中，相同的構(gòu)成元件可給予相同的附圖標(biāo)記并且多余的描述可被省略。
[0053]〈第一實施例〉
[0054][原子振蕩器的結(jié)構(gòu)]
[0055]首先，描述原子振蕩器的結(jié)構(gòu)。圖2是示出根據(jù)第一實施例的原子振蕩器的結(jié)構(gòu)的例子的示意圖。參照圖2，根據(jù)第一實施例的原子振蕩器I具有量子單元，該量子單元包括表面發(fā)射激光器裝置(VCSEL) 10，第一陶瓷包裝件20，光學(xué)部件30，保持器40，氣體隔室50，熱敏電阻60，光二極管70，絕緣膜80以及支撐件90，作為主要構(gòu)成元件。
[0056]在本實施例中，原子振蕩器I的光二極管70稱為“上側(cè)”并且支撐件90稱為“下側(cè)”，為了為了方便起見。然而，原子振蕩器I可在上下倒置時使用或者可以以給定角度設(shè)置。進一步地，平面圖指示從激勵光的傳播方向看到的對象。
[0057]表面發(fā)射激光器裝置10是發(fā)射激勵光以激勵封裝在氣體隔室50中的堿金屬原子的激勵光源。用于監(jiān)視表面發(fā)射激光器裝置10的溫度的熱敏電阻(圖3C中的熱敏電阻100)被安裝在第一陶瓷包裝件20上。
[0058]第一陶瓷包裝件20具有內(nèi)裝的加熱器25并且表面發(fā)射激光器裝置10的溫度基于由安裝的熱敏電阻100檢測到的溫度進行控制。換句話說，第一陶瓷包裝件20的內(nèi)裝的加熱器25和安裝的熱敏電阻100構(gòu)成用于用作激勵光源的表面發(fā)射激光器裝置10的溫度控制裝置。
[0059]在第一陶瓷包裝件20上方，設(shè)置了用于罩住光學(xué)部件30例如中性密度(ND)濾光片或1/4波片的保持器40。在保持器40上方，設(shè)置了用作堿金屬氣體隔室的氣體隔室50。用于監(jiān)視氣體隔室50的溫度的熱敏電阻60設(shè)置在氣體隔室50附近。用于保持器40的材料可包括例如透射激勵光的聚碳酸酯等。
[0060]在氣體隔室50中，緩沖氣體和堿金屬被注入到形成在硅樹脂中的開口中以及該開口的下側(cè)由玻璃板55密封以及上側(cè)由玻璃板56密封。在玻璃板55和玻璃板56的每個表面上，形成鉑加熱器(圖3C中的加熱器58)。氣體隔室50由加熱器58加熱到預(yù)定溫度以便氣化封裝的堿金屬的原子。溫度由設(shè)置在氣體隔室50附近的熱敏電阻60檢測以執(zhí)行精確的熱控制。在氣體隔室50中，其中激勵光穿過的玻璃板55的區(qū)域稱為“窗口部分55X”以及其中激勵光穿過的玻璃板56的區(qū)域稱為“窗口部分56X”。
[0061]在氣體隔室50上方，設(shè)置了光二極管70。光二極管70是光接收元件，其檢測從表面發(fā)射激光器裝置10發(fā)射并穿過氣體隔室50的激勵光。第一陶瓷包裝件20，保持器40，氣體隔室50，熱敏電阻60和光二極管70被固定在絕緣膜80的預(yù)定表面上并且在具有絕緣性質(zhì)的支撐件90上被堆疊。
[0062]表面發(fā)射激光器裝置10，用于監(jiān)視表面發(fā)射激光器裝置10的溫度的熱敏電阻100，在第一陶瓷包裝件20中的內(nèi)裝的加熱器25，設(shè)置在氣體隔室50上的加熱器58，熱敏電阻60以及光二極管70被電連接到形成在絕緣膜80上的引線。對于絕緣膜80，具有撓性和大約25μm的厚度的聚酰亞胺膜等可被使用。對于支撐件90，玻璃板等可被使用。
[0063]熱敏電阻60通過導(dǎo)熱粘合劑(未示出)等被固定在氣體隔室50的側(cè)面上。
[0064]窗口部分40x由其中激勵光穿過的保持器40的區(qū)域限定。進一步地，窗口部分SOx和窗口部分SOy由其中激勵光穿過的絕緣膜80的區(qū)域限定。窗口部分40x，窗口部分SOy，窗口部分55x，窗口部分56x以及窗口部分80x被布置成與激勵光的傳播方向(圖2中的豎直方向)連通并且光二極管70的光接收表面被暴露到連通的窗口部分。換句話說，來自于表面發(fā)射激光器裝置10的激勵光穿過罩住光學(xué)部件30的保持器40的窗口部分40x，窗口部分SOy，窗口部分55x，窗口部分56x和窗口部分80x，并且由光二極管70的光接收表面接收。
[0065]在量子單元中，表面發(fā)射激光器裝置10的發(fā)射表面，氣體隔室50中的表面，所述表面垂直于從表面發(fā)射激光器裝置10發(fā)射的激勵光的傳播方向，以及光二極管70的光接收表面位于相同的光學(xué)路徑中。進一步地，至少一部分的絕緣膜80被表面發(fā)射激光器裝置10、氣體隔室50和光二極管70直接地或間接地夾在中間。
[0066]在量子單元中，支撐件90被設(shè)置成面向第二陶瓷包裝件110的空腔以及設(shè)置在絕緣膜80上的連接端子經(jīng)由焊劑(solder) 120被連接到設(shè)置在空腔內(nèi)的襯墊(未示出)。
[0067]量子單元通過第二陶瓷包裝件110、密封環(huán)130和蓋140是真空密封的，用于熱絕緣。對于密封環(huán)130，經(jīng)過鍍金的科伐合金等可被使用。對于蓋140，經(jīng)過鍍鎳的科伐合金、坡莫合金等可被使用。
[0068][用于制造原子振蕩器的方法]
[0069]接下來，用于制造原子振蕩器的方法被描述。圖3A-5B是示出根據(jù)第一實施例的原子振蕩器的制造工藝的例子的示意圖。
[0070]在圖3A和圖3B中示出的工藝中，絕緣膜80(例如，具有大約25μπι厚度的聚酰亞胺膜)首先被準(zhǔn)備。圖3Α是示出絕緣膜80的一個側(cè)面的平面視圖，圖3Β是示出絕緣膜80的另一個側(cè)面的平面視圖(底視圖)，該另一個側(cè)面是與所述一個側(cè)面相反的側(cè)面。其上安裝第一陶瓷包裝件20的側(cè)面在此被稱為“一個側(cè)面”。
[0071]在絕緣膜80上，形成用于安裝部件的焊接區(qū)(lands)81，82，83和84，引線85以及連接端子86 ο進一步地，在絕緣膜80上，用作窗口部分SOx和SOy的貫通孔被形成。用于安裝部件的焊接區(qū)81，82，83和84以及連接端子86被電連接到引線85。
[0072]焊接區(qū)81，82，83和84被形成為以使得要被安裝在每個焊接區(qū)上的多個部件被線性布置。換句話說，焊接區(qū)81，82，83和84被布置成以使得當(dāng)量子單元被組裝同時所述絕緣膜80被折疊或卷起時，安裝在每個焊接區(qū)上的每個部件在激勵光的傳播方向上被線性布置。
[0073]形成在絕緣膜80的一個側(cè)面上的引線85和形成在絕緣膜80的另一個側(cè)面上的引線85在必要處經(jīng)由穿透絕緣膜80的貫通孔(例如圖4B中的貫通孔88)被連接。實際上，雖然引線85的許多圖案被形成在圖3A和圖3B中，但是為了方便起見，僅典型的圖案被示出。
[0074]接下來，在圖3C中示出的工藝中，糊狀焊劑等被印刷在焊接區(qū)81，82，83和84上，用于安裝部件在絕緣膜80中。在印刷之后，其上安裝表面發(fā)射激光器裝置10和熱敏電阻100的第一陶瓷包裝件20，光二極管70，熱敏電阻60，以及氣體隔室50被設(shè)置在焊接區(qū)81，82，83和84上。然而，在本實施例中，設(shè)置在氣體隔室50上的加熱器58被電連接到焊接區(qū)84以及氣體隔室50經(jīng)由加熱器58被設(shè)置(相同的情況適用于以下實施例)。加熱器58被設(shè)置在玻璃板55的表面上以使得例如，加熱器58基本上在平面視圖中圍繞窗口部分55x。進一步地，加熱器58被設(shè)置在玻璃板56的表面上以使得例如，加熱器58基本上在平面視圖中圍繞窗口部分56χ0
[0075]糊狀焊劑等通過溫度范圍從大約240到260°C的熱處理被熔化然后被凝固以電連接每個焊接區(qū)到每個部件并將焊接區(qū)和所述部件固定。另外，氣體隔室50被固定以使得氣體隔室50的窗口部分55x和窗口部分56x以及絕緣膜80的窗口部分80x在平面視圖中被(連通地)重疊。
[0076]接下來，在圖4A和圖4B中示出的工藝中，在絕緣膜80的一個側(cè)面上，由聚碳酸酯等制成并罩住光學(xué)部件30的保持器40被固定以蓋住第一陶瓷包裝件20。進一步地，在絕緣膜80的另一個側(cè)面上的左端處，支撐件90(例如，玻璃板)被固定。保持器40和支撐件90的固定可使用耐熱樹脂粘合劑等。圖4A是示出絕緣膜80的一個側(cè)面的平面視圖以及圖4B是沿線圖4A的線A-A的橫截面視圖。
[0077]接下來，在圖5A中示出的工藝中，絕緣膜80在由箭頭R指示的方向上圍繞氣體隔室50被卷起以在三維上堆疊每個部件，以及堆疊的每個層由耐熱的紫外線可固化樹脂等被固定，從而如圖5B中所示的組裝量子單元。量子單元被組裝以使得氣體隔室50的窗口部分55x和窗口部分56x以及絕緣膜80的窗口部分80x在平面視圖被重疊(superimposed)在絕緣膜80的窗口部分80y上(與其連通)。
[0078]然后，第二陶瓷包裝件110，密封環(huán)130和蓋140被準(zhǔn)備。圖5B中示出的量子單元經(jīng)由焊劑120被電連接到設(shè)置在第二陶瓷包裝件110的空腔內(nèi)的襯墊(未示出)。圖2中示出的原子振蕩器I是通過經(jīng)由密封環(huán)130縫焊接第二陶瓷包裝件110和蓋140以例如具有真空密封得以實現(xiàn)的。
[0079]以這樣的方式，在根據(jù)第一實施例的具有三維結(jié)構(gòu)的原子振蕩器中，可以將構(gòu)成量子單元的每個部件設(shè)置在相同的平面上。因此，可以以與傳統(tǒng)進行的相同的方式使用芯片焊接機或芯片安裝器在量產(chǎn)性方面實現(xiàn)安裝優(yōu)勢。結(jié)果，可以減小原子振蕩器的制造成本。
[0080]進一步地，可以在將圖5B中所示的量子單元安裝在第二陶瓷包裝件110上之前檢查該量子單元的操作。因此，可以改進制造率。
[0081 ]〈第二實施例〉
[0082]第二實施例示出其中不同于在第一實施例中的支撐件的支撐件被使用的例子。在第二實施例中，與以上所述的第一實施例中的相同的構(gòu)成元件可被省略。
[0083]圖6A到7是示出根據(jù)第二實施例的原子振蕩器的制造工藝的例子的示意圖。在圖6A中示出的工藝中，以與根據(jù)圖3A和圖3B中示出的第一實施例的工藝相同的方式，絕緣膜80(例如，具有大約25μπι的厚度的聚酰亞胺膜)被首先準(zhǔn)備。接下來，糊狀焊劑等被印刷在焊接區(qū)81，82，83和84上，用于安裝部件在絕緣膜80上，以及一部分需要在連接端子86上。在印刷之后，其上安裝表面發(fā)射激光器裝置10和熱敏電阻100的第一陶瓷包裝件20、光二極管70、熱敏電阻60、氣體隔室50以及支撐件90Α被設(shè)置在焊接區(qū)81，82，83和84以及連接端子86上。另外，一貫通電極95被形成在支撐件90Α(例如，玻璃板)的預(yù)定位置上。
[0084]糊狀焊劑等通過溫度范圍從大約240到260°C的熱處理被熔化然后被凝固以電連接每個焊接區(qū)到每個部件并固定該焊接區(qū)和該部件。同時，連接端子86和所述貫通電極95被電連接和固定。另外，氣體隔室50被固定以使得氣體隔室50的窗口部分55x和窗口部分56x以及絕緣膜80的窗口部分SOx在平面視圖中被(連通地)重疊。
[0085]接下來，在圖6A和圖6B中示出的工藝中，在絕緣膜80的一個側(cè)面上，由聚碳酸酯等制成并且罩住光學(xué)部件30的保持器40被固定以蓋住第一陶瓷包裝件20。保持器40的固定可使用耐熱樹脂粘合劑等。圖6B是示出絕緣膜80的一個側(cè)面的平面視圖，圖6C是沿線圖6B中的線A-A的橫截面視圖。
[0086]接下來，以與圖5A中示出的工藝相同的方式，絕緣膜80圍繞氣體隔室50卷起以在三維上堆疊每個部件，堆疊的每個層被耐熱的紫外線可固化樹脂等固定，從而組裝如圖7中所示的量子單元。量子單元被組裝為以使得氣體隔室50的窗口部分55x和窗口部分56x以及絕緣膜80的窗口部分80x在平面視圖中被重疊在絕緣膜80的窗口部分80y上(與其連通)。隨后的工藝與第一實施例中的相同。
[0087]以這樣的方式，在第二實施例中，具有貫通電極的支撐件被用作構(gòu)成原子振蕩器的量子單元的支撐件。因此，除了由第一實施例提供的作用之外，下面的作用進一步被提供。換句話說，具有所述貫通電極的支撐件可設(shè)置在其中設(shè)置包括陶瓷包裝件的部件的相同平面(絕緣膜80的所述一個側(cè)面)上。因此，可以使用芯片焊接機或芯片安裝器更有效地進行安裝。結(jié)果，可以進一步降低原子振蕩器的制造成本?！吹谌龑嵤├?br>[0088]第三實施例示出其中安裝陶瓷包裝件的位置被改變以縮短絕緣膜的例子。在第三實施例中，與如上所述的前述實施例中的相同的構(gòu)成元件可被省略。
[0089]圖8A-10是示出根據(jù)第三實施例的原子振蕩器的制造工藝的例子的示意圖。在圖8A中示出的工藝中，絕緣膜80A(例如，具有大約25μπι的厚度的聚酰亞胺膜)首先被準(zhǔn)備。絕緣膜80Α不同于絕緣膜80(例如，參見圖3Α)。在絕緣膜80Α中，用于安裝所述陶瓷包裝件的焊接區(qū)81被移動到由連接端子86圍繞的區(qū)域。根據(jù)此，絕緣膜80Α的總長度減小。形成在絕緣膜80Α上的引線(未示出)當(dāng)然被縮短。
[0090]接下來，在圖8Β中示出的工藝中，糊狀焊劑等被印刷在焊接區(qū)81，82，83和84上，用于安裝部件在絕緣膜80Α中。在印刷之后，其上安裝表面發(fā)射激光器裝置10和熱敏電阻100的第一陶瓷包裝件20、光二極管70、熱敏電阻60和氣體隔室50被設(shè)置在焊接區(qū)81，82，83和84上。糊狀焊劑等通過溫度范圍從大約240到260°C的熱處理被熔化然后被凝固以電連接每個焊接區(qū)到每個部件并固定該焊接區(qū)和該部件。另外，氣體隔室50被固定以使得氣體隔室50的窗口部分55χ和窗口部分56χ以及絕緣膜80Α的窗口部分80χ在平面視圖中被(連通地)重疊。
[0091]接下來，在圖9Α和9Β中示出的工藝中，在絕緣膜80Α的一個側(cè)面上，由聚碳酸酯等制成并罩住光學(xué)部件30的保持器40被固定以蓋住第一陶瓷包裝件20。進一步地，在絕緣膜80Α的另一個側(cè)面上的左端處，支撐件90Α被固定。因為其上安裝表面發(fā)射激光器裝置10和熱敏電阻100的第一陶瓷包裝件20被緊挨著設(shè)置在支撐件90Α上方，可以縮短支撐件90Α和表面發(fā)射激光器裝置10或其他的部件之間的引線。保持器40和支撐件90Α的固定可使用耐熱樹脂粘合劑等。圖9Α是示出絕緣膜80Α的一個側(cè)面的平面視圖以及圖9Β是沿線圖9Α中的線A-A的橫截面視圖。
[0092]接下來，以與圖5Α中示出的工藝相同的方式，絕緣膜80Α圍繞氣體隔室50卷起以三維地堆疊每個部件，以及堆疊的每個層通過耐熱的紫外線可固化樹脂等被固定，從而組裝如圖10所不的量子單兀。量子單兀被組裝以使得氣體隔室50的窗口部分55χ和窗口部分56χ以及絕緣膜80Α的窗口部分80χ在平面視圖中被重疊在絕緣膜80Α的窗口部分80y上(與其連通)。隨后的工藝與第一實施例中的相同。
[0093]以這樣的方式，在第三實施例中，絕緣膜通過改變其中安裝所述陶瓷包裝件的位置被縮短。根據(jù)此，除了由第一和第二實施例提供的作用之外，以下作用被進一步提供。換句話說，通過設(shè)置在其上所述表面發(fā)射激光器裝置被緊挨著地安裝在具有所述貫通電極的支撐件上方，可以縮短在絕緣膜上的引線。因此，可以小型化量子單元并改進高頻率的特征。
[0094]〈第四實施例〉
[0095]第四實施例示出其中多個量子單元同時被建立然后被單獨化的例子。在第四實施例中，與以上提到的前述實施例中的相同的構(gòu)成元件可被省略。
[0096]圖11是示出根據(jù)第四實施例的原子振蕩器的制造工藝的例子的示意圖。在圖11中示出的工藝中，絕緣膜80B(例如，具有大約25μπι的厚度的聚酰亞胺膜)被首先準(zhǔn)備。絕緣膜80Β是片狀絕緣膜，其中用于安裝部件的、被形成為以與圖3Α中示出的絕緣膜80中的相同的方式將多個部件布置在一個方向上(單行)的多行焊接區(qū)(在圖11中為五行)，例如，被布置在正交于所述一個方向的方向上。
[0097]在第一陶瓷包裝件20、光二極管70、熱敏電阻60和氣體隔室50被設(shè)置在絕緣膜80Β的每個行上之后，它們通過熱處理被固定。然后，保持器40被固定在絕緣膜80B的一個側(cè)面上以及支撐件90被固定在另一個側(cè)面上。
[0098]接下來，以與圖5A中示出的工藝相同的方式，絕緣膜80B圍繞氣體隔室50被卷起以三維地堆疊每個部件，以及堆疊的每個層通過耐熱的紫外線可固化樹脂等被固定，從而組裝由絕緣膜80B連接的多個量子單元。最后，多個量子單元被分成(單獨化成)每個單元以建立與圖5B中示出的相同的多個(在該情況下為五個)的單獨的量子單元。隨后的工藝與第一實施例中的相同。
[0099]以這樣的方式，在第四實施例中，在多個量子單元被同時建立在單個片狀絕緣膜上之后，多個量子單元被分成(單獨化成)每個單元。因此，量子單元的量產(chǎn)化被進一步促進并且可以進一步降低制造成本。
[0100]〈第五實施例〉
[0101]第五實施例示出其中當(dāng)量子單元被組裝時使用的符號(sign)被附連到絕緣膜的例子。在第五實施例中，與以上提到的前述實施例中的相同的構(gòu)成元件可被省略。
[0102]圖12A和12B是示出根據(jù)第五實施例的原子振蕩器的制造工藝的例子的示意圖。在圖12A到12B中示出的工藝中，在圖12A中示出的絕緣膜和圖12B中示出的絕緣膜中的一個被準(zhǔn)備。在圖12A中，用于定位的開口80z被增加到其中每個部件被設(shè)置在圖3A中示出的絕緣膜80上的位置附近的位置，例如，在量子單元被組裝之后該位置在激勵光的傳播方向上被重疊。在圖12B中，用于定位的標(biāo)記(marks)89被增加到其中每個部件被設(shè)置在圖3A中所示的絕緣膜80上的位置附近的位置，例如，在量子單元被組裝之后，該位置在激勵光的傳播方向上被重疊。標(biāo)記89可與引線85等同時形成。
[0103]另外，開口SOz和標(biāo)記89可具有任何種類的形狀，包括圓形，橢圓形，矩形，十字形等。那么可以以與第一實施例中的相同的程序制造包括量子單元的原子振蕩器，其中當(dāng)量子單元被組裝時，定位是基于形成在絕緣膜上的開口或標(biāo)記進行的。
[0104]以這樣的方式，在第五實施例中，用于定位的開口或標(biāo)記被形成在絕緣膜上。當(dāng)量子單元被組裝時，可以通過基于形成在絕緣膜上的開口或標(biāo)記進行定位來制造具有高精度的三維結(jié)構(gòu)。
[0105]〈第六實施例〉
[0106]第六實施例示出其中基本上T形的絕緣膜被使用的例子。在第六實施例中，與以上提到的前述實施例中的相同的構(gòu)成元件可被省略。
[0107]圖13是示出根據(jù)第六實施例的原子振蕩器的制造工藝的例子的示意圖。在圖13中示出的工藝中，絕緣膜80C(例如，具有大約25μπι的厚度的聚酰亞胺膜)首先被準(zhǔn)備。
[0108]絕緣膜80C基本上是T形的，其中用于安裝部件的焊接區(qū)81，82，83和84，引線85以及連接端子86被形成。進一步地，在絕緣膜80C上，用作窗口部分80χ和80y的貫通孔被形成。焊接區(qū)81，82，83和84以及連接端子86被電連接到引線(《化丨呢)85。
[0109]焊接區(qū)81，82，83和84被形成為以使得要被安裝在每個焊接區(qū)上的多個部件基本上被布置成T形的。換句話說，焊接區(qū)81，82，83和84被布置成以使得當(dāng)量子單元被組裝同時絕緣膜80C被折疊或者卷起時，安裝在每個焊接區(qū)上的每個部件在激勵光的傳播方向上被線性布置。
[0110]接下來，糊狀焊劑等被印刷在焊接區(qū)81，82，83和84上，用于安裝部件在絕緣膜80C中。在印刷之后，其上安裝表面發(fā)射激光器裝置10和熱敏電阻100的第一陶瓷包裝件20、光二極管70、熱敏電阻60和氣體隔室50被設(shè)置在焊接區(qū)81，82，83和84上。糊狀焊劑等通過溫度范圍從大約240到260°C的熱處理被熔化然后被凝固以電連接每個焊接區(qū)到每個部件并固定該焊接區(qū)和該部件。
[0111]在圖13示出的工藝之后，在絕緣膜80C的一個側(cè)面上，由聚碳酸酯等制成并罩住光學(xué)部件30的保持器40被固定以蓋住第一陶瓷包裝件20。進一步地，在絕緣膜80C的另一個側(cè)面上，支撐件90被固定。然后，量子單元通過折疊絕緣膜80C到中心(到第一陶瓷包裝件20)并固定絕緣膜80C得以完成。
[0112]以這樣的方式，在第六實施例中，可以通過使用基本上T形的絕緣膜而不是帶形的絕緣膜縮短到每個部件的引線。
[0113]進一步地，其中形成焊接區(qū)81，82，83和84以使得要被安裝在每個焊接區(qū)上的多個部件被基本上以十字形地或徑向地布置的絕緣膜可被使用。在該情況下，焊接區(qū)81，82，83和84被布置成以使得當(dāng)量子單元被組裝同時絕緣膜被折疊卷起時，安裝在每個焊接區(qū)上的每個部件被線性地布置在激勵光的傳播方向上。
[0114]〈第七實施例〉
[0115]第七實施例示出其中加固構(gòu)件被設(shè)置在絕緣膜上的例子。在第七實施例中，與以上提到的前述實施例中的相同的構(gòu)成元件可被省略。
[0116]圖14A到15B是示出根據(jù)第七實施例的原子振蕩器的制造工藝的例子的示意圖。在圖14A和圖14B中示出的工藝中，絕緣膜80A(例如，具有大約25μπι的厚度的聚酰亞胺膜)被首先準(zhǔn)備。圖14Α是示出絕緣膜80Α的一個側(cè)面的平面視圖以及圖14Β是沿線圖14Α中的線A-A的橫截面視圖。
[0117]接下來，糊狀焊劑等被印刷在焊接區(qū)81，82，83和84上，用于安裝部件在絕緣膜80Α中。在印刷之后，其上安裝表面發(fā)射激光器裝置10和熱敏電阻100的第一陶瓷包裝件20、光二極管70、熱敏電阻60和氣體隔室50被設(shè)置在焊接區(qū)81，82，83和84上。糊狀焊劑等通過溫度范圍從大約240到260°C的熱處理被熔化然后被凝固以電連接每個焊接區(qū)到每個部件并固定該焊接區(qū)和該部件。
[0118]接下來，在絕緣膜80A的一個側(cè)面上，由聚碳酸酯等制成并罩住光學(xué)部件30的保持器40被固定以蓋住第一陶瓷包裝件20。進一步地，在絕緣膜80A的該一個側(cè)面上，例如，框架形狀的加固構(gòu)件150被固定以圍繞保持器40。用于加固構(gòu)件150的材料的例子可包括耐熱樹月旨，金屬(例如鋁)等。在該實施例中，支撐件沒有被使用。
[0119]在15A中示出的工藝中，以與圖5A示出的工藝中的相同的方式，絕緣膜80A圍繞氣體隔室50卷起以三維地堆疊每個部件，以及堆疊的每個層通過耐熱的紫外線可固化樹脂等被固定，從而組裝量子單元。隨后的工藝與第一實施例中的相同。
[0120]另外，如是圖15A的局部放大視圖的圖15B中所示的，在絕緣膜80A的預(yù)定位置上，從絕緣膜80A的一個側(cè)面貫穿到另一個側(cè)面的導(dǎo)體87被設(shè)置。絕緣膜80A的預(yù)定位置例如可以是加固構(gòu)件150的底部。因為導(dǎo)體87以與支撐件90的貫通電極95(例如，參見圖9B)相同的方式起作用，本實施例可采用具有貫通電極的支撐件。
[0121]以這樣的方式，在第七實施例中，可以通過使用絕緣膜移除具有貫通電極的支撐件，在所述絕緣膜上從它的一表面貫穿到后表面的導(dǎo)體被設(shè)置。在該情況下，可以通過固定所述加固構(gòu)件以便圍繞所述保持器來確保強度。
[0122]〈第八實施例〉
[0123]第八實施例示出其中光二極管被固定在絕緣膜的另一個側(cè)面上的例子。在第八實施例中，與以上提到的前述實施例中的相同的構(gòu)成元件可被省略。
[0124]圖16A和圖16B是示出根據(jù)第八實施例的原子振蕩器的制造工藝的例子的示意圖。在圖16A中示出的工藝中，絕緣膜80D (例如，具有大約25μπι的厚度的聚酰亞胺膜)被首先準(zhǔn)備。
[0125]接下來，糊狀焊劑等被印刷在焊接區(qū)81，83和84上，用于安裝部件在絕緣膜80D中。絕緣膜80D被翻轉(zhuǎn)并且糊狀焊劑等被印刷在焊接區(qū)82上。在印刷之后，其上安裝表面發(fā)射激光器裝置10和熱敏電阻100的第一陶瓷包裝件20、熱敏電阻60以及氣體隔室50被設(shè)置在焊接區(qū)81，83和84上。然后，絕緣膜80D被翻轉(zhuǎn)(turn over)并且光二極管70被設(shè)置在焊接區(qū)82上。糊狀焊劑等通過溫度范圍從大約240到260°C的熱處理被熔化然后被凝固以電連接每個焊接區(qū)到每個部件并固定該焊接區(qū)和該部件。
[0126]其上安裝光二極管70的焊接區(qū)82被設(shè)置在絕緣膜80D的另一個側(cè)面上。因此，部件被固定以使得氣體隔室50的窗口部分55x和窗口部分56x以及絕緣膜80D的窗口部分80x在平面視圖中被(連通地)重疊并且光二極管70的光接收表面被暴露到重疊的窗口部分內(nèi)部。在本實施例中，光二極管70必須使用在光接收表面上具有陰極和陽極的光二極管。
[0127]接下來，在絕緣膜80D的一個側(cè)面上，由聚碳酸酯等制成并罩住光學(xué)部件30的保持器40被固定以蓋住第一陶瓷包裝件20。進一步地，在絕緣膜80D的一個側(cè)面上，例如，框架形狀的加固構(gòu)件150被固定以圍繞所述保持器40。用于加固構(gòu)件150的材料的例子可包括耐熱樹脂，金屬(例如鋁)等。在該實施例中，支撐件沒有被使用。
[0128]接下來，在圖16B中示出的工藝中，絕緣膜80D被折疊以使得保持器40和氣體隔室50被定位在內(nèi)部以三維地堆疊每個部件，并且堆疊的每個層通過耐熱的紫外線可固化樹脂等被固定，從而組裝量子單元。隨后的工藝與第一實施例中的相同。進一步地，以與圖15B中的相同的方式，在絕緣膜80D的預(yù)定位置上，從絕緣膜80D的一表面貫穿到后表面的導(dǎo)體87被設(shè)置。因為導(dǎo)體87以與支撐件90的貫通電極95(例如，參見圖9B)相同的方式起作用，因此本實施例可不使用具有貫通電極的支撐件。
[0129]以這樣的方式，在第八實施例中，可以通過使用絕緣膜移除具有貫通電極的支撐件，在所述絕緣膜上設(shè)置了從它的一表面貫穿到后表面的導(dǎo)體。進一步地，可以通過固定所述加固構(gòu)件以便圍繞所述保持器來確保強度。進一步地，因為氣體隔室和光二極管被設(shè)置在所述絕緣膜的所述表面和所述后表面上以使得它們在平面視圖被重疊，可以縮短在絕緣膜上的引線。因此，可以小型化所述量子單元并改進高頻率的特性。〈第九實施例〉
[0130]第九實施例示出了一例子，其中包括在陶瓷包裝件中的內(nèi)裝加熱器和設(shè)置在氣體隔室上的加熱器被形成在絕緣膜的表面上以及表面發(fā)射激光器裝置被直接安裝在絕緣膜的一個側(cè)面上而沒有使用所述陶瓷包裝件。換句話說，在本實施例中，陶瓷包裝件沒有被使用或者加熱器沒有設(shè)置在氣體隔室上。在第九實施例中，與在以上提到的前述實施例中的相同的構(gòu)成元件可被省略。
[0131]圖17A到18是示出根據(jù)第九實施例的原子振蕩器的制造工藝的例子的示意圖。圖17A和圖17B是示出絕緣膜80E的一個側(cè)面的平面視圖。圖18是示出三維地堆疊的部件的橫截面視圖。在圖17A和17B中，虛線指示出現(xiàn)在絕緣膜80E的另一個側(cè)面上。
[0132]在圖17A中示出的工藝中，絕緣膜80E(例如，具有大約25μπι的厚度的聚酰亞胺膜)被首先準(zhǔn)備。絕緣膜80Ε罩住用于加熱表面發(fā)射激光器裝置10的加熱器26以及用于加熱氣體隔室50的加熱器59Α和加熱器59Β。
[0133]具體地說，在絕緣膜80Ε的一個側(cè)面上，加熱器59Α被形成為以使得加熱器59Α基本上圍繞要用作窗口部分SOx的貫通孔以及加熱器59Β被形成為以使得加熱器59Β基本上圍繞要用作窗口部分80y的貫通孔。加熱器59Α的一端和加熱器59Β的一端被連接。連接到兩個一端的部分被進一步連接到連接端子86。加熱器59A的另一端和加熱器59B的另一端被連接。連接到兩個另一端的部分進一步連接到連接端子86。
[0134]在絕緣膜80E的另一個側(cè)面上，加熱器26被形成為以使得加熱器26基本上圍繞其上要安裝表面發(fā)射激光器裝置10的區(qū)域的相反側(cè)。加熱器26的一端和另一端被連接到連接端子86。
[0135]加熱器59A和59B和加熱器26可由具有比較高的電阻系數(shù)的金屬材料制成。例如，加熱器59A和59B以及加熱器26中的一個或兩個可由鉑制成。加熱器59A和59B以及加熱器26例如可通過濺射形成。由絕緣材料制成的保護層可設(shè)置成蓋住加熱器59A和59B以及加熱器
26 ο
[0136]在絕緣膜80Ε上，不像絕緣膜80Α(例如，參見圖9Α)，用于安裝部件的焊接區(qū)81，83和84沒有被形成。這是因為在本實施例中，絕緣膜80Ε罩住加熱器26，以使得包括內(nèi)裝的加熱器25的第一陶瓷包裝件20沒有被安裝。這還是因為在本實施例中，絕緣膜80Ε罩住加熱器59Α和59Β，以使得加熱器58沒有設(shè)置在氣體隔室50上。進一步地，這是因為可以利用鉑的電阻溫度系數(shù)通過由鉑形成加熱器59Α和59Β以使得不必安裝熱敏電阻60來檢測溫度。在本實施例中，加熱器26構(gòu)成用于用作激勵光源的表面發(fā)射激光器裝置10的溫度控制裝置以及加熱器59Α和59Β構(gòu)成用于用作氣體隔室的氣體隔室50的溫度控制裝置。
[0137]接下來，在圖17Β中示出的工藝中，糊狀焊劑等被印刷在焊接區(qū)82上，用于安裝部件在絕緣膜80Ε中。在印刷之后，光二極管70被設(shè)置在焊接區(qū)82上。糊狀焊劑等通過溫度范圍從大約240到260°C的熱處理被熔化然后被凝固以電連接焊接區(qū)82到光二極管70并固定該焊接區(qū)82和該光二極管70。
[0138]進一步地，表面發(fā)射激光器裝置10和氣體隔室50被固定在絕緣膜80Ε的一個側(cè)面上(沒有電連接)。表面發(fā)射激光器裝置10和氣體隔室50的固定可使用耐熱樹脂粘合劑等。不像其他的實施例，表面發(fā)射激光器裝置10被直接地固定在絕緣膜80Ε的一個側(cè)面上而沒有使用第一陶瓷包裝件20。氣體隔室50被固定以使得氣體隔室50的窗口部分55χ和窗口部分56χ以及絕緣膜80Ε的窗口部分SOx在平面視圖中被(連通地)重疊。
[0139]然后，表面發(fā)射激光器裝置10的端子和引線85的端部通過使用金屬線29例如金線等通過粘合被電連接。隨后，在絕緣膜80Ε的所述一個側(cè)面上，由聚碳酸酯等制成并且罩住光學(xué)部件30的保持器40被固定以蓋住表面發(fā)射激光器裝置10。進一步地，在絕緣膜80Ε的另一個側(cè)面上的左端處，支撐件90Α被固定。因為表面發(fā)射激光器裝置被緊挨著地設(shè)置在支撐件90Α上方，可以縮短支撐件90Α和表面發(fā)射激光器裝置10或其他部件之間的引線。保持器40和支撐件90Α的固定可使用耐熱樹脂粘合劑等。
[0140]接下來，在與圖5Α中示出的工藝相同的方式，絕緣膜80Ε被圍繞氣體隔室50卷起以三維地堆疊每個部件，以及堆疊的每個層通過耐熱的紫外線可固化樹脂等被固定，從而組裝圖18中不出的量子單兀。量子單兀被組裝成以使得氣體隔室50的窗口部分55x和窗口部分56x以及絕緣膜80E的窗口部分80x在平面視圖中被重疊在絕緣膜80E的窗口部分80y上(與其連通)。隨后的工藝與第一實施例中的相同。
[0141]以這樣的方式，在第九實施例中，在其它實施例中包括在第一陶瓷包裝件20中的內(nèi)裝的加熱器和設(shè)置在氣體隔室50上的加熱器被形成在絕緣膜80E的表面上。進一步地，表面發(fā)射激光器裝置10被直接地安裝在絕緣膜80E的一個側(cè)面上而沒有使用第一陶瓷包裝件20。結(jié)果，與其他實施例相比，可以進一步地小型化量子單元。
[0142]如果加熱器被設(shè)置在氣體隔室50上，如在其他實施例中的，設(shè)置在氣體隔室50上的加熱器需要電連接到絕緣膜的焊接區(qū)。然而，在本實施例中，加熱器被形成在絕緣膜80E上，以使得絕緣膜80E只要被結(jié)合到氣體隔室50而沒有與其電連接。這在簡化工藝時提供了優(yōu)勢。
[0143]進一步地，可以利用鉑的電阻溫度系數(shù)通過由鉑形成加熱器59A和59B中的一個或兩個以使得熱敏電阻60和熱敏電阻100可被移除來檢測溫度。因此，可以實現(xiàn)進一步地小型化。
[0144]本發(fā)明不限于具體公開的實施例，但是可進行各種變化和修改而沒有背離本發(fā)明的范圍。
[0145]本申請基于2014年I月30日提交到日本專利局的日本優(yōu)先權(quán)申請?zhí)?014_015420以及2014年11月21日提交到日本專利局的日本優(yōu)先權(quán)申請?zhí)?014-236386并要求其優(yōu)先權(quán)的權(quán)益，其整個內(nèi)容以參考方式被并入于此。
[0146]附圖標(biāo)記的描述
[0147]I原子振蕩器
[0148]10表面發(fā)射激光器裝置
[0149]20第一陶瓷包裝件
[0150]25內(nèi)裝的加熱器
[0151]30學(xué)部件
[0152]40保持器
[0153]40x，55x，56x，80x，80y 窗口部分
[0154]50氣體隔室
[0155]55，56 玻璃板
[0156]58加熱器
[0157]80z 開口
[0158]60，100熱敏電阻
[0159]70光二極管
[0160]80，80A，80B，80C，80D 絕緣膜
[0161]81,82,83,84 焊接區(qū)
[0162]85 引線
[0163]86連接端子
[0164]87 導(dǎo)體
[0165]89 標(biāo)記
[0166]90，90A 支撐件
[0167]95貫通電極
[0168]HO第二陶瓷包裝件
[0169]120 焊劑
[0170]130密封環(huán)
[0171]140 蓋
[0172]150加固構(gòu)件
【主權(quán)項】
1.一種原子振蕩器，包括: 氣體隔室；以及 多個部件，其中該多個部件包括: 用于所述氣體隔室的溫度控制裝置； 發(fā)射激勵光以激勵封裝在所述氣體隔室中的原子的激勵光源； 用于所述激勵光源的溫度控制裝置；以及 檢測穿過所述氣體隔室的激勵光的光接收元件， 其中所述多個部件被安裝在具有引線的絕緣膜上。2.如權(quán)利要求1中所述的原子振蕩器，其中至少一部分的絕緣膜被激勵光源、氣體隔室和光接收元件直接地或間接地夾在中間。3.如權(quán)利要求1或2中所述的原子振蕩器，其中激勵光穿過的絕緣膜的區(qū)域包括透射所述激勵光的窗口部分。4.如權(quán)利要求1到3中的任一項所述的原子振蕩器，其中所述絕緣膜包括從所述絕緣膜的一個側(cè)面貫穿到另一個側(cè)面的導(dǎo)體。5.如權(quán)利要求1到4中的任一項所述的原子振蕩器，其中所述絕緣膜包括在激勵光的傳播方向上重疊的位置處的開口或標(biāo)記。6.如權(quán)利要求1到5中的任一項所述的原子振蕩器，其中所述絕緣膜罩住用于激勵光源的溫度控制裝置以及用于氣體隔室的溫度控制裝置。7.如權(quán)利要求6所述的原子振蕩器，其中用于激勵光源的溫度控制裝置和用于氣體隔室的溫度控制裝置中的至少一個由鉑制成。8.如權(quán)利要求1到7中的任一項所述的原子振蕩器，其中用于安裝所述多個部件的多個焊接區(qū)被形成為以使得所述多個部件被線性地布置，其中多個焊接區(qū)被連接到所述引線。9.如權(quán)利要求1到7中的任一項所述的原子振蕩器，其中用于安裝所述多個部件的多個焊接區(qū)被形成為以使得多個部件在徑向上被布置成T形狀的或十字形的，其中多個焊接區(qū)被連接到所述引線。10.—種用于制造原子振蕩器的方法，包括: 將構(gòu)成所述原子振蕩器的量子單元的多個部件安裝在具有引線的絕緣膜上； 折疊或卷起所述絕緣膜以組裝所述量子單元；以及 電連接所述量子單元到一包裝件以密封所述量子單元。11.一種用于制造原子振蕩器的方法，包括: 將構(gòu)成所述原子振蕩器的量子單元的多個部件安裝在絕緣膜上，在所述絕緣膜上，用于安裝所述多個部件的多行的焊接區(qū)被布置在正交于一個方向的方向上，其中所述焊接區(qū)被形成為將所述多個部件布置在所述一個方向上； 折疊或卷起所述絕緣膜以組裝由絕緣膜連接的多個量子單元；以及 將多個量子單兀分別地分開；以及 電連接每個量子單元到一包裝件以密封每個量子單元。12.如權(quán)利要求10或11中所述的用于制造原子振蕩器的方法，其中折疊或卷起所述絕緣膜包括基于形成在所述絕緣膜上的開口或標(biāo)記定位。
【文檔編號】H05K3/34GK105934887SQ201580005894
【公開日】2016年9月7日
【申請日】2015年1月26日
【發(fā)明人】安達彥, 安達一彥, 原坂和宏, 伊藤彰浩
【申請人】株式會社理光