蒸鍍裝置及蒸鍍方法
【專利摘要】一種蒸鍍裝置及蒸鍍方法，該蒸鍍裝置包含支撐件、蒸鍍源、第一傳感器、計算單元以及動作器。支撐件用以支撐基板。蒸鍍源用以蒸鍍蒸鍍材料，使蒸鍍材料沉積于基板上。第一傳感器用以于多個檢測位置檢測蒸鍍材料的多個蒸鍍速率。計算單元用以依據(jù)于檢測位置所檢測到蒸鍍材料的蒸鍍速率，估計蒸鍍角。動作器用以依據(jù)估計的蒸鍍角來移動蒸鍍源。
【專利說明】
蒸鍍裝置及蒸鍍方法
技術領域
[0001 ]本發(fā)明是關于一種蒸鍍裝置及蒸鍍方法?！颈尘凹夹g】
[0002]有機發(fā)光裝置，也稱為有機電致發(fā)光裝置，可借由將至少一有機層設置于兩個電極之間而形成。將有機材料蒸鍍至有陽極的基板上，接著，設置陰極做為最上層有機層上的電極。有機層的厚度以及層體配置會影響有機發(fā)光裝置的發(fā)光效率。
[0003]為了使有機發(fā)光裝置具有厚度均勻的有機層，有需要監(jiān)察并控制有機發(fā)光裝置的有機層的形成過程。
【發(fā)明內容】

[0004]根據(jù)本揭露的部分實施方式，蒸鍍裝置包含支撐件、蒸鍍源、第一傳感器、計算單元以及動作器。支撐件用以支撐基板。蒸鍍源用以蒸鍍蒸鍍材料，使蒸鍍材料沉積于基板上。第一傳感器用以于多個檢測位置檢測蒸鍍材料的多個蒸鍍速率。計算單元用以依據(jù)于檢測位置所檢測到蒸鍍材料的蒸鍍速率，估計蒸鍍角。動作器用以依據(jù)估計的蒸鍍角，來移動蒸鍍源。
[0005]其中，該些檢測位置設置于一檢測線，該蒸鍍材料沉積于該基板的一表面上，該檢測線垂直于該基板的該表面。
[0006]其中，該蒸鍍源具有一開口，該蒸鍍材料從該開口噴出，且該檢測線于一投影平面上的投影與該蒸鍍源的該開口于該投影平面上的投影分離，該投影平面平行于該基板的該表面。
[0007]其中，該些檢測位置設置于一檢測線，該蒸鍍材料沉積于該基板的一表面上，該檢測線平行于該基板的該表面。
[0008]其中，該些檢測位置設置于一檢測線，且該第一傳感器是沿著該檢測線可動的。
[0009]其中，該些檢測位置設置于一檢測線，且該檢測線是直的。
[0010]其中，該些檢測位置設置于一檢測線，該蒸鍍材料沉積于該基板的一表面上，且該檢測線相對于垂直該基板的該表面的法線方向傾斜。
[0011]其中，該些檢測位置設置于一檢測線，且該檢測線是彎曲的。
[0012]其中，該蒸鍍裝置更包含:
[0013]—腔體，用以容納該支撐件、該蒸鍍源以及該第一傳感器，其中該支撐件鄰近該腔體的一壁面，且該些檢測位置位于該蒸鍍源以及該腔體的該壁面之間。[0〇14]其中，該計算單元包含:
[0015]—比較單元，用以將所檢測到的該些蒸鍍速率與多個參考蒸鍍速率分別進行比較，該動作器是用以依據(jù)所檢測到的該些蒸鍍速率與該些參考蒸鍍速率之間的多個差值而移動該蒸鍍源。
[0016]其中，該蒸鍍裝置更包含:
[0017]—第二傳感器，用以于一預定位置檢測該蒸鍍材料的一監(jiān)察蒸鍍速率;以及
[0018]—控制單元，用以依據(jù)該監(jiān)察蒸鍍速率來控制該蒸鍍源的溫度。
[0019]其中，該蒸鍍材料沉積于該基板的一表面上，該蒸鍍源在垂直于該基板的該表面的方向上是可動的。
[0020]其中，該蒸鍍材料沉積于該基板的一表面上，該蒸鍍源在平行于該基板的該表面的方向上是可動的。[0021 ]根據(jù)本揭露的部分實施方式，蒸鍍方法包含下列步驟。借由蒸鍍源蒸鍍蒸鍍材料， 使蒸鍍材料沉積于基板上。于多個檢測位置檢測蒸鍍材料的多個蒸鍍速率。依據(jù)于檢測位置所檢測到蒸鍍材料的蒸鍍速率，估計蒸鍍角。依據(jù)估計的蒸鍍角，移動蒸鍍源。
[0022]其中，該些檢測位置設置于一檢測線，該蒸鍍材料沉積于該基板的一表面上，且該檢測線垂直于該基板的該表面。
[0023]其中，該蒸鍍源具有一開口，該蒸鍍材料從該開口噴出，且該檢測線于一投影平面上的投影與該蒸鍍源的該開口于該投影平面上的投影分離，該投影平面平行于該基板的該表面。
[0024]其中，該些檢測位置設置于一檢測線，該蒸鍍材料沉積于該基板的一表面上，且該檢測線平行于該基板的該表面。
[0025]其中，于借由一第一傳感器于該些檢測位置檢測該蒸鍍材料的該些蒸鍍速率，且于該些檢測位置檢測該蒸鍍材料的該些蒸鍍速率的步驟包含沿一檢測線移動該第一傳感器，該些檢測位置設置于一檢測線。
[0026]其中，估計該蒸鍍角的步驟包含將所檢測到的該些蒸鍍速率與多個參考蒸鍍速率分別進行比較，且移動該蒸鍍源的步驟包含依據(jù)所檢測到的該些蒸鍍速率與該些參考蒸鍍速率之間的多個差值而移動該蒸鍍源。
[0027]其中，移動該蒸鍍源的步驟包含:當所檢測到的該些蒸鍍速率分別大于該些參考蒸鍍速率時，沿著垂直于該基板的一表面的一方向，移動該蒸鍍源接近該基板，該蒸鍍材料沉積于該基板的該表面上。
[0028]其中，移動該蒸鍍源的步驟包含:當所檢測到的該些蒸鍍速率分別小于該些參考蒸鍍速率時，沿著垂直于該基板的一表面的一方向，移動該蒸鍍源遠離該基板，其中該蒸鍍材料沉積于該基板的該表面上。
[0029]其中，移動該蒸鍍源的步驟包含:當所檢測到的該些蒸鍍速率分別大于該些參考蒸鍍速率時，沿著平行于該基板的一表面的一方向，移動該蒸鍍源遠離該基板，該蒸鍍材料沉積于該基板的該表面上。
[0030]其中，移動該蒸鍍源的步驟包含:當所檢測到的該些蒸鍍速率分別小于該些參考蒸鍍速率時，沿著平行于該基板的一表面的一方向，移動該蒸鍍源接近該基板，其中該蒸鍍材料沉積于該基板的該表面上。
[0031]其中，移動該蒸鍍源的步驟包含:當該蒸鍍角大于一參考蒸鍍角時，沿著垂直于該基板的一表面的一方向，移動該蒸鍍源接近該基板，該蒸鍍材料沉積于該基板的該表面上。
[0032]其中，移動該蒸鍍源的步驟包含:當該蒸鍍角小于一參考蒸鍍角時，沿著垂直于該基板的一表面的一方向，移動該蒸鍍源遠離該基板，該蒸鍍材料沉積于該基板的該表面上。
[0033]其中，移動該蒸鍍源的步驟包含:當該蒸鍍角大于一參考蒸鍍角時，沿著平行于該基板的一表面的一方向，移動該蒸鍍源遠離該基板，該蒸鍍材料沉積于該基板的該表面上。
[0034]其中，移動該蒸鍍源的步驟包含:當該蒸鍍角小于一參考蒸鍍角時，沿著平行于該基板的一表面的一方向，移動該蒸鍍源接近該基板，該蒸鍍材料沉積于該基板的該表面上。 [〇〇35]其中，所述蒸鍍方法更包含:
[0036]于一預定位置檢測該蒸鍍材料的一監(jiān)察蒸鍍速率;以及
[0037]依據(jù)該監(jiān)察蒸鍍速率控制該蒸鍍源的溫度。
[0038]其中，控制該蒸鍍源的溫度的步驟包含:當該監(jiān)察蒸鍍速率下降時，提升該蒸鍍源的溫度。
[0039]其中，控制該蒸鍍源的溫度的步驟包含:當該監(jiān)察蒸鍍速率上升時，降低該蒸鍍源的溫度?！靖綀D說明】
[0040]圖1A為根據(jù)本揭露的第一實施方式的蒸鍍裝置的示意圖。[〇〇41]圖1B為根據(jù)第一實施方式在高度與水平距離的三維坐標系統(tǒng)中展現(xiàn)檢測線的關系圖。[〇〇42]圖1C為展現(xiàn)蒸鍍速率的檢測結果與沿著圖1B的檢測線的檢測位置的關系圖。
[0043]圖2為根據(jù)本揭露的部分實施方式的蒸鍍方法的流程圖。
[0044]圖3A為根據(jù)本揭露的第二實施方式的蒸鍍裝置的示意圖。[〇〇45]圖3B為根據(jù)第二實施方式在高度與水平距離的三維坐標系統(tǒng)中展現(xiàn)檢測線的關系圖。
[0046]圖3C為展現(xiàn)蒸鍍速率的檢測結果與沿著圖3B的檢測線的檢測位置的關系圖。 [〇〇47]圖4A為根據(jù)本揭露的第三實施方式在高度與水平距離的三維坐標系統(tǒng)中展現(xiàn)檢測線的關系圖。[〇〇48]圖4B為展現(xiàn)蒸鍍速率的檢測結果與沿著圖4A的檢測線的檢測位置的關系圖。 [〇〇49]圖5A為根據(jù)本揭露的第四實施方式在高度與水平距離的三維坐標系統(tǒng)中展現(xiàn)檢測線的關系圖。
[0050]圖5B為展現(xiàn)蒸鍍速率的檢測結果與沿著圖5A的檢測線的檢測位置的關系圖。[〇〇51 ] 其中，附圖標記:[〇〇52]100:蒸鍍裝置
[0053]110:支撐件[〇〇54]120:蒸鍍源
[0055]122:坩堝
[0056]122a:開口
[0057]124:加熱器[〇〇58]130:第一傳感器
[0059]140:計算單元
[0060]150:動作器[0061 ]160:腔體
[0062]162:壁面
[0063]170:第二傳感器
[0064]180:控制單元
[0065]200:基板
[0066]202:表面[〇〇67]300:蒸鍍材料[〇〇68]400:蒸鍍方法
[0069]402 ?408:步驟
[0070]0:蒸鍍角[〇〇71]P:檢測位置[〇〇72] L:檢測線 [〇〇73]PL:投影平面
[0074]PP:預定位置
[0075]VC1:曲線
[0076]VC2:曲線
[0077]VRC:曲線
[0078]HC1:曲線
[0079]HC2:曲線
[0080]HRC:曲線
[0081]CC1:曲線
[0082]CC2:曲線
[0083]CRC:曲線
[0084]SC1:曲線
[0085]SC2:曲線
[0086]SRC:曲線【具體實施方式】
[0087]以下以圖式說明本揭露的多個實施例，并詳細介紹本揭露的多個實施方式。盡可能地，圖式與敘述中相同的標號用以表示相同或相似的對象。
[0088]圖1A為根據(jù)本揭露的第一實施方式的蒸鍍裝置100的示意圖。蒸鍍裝置100包含支撐件110、蒸鍍源120、第一傳感器130、計算單元140以及動作器150。支撐件110用以支撐基板200。蒸鍍源120用以蒸鍍蒸鍍材料300,使蒸鍍材料300沉積于基板200上。第一傳感器130 用以于多個檢測位置P檢測蒸鍍材料300的多個蒸鍍速率，于此以虛線的圓形表示檢測位置 P。計算單元140用以依據(jù)于檢測位置P所檢測到的蒸鍍材料300的蒸鍍速率，來估計蒸鍍角 ?。動作器150用以依據(jù)估計的蒸鍍角?來移動蒸鍍源120。[〇〇89]于一或多個實施方式中，蒸鍍源120包含坩堝122以及加熱器124。在被蒸鍍之前， 蒸鍍材料300存置在坩堝122中。加熱器124環(huán)繞坩堝122以加熱坩堝122。坩堝122具有開口 122a，蒸鍍材料300從開口 122a噴出。于部份實施方式中，蒸鍍材料300可以是有機材料，但不應以此限制本發(fā)明的范圍。
[0090]于一或多個實施方式中，從坩堝122的開口 122a噴出的蒸鍍材料300可以以蒸鍍角?散開。舉例而言，蒸鍍角?可以介于50度至100度的范圍內。然而，蒸鍍角?可能隨著各種因素而變化。舉例而言，蒸鍍材料300的殘余物可能累積在開口 122a內或周圍，而造成噴射蒸鍍材料300的路徑輕微阻塞。在部份情況下，關閉并重新啟動產線(其中可能包含破壞真空)也可能改變蒸鍍角?。蒸鍍角?的改變對于蒸鍍速率的分布有重大的影響，而使得基板 200可能接收太多蒸鍍材料300,或者基板200可能不均勻地接收蒸鍍材料300。[〇〇91]于一或多個實施方式中，依據(jù)多個檢測到的蒸鍍速率，估計蒸鍍角?，并根據(jù)此估計的蒸鍍角?，移動蒸鍍源120。于部份實施方式中，蒸鍍材料300沉積于基板200的表面202 上，蒸鍍源120是可沿著實質上垂直于基板200的表面202的方向移動的。或者，于部份實施方式中，蒸鍍材料300沉積于基板200的表面202上，蒸鍍源120是可沿著實質上平行于基板 200的表面202的方向移動的(參照圖3A)。如此一來，即使蒸鍍角?可能變化，蒸鍍材料在基板200上的膜厚均勻度可大致被維持。
[0092]于一或多個實施方式中，蒸鍍裝置100還包含腔體160。腔體160用以容納支撐件 110、蒸鍍源120以及第一傳感器130。支撐件110鄰近腔體160的壁面162。檢測位置P位于蒸鍍源120以及腔體160的壁面162之間，以使第一傳感器130能接收蒸鍍材料300。于此，將依序連接檢測位置P的線定義為檢測線L，如圖1A中的虛線。換句話說，多個檢測位置P沿著檢測線L設置。
[0093]于一或多個實施方式中，第一傳感器130可以是質量負載傳感器(mass-loaded sensor)，例如晶體質量傳感器。舉例而言，第一傳感器130可以是部份的震蕩器電路，其震蕩頻率大約與質量負載成反比，以產生與質量負載的比例成正比的信號。于此，第一傳感器 130可沿著檢測線L移動，以于各個檢測位置P檢測蒸鍍材料300的多個蒸鍍速率，但本揭露的范圍并不限于此。于部份實施方式中，第一傳感器130可包含多個不能移動的質量負載傳感器，其沿著檢測線L設置，以于多個檢測位置P接收并檢測蒸鍍材料300。
[0094]于一或多個實施方式中，如同圖1A所示，檢測線L可以是直的且實質上垂直于基板 200的表面202,其中表面202配置用以接收蒸鍍材料300。于此，垂直的檢測線L于投影平面 PL(大致平行于基板200的表面202)上的投影與蒸鍍源120的開口 122a于投影平面PL上的投影系分離，以使第一傳感器130可接收從不同方向噴出的蒸鍍材料300。若垂直的檢測線L于投影平面PL上的投影與開口 122a于投影平面PL上重迭，第一傳感器130所接收到的蒸鍍材料300實質上由相同的方向噴出，因此，第一傳感器130所檢測到的蒸鍍速率能提供的蒸鍍角?信息非常稀少。詳細而言，蒸鍍材料300由接近0度角噴出而被第一傳感器130所接收， 而使蒸鍍角?估計極困難。[〇〇95]檢測線L不應限制為直的且實質垂直于基板200的表面202。于本揭露的多個實施方式中，檢測線L可實質上平行于基板200的表面202或相對于垂直基板200的表面202的法線方向傾斜。更甚者，于部份實施方式，檢測線L可以是彎曲的。部份的配置將在以下實施方式中說明。
[0096]于一或多個實施方式中，蒸鍍裝置100更包含第二傳感器170以及控制單元180。第二傳感器170配置用以于一預定位置PP檢測蒸鍍材料300的監(jiān)察蒸鍍速率。于一或多個實施方式中，第二傳感器170可固定在預定位置PP。于此，如同第一傳感器130相關敘述中所提到的，第二傳感器170可以是質量負載傳感器，其能夠檢測蒸鍍速率。
[0097]控制單元180用以依據(jù)監(jiān)察蒸鍍速率控制蒸鍍源120的溫度。如此一來，當蒸鍍源120的蒸鍍速率受到環(huán)境因素或其它因素影響時，控制單元180可以透過控制蒸鍍源120的溫度來幫助維持蒸鍍源120的蒸鍍速率的穩(wěn)定。[〇〇98]圖2為根據(jù)本揭露的部分實施方式的蒸鍍方法400的流程圖。蒸鍍方法400包含步驟402?408。搭配圖1A以說明步驟402?408。[〇〇99]首先，參照圖1A與圖2。步驟402中，借由蒸鍍源120蒸鍍蒸鍍材料300，使蒸鍍材料 300沉積于基板200上。如同前述，從開口 122a噴出的蒸鍍材料300可以以蒸鍍角?散開，蒸鍍角?是欲求取的值。
[0100]接著，步驟404中，于多個檢測位置P檢測蒸鍍材料300的多個蒸鍍速率。在這些實施方式中，借由第一傳感器130,在多個檢測位置P檢測蒸鍍材料300的蒸鍍速率。于部份實施方式中，沿著實質上是直線的檢測線L設置檢測位置P。于此，蒸鍍材料300沉積于基板200 的一表面202上，檢測線L實質上垂直于基板200的表面202。借由此配置，第一傳感器130在各個檢測位置P接受噴射自不同方向的蒸鍍材料300。由于蒸鍍速率的分布與蒸鍍角0相關，可以從檢測位置P上所檢測到的檢測速率中推論蒸鍍角?。
[0101]同時參照圖1A與圖1B。圖1B為根據(jù)本揭露的第一實施方式在高度與水平距離的三維坐標系統(tǒng)中展現(xiàn)檢測線L的關系圖。[〇1〇2]于此，第一傳感器130如圖所示，第一傳感器130設計沿著檢測線L移動以接受蒸鍍源120從不同方向所噴出的蒸鍍材料300。于部份實施方式中，第二傳感器170可以臨近檢測線L?；蛘?，于部份實施方式中，第二傳感器170可位于蒸鍍材料300所噴射到的任何位置。蒸鍍速率的分布與檢測位置P和蒸鍍源120之間的水平距離有負相關的關系，且在中間高度具有最大值。
[0103]參考圖1B與圖1C。圖1C為展現(xiàn)蒸鍍速率的檢測結果與沿著圖1B的檢測線的檢測位置P(在此指圖1B的檢測線的檢測位置P的高度)的關系圖。當?shù)谝粋鞲衅?30沿著檢測線Uf 動時，可以得到圖1C中的曲線VC1或曲線VC2。曲線VC1表示在具有大蒸鍍角的第一情況下在多個檢測位置P的蒸鍍速率，而曲線VC2表示在具有小蒸鍍角的第二情況下在多個檢測位置 P的蒸鍍速率。
[0104]于一或多個實施方式中，可以先得到曲線VRC，曲線VRC表示在多個檢測位置P的參考蒸鍍速率。曲線VRC可以是蒸鍍運作的一個標準曲線。曲線VRC可借由實驗或模擬而獲得。 舉例而言，一個檢測周期包含在每個檢測位置P檢測蒸鍍速率?？梢灾貜瓦M行多次的檢測周期，并進而取得多個檢測結果。借由平均化各個位置的部份或全部的檢測結果，可取得參考蒸鍍速率。
[0105]于本揭露的一或多個實施方式中，曲線VC1、曲線VC2以及曲線VRC可以正規(guī)化或透過數(shù)學函數(shù)調整，以使曲線VC1的兩端可以分別與曲線VC2的兩端重迭，且也可以與曲線VRC 的兩端重迭。
[0106]參照圖1A、圖1C以及圖2。步驟406中，根據(jù)于多個檢測位置P所檢測到的蒸鍍材料 300的蒸鍍速率，估計蒸鍍角?。
[0107]于本揭露的一或多個實施方式中，可以假設蒸鍍角?與蒸鍍速率有正相關的關系，且計算單元140包含比較單元142,配置用以分別比較所檢測到的蒸鍍速率與參考蒸鍍速率。于部份實施方式中，蒸鍍角?可從蒸鍍速率得到?；蛘撸诓糠輰嵤┓绞街?，沒有必要得到蒸鍍角?，而是需要推論且得到蒸鍍角?與參考蒸鍍角(與參考蒸鍍速率有關)之間的關系。
[0108]在一實施方式中，如果所檢測到的蒸鍍速率與參考蒸鍍速率的差值(所檢測到的蒸鍍速率減掉參考蒸鍍速率)為正，蒸鍍角視為大于參考蒸鍍角。詳細而言，如果所檢測到的蒸鍍速率與參考蒸鍍速率的差值(所檢測到的檢測蒸鍍速率減掉參考蒸鍍速率)之和為正，蒸鍍角視為大于參考蒸鍍角。
[0109]當比較所檢測到的蒸鍍速率之和與參考蒸鍍速率之和時，具有較大數(shù)值者，將被視為具有較大的蒸鍍角。或者，于其它實施方式中，當比較一范圍的所檢測到的蒸鍍速率之和與一相關范圍的參考蒸鍍速率之和時，具有較大數(shù)值者，將被視為具有較大的蒸鍍角。 [〇11〇]于另一實施方式中，采用曲線擬合方式(fitting method)取得蒸鍍角?的數(shù)值， 而非采用比較所檢測到的蒸鍍速率與參考蒸鍍速率的差值的方式?？梢越栌汕€擬合方式，先得到參考蒸鍍角與參考蒸鍍速率之間的線性或非線性關系。然后，可借由曲線擬合公式，從所檢測到的蒸鍍速率中得到蒸鍍角?。
[0111]除了以上的比較方式以及曲線擬合方式，仍有許多種數(shù)學技巧或模擬適用于分析所檢測到的蒸鍍速率與來估計蒸鍍角?。舉例而言，可采用與熱力學以及流體力學相關的模擬以估計空間中的流動速率與分子分布，如此一來，可得到蒸鍍速率以及蒸鍍角。在此所提到的例示性的估計方法不應限制本揭露的范圍。
[0112]如此一來，可以得到估計的蒸鍍角0。接著，進行步驟408,根據(jù)估計的蒸鍍角?移動蒸鍍源120。于部份實施方式中，從所檢測到的蒸鍍速率與參考蒸鍍速率的各個差值推論蒸鍍角?時，移動蒸鍍源的步驟可以根據(jù)所檢測到的蒸鍍速率與參考蒸鍍速率的各個差值進行。詳細而言，動作器150配置用以根據(jù)蒸鍍速率與參考蒸鍍速率的各個差值移動蒸鍍源 120〇
[0113]在第一情況，如同曲線VC1以及曲線VRC所示，所檢測到的蒸鍍速率分別大于參考蒸鍍速率，因此，可以將蒸鍍角?視為大于參考蒸鍍角(曲線VRC的蒸鍍角)。如此一來，設計蒸鍍源120沿著垂直于基板200的表面202的方向移動，以接近基板200。
[0114]在第二情況，如同曲線VC2以及曲線VRC所示，所檢測到的蒸鍍速率分別小于參考蒸鍍速率，因此可以將蒸鍍角?視為小于參考蒸鍍角。如此一來，設計蒸鍍源120沿著垂直于基板200的表面202的方向移動，以遠離基板200。
[0115]據(jù)此，于本揭露的一或多個實施方式中，可以根據(jù)蒸鍍角?，調整蒸鍍源120以及基板200之間的相對位置。當估計的蒸鍍角?改變時，基板200上的蒸鍍速率可以調整至與參考蒸鍍速率相似。如此一來，基板200可以均勻地接受蒸鍍材料300。
[0116]參照圖1A與圖1B，除了在坩堝122的開口 122a中的阻塞，在以上的蒸鍍過程中，各式各樣的制程因素也可能會影響蒸鍍，例如環(huán)境溫度。于此，為了確保蒸鍍裝置100在理想的狀況下執(zhí)行，在預定位置PP設置第二傳感器170,用以檢測蒸鍍裝置100的工作狀態(tài)。
[0117]于一或多個實施方式中，第二傳感器170檢測在預定位置PP的蒸鍍材料的監(jiān)察蒸鍍速率。于本實施方式中，可將監(jiān)察蒸鍍速率與一正常值進行比較。可以根據(jù)監(jiān)察蒸鍍速率控制蒸鍍源的溫度。舉例而言，當監(jiān)察蒸鍍速率降低或小于該正常值，提升蒸鍍源120的溫度，而當監(jiān)察蒸鍍速率增加或大于該正常值，降低蒸鍍源120的溫度。如此一來，在蒸鍍過程中，蒸鍍裝置100的工作狀態(tài)可以是穩(wěn)定的。
[0118]圖3A為根據(jù)本揭露的第二實施方式的蒸鍍裝置100的示意圖。本實施方式與第一實施方式相似，本實施方式與第一實施方式的差別之一在于:檢測線L實質上平行于基板 200的表面202,而非垂直于基板200的表面202。本實施方式與第一實施方式的另一差別在于蒸鍍源120的移動步驟。于本實施方式中，蒸鍍源120可沿著平行于基板200的表面202的方向移動。更甚者，于部份實施方式中，蒸鍍源120可以沿垂直于基板200的表面202的方向移動。
[0119]同時參照圖3A與圖3B。圖3B為根據(jù)本揭露的第二實施方式在高度與水平距離的三維坐標系統(tǒng)中展現(xiàn)檢測線L的關系圖。第一傳感器130可以沿著檢測線L水平地移動。第一傳感器130與第二傳感器170位于蒸鍍材料300可噴射到的范圍內。[〇12〇]同時參照圖3B與圖3C。圖3C為展現(xiàn)蒸鍍速率的檢測結果與沿著圖3B的檢測線L的檢測位置P的關系圖。曲線HC1描述在具有大蒸鍍角的第一情況下，檢測位置P的蒸鍍速率， 而曲線HC2描述在具有小蒸鍍角的第二情況下，檢測位置P的蒸鍍速率。曲線HRC展現(xiàn)在多個檢測位置P的參考蒸鍍速率。如圖所示，當檢測位置P水平地排列時，所檢測到的蒸鍍速率以及參考檢測速率在靠近蒸鍍源120時具有最大值，在遠離蒸鍍源120時具有最小值。
[0121]雖然在圖中曲線HC1、曲線HC2以及曲線HRC的最大值實質上相同，但在實際操作上，曲線HC1、曲線HC2以及曲線HRC的最大值可能有些微的差異。曲線HC1、曲線HC2以及曲線 HRC的可以經過正規(guī)化或數(shù)學公式處理，而使曲線HC1、曲線HC2以及曲線HRC具有實質上相同的最大值。
[0122]同時參考圖3A與圖3C。如同第一實施方式所述，由于第一傳感器130可以檢測不同方向的蒸鍍材料300,可以借由蒸鍍速率推測蒸鍍角?。于此，可以從曲線HRC的參考蒸鍍速率中推論得到參考蒸鍍角。于部分實施方式中，所估計的蒸鍍角?可以與參考蒸鍍角比較。 于部分實施方式中，不必一定要取得蒸鍍角?，但需研究并得到蒸鍍角?與參考蒸鍍角的關系。根據(jù)蒸鍍角?或者根據(jù)蒸鍍角?與參考蒸鍍角的關系，可以移動蒸鍍源120。
[0123]在一第一情況，如同曲線HC1以及曲線HRC，所檢測到的蒸鍍速率大于參考蒸鍍速率，因此將蒸鍍角?視為大于參考蒸鍍角(曲線HRC的蒸鍍角)。如此一來，設計蒸鍍源120沿著平行于基板200的表面202的方向移動，以遠離基板200,進而降低蒸鍍速率。
[0124]在第二情況，如同曲線HC2以及曲線HRC所示，所檢測到的蒸鍍速率小于參考蒸鍍速率，因此將蒸鍍角?視為小于參考蒸鍍角。如此一來，蒸鍍源120可沿著平行于基板200的表面202的方向移動，以接近基板200，進而堤升蒸鍍速率。
[0125]本實施方式的其它細節(jié)大致上與第一實施方式相似，在此不再贅述。
[0126]圖4A為根據(jù)本揭露的第三實施方式在高度與水平距離的三維坐標系統(tǒng)中展現(xiàn)檢測線L的關系圖。在此省略詳細的蒸鍍裝置配置。本實施方式與第一實施方式相似，差別在于:本實施方式的檢測線L是為彎曲的。于此，第一傳感器130從第一位置P1曲線狀地沿著檢測線L移至第二位置P2,其中第一位置P1與第二位置P2可以具有實質上相同的高度與相較于蒸鍍源120的開口 122a的延伸線實質上相同的半徑。
[0127]同時參照圖4A與圖4B。圖4B為展現(xiàn)蒸鍍速率的檢測結果與沿著圖4A的檢測線L的檢測位置的關系圖。曲線CC1描述在具有大蒸鍍角的第一情況下，在多個檢測位置的蒸鍍速率，曲線CC2描述在具有小蒸鍍角的第二情況下在多個檢測位置的蒸鍍速率。曲線CRC展示在多個檢測位置的參考蒸鍍速率。
[0128]如同第一實施方式中所述，于部份實施方式中，可以估計蒸鍍角?(參考圖1A)與參考蒸鍍角的相對關系。于部份實施方式中，可以借由曲線擬合方式得到蒸鍍角?(參考圖 1A)。根據(jù)此估計的蒸鍍角?，可以移動蒸鍍源120。
[0129]在第一情況，如同曲線CC1以及曲線CRC所示，所檢測到的蒸鍍速率大于參考蒸鍍速率，因此可以將蒸鍍角?(參考圖1A)視為大于參考蒸鍍角(曲線CRC的蒸鍍角)。設計蒸鍍源120沿著水平地移動以遠離基板200的表面202(參考圖1A)或者沿著垂直地移動以接近基板200的表面202(參考圖1A)。[〇13〇]在第二情況，如同曲線CC2以及曲線CRC所示，所檢測到的蒸鍍速率小于參考蒸鍍速率，因此可以將蒸鍍角?(參考圖1A)視為小于參考蒸鍍角(曲線CRC的蒸鍍角)。設計蒸鍍源120沿著水平地移動以接近基板200的表面202(參考圖1A)或者沿著垂直地移動以遠離基板200的表面202(參考圖1A)。[〇131]本實施方式的其它細節(jié)與第一實施方式的細節(jié)相似，在此不再贅述。
[0132]圖5A為根據(jù)本揭露的第四實施方式在高度與水平距離的三維坐標系統(tǒng)中展現(xiàn)檢測線L的關系圖。本實施方式與第一實施方式相似，差別在于:檢測線L相對于垂直基板200 的表面202(參考圖1A)的法線方向傾斜，蒸鍍材料300(參考圖1A)沉積于基板200的表面202上。
[0133]且，如同第一實施方式所述，可以估計蒸鍍角?(參考圖1A)與參考蒸鍍角的相對關系。于部份實施方式中，可以借由曲線擬合方式得到蒸鍍角?(參考圖1A)。根據(jù)此估計的蒸鍍角?，可以垂直地或水平地移動蒸鍍源120。
[0134]圖5B為展現(xiàn)蒸鍍速率的檢測結果與沿著圖5A的檢測線L的檢測位置的關系圖。于本實施方式中，第一傳感器130沿著檢測線L從位置P3移動至位置P4。
[0135]曲線SCI描述在具有大蒸鍍角的第一情況下在沿著檢測線L的檢測位置的蒸鍍速率，而曲線SC2表示在具有小蒸鍍角的第二情況下在沿著檢測線L的檢測位置的蒸鍍速率。 曲線HRC展現(xiàn)在沿著檢測線L的檢測位置的參考蒸鍍速率。
[0136]于本揭露的一或多個實施方式中，曲線SC1、曲線SC2以及曲線SRC可以經由正規(guī)化或透過某些數(shù)學公式處理，使曲線SCI的一端、曲線SC2的一端以及曲線SRC的一端重迭。
[0137]在第一情況，如同曲線SCI以及曲線SRC所示，所檢測到的蒸鍍速率大于參考蒸鍍速率，因此可以將蒸鍍角?視為大于參考蒸鍍角(曲線SRC的蒸鍍角)。如此一來，設計蒸鍍源120沿著水平地移動以遠離基板200的表面202或者沿著垂直地移動以接近基板200的表面202(參考圖1A)。
[0138]在第二情況，如同曲線SC2以及曲線SRC所示，所檢測到的蒸鍍速率小于參考蒸鍍速率，因此可以將蒸鍍角?視為小于參考蒸鍍角(曲線SRC的蒸鍍角)。如此一來，設計蒸鍍源120沿著水平地移動以接近基板200的表面202或者沿著垂直地移動以遠離基板200的表面202(參考圖1A)。
[0139]本實施方式的其它細節(jié)與第一實施方式的細節(jié)相似，在此不再贅述。
[0140]應了解到，取決于檢測線，有各式各樣的系列的所檢測到的蒸鍍速率以及參考蒸鍍速率。本領域技術人員可以設計檢測線，藉以獲得攜帶有蒸鍍角信息的所檢測到的蒸鍍速率。[〇141]于一或多個實施方式中，在蒸鍍程序中，借由在檢測位置所檢測到的蒸鍍速率估計蒸鍍角，與根據(jù)蒸鍍角而移動蒸鍍源。如此一來，盡管蒸鍍角可能變化，基板上蒸鍍材料的膜厚均勻度可以大致維持不變。
[0142]當然，本發(fā)明還可有其它多種實施例，在不背離本發(fā)明精神及其實質的情況下，熟悉本領域的技術人員可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應的改變和變形，但這些相應的改變和變形都應屬于本發(fā)明權利要求的保護范圍。
【主權項】
1.一種蒸鍍裝置，其特征在于，包含:一支撐件，用以支撐一基板；一蒸鍍源，用以蒸鍍一蒸鍍材料，使該蒸鍍材料沉積于該基板上；一第一傳感器，用以于多個檢測位置檢測該蒸鍍材料的多個蒸鍍速率；一計算單元，用以依據(jù)于該些檢測位置所檢測到該蒸鍍材料的該些蒸鍍速率，估計一 蒸鍍角；以及一動作器，用以依據(jù)該估計的蒸鍍角，來移動該蒸鍍源。2.根據(jù)權利要求1所述的蒸鍍裝置，其特征在于，該些檢測位置設置于一檢測線，該蒸 鍍材料沉積于該基板的一表面上，該檢測線垂直于該基板的該表面。3.根據(jù)權利要求2所述的蒸鍍裝置，其特征在于，該蒸鍍源具有一開口，該蒸鍍材料從 該開口噴出，且該檢測線于一投影平面上的投影與該蒸鍍源的該開口于該投影平面上的投 影分離，該投影平面平行于該基板的該表面。4.根據(jù)權利要求1所述的蒸鍍裝置，其特征在于，該些檢測位置設置于一檢測線，該蒸 鍍材料沉積于該基板的一表面上，該檢測線平行于該基板的該表面。5.根據(jù)權利要求1所述的蒸鍍裝置，其特征在于，該些檢測位置設置于一檢測線，且該 第一傳感器是沿著該檢測線可動的。6.根據(jù)權利要求1所述的蒸鍍裝置，其特征在于，該些檢測位置設置于一檢測線，且該 檢測線是直的。7.根據(jù)權利要求1所述的蒸鍍裝置，其特征在于，該些檢測位置設置于一檢測線，該蒸 鍍材料沉積于該基板的一表面上，且該檢測線相對于垂直該基板的該表面的法線方向傾 斜。8.根據(jù)權利要求1所述的蒸鍍裝置，其特征在于，該些檢測位置設置于一檢測線，且該 檢測線是彎曲的。9.根據(jù)權利要求1所述的蒸鍍裝置，其特征在于，更包含:一腔體，用以容納該支撐件、該蒸鍍源以及該第一傳感器，其中該支撐件鄰近該腔體的 一壁面，且該些檢測位置位于該蒸鍍源以及該腔體的該壁面之間。10.根據(jù)權利要求1所述的蒸鍍裝置，其特征在于，該計算單元包含:一比較單元，用以將所檢測到的該些蒸鍍速率與多個參考蒸鍍速率分別進行比較，該 動作器是用以依據(jù)所檢測到的該些蒸鍍速率與該些參考蒸鍍速率之間的多個差值而移動 該蒸鍍源。11.根據(jù)權利要求1所述的蒸鍍裝置，其特征在于，更包含:一第二傳感器，用以于一預定位置檢測該蒸鍍材料的一監(jiān)察蒸鍍速率；以及一控制單元，用以依據(jù)該監(jiān)察蒸鍍速率來控制該蒸鍍源的溫度。12.根據(jù)權利要求1所述的蒸鍍裝置，其特征在于，該蒸鍍材料沉積于該基板的一表面 上，該蒸鍍源在垂直于該基板的該表面的方向上是可動的。13.根據(jù)權利要求1所述的蒸鍍裝置，其特征在于，該蒸鍍材料沉積于該基板的一表面 上，該蒸鍍源在平行于該基板的該表面的方向上是可動的。14.一種蒸鍍方法，其特征在于，包含:借由一蒸鍍源蒸鍍一蒸鍍材料，使該蒸鍍材料沉積于一基板上；于多個檢測位置檢測該蒸鍍材料的多個蒸鍍速率；依據(jù)于該些檢測位置所檢測到的該蒸鍍材料的該些蒸鍍速率，估計一蒸鍍角；以及依據(jù)該估計的蒸鍍角，移動該蒸鍍源。15.根據(jù)權利要求14所述的蒸鍍方法，其特征在于，該些檢測位置設置于一檢測線，該 蒸鍍材料沉積于該基板的一表面上，且該檢測線垂直于該基板的該表面。16.根據(jù)權利要求15所述的蒸鍍方法，其特征在于，該蒸鍍源具有一開口，該蒸鍍材料 從該開口噴出，且該檢測線于一投影平面上的投影與該蒸鍍源的該開口于該投影平面上的 投影分離，該投影平面平行于該基板的該表面。17.根據(jù)權利要求14所述的蒸鍍方法，其特征在于，該些檢測位置設置于一檢測線，該 蒸鍍材料沉積于該基板的一表面上，且該檢測線平行于該基板的該表面。18.根據(jù)權利要求14所述的蒸鍍方法，其特征在于，于借由一第一傳感器于該些檢測位 置檢測該蒸鍍材料的該些蒸鍍速率，且于該些檢測位置檢測該蒸鍍材料的該些蒸鍍速率的 步驟包含沿一檢測線移動該第一傳感器，該些檢測位置設置于一檢測線。19.根據(jù)權利要求14所述的蒸鍍方法，其特征在于，估計該蒸鍍角的步驟包含將所檢測 到的該些蒸鍍速率與多個參考蒸鍍速率分別進行比較，且移動該蒸鍍源的步驟包含依據(jù)所 檢測到的該些蒸鍍速率與該些參考蒸鍍速率之間的多個差值而移動該蒸鍍源。20.根據(jù)權利要求19所述的蒸鍍方法，其特征在于，移動該蒸鍍源的步驟包含:當所檢測到的該些蒸鍍速率分別大于該些參考蒸鍍速率時，沿著垂直于該基板的一表 面的一方向，移動該蒸鍍源接近該基板，該蒸鍍材料沉積于該基板的該表面上。21.根據(jù)權利要求19所述的蒸鍍方法，其特征在于，移動該蒸鍍源的步驟包含:當所檢測到的該些蒸鍍速率分別小于該些參考蒸鍍速率時，沿著垂直于該基板的一表 面的一方向，移動該蒸鍍源遠離該基板，其中該蒸鍍材料沉積于該基板的該表面上。22.根據(jù)權利要求19所述的蒸鍍方法，其特征在于，移動該蒸鍍源的步驟包含:當所檢測到的該些蒸鍍速率分別大于該些參考蒸鍍速率時，沿著平行于該基板的一表 面的一方向，移動該蒸鍍源遠離該基板，該蒸鍍材料沉積于該基板的該表面上。23.根據(jù)權利要求19所述的蒸鍍方法，其特征在于，移動該蒸鍍源的步驟包含:當所檢測到的該些蒸鍍速率分別小于該些參考蒸鍍速率時，沿著平行于該基板的一表 面的一方向，移動該蒸鍍源接近該基板，其中該蒸鍍材料沉積于該基板的該表面上。24.根據(jù)權利要求14所述的蒸鍍方法，其特征在于，移動該蒸鍍源的步驟包含:當該蒸鍍角大于一參考蒸鍍角時，沿著垂直于該基板的一表面的一方向，移動該蒸鍍 源接近該基板，該蒸鍍材料沉積于該基板的該表面上。25.根據(jù)權利要求14所述的蒸鍍方法，其特征在于，移動該蒸鍍源的步驟包含:當該蒸鍍角小于一參考蒸鍍角時，沿著垂直于該基板的一表面的一方向，移動該蒸鍍 源遠離該基板，該蒸鍍材料沉積于該基板的該表面上。26.根據(jù)權利要求14所述的蒸鍍方法，其特征在于，移動該蒸鍍源的步驟包含:當該蒸鍍角大于一參考蒸鍍角時，沿著平行于該基板的一表面的一方向，移動該蒸鍍 源遠離該基板，該蒸鍍材料沉積于該基板的該表面上。27.根據(jù)權利要求14所述的蒸鍍方法，其特征在于，移動該蒸鍍源的步驟包含:當該蒸鍍角小于一參考蒸鍍角時，沿著平行于該基板的一表面的一方向，移動該蒸鍍源接近該基板，該蒸鍍材料沉積于該基板的該表面上。28.根據(jù)權利要求14所述的蒸鍍方法，其特征在于，更包含:于一預定位置檢測該蒸鍍材料的一監(jiān)察蒸鍍速率；以及依據(jù)該監(jiān)察蒸鍍速率控制該蒸鍍源的溫度。29.根據(jù)權利要求28所述的蒸鍍方法，其特征在于，控制該蒸鍍源的溫度的步驟包含: 當該監(jiān)察蒸鍍速率下降時，提升該蒸鍍源的溫度。30.根據(jù)權利要求28所述的蒸鍍方法，其特征在于，控制該蒸鍍源的溫度的步驟包含: 當該監(jiān)察蒸鍍速率上升時，降低該蒸鍍源的溫度。
【文檔編號】C23C14/24GK105960072SQ201610331712
【公開日】2016年9月21日
【申請日】2016年5月18日
【發(fā)明人】蕭智鴻
【申請人】友達光電股份有限公司