用于在電子設(shè)備中進(jìn)行電平轉(zhuǎn)換控制的裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種用于在電子設(shè)備中進(jìn)行電平轉(zhuǎn)換控制的裝置，該裝置包括設(shè)置在該電子設(shè)備的電平轉(zhuǎn)換器中的輸入級和輸出級，輸出級通過一組中間節(jié)點耦接于輸入級。輸入級用于通過輸入級的至少一個輸入端接收電平轉(zhuǎn)換器的至少一個輸入信號，并根據(jù)該至少一個輸入信號控制該組中間節(jié)點的電壓電平。輸入級包括耦接于該至少一個輸入端且用于對輸入級進(jìn)行電流控制的混合電流控制電路。該混合電流控制電路具有分別控制流經(jīng)該組中間節(jié)點的電流的多組并行路徑，每一組并行路徑可以包括并行的兩個或多個路徑。本發(fā)明提供的裝置可以提升電子設(shè)備的整體性能。
【專利說明】
用于在電子設(shè)備中進(jìn)行電平轉(zhuǎn)換控制的裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及在電平轉(zhuǎn)換期間減小直流(direct current, DC)偏置，更特別地，涉及一種在電子設(shè)備中進(jìn)行電平轉(zhuǎn)換控制的裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]傳統(tǒng)的電平轉(zhuǎn)換電路會遭遇其架構(gòu)所對應(yīng)的一些問題，如由于某些高電壓設(shè)備的大寄生電容的低速度問題，以及由于其上側(cè)的高擺幅電平的另一問題。例如，傳輸延遲可能達(dá)到5納秒(nanoseconds，ns)，這會降低傳統(tǒng)電子設(shè)備的整體性能，該傳統(tǒng)電子設(shè)備中安裝有傳統(tǒng)的電平轉(zhuǎn)換電路。根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)，建議將箝位電路添加到該傳統(tǒng)的電平轉(zhuǎn)換電路中，以減小該擺幅電平。然而，這會帶來額外的問題，如一些副作用。例如，添加箝位電路會造成巨大的靜態(tài)(quiescent)，且會增大直流偏置，其中，在添加箝位電路前，直流偏置可能接近于O。
[0003]在有需要時，還可以將箝位電路添加到其它的傳統(tǒng)電平轉(zhuǎn)換電路中，但是，在其它的傳統(tǒng)電平轉(zhuǎn)換電路的傳統(tǒng)電流控制電路中的電流源會導(dǎo)致大的啟動電壓泄露(bootvoltage leakage)。因此，當(dāng)應(yīng)用輕負(fù)載(light load)時，通過使用其它的傳統(tǒng)電平轉(zhuǎn)換電路實現(xiàn)的整個校準(zhǔn)器可能會遇到失調(diào)(out of regulat1n)問題。盡管速度被提高了，但直流偏置被大大增大了。例如，在其它的傳統(tǒng)電平轉(zhuǎn)換電路中，直流偏置可能達(dá)到1uA(microampere)。
[0004]總之，傳統(tǒng)的電平轉(zhuǎn)換電路存在很多問題。因此，需要一種具有較少副作用的新穎架構(gòu)來提高速度，以確保整個系統(tǒng)的整體性能。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]有鑒于此，本發(fā)明的目的之一在于提供一種用于在電子設(shè)備中進(jìn)行電平轉(zhuǎn)換控制的裝置，以解決上述問題。
[0006]第一方面，本發(fā)明提供了一種用于在電子設(shè)備中進(jìn)行電平轉(zhuǎn)換控制的裝置，該裝置可以包括該電子設(shè)備的至少一部分(如一部分或全部)。該裝置包括設(shè)置在該電子設(shè)備的電平轉(zhuǎn)換器中的輸入級，以及還包括設(shè)置在該電平轉(zhuǎn)換器中且通過一組中間節(jié)點耦接于該輸入級的輸出級。輸入級用于通過該輸入級的至少一個輸入端接收該電平轉(zhuǎn)換器的至少一個輸入信號，以及，根據(jù)該至少一個輸入信號控制一組中間節(jié)點的電壓電平。更特別地，該輸入級包括耦接于該至少一個輸入端的混合電流控制電路。此外，該混合電流控制電路用于對該輸入級的電流進(jìn)行控制；其中，該混合電流控制電路具有多組并行路徑，分別用于對流經(jīng)該組中間節(jié)點的電流進(jìn)行控制，該多組并行路徑中的每一組包括第一開關(guān)單元和至少一個無源元件設(shè)于其上的第一路徑，且還包括第二開關(guān)單元設(shè)于其上的第二路徑，以及，該第一開關(guān)單元和該第二開關(guān)單元分別被不同的控制信號控制。此外，輸出級用于通過該輸出級的至少一個輸出端驅(qū)動該電平轉(zhuǎn)換器的至少一個輸出信號，以及根據(jù)該組中間節(jié)點的電壓電平控制該至少一個輸出端的至少一個電壓電平。
[0007]第二方面，本發(fā)明還提供了一種用于在電子設(shè)備中進(jìn)行電平轉(zhuǎn)換控制的裝置，該裝置可以包括該電子設(shè)備的至少一部分(如一部分或全部)。該裝置包括設(shè)置在該電子設(shè)備的電平轉(zhuǎn)換器中的輸入級，以及還包括設(shè)置在該電平轉(zhuǎn)換器中且通過一組中間節(jié)點耦接于該輸入級的輸出級。輸入級用于通過該輸入級的至少一個輸入端接收該電平轉(zhuǎn)換器的至少一個輸入信號，以及，根據(jù)該至少一個輸入信號控制一組中間節(jié)點的電壓電平。更特別地，該輸入級包括耦接于該至少一個輸入端的混合電流控制電路。此外，該混合電流控制電路用于對該輸入級的電流進(jìn)行控制；其中，該混合電流控制電路具有多組并行路徑，分別用于對流經(jīng)該組中間節(jié)點的電流進(jìn)行控制，該多組并行路徑中的每一組包括第一開關(guān)單元設(shè)于其上的第一路徑，以及包括第二開關(guān)單元設(shè)于其上的第二路徑，以及還包括至少一個無源元件設(shè)于騎上的第三路徑，該第一開關(guān)單元和該第二開關(guān)單元分別被不同的控制信號控制。此外，輸出級用于通過該輸出級的至少一個輸出端驅(qū)動該電平轉(zhuǎn)換器的至少一個輸出信號，以及根據(jù)該組中間節(jié)點的電壓電平控制該至少一個輸出端的至少一個電壓電平。
[0008]本發(fā)明通過不同的控制信號所控制的多組并行路徑對電平轉(zhuǎn)換器中流經(jīng)中間節(jié)點上的電流進(jìn)行控制，進(jìn)而根據(jù)該中間節(jié)點上的電壓電平控制輸出級上的輸出電平，采用本發(fā)明，可以明顯改善電平轉(zhuǎn)換器的整體性能。
[0009]本領(lǐng)域技術(shù)人員在閱讀附圖所示優(yōu)選實施例的下述詳細(xì)描述之后，可以毫無疑義地理解本發(fā)明的這些目的及其它目的。
【附圖說明】
[0010]圖1是根據(jù)本發(fā)明實施例的一種用于在電子設(shè)備中進(jìn)行電平轉(zhuǎn)換控制的裝置的示意圖；
[0011]圖2根據(jù)本發(fā)明實施例示出了與如圖1所示的裝置有關(guān)的一組箝位電路；
[0012]圖3根據(jù)本發(fā)明實施例示出了與如圖1所示的裝置有關(guān)的多組并行路徑的一些實現(xiàn)細(xì)節(jié)；
[0013]圖4根據(jù)本發(fā)明另一實施例示出了與圖1所示的裝置有關(guān)的多組并行路徑的一些實現(xiàn)細(xì)節(jié)；
[0014]圖5根據(jù)本發(fā)明另一實施例示出了與圖1所示的裝置有關(guān)的多組并行路徑的一些實現(xiàn)細(xì)節(jié)；
[0015]圖6根據(jù)本發(fā)明另一實施例示出了與圖1所示的裝置有關(guān)的多組并行路徑的一些實現(xiàn)細(xì)節(jié)；
[0016]圖7根據(jù)本發(fā)明另一實施例示出了與圖1所示的裝置有關(guān)的多組并行路徑的一些實現(xiàn)細(xì)節(jié)；
[0017]圖8根據(jù)本發(fā)明實施例示出了與圖1所示的裝置有關(guān)的一組電壓檢測模塊；
[0018]圖9根據(jù)本發(fā)明實施例示出了一種與圖1所示的裝置有關(guān)的相關(guān)信號的時序圖；
[0019]圖10根據(jù)本發(fā)明另一實施例示出了一種與圖1所示的裝置有關(guān)的相關(guān)信號的時序圖。
【具體實施方式】
[0020]以下描述為本發(fā)明實施的較佳實施例。以下實施例僅用來例舉闡釋本發(fā)明的技術(shù)特征，并非用來限制本發(fā)明的范疇。在通篇說明書及權(quán)利要求書當(dāng)中使用了某些詞匯來指稱特定的元件。所屬領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)可理解，制造商可能會用不同的名詞來稱呼同樣的元件。本說明書及權(quán)利要求書并不以名稱的差異來作為區(qū)別元件的方式，而是以元件在功能上的差異來作為區(qū)別的基準(zhǔn)。本發(fā)明中使用的術(shù)語“元件”、“系統(tǒng)”和“裝置”可以是與計算機(jī)相關(guān)的實體，其中，該計算機(jī)可以是硬件、軟件、或硬件和軟件的結(jié)合。在以下描述和權(quán)利要求書當(dāng)中所提及的術(shù)語“包含”和“包括”為開放式用語，故應(yīng)解釋成“包含，但不限定于…”的意思。此外，術(shù)語“耦接”意指間接或直接的電氣連接。因此，若文中描述一個裝置耦接于另一裝置，則代表該裝置可直接電氣連接于該另一裝置，或者透過其它裝置或連接手段間接地電氣連接至該另一裝置。
[0021]圖1是根據(jù)本發(fā)明實施例的一種用于在電子設(shè)備中進(jìn)行(perform)電平轉(zhuǎn)換控制的裝置的示意圖，其中，裝置100包括該電子設(shè)備的至少一部分(例如，一部分或全部)。舉例來說，裝置100可以包括上述電子設(shè)備的一部分，更特別地，可以是至少一個硬件電路，如位于電子設(shè)備內(nèi)的至少一個集成電路(Integrated Circuit, IC)。在另一示例中，裝置100可以是上述整個電子設(shè)備。在另一示例中，裝置100可以包括系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括上述電子設(shè)備(如包括電子設(shè)備的音/視頻系統(tǒng))。電子設(shè)備的例子可以包括但不限于手機(jī)(如多功能手機(jī))、平板和個人計算機(jī)(如筆記本電腦)。本發(fā)明提供的裝置借助于由不同的控制信號所控制的并行路徑，實現(xiàn)電流控制的目的。
[0022]如圖1所示，裝置100可以包括設(shè)置在電子設(shè)備的電平轉(zhuǎn)換器(level shifter)中的輸入級(input stage) 110，以及，還可以包括設(shè)置在該電平轉(zhuǎn)換器中且通過一組中間節(jié)點(a set of intermediate nodes)A和B f禹接至輸入級110的輸出級120。根據(jù)本實施例，輸入級110可以包括開關(guān)電路(switching circuit) 111、一組箝位電路(a setof clamping circuits) 112A 和 112B 以及混合電流控制電路(hybrid current controlcircuit)。在本實施例中，該混合電流控制電路可以包括一組開關(guān)單元Ml和M2、親接在該組開關(guān)單元Ml和M2之間的反相器(inverter)、一組虛短電路(a set of virtual shortcircuits) 114A 和 114B，以及一組偏置電路(a set of bias circuit) 118A 和 118B。其中，該組開關(guān)單元Ml和M2可以由兩個金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal OxideSemiconductor Field Effect Transistors, MOSFET)實現(xiàn)，如兩個 N 型 MOSFET (N-typeMOSFET, NMOSFET)，以及，在該組開關(guān)單元Ml和M2的每一個的最上方示出的陰影部分可以表示它們能夠被實現(xiàn)為具有大寄生電容的高電壓(high voltage，HV)設(shè)備。此外，輸出級120可以包括一些開關(guān)單元和相關(guān)的線路，如圖1最右邊所示的這些。在圖1所示的架構(gòu)中，一些P型MOSFET (P-type MOSFET, PM0SFET)，如位于開關(guān)電路111內(nèi)的這些和位于輸出級120內(nèi)的這些，分別用于將相關(guān)節(jié)點(node)或端子(terminal)選擇性地親接至參考電壓電平V2 ;—些NMOSFET (如位于該組開關(guān)單元Ml和M2內(nèi)的這些)分別用于將相關(guān)節(jié)點或端子選擇性地耦接至參考電壓電平Gl ;以及，一些NMOSFET(如位于輸出級120內(nèi)的這些)分別用于將相關(guān)節(jié)點或端子選擇性地耦接至參考電壓電平G2。這僅用于描述目的，而不意味著對本發(fā)明的限制。根據(jù)一些實施例，這些開關(guān)元件的實現(xiàn)并不受限于NMOSFET或PM0SFETο根據(jù)一些實施例，MOSFET的體偏置(body bias)的連接(如這些開關(guān)元件中的任意一個開關(guān)元件的體偏置的連接)也并不受限于圖1所示的相應(yīng)連接。
[0023]根據(jù)本實施例，輸入級110可以用于通過輸入級110的至少一個輸入端(如輸入端IN)接收電平轉(zhuǎn)換器的至少一個輸入信號，以及，根據(jù)上述至少一個輸入信號控制該組中間節(jié)點A和B的電壓電平。例如，耦接在該組開關(guān)單元Ml和M2之間(更特別地，耦接在輸入端IN和INB之間)的反相器可以由參考電壓電平Vl和Gl供電，且可以對輸入端IN上的輸入信號進(jìn)行反相，以在輸入端INB上產(chǎn)生另一輸入信號(如輸入端IN上的輸入信號的反相信號)，其中，輸入端IN用于接收上述至少一個輸入信號，以及輸入端INB用于接收上述反相信號。更特別地，輸入級110可以包括耦接于上述至少一個輸入端的一組開關(guān)單元(如位于圖1所示的開關(guān)電路111內(nèi)的PMOSFET)，以及，這組開關(guān)單元可以用于響應(yīng)上述至少一個輸入信號來控制一組中間節(jié)點A和B的電壓電平。例如，根據(jù)上述至少一個輸入信號，這組開關(guān)單元中的一開關(guān)單元可以將該組中間節(jié)點A和B中的其中一個選擇性地耦接至提供給電平轉(zhuǎn)換器的預(yù)定電壓電平，如本實施例中的參考電壓電平V2。此外，輸出級120可以用于通過輸出級120的至少一個輸出端(如輸出端INLS)驅(qū)動電平轉(zhuǎn)換器的至少一個輸出信號，以及，根據(jù)該組中間節(jié)點A和B的電壓電平控制該至少一個輸出端上的至少一個電壓電平。例如，由于輸出級120內(nèi)的電路安排，輸出端INLS上的輸出信號可以被視為輸出端INBLS上的另一輸出信號的反相版本，反之亦然。
[0024]如圖1所示，在本實施例中，混合電流控制電路耦接于上述至少一個輸入端(如輸入端IN)，其可以包括一組開關(guān)單元Ml和M2、上述反相器、一組虛短電路114A和114B，以及一組偏置電路118A和118B。該混合電流控制電路可以用于為輸入級110執(zhí)行電流控制，且可以響應(yīng)于從輸入端IN接收到的輸入信號操作。例如，虛短電路114A和114B可以用于進(jìn)行虛短操作，以分別將端子AA和BB拉至它們的地(如參考電壓電平Gl)，以及，在一方面，偏置電路118A和118B可以被分別視為箝位電路112A和112B的偏置電路。此外，混合電流控制電路具有多組并行路徑(multiple sets of parallel paths)，如一些子路徑(為簡潔起見，圖1中標(biāo)注為“SP”)，以分別控制流經(jīng)該組中間節(jié)點A和B的電流，其中，上述多組并行路徑中的一組并行路徑可以包括并行電連接的信號路徑(或子路徑)。例如，輸入級110 (特別地，混合電流控制電路)可以包括虛短電路114A中的至少一條子路徑(如一條或多條子路徑)，以及，可以包括偏置電路118A中的至少一條子路徑(如一條或多條子路徑)，以及，這些子路徑和/或它們的擴(kuò)展信號路徑(extended signal path)可以在該混合電流控制電路中并行連接。在另一示例中，輸入級110(特別地，混合電流控制電路)可以包括虛短電路114B中的至少一條子路徑(如一條或多條子路徑)，以及，可以包括偏置電路118B中的至少一條子路徑(如一條或多條子路徑)，以及，這些子路徑和/或它們的擴(kuò)展信號路徑可以在該混合電流控制電路內(nèi)并行連接。
[0025]根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，分別如圖2至圖7所示的實施例，上述多組并行路徑中的每一組可以包括第一開關(guān)單元和至少一個無源元件(passive component)設(shè)置在其上的第一路徑，以及，還可以包括第二開關(guān)單元設(shè)置在其上的第二路徑。此外，第一開關(guān)單元和第二開關(guān)單元可以分別被不同的控制信號控制。換言之，上述多組并行路徑中的每一組可以包括第一路徑和第二路徑，其中，第一路徑上設(shè)置有第一開關(guān)單元和至少一個無源元件，第二路徑上設(shè)置有第二開關(guān)單元。此外，輸入級110(特別地，混合電流控制電路)可以包括多個開關(guān)單元，這多個開關(guān)單元中的每一個設(shè)置在該多組并行路徑內(nèi)的路徑中，其中，該多個開關(guān)單元可以包括第一路徑上的第一開關(guān)單元和第二路徑上的第二開關(guān)單元。這僅用于描述目的，而不意味著對本發(fā)明的限制。
[0026]圖2根據(jù)本發(fā)明實施例示出了與如圖1所示的裝置100有關(guān)的一組箝位電路112A和112B。該組箝位電路112A和112B可以設(shè)置在電平轉(zhuǎn)換器中，且分別耦接于一組中間節(jié)點A和B，以及，可以分別用于箝位該組中間節(jié)點A和B的電壓電平。在圖2所示的架構(gòu)中，一些PMOSFET (如位于箝位電路112A和112B內(nèi)的這些PMOSFET)分別用于將相關(guān)節(jié)點(associated node)或端點選擇性地耦接至參考電壓電平V2。這僅用于描述目的，而不是對本發(fā)明的限制。根據(jù)一些實施例，這些開關(guān)元件的實現(xiàn)并不限于PMOSFET。根據(jù)一些實施例，MOSFET (如這些開關(guān)元件的任意一個MOSFET)的體偏置(body bias)的連接也并不受限于圖2所示的相應(yīng)連接。
[0027]圖3根據(jù)本發(fā)明實施例示出了與如圖1所示的裝置100有關(guān)的多組并行路徑的一些實現(xiàn)細(xì)節(jié)。如圖3所示，上述混合電流控制電路可以包括多個電容Cl和C2，該多個電容中的至少一個電容可以設(shè)置在本實施例中的第一路徑上且被用作本實施例中的上述至少一個無源元件。此外，該混合電流控制電路還可以包括多個電流源Il和12，以及，該多個電流源中的至少一個電流源可以設(shè)置在本實施例中的第二路徑上。此外，該混合電流控制電路還可以包括多個電阻Rl和R2，以及，該多個電阻中的至少一個電阻可以設(shè)置本實施例中的第二路徑上。進(jìn)一步地，該混合電流控制電路還可以包括其它的開關(guān)單元(如分別設(shè)置在該組虛短電路114A、114B和該組偏置電路118A和118B中的這些開關(guān)單元)，其中，這些開關(guān)單元(如開關(guān)單元M3、M4等等)也可以使用MOSFET (如NMOSFET)來實現(xiàn)，以及，開關(guān)單元M3和M4中的每一個的最上方所示的陰影部分可以表明，它們能夠被實現(xiàn)為具有大寄生電容的高電壓設(shè)備。
[0028]根據(jù)本實施例，多組并行路徑內(nèi)的第一組并行路徑可以用于對流經(jīng)該組中間節(jié)點A和B內(nèi)的其中一個中間節(jié)點(如中間節(jié)點A)的電流進(jìn)行控制，以及，多組并行路徑內(nèi)的第二組并行路徑可以用于對流經(jīng)該組中間節(jié)點A和B的另一個中間節(jié)點(如中間節(jié)點B)的電流進(jìn)行控制。例如，對于第一組并行路徑，上述第一路徑可以表現(xiàn)為流經(jīng)開關(guān)單元Ml和虛短電路114A的信號路徑，以及，上述第二路徑可以表現(xiàn)為流經(jīng)偏置電路118A的信號路徑，其中，上述至少一個無源元件可以表示為電容Cl，以及，第一開關(guān)單元(如開關(guān)單元Ml)和第二開關(guān)單元(如開關(guān)單元M3)可以分別被端子IN和INX上的不同的控制信號控制。在另一示例中，對于第二組并行路徑，上述第一路徑可以表現(xiàn)為流經(jīng)開關(guān)單元M2和虛短電路114B的信號路徑，以及，上述第二路徑可以表現(xiàn)為流經(jīng)偏置電路118B的信號路徑，其中，上述至少一個無源元件可以表示為電容C2，以及，第一開關(guān)單元(如開關(guān)單元M2)和第二開關(guān)單元(如開關(guān)單元M4)可以分別被端子INB和INBX上的不同的控制信號控制。
[0029]請注意，在圖3所示的架構(gòu)中，一些NMOSFET(如位于開關(guān)單元Ml、M2，虛短電路114A、114B和偏置電路118A、118B內(nèi)的這些)用于分別將相關(guān)節(jié)點或端子選擇性地耦接至參考電壓電平G1。這僅用于描述目的，而不意味著對本發(fā)明的限制。根據(jù)一些實施例，這些開關(guān)元件的實現(xiàn)并不受限于NMOSFET。根據(jù)一些實施例，MOSFET (如這些開關(guān)元件的任意一個)的體偏置的連接也不受限于圖3所示的相應(yīng)連接。
[0030]圖4根據(jù)本發(fā)明另一實施例示出了與圖1所示的裝置100有關(guān)的多組并行路徑的一些實現(xiàn)細(xì)節(jié)。與圖3所示的架構(gòu)相比，本實施例中可以移除電阻Rl和R2。換言之，混合電流控制電路可以包括多個電流源，該多個電流源中的至少一個電流源設(shè)置在第二路徑上。例如，電流源Il設(shè)置在流經(jīng)偏置電路118A的信號路徑(即，上述第一組并行路徑的第二路徑)上；電流源12設(shè)置在流經(jīng)偏置電路118B的信號路徑(S卩，上述第二組并行路徑的第二路徑)上。為了簡潔起見，對于本實施例的相似描述，此處不再詳細(xì)重復(fù)。
[0031]圖5根據(jù)本發(fā)明另一實施例示出了與圖1所示的裝置100有關(guān)的多組并行路徑的一些實現(xiàn)細(xì)節(jié)。與圖3所示的架構(gòu)相比，本實施例中可以移除電流源Il和12。換言之，混合電流控制電路可以包括多個電阻，該多個電阻中的至少一個電阻設(shè)置在第二路徑上。例如，電阻Rl設(shè)置在流經(jīng)偏置電路118A的信號路徑(即，上述第一組并行路徑的第二路徑)上；電阻R2設(shè)置在流經(jīng)偏置電路118B的信號路徑(即，上述第二組并行路徑的第二路徑)上。為了簡潔起見，對于本實施例的相似描述，此處不再詳細(xì)重復(fù)。
[0032]圖6根據(jù)本發(fā)明另一實施例示出了與圖1所示的裝置100有關(guān)的多組并行路徑的一些實現(xiàn)細(xì)節(jié)。與圖3所示的架構(gòu)相比，本實施例中可以移除電阻R1、R2和電流源11、12。為了簡潔起見，對于本實施例的相似描述，此處不再詳細(xì)重復(fù)。
[0033]圖7根據(jù)本發(fā)明另一實施例示出了與圖1所示的裝置100有關(guān)的多組并行路徑的一些實現(xiàn)細(xì)節(jié)。與圖3所示的架構(gòu)相比，本實施例中可以移除電阻R1、R2和電流源11、12。此外，偏置電路118A內(nèi)的開關(guān)單兀和偏置電路118B內(nèi)的開關(guān)單兀分別被改變?yōu)榫哂衅渌倪B接安排，以至于分別被輸入端IN上的輸入信號和輸入端INB上的輸入信號控制。請注意，在本實施例中，偏置電路118A內(nèi)的開關(guān)單兀和偏置電路118B內(nèi)的開關(guān)單兀為尚電壓設(shè)備是沒必要的。為簡潔起見，對于本實施例的類似描述，此處不再贅述。
[0034]根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，分別如圖2-6所示的實施例，第一路徑可以包括并行連接的兩個子路徑(在這些實施例的任意一個實施例中，如端子AA下方的子路徑或端子BB下方的子路徑)，以及，上述至少一個無源元件(如電容Cl或電容C2)可以設(shè)置在這兩個子路徑內(nèi)的其中一個子路徑上。此外，上述混合電流控制電路(特別地，虛短電路114A和/或114B)可以包括另一開關(guān)單元(如與電容Cl并行連接的開關(guān)單元，或者，與電容C2并行連接的開關(guān)單元，為方便描述，可以將該另一開關(guān)單元稱作第三開關(guān)單元)，該另一開關(guān)單元設(shè)置在這兩個子路徑內(nèi)的另一個子路徑上。例如，對于圖3至圖6所示實施例中的上述第一組并行路徑，第一開關(guān)單元(如開關(guān)單元Ml)可以被上述不同的控制信號中的第一控制信號(輸入端IN上的信號)控制，第二開關(guān)單元(如開關(guān)單元M3)可以被上述不同的控制信號中的第二控制信號(端子INX上的信號)控制，以及，該另一開關(guān)單元(如第三開關(guān)單元)可以被第一控制信號的反相信號控制。這僅用于描述目的，并不是對本發(fā)明的限制。根據(jù)本發(fā)明的另一些實施例，如圖7所示的實施例，第一路徑可以包括并行連接的兩個子路徑(在這些實施例的任一實施例中，如分別流經(jīng)虛短電路114A的元件的子路徑，或者，分別流經(jīng)虛短電路114B的元件的子路徑)。此外，上述至少一個無源元件(如電容Cl或電容C2)可以設(shè)置在這兩個子路徑的一個子路徑上，以及，第一開關(guān)單元(如，與電容Cl并行連接且設(shè)置在虛短電路114A內(nèi)的開關(guān)單元；或者，與電容C2并行連接且設(shè)置在虛短電路114B內(nèi)的開關(guān)單元)可以設(shè)置在這兩個子路徑內(nèi)的另一個子路徑上。此外，第二路徑和這兩個子路徑并行連接。例如，第一開關(guān)單元可以被上述不同的控制信號中的第一控制信號控制，以及，第二開關(guān)單元被上述不同的控制信號中的第二控制信號控制，其中，第一控制信號和第二控制信號內(nèi)的其中一個控制信號是該第一控制信號和該第二控制信號內(nèi)的另一個控制信號的反相信號。
[0035]圖8根據(jù)本發(fā)明實施例示出了與圖1所示的裝置100有關(guān)的一組電壓檢測模塊116A和116B。在本實施例中，上述第一開關(guān)單元(如開關(guān)單元Ml或開關(guān)單元M2)可以被上述不同的控制信號內(nèi)的第一控制信號控制，以及，上述第二開關(guān)單元(如開關(guān)單元M3或開關(guān)單元M4)可以被上述不同的控制信號內(nèi)的第二控制信號控制。例如，開關(guān)單元Ml可以被輸入端IN上的輸入信號控制，以及，開關(guān)單元M3可以被端子INX上的信號(如電壓檢測模塊116A的輸出)控制。在另一示例中，開關(guān)單元M2可以被輸入端INB上的輸入信號控制，以及，開關(guān)單元M4可以被端子INBX上的信號(如電壓檢測模塊116B的輸出)控制。
[0036]根據(jù)本實施例，輸入級110可以包括這一組電壓檢測模塊116A和116B，以及，該組電壓檢測模塊116A和116B內(nèi)的電壓檢測模塊可以耦接在上述第一開關(guān)單元和第二開關(guān)單元之間。此外，電壓檢測模塊(如電壓檢測模塊116A或電壓檢測模塊116B)可以用于檢測位于第一開關(guān)單元(如開關(guān)單元Ml或開關(guān)單元M2)和上述至少一個無源元件(如電容Cl或電容C2)之間的一節(jié)點(例如，用于電壓檢測模塊116A的檢測的端子AA，或者，用于電壓檢測模塊116B的檢測的端子BB)上的電壓電平，以根據(jù)該節(jié)點上(如端子AA或BB)的電壓電平產(chǎn)生第二控制信號。例如，電壓檢測模塊116A可以檢測位于開關(guān)單元Ml和電容Cl之間的端子AA上的電壓電平，以根據(jù)端子AA上的電壓電平產(chǎn)生控制信號INX。在另一示例中，電壓檢測模塊116B可以檢測位于開關(guān)單元M2和電容C2之間的端子BB上的電壓電平，以根據(jù)端子BB上的電壓電平產(chǎn)生控制信號INBX。
[0037]如圖8所示，電壓檢測模塊(如電壓檢測模塊116A或電壓檢測模塊116B)可以包括多個MOSFET (如，電壓檢測模塊116A內(nèi)的PMOSFET和NM0SFET，或者，電壓檢測模塊116B內(nèi)的PMOSFET和NMOSFET)，這些MOSFET中的至少一個耦接于上述節(jié)點(例如，端子AA或端子BB)，以檢測該節(jié)點上的電壓電平，以及，這些MOSFET可以分別用于執(zhí)行該電壓檢測模塊內(nèi)的開關(guān)控制操作。舉例來說，電壓檢測模塊116A中的MOSFET直接或間接地電連接至端子AA，以及，這些MOSFET中的至少一個MOSFET的開關(guān)操作可以響應(yīng)于該端子AA上的電壓電平控制。在另一示例中，電壓檢測模塊116B中的MOSFET直接或間接地電連接至端子BB,以及，這些MOSFET中的至少一個MOSFET的開關(guān)操作可以響應(yīng)于該端子BB上的電壓電平控制。此外，本實施例中，電壓檢測模塊(如電壓檢測模塊116A或電壓檢測模塊116B)還可以包括多個電流源(如電壓檢測模塊116A內(nèi)的電流源或電壓檢測模塊116B內(nèi)的電流源)，該多個電流源耦接于上述多個M0SFET，以及，這些電流源可以用于分別控制該電壓檢測模塊內(nèi)的多條路徑上的電流。在本實施例中，第二控制信號可以從位于多個MOSFET中的其中一個和多個電流源中的其中一個之間的節(jié)點(如端子INX或端子INBX)處獲得。
[0038]根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，分別如圖2至6所示的實施例，裝置100可以具有這一組電壓檢測模塊116A和116B。由于利用了這組電壓檢測模塊116A和116B，因此，在第二控制信號的控制下的第二開關(guān)單元的接通時間(turn-on time)可以小于在第一控制信號的控制下的第一開關(guān)單元的接通時間。例如，在第二控制信號的控制下的第二開關(guān)單元的接通時間可以被選擇性地抑制為O。這僅用于描述目的，而不意味著對本發(fā)明的限制。例如，該組電壓檢測模塊116A和116B可以被其它元件取代。
[0039]根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，分別如圖2至6所示的實施例，第一開關(guān)單元(如開關(guān)單元Ml或開關(guān)單元M2)可以被上述不同的控制信號內(nèi)的第一控制信號(如輸入端IN上的輸入信號，或者，輸入端INB上的輸入信號)控制，以及，第二開關(guān)單元(如開關(guān)單元M3或開關(guān)單元M4)可以被上述不同的控制信號內(nèi)的第二控制信號(如端子INX上的信號或端子INBX上的信號)控制。此外，在這些實施例中，輸入級110可以包括耦接于第二開關(guān)單元的控制信號產(chǎn)生器(control signal generator)，以及，該控制信號產(chǎn)生器可以用于通過將第一控制信號轉(zhuǎn)換(convert)為第二控制信號的方式來產(chǎn)生該第二控制信號。在一種示例中，控制信號產(chǎn)生器可以根據(jù)第一控制信號和中間節(jié)點(或端子AA、BB)上的電平來產(chǎn)生第二控制信號。例如，當(dāng)?shù)谝豢刂菩盘?為方便理解，如圖9中的信號IN)為高電平時，若端子AA上的電平達(dá)到第一閾值(具體實現(xiàn)中可以預(yù)先設(shè)定該第一閾值的大小)，則產(chǎn)生的第二控制信號(如圖9中的信號INX)為高電平；若端子AA上的電壓電平未達(dá)到該第一閾值，則產(chǎn)生的第二控制信號為低電平；以及，當(dāng)?shù)谝豢刂菩盘枮榈碗娖綍r，產(chǎn)生的第二控制信號為低電平。從而，在第一控制信號為高電平期間，若端子AA上的電壓始終未達(dá)到第一閾值，則第二控制信號在該期間對應(yīng)為低電平。在另一種示例中，控制信號產(chǎn)生器可以利用延遲單元和/或邏輯電路(如與、或門電路)對第一控制信號進(jìn)行延遲來產(chǎn)生第二控制信號。例如，控制信號產(chǎn)生器中的延遲單元對第一控制信號進(jìn)行延遲(延遲的時長可以根據(jù)需要進(jìn)行預(yù)先設(shè)定，本發(fā)明實施例對此不做限制)，從而獲得延遲信號；以及，控制信號產(chǎn)生器將第一控制信號與該延遲信號進(jìn)行邏輯操作(如與操作)，從而獲得第二控制信號。再例如，控制信號產(chǎn)生器可以通過延遲第一控制信號的上升沿時刻來獲得第二控制信號，其中，第二控制信號的下降沿時刻與第一控制信號的下降沿時刻保持相同。從而，在第一控制信號為高電平的期間，第二控制信號的高電平時長可以小于第一控制信號的高電平時長，如第一控制信號為高電平時，第二控制信號可以為低電平。應(yīng)當(dāng)說明的是，具體實現(xiàn)中，控制信號產(chǎn)生器根據(jù)第一控制信號產(chǎn)生上述第二控制信號的實現(xiàn)方式有很多種，本發(fā)明實施例對其具體實現(xiàn)方式不做任何限制。由于利用了被設(shè)計成用來替換如圖8所示的一組電壓檢測模塊116A和116B的控制信號產(chǎn)生器，因此，在第二控制信號的控制下的第二開關(guān)單元的接通時間可以小于在第一控制信號的控制下的第一開關(guān)單元的接通時間。例如，在第二控制信號的控制下的第二開關(guān)單元的接通時間可以被選擇性地抑制為O。
[0040]圖9根據(jù)本發(fā)明實施例示出了一種與圖1所示的裝置100有關(guān)的相關(guān)信號的時序圖，其中，這些信號使用相關(guān)端子或節(jié)點上的波形來描述，如輸入端IN和INB，端子AA和BB，中間節(jié)點A和B，以及端子INX和INBX，因此可以分別使用這些端子或節(jié)點的相同名稱來標(biāo)注。例如，輸入端IN和INB上的輸入信號以及端子AA和BB上的信號中的任意信號的低電平GND可以等效為一個參考電壓電平G1，以及，中間節(jié)點A和B上的信號中的任意信號的高電平和低電平可以等效為啟動電壓(boot voltage) VB00T(例如，該啟動電壓VB00T可以是圖1中所標(biāo)注的電壓V2)和該啟動電壓減2V( S卩，在本實施例中，(VB00T-2V)的電壓電平)。
[0041 ] 根據(jù)本實施例，在第二控制信號的控制下的第二開關(guān)單元(如開關(guān)單元M3或開關(guān)單元M4)的接通時間可以小于在第一控制信號的控制下的第一開關(guān)單元(如開關(guān)單元Ml或開關(guān)單元M2)的接通時間。舉例來說，在對應(yīng)于輸入端IN上的輸入信號的接通時間T_ΙΝ_0Ν(2)的期間，開關(guān)單元M3在端子INX上的控制信號的控制下的接通時間Τ_ΙΝΧ_0Ν(2)小于開關(guān)單元Ml在輸入端IN上的輸入信號的控制下的接通時間Τ_ΙΝ_0Ν(2)。另一示例中，在對應(yīng)于輸入端INB上的輸入信號的接通時間Τ_ΙΝΒ_0Ν(2)的期間，開關(guān)單元Μ4在端子INBX上的控制信號的控制下的接通時間Τ_ΙΝΒΧ_0Ν(2)小于開關(guān)單元M2在輸入端INB上的輸入信號的控制下的接通時間Τ_ΙΝΒ_0Ν(2)。此外，在第二控制信號的控制下的第二開關(guān)單元(如開關(guān)單元M3或開關(guān)單元M4)的接通時間可以被選擇性地抑制為O。舉例來說，在對應(yīng)于輸入端IN上的輸入信號的接通時間T_IN_0N(1)的期間，由于端子INX上的控制信號的電壓電平在該期間內(nèi)保持為其低電平，因此，開關(guān)單元M3在端子INX上的控制信號的控制下的接通時間被抑制為O。另一示例中，在對應(yīng)于輸入端INB上的輸入信號的接通時間T_INB_0N(3)的期間，由于端子INBX上的控制信號的電壓電平在該期間內(nèi)保持為其低電平，因此，開關(guān)單元M4在端子INBX上的控制信號的控制下的接通時間被抑制為O。
[0042]圖10根據(jù)本發(fā)明另一實施例示出了一種與圖1所示的裝置100有關(guān)的相關(guān)信號的時序圖，其中，這些信號使用相關(guān)端子或節(jié)點上的波形來描述，如輸入端IN和INB，端子AA和BB，中間節(jié)點A和B，以及端子INX和INBX，因此可以分別使用這些端子或節(jié)點的相同名稱來標(biāo)注。請注意，本實施例可以用于說明放電電流導(dǎo)通時間減小。與圖9所示的實施例相比，本實施例中，電容Cl和C2的電容值分別被增大，以更好地給啟動電壓VBOOT的靜態(tài)電流實現(xiàn)低轉(zhuǎn)換速率(slew rate)。因此，與圖9所示的波形相比，本實施例中，端子AA和BB上的波形的一些部分的斜率減小。因此，端子INX和INBX上的波形的一些部分相應(yīng)地改變。
[0043]根據(jù)本實施例，在第二控制信號的控制下的第二開關(guān)單元(如開關(guān)單元M3或開關(guān)單元M4)的接通時間可以小于在第一控制信號的控制下的第一開關(guān)單元(如開關(guān)單元Ml或開關(guān)單元M2)的接通時間。舉例來說，在對應(yīng)于輸入端IN上的輸入信號的接通時間T_ΙΝ_0Ν(2)的期間，開關(guān)單元M3在端子INX上的控制信號的控制下的接通時間Τ_ΙΝΧ_0Ν(2)小于開關(guān)單元Ml在輸入端IN上的輸入信號的控制下的接通時間Τ_ΙΝ_0Ν(2)。另一示例中，在對應(yīng)于輸入端INB上的輸入信號的接通時間Τ_ΙΝΒ_0Ν(2)的期間，開關(guān)單元Μ4在端子INBX上的控制信號的控制下的接通時間Τ_ΙΝΒΧ_0Ν(2)小于開關(guān)單元M2在輸入端INB上的輸入信號的控制下的接通時間Τ_ΙΝΒ_0Ν(2)。此外，在第二控制信號的控制下的第二開關(guān)單元(如開關(guān)單元M3或開關(guān)單元Μ4)的接通時間可以被選擇性地抑制為O。舉例來說，在對應(yīng)于輸入端IN上的輸入信號的接通時間Τ_ΙΝ_0Ν(1)的期間，由于端子INX上的控制信號的電壓電平在該期間內(nèi)保持為其低電平，因此，開關(guān)單元M3在端子INX上的控制信號的控制下的接通時間被抑制為O。另一示例中，在對應(yīng)于輸入端INB上的輸入信號的接通時間Τ_ΙΝΒ_0Ν⑴的期間，由于端子INBX上的控制信號的電壓電平在該期間內(nèi)保持為其低電平，因此，開關(guān)單元Μ4在端子INBX上的控制信號的控制下的接通時間被抑制為O。
[0044]根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，如圖7所示的實施例，多組并行路徑中的每一組可以包括第一開關(guān)單元設(shè)置在其上的第一路徑(例如，流經(jīng)與虛短電路114Α并行連接的開關(guān)單元且設(shè)置在偏置電路118Α內(nèi)的信號路徑，或者，流經(jīng)與虛短電路114Β并行連接的開關(guān)單元且設(shè)置在偏置電路118Β內(nèi)的信號路徑)，以及可以包括第二開關(guān)單元設(shè)置在其上的第二路徑(例如，流經(jīng)與電容Cl并行連接的開關(guān)單元且設(shè)置在虛短電路114Α內(nèi)的信號路徑，或者，流經(jīng)與電容C2并行連接的開關(guān)單元且設(shè)置在虛短電路114Β內(nèi)的信號路徑)，以及還可以包括至少一個無源元件設(shè)置在其上的第三路徑(例如，流經(jīng)電容Cl的信號路徑，或者，流經(jīng)電容C2的信號路徑)。此外，第一開關(guān)單元和第二開關(guān)單元可以分別被不同的控制信號控制。
[0045]根據(jù)一些實施例，上述至少一個輸入信號可以對應(yīng)于第一電源域(powerdomain)，以及，上述至少一個輸出信號可以對應(yīng)于第二電源域。此外，存在四個開關(guān)單元Ml, M2, M3和M4電氣連接至與第一電源域有關(guān)的相關(guān)信號。例如，這四個開關(guān)單元Ml，M2, M3和M4可以被實現(xiàn)為具有大寄生電容的高電壓設(shè)備。此外，裝置100可以包括至少一個電壓檢測器(如圖8中所示的一組電壓檢測模塊116A和116B)，以檢測端子AA和BB上的電壓電平，進(jìn)而控制偏置電路118A內(nèi)的相應(yīng)的信號路徑(例如，流經(jīng)電流源Il的子路徑和/或流經(jīng)電阻Rl的子路徑)的放電時間和偏置電路118B內(nèi)的相應(yīng)的信號路徑(例如，流經(jīng)電流源12的子路徑和/或流經(jīng)電阻R2的子路徑)的放電時間。為簡潔起見，至于本實施例的類似描述，此處不再贅述。
[0046]本發(fā)明裝置能夠在具有較少副作用的電平轉(zhuǎn)換期間提高操作速度，以及，能夠在具有更少設(shè)計工作量和較少副作用的電子設(shè)備中保證電平轉(zhuǎn)換器的性能，以及能夠提升電子設(shè)備的整體性能。例如，本發(fā)明裝置通過減小電平轉(zhuǎn)換電路中的偏置電流的占空比，能夠顯著減小啟動電壓的泄露。與傳統(tǒng)的電平轉(zhuǎn)換電路相比，直流偏置可以大大減小，且不會增大傳輸延遲。例如，傳輸延遲可以保持在I納秒左右。
[0047]在不脫離本發(fā)明的精神以及范圍內(nèi)，本發(fā)明可以其它特定格式呈現(xiàn)。所描述的實施例在所有方面僅用于說明的目的而并非用于限制本發(fā)明。本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所附的權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。本領(lǐng)域技術(shù)人員皆在不脫離本發(fā)明之精神以及范圍內(nèi)做些許更動與潤飾。
【主權(quán)項】
1.一種用于在電子設(shè)備中進(jìn)行電平轉(zhuǎn)換控制的裝置，該裝置包括該電子設(shè)備的至少一部分，其特征在于，該裝置包括:輸入級和輸出級， 該輸入級，設(shè)置在該電子設(shè)備的電平轉(zhuǎn)換器中，用于通過該輸入級的至少一個輸入端接收該電平轉(zhuǎn)換器的至少一個輸入信號，以及，根據(jù)該至少一個輸入信號控制一組中間節(jié)點的電壓電平，其中，該輸入級包括: 混合電流控制電路，耦接于該至少一個輸入端，用于為該輸入級執(zhí)行電流控制；其中，該混合電流控制電路具有多組并行路徑，分別用于對流經(jīng)該組中間節(jié)點的電流進(jìn)行控制，該多組并行路徑中的每一組包括第一路徑和第二路徑，該第一路徑上設(shè)有第一開關(guān)單元和至少一個無源元件，該第二路徑上設(shè)有第二開關(guān)單元，以及，該第一開關(guān)單元和該第二開關(guān)單元分別被不同的控制信號控制； 該輸出級，設(shè)置在該電平轉(zhuǎn)換器中且通過該組中間節(jié)點耦接于該輸入級，用于通過該輸出級的至少一個輸出端驅(qū)動該電平轉(zhuǎn)換器的至少一個輸出信號，以及根據(jù)該組中間節(jié)點的電壓電平控制該至少一個輸出端的至少一個電壓電平。2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，該輸入級還包括: 一組開關(guān)單元，耦接于該至少一個輸入端，用于響應(yīng)該至少一個輸入信號來控制該組中間節(jié)點的電壓電平；其中，根據(jù)該至少一個輸入信號，該組開關(guān)單元中的開關(guān)單元將該組中間節(jié)點中的其中一個選擇性地耦接至提供給該電平轉(zhuǎn)換器的預(yù)定電壓電平。3.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，該至少一個輸入端包括第一輸入端和第二輸入端，以及，該裝置還包括: 反相器，設(shè)置在該電平轉(zhuǎn)換器中且耦接在該第一輸入端和該第二輸入端之間，用于對該至少一個輸入信號進(jìn)行反相，以產(chǎn)生反相信號；其中，該第一輸入端用于接收該至少一個輸入信號，以及，該第二輸入端用于接收該反相信號。4.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，該混合電流控制電路包括: 多個開關(guān)單元，該多個開關(guān)單元中的每一個設(shè)置在該多組并行路徑內(nèi)的相應(yīng)路徑上，其中，該多個開關(guān)單元包括在該第一路徑上的該第一開關(guān)單元和在該第二路徑上的該第二開關(guān)單元。5.如權(quán)利要求4所述的裝置，其特征在于，該混合電流控制電路包括: 多個電容，該多個電容中的至少一個電容設(shè)置在該第一路徑上，且被用作該至少一個無源元件。6.如權(quán)利要求4所述的裝置，其特征在于，該混合電流控制電路包括: 多個電流源，該多個電流源中的至少一個電流源設(shè)置在該第二路徑上；或者 多個電阻，該多個電阻中的至少一個電阻設(shè)置在該第二路徑上。7.如權(quán)利要求4所述的裝置，其特征在于，該混合電流控制電路包括: 多個電流源，該多個電流源中的至少一個電流源設(shè)置在該第二路徑上；以及 多個電阻，該多個電阻中的至少一個電阻設(shè)置在該第二路徑上。8.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，該多組并行路徑中的第一組并行路徑用于對流經(jīng)該組中間節(jié)點中的其中一個的電流進(jìn)行控制，以及，該多組并行路徑中的第二組并行路徑用于對流經(jīng)該組中間節(jié)點中的另一個的電流進(jìn)行控制。9.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，該裝置還包括: 一組箝位電路，設(shè)置在該電平轉(zhuǎn)換器中，且分別耦接于該組中間節(jié)點，用于分別箝位該組中間節(jié)點的電壓電平。10.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，該第一開關(guān)單元被該不同的控制信號中的第一控制信號控制，以及，該第二開關(guān)單元被該不同的控制信號中的第二控制信號控制；以及，該輸入級包括: 電壓檢測模塊，耦接在該第一開關(guān)單元和該第二開關(guān)單元之間，用于檢測該第一開關(guān)單元和該至少一個無源元件之間的節(jié)點上的電壓電平，以根據(jù)該節(jié)點上的電壓電平產(chǎn)生該第二控制信號。11.如權(quán)利要求10所述的裝置，其特征在于，該電壓檢測模塊包括: 多個MOSFET，該多個MOSFET中的至少一個耦接于該節(jié)點，以檢測該節(jié)點上的電壓電平，分別用于執(zhí)行該電壓檢測模塊內(nèi)的開關(guān)控制操作；以及 多個電流源，耦接于該多個M0SFET，用于分別控制該電壓檢測模塊內(nèi)的多條路徑上的電流；其中，該第二控制信號從位于該多個MOSFET中的其中一個和該多個電流源中的其中一個之間的節(jié)點處獲得。12.如權(quán)利要求10所述的裝置，其特征在于，在該第二控制信號的控制下的該第二開關(guān)單元的接通時間小于在該第一控制信號的控制下的該第一開關(guān)單元的接通時間。13.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，該第一開關(guān)單元被該不同的控制信號中的第一控制信號控制，以及，該第二開關(guān)單元被該不同的控制信號中的第二控制信號控制，以及，該輸入級包括: 控制信號產(chǎn)生器，耦接于該第二開關(guān)單元，用于通過將該第一控制信號轉(zhuǎn)換為該第二控制信號的方式來產(chǎn)生該第二控制信號；其中，在該第二控制信號的控制下的該第二開關(guān)單元的接通時間小于在該第一控制信號的控制下的該第一開關(guān)單元的接通時間。14.如權(quán)利要求12或13所述的裝置，其特征在于，在該第二控制信號的控制下的該第二開關(guān)單元的接通時間被選擇性地抑制為O。15.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，該第一路徑包括并行連接的兩個子路徑，以及，該至少一個無源元件設(shè)置在該兩個子路徑的其中一個子路徑上；以及，該混合電流控制電路包括: 另一開關(guān)單元，設(shè)置在該兩個子路徑的另一個子路徑上。16.如權(quán)利要求15所述的裝置，其特征在于，該第一開關(guān)單元被該不同的控制信號中的第一控制信號控制，該第二開關(guān)單元被該不同的控制信號中的第二控制信號控制，以及，第三開關(guān)單元被該第一控制信號的反相信號控制。17.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，該第一路徑包括并行連接的兩個子路徑，以及，該至少一個無源元件設(shè)置在該兩個子路徑內(nèi)的其中一個子路徑上；以及，該第一開關(guān)單元設(shè)置在該兩個子路徑內(nèi)的另一個子路徑上，以及，該第二路徑和該兩個子路徑并行連接。18.如權(quán)利要求17所述的裝置，其特征在于，該第一開關(guān)單元被該不同的控制信號中的第一控制信號控制，該第二開關(guān)單元被該不同的控制信號中的第二控制信號控制；以及，該第一控制信號和該第二控制信號中的其中一個控制信號為該第一控制信號和該第二控制信號中的另一個控制信號的反相信號。
【文檔編號】H03K19/0185GK105978549SQ201510784363
【公開日】2016年9月28日
【申請日】2015年11月16日
【發(fā)明人】龔能輝
【申請人】聯(lián)發(fā)科技股份有限公司