一種復合導電膜及其制備方法和應用
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種復合導電膜及其制備方法和應用。該復合導電膜依次包括一打底層、一鋪墊層、一導電層、一抗氧化層和一保護層；其中，打底層為一氧化硅膜層，厚度為10?20nm；鋪墊層為氧化鋅膜層、鈦膜層或鎳鉻合金膜層；導電層為導電金屬膜層，厚度為5?15nm；抗氧化層為抗氧化材料膜層，厚度為1?5nm。該復合導電膜可通過常規(guī)鍍膜法制得，應用于視頻眼鏡顯示屏中。本發(fā)明的復合導電膜通過特定選擇膜層材質(zhì)及各膜層的厚度實現(xiàn)了良好的導電性、增透效果和防氧化效果，并且制備方法簡便、生產(chǎn)效率高、鍍膜成品率高。
【專利說明】
一種復合導電膜及其制備方法和應用
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明涉及一種復合導電膜及其制備方法和應用。
【背景技術(shù)】
[0002] 視頻眼鏡起源于軍事，美國和以色列在視頻眼鏡的技術(shù)和軍事應用上都是最強 的，同時作為精密制造的日本，在視頻眼鏡的技術(shù)上和商業(yè)應用上也走在世界先進行列。此 外，韓國的視頻眼鏡發(fā)展也很好。歐盟，尤其是西歐，在視頻眼鏡技術(shù)上大有后來追上的勢 頭，其在0LED超微顯示屏和3G應用上搶先一步，但在游戲應用上，美國還是走在最前列的。 作為制造大國的中國，在視頻眼鏡的生產(chǎn)成本上具有得天獨厚的優(yōu)勢，同時又可避免其它 行業(yè)只重視生產(chǎn)仿制而不重視研發(fā)的弊端。因此，中國在視頻眼鏡的研發(fā)上正處于崛起之 勢，這其中尤以愛視代、億思達、富瑞豐科技、長虹為代表。憑借優(yōu)厚的生產(chǎn)優(yōu)勢，加上雄厚 而相對低成本的技術(shù)和研發(fā)人才，以及國內(nèi)完善的電子產(chǎn)業(yè)鏈和崛起的風險投資，中國很 快將和美國、以色列、日本并駕齊驅(qū)甚至趕超。世界上率先研發(fā)應用P-0LED的是愛視代電 子，世界上最先推出眼鏡電視的是億思達，同時國內(nèi)也已經(jīng)研發(fā)出自己的0LED微型顯示器。 深圳富瑞豐科技2009最新推出的國內(nèi)首款Free-News視頻眼鏡，采用自主研發(fā)的自由曲面 光學系統(tǒng)，其核心技術(shù)已取得國家發(fā)明專利，標志著中國在視頻眼鏡核心技術(shù)上取得又一 重大突破，以前這種技術(shù)只是掌握在日本等極少數(shù)發(fā)達國家。中國必將成為最大的視頻眼 鏡生產(chǎn)國、視頻眼鏡研發(fā)中心之一、創(chuàng)新應用最快、最大的視頻眼鏡消費國。
[0003] 目前，視頻眼鏡所處的階段和地位猶如當初大哥大手機一般，未來在3C融合大發(fā) 展的情況下其必將獲得非常迅猛的發(fā)展。隨著使用要求的提高，高清晰、超便攜、超精巧、完 全融合入機器本身（或者說視頻眼鏡完全具有3C功能）是必然的發(fā)展階段。另外，針對不同 需求，應用視頻眼鏡的分化發(fā)展也將更突出、更專業(yè)化。視頻眼鏡的未來發(fā)展將如手機一 樣，對比20年前的手機及現(xiàn)在的手機便可窺見其發(fā)展勢頭。
[0004] 然而，目前視頻眼鏡在應用上尚存在一些不足。視頻眼鏡的鏡片與眼睛之間間距 較短并且形成密封空間，皮膚和眼睛等部位流出的汗水與水汽容易在眼睛與鏡片之間形成 霧氣粘附在鏡片上，對視頻眼鏡的整體效果造成一定影響。傳統(tǒng)的防霧鏡片主要采取三個 方式來實現(xiàn):①在鏡片表面鍍防霧膜來防止鏡片表面結(jié)霧;②在鏡片表面鍍制ΙΤ0導電膜， 并通過電熱模式進行防霧;③在鏡片表面鑲嵌細小金屬絲進行電熱防霧。
[0005] 但是，上述三種方式均存在一定缺陷，不能很好地滿足實際應用需求。方式①中， 防霧膜的主要原理是通過鍍制一層超親水的膜層，讓鏡片上的水汽不結(jié)為水珠，而是呈鋪 開的形狀，以消除水汽對視覺的影響，其并不是防止鏡片表面吸引水汽。短時間內(nèi)佩戴視頻 眼鏡時，該防霧膜確實可防止水汽因在鏡片上的結(jié)霧對視覺造成影響，但是長時間佩戴視 頻眼鏡時，盡管防霧膜上能夠鋪平水汽，但是積累到一定程度后，鏡片表面累積的水汽層會 變厚，有水汽層的鏡片就會對視覺產(chǎn)生影響，并且由于鏡片上的水汽很難清除，累積的水汽 (包括汗液)容易對視頻眼鏡的其他電子部件造成侵蝕。而且該方式的防霧膜主要采取蒸發(fā) 鍍膜、浸泡等工藝，工序多而復雜，良率較低。
[0006] 方式②中，ΙΤ0導電膜由于膜層電阻較高，需在導電膜兩端加較高電壓才能產(chǎn)生合 適的熱量來防霧。而視頻眼鏡應用時是佩戴在眼睛上的，從安全角度考慮，不適合添加高壓 電源。同時，由于視頻眼鏡本身體積較小，也無法配置高功率電源供給防霧鏡片。因此，方式 ②根本無法應用于視頻眼鏡領(lǐng)域。
[0007] 方式③中，由于視頻眼鏡對鏡片的透光性能有較高要求，通過添加金屬絲進行加 熱來防霧會影響鏡片的光學透過性，而且也會影響成像效果。因此，方式③根本無法應用于 視頻眼鏡領(lǐng)域。
[0008] 綜上，研發(fā)一種適合用于視頻眼鏡，且可實現(xiàn)良好防霧效果的導電膜就成了本領(lǐng) 域的重要課題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009] 本發(fā)明所解決的技術(shù)問題在于克服現(xiàn)有的防霧鏡片和防霧方式存在長時間防霧 效果差，或者不適合用于視頻眼鏡的缺陷，提供了一種復合導電膜及其制備方法和應用。本 發(fā)明的復合導電膜通過特定選擇膜層材質(zhì)及各膜層的厚度實現(xiàn)了良好的導電性、增透效果 和防氧化效果，并且制備方法簡便、生產(chǎn)效率高、鍍膜成品率高。本發(fā)明可在樹脂基片表面 鍍制復合導電膜，通過在覆有導電復合膜的基片兩端設置正負電極，接通低壓電源，以薄膜 發(fā)熱的方式來防止水汽結(jié)霧。
[0010] 本發(fā)明通過以下技術(shù)方案來解決上述技術(shù)問題。
[0011] 本發(fā)明提供了一種復合導電膜，所述復合導電膜依次包括一打底層、一鋪墊層、一 導電層、一抗氧化層和一保護層；
[0012] 所述打底層為一氧化硅(SiO)膜層，所述打底層的厚度為10-20nm;
[0013] 所述鋪墊層為氧化鋅(ZnO)膜層、鈦(Ti)膜層或鎳鉻(Ni-Cr)合金膜層；
[0014] 所述導電層為導電金屬膜層，所述導電層的厚度為5-15nm;
[0015] 所述抗氧化層為抗氧化材料膜層，所述抗氧化層的厚度為l_5nm。
[0016] 其中，所述打底層用于為導電層提供物理保護作用。所述打底層的厚度較佳地為 l〇-15nm〇
[0017] 其中，所述鋪墊層用于為導電層在鋪墊層上的附著提供較強的附著力。其中，所述 氧化鋅、鈦或鎳鉻合金為本領(lǐng)常規(guī)使用的氧化鋅、鈦或鎳鉻合金。較佳地，所述鋪墊層為氧 化鋅膜層。所述鋪墊層的厚度本領(lǐng)域技術(shù)人員可根據(jù)本發(fā)明實際及公知常識進行選擇，所 述鋪墊層的厚度較佳地為10-50nm，更佳地為25-30nm〇
[0018] 其中，所述導電層是指用于提供導電的功能層。其中，所述導電金屬為本領(lǐng)域常規(guī) 使用的導電金屬，較佳地為銀(Ag)、銅(Cu)或金(Au)，更佳地為銀。所述導電層的厚度較佳 地為 5-10nm。
[0019] 其中，所述抗氧化層是指用于保護導電層不被氧化的功能層。其中，所述抗氧化材 料為本領(lǐng)域常規(guī)使用的抗氧化材料，所述抗氧化材料較佳地為鈦(Ti)或鎳鉻(Ni-Cr)合金， 所述鎳鉻合金中鎳鉻的質(zhì)量比為80:20;所述抗氧化材料更佳地為鈦。所述抗氧化層的厚度 較佳地為l_3nm〇
[0020] 其中，所述保護層作為整個復合導電膜的保護層兼抗氧化層，用于保護導電層不 被氧化同時用于避免抗氧化層的刮擦。所述保護層的材質(zhì)和厚度本領(lǐng)域技術(shù)人員可根據(jù)公 知常識進行選擇;所述保護層較佳地為氮化硅(Si3N4)膜層、氧化鈦(Ti02)膜層或二氧化硅 (Si02)膜層，更佳地為氮化硅膜層；所述保護層的厚度較佳地為40-150nm，更佳地為55-70nm〇
[0021] 本發(fā)明還提供了上述復合導電膜的制備方法，所述制備方法包括如下步驟:按照 本領(lǐng)域常規(guī)的鍍膜法依次鍍覆一所述打底層、一所述鋪墊層、一所述導電層、一所述抗氧化 層和一所述保護層。其中，所述鍍膜法舉例如磁控濺射鍍膜法、脈沖激光沉積法、化學氣相 沉積法等，較佳地為磁控濺射鍍膜法。
[0022] 其中，所述打底層的鍍覆本領(lǐng)域技術(shù)人員均知曉可在基片上鍍覆，所述基片可選 擇本領(lǐng)域中常規(guī)用作基片的各種材質(zhì)，例如樹脂基片、玻璃基片，只要其能夠作為附著膜層 的載體即可。所述基片在鍍膜前一般進行清洗處理，所述清洗可按照本領(lǐng)域常規(guī)方法進行， 較佳地用等離子清洗。
[0023] 其中，所述打底層的鍍覆可按照本領(lǐng)域常規(guī)鍍覆SiO的工藝條件和參數(shù)進行，較佳 地按照本領(lǐng)域磁控濺射鍍膜法鍍覆SiO的常規(guī)工藝條件和參數(shù)進行。所述磁控濺射鍍膜法 鍍覆SiO-般在磁控濺射鍍膜機中進行，用純Si靶通入氧氣和惰性氣體進行反應濺射鍍膜 而成。較佳地，所述磁控派射鍍膜法鍍覆SiO可按照如下步驟進行：通入600sccm的氬氣和 50〇 SCCm的氧氣，使用1-2個純Si靶陰極進行濺射鍍膜而成。其中，所述氬氣和所述氧氣是指 純凈的氬氣和氧氣，純度在99.99 %左右。
[0024]其中，所述鋪墊層的鍍覆可按照本領(lǐng)域常規(guī)鍍覆ZnO、Ti或Ni-Cr合金的工藝條件 和參數(shù)進行，較佳地按照本領(lǐng)域磁控濺射鍍膜法鍍覆ZnO、Ti或Ni-Cr合金的常規(guī)工藝條件 和參數(shù)進行。所述磁控濺射鍍膜一般在磁控濺射鍍膜機中進行。以ZnO為例，一般用純Zn靶 通入氧氣和惰性氣體進行反應派射鍍膜而成，較佳地可按照如下步驟進行:通入250sccm的 氬氣和SOOsccm的氧氣，使用1-2個純Zn靶陰極進行濺射鍍膜而成。其中，所述氬氣和所述氧 氣是指純凈的氬氣和氧氣，純度在99.99 %左右。
[0025] 其中，所述導電層的鍍覆可根據(jù)具體選擇的導電金屬材質(zhì)按照本領(lǐng)域常規(guī)鍍膜法 的工藝條件和參數(shù)進行鍍覆，較佳地按照本領(lǐng)域磁控濺射鍍膜法的常規(guī)工藝條件和參數(shù)進 行鍍覆。所述磁控濺射鍍膜一般在磁控濺射鍍膜機中進行，通過通入惰性氣體進行反應濺 射鍍膜而成。例如，所述導電金屬為Ag時，一般用純Ag靶通入惰性氣體進行反應濺射鍍膜而 成，較佳地可按照如下步驟進行:通入600s CCm的氬氣，使用1個純Ag靶陰極進行濺射鍍膜而 成。其中，所述氬氣是指純凈的氬氣，純度在99.99%左右。
[0026] 其中，所述抗氧化層的鍍覆可根據(jù)具體選擇的抗氧化材料按照本領(lǐng)域常規(guī)鍍膜法 的工藝條件和參數(shù)進行鍍覆，較佳地按照本領(lǐng)域磁控濺射鍍膜法的常規(guī)工藝條件和參數(shù)進 行鍍覆。所述磁控濺射鍍膜一般在磁控濺射鍍膜機中進行，通過通入惰性氣體進行反應濺 射鍍膜而成。例如，所述抗氧化材料為Ti時，一般用純Ti靶通入惰性氣體進行反應濺射鍍膜 而成，較佳地可按照如下步驟進行:通入600s CCm的氬氣，使用1個純Ti靶陰極進行濺射鍍膜 而成。其中，所述氬氣是指純凈的氬氣，純度在99.99%左右。
[0027] 其中，所述保護層的鍍覆可根據(jù)具體選擇的保護層材質(zhì)按照本領(lǐng)域常規(guī)鍍膜法的 工藝條件和參數(shù)進行鍍覆，較佳地按照本領(lǐng)域磁控濺射鍍膜法的常規(guī)工藝條件和參數(shù)進行 鍍覆。所述磁控濺射鍍膜一般在磁控濺射鍍膜機中進行，通過通入惰性氣體進行反應濺射 鍍膜而成。例如，所述保護層為氮化硅(Si 3N4)膜層時，一般為用純Si靶通入氮氣和惰性氣體 進行反應派射鍍膜而成，較佳地可按照如下步驟進行:通入500sccm的氬氣和800sccm的氮 氣，使用2-4個純Si靶陰極進行濺射鍍膜而成。其中，所述氬氣和氮氣是指純凈的氬氣和氮 氣，純度在99.99 %左右。
[0028]本發(fā)明還提供了上述復合導電膜在視頻眼鏡顯示屏中的應用。
[0029] 在符合本領(lǐng)域常識的基礎上，上述各優(yōu)選條件，可任意組合，即得本發(fā)明各較佳實 例。
[0030] 本發(fā)明所用試劑和原料均市售可得。
[0031] 本發(fā)明的積極進步效果在于：
[0032] (1)本發(fā)明的復合導電膜電阻低、導電性高，且增透效果好。本發(fā)明的復合導電膜 通過特定選擇導電層和抗氧化層的厚度配合其它膜層，實現(xiàn)了良好的導電性和減反射效 果，使得薄膜的整體電阻較低，在實際使用過程中使用較低電壓即可滿足防霧要求（電壓< 12V)，并且還彌補了金屬銀對可見光的衰減，使得透光性有所提升。
[0033] (2)本發(fā)明的復合導電膜表面硬度高、耐摩擦性強。本發(fā)明的復合導電膜設置有表 面保護層，使得導電膜具有良好的機械性，進一步，選擇氮化硅作為保護層后，復合導電膜 的表面硬度可達到7H。
[0034] (3)本發(fā)明導電復合膜的制備方法簡便，生產(chǎn)成本低，鍍膜成品率和產(chǎn)量高。本發(fā) 明采取水平式磁控濺射的方式進行鍍膜，在真空腔室內(nèi)部一體成膜，無人工接觸，鍍膜穩(wěn) 定，成品率高;且可以大批量、大尺寸進行鍍膜，產(chǎn)量較高，適合工業(yè)化生產(chǎn)；而且導電層厚 度僅約5-8nm，金屬用料較少，總體成本較低。
【附圖說明】
[0035] 圖1為本發(fā)明復合導電膜的截面結(jié)構(gòu)示意圖，其中1為打底層，2為鋪墊層，3為導電 層，4為抗氧化層，5為保護層。
【具體實施方式】
[0036] 下面通過實施例的方式進一步說明本發(fā)明，但并不因此將本發(fā)明限制在所述的實 施例范圍之中。下列實施例中未注明具體條件的實驗方法，按照常規(guī)方法和條件，或按照商 品說明書選擇。
[0037] 實施例1
[0038] -種復合導電膜，其截面結(jié)構(gòu)示意圖如圖1所示，該復合導電膜自下而上依次包括 一打底層1、一鋪墊層2、一導電層3、一抗氧化層4和一保護層5;其中，打底層為SiO膜層，膜 層厚度為1 〇nm;鋪墊層為ZnO膜層，膜層厚度為27. lnm;導電層為Ag膜層，膜層厚度為6nm;抗 氧化層為Ti膜層，膜層厚度為lnm;保護層為Si3N4膜層，膜層厚度為49.9nm。
[0039] 該復合導電膜由如下步驟制備：
[0040] (1)將PMMA/PC樹脂基片用等離子清洗后，置于磁控濺射鍍膜機中，用純Si靶通入 氧氣和惰性氣體進行反應濺射，在PMMA/PC復合樹脂基片上鍍覆SiO膜層，具體工藝為:通入 600sccm純度為99.99 %的氬氣和500sccm純度為99.99 %的氧氣，使用1個純Si靶陰極進行 濺射鍍膜而成；
[0041] (2)用純Zn靶通入氧氣和惰性氣體進行反應濺射，在SiO膜層上鍍覆ZnO膜層，具體 工藝為：通入250sccm純度為99.99 %的氬氣和800sccm純度為99.99 %的氧氣，使用2個純Zn 靶陰極進行濺射鍍膜而成；
[0042] (3)用純Ag靶通入惰性氣體進行反應濺射，在ZnO膜層上鍍覆Ag膜層，具體工藝為： 通入600sccm純度為99.99%的氬氣，使用1個純Ag祀陰極進行派射鍍膜而成；
[0043] (4)用純Ti靶通入惰性氣體進行反應濺射，在Ag膜層上鍍覆Ti膜層，具體工藝為： 通入600sccm純度為99.99%的氬氣，使用1個純11祀陰極進行派射鍍膜而成 ；
[0044] (5)用純Si靶通入氮氣和惰性氣體進行反應濺射，在Ti膜層上鍍覆Si3N 4膜層，具體 工藝為:通入500sccm純度為99.99 %的氬氣和800sccm純度為99.99 %的氮氣，使用2個純Si 靶陰極進行濺射鍍膜而成。
[0045] 實施例2
[0046] -種復合導電膜，其截面結(jié)構(gòu)示意圖如圖1所示，該復合導電膜自下而上依次包括 一打底層1、一鋪墊層2、一導電層3、一抗氧化層4和一保護層5;其中，打底層為SiO膜層，膜 層厚度為12.3nm;鋪墊層為ZnO膜層，膜層厚度為25.6nm;導電層為Ag膜層，膜層厚度為5nm; 抗氧化層為Ti膜層，膜層厚度為lnm;保護層為Si 3N4膜層，膜層厚度為67.7nm。
[0047] 該復合導電膜由如下步驟制備：
[0048] (1)將PMMA/PC樹脂基片用等離子清洗后，置于磁控濺射鍍膜機中，用純Si靶通入 氧氣和惰性氣體進行反應濺射，在PMMA/PC復合樹脂基片上鍍覆SiO膜層，具體工藝為:通入 600sccm純度為99.99 %的氬氣和500sccm純度為99.99 %的氧氣，使用2個純Si靶陰極進行 濺射鍍膜而成；
[0049] (2)用純Zn靶通入氧氣和惰性氣體進行反應濺射，在SiO膜層上鍍覆ZnO膜層，具體 工藝為：通入250sccm純度為99.99 %的氬氣和800sccm純度為99.99 %的氧氣，使用2個純Zn 靶陰極進行濺射鍍膜而成；
[0050] (3)用純Ag靶通入惰性氣體進行反應濺射，在ZnO膜層上鍍覆Ag膜層，具體工藝為： 通入600sccm純度為99.99%的氬氣，使用1個純Ag祀陰極進行派射鍍膜而成；
[0051 ] (4)用純Ti靶通入惰性氣體進行反應濺射，在Ag膜層上鍍覆Ti膜層，具體工藝為： 通入600sccm純度為99.99%的氬氣，使用1個純11祀陰極進行派射鍍膜而成；
[0052] (5)用純Si靶通入氮氣和惰性氣體進行反應濺射，在Ti膜層上鍍覆Si3N 4膜層，具體 工藝為:通入500sccm純度為99.99%的氬氣和800sccm純度為99.99 %的氮氣，使用4個純Si 靶陰極進行濺射鍍膜而成。
[0053] 實施例3
[0054] -種復合導電膜，其截面結(jié)構(gòu)示意圖如圖1所示，該復合導電膜自下而上依次包括 一打底層1、一鋪墊層2、一導電層3、一抗氧化層4和一保護層5;其中，打底層為SiO膜層，膜 層厚度為12nm;鋪墊層為ZnO膜層，膜層厚度為27.1nm;導電層為Ag膜層，膜層厚度為10nm; 抗氧化層為Ti膜層，膜層厚度為3nm;保護層為Si3N4膜層，膜層厚度為57.8nm。
[0055] 該復合導電膜由如下步驟制備：
[0056] (1)將PMMA/PC樹脂基片用等離子清洗后，置于磁控濺射鍍膜機中，用純Si靶通入 氧氣和惰性氣體進行反應濺射，在PMMA/PC復合樹脂基片上鍍覆SiO膜層，具體工藝為:通入 600sccm純度為99.99 %的氬氣和500sccm純度為99.99 %的氧氣，使用2個純Si靶陰極進行 濺射鍍膜而成；
[0057] (2)用純Zn靶通入氧氣和惰性氣體進行反應濺射，在SiO膜層上鍍覆ZnO膜層，具體 工藝為：通入250sccm純度為99.99 %的氬氣和800sccm純度為99.99 %的氧氣，使用2個純Zn 靶陰極進行濺射鍍膜而成；
[0058] (3)用純Ag靶通入惰性氣體進行反應濺射，在ZnO膜層上鍍覆Ag膜層，具體工藝為： 通入600sccm純度為99.99%的氬氣，使用1個純Ag祀陰極進行派射鍍膜而成；
[0059] (4)用純Ti靶通入惰性氣體進行反應濺射，在Ag膜層上鍍覆Ti膜層，具體工藝為： 通入600sccm純度為99.99%的氬氣，使用1個純11祀陰極進行派射鍍膜而成；
[0060] (5)用純Si靶通入氮氣和惰性氣體進行反應濺射，在Ti膜層上鍍覆Si3N 4膜層，具體 工藝為:通入500sccm純度為99.99 %的氬氣和800sccm純度為99.99 %的氮氣，使用3個純Si 靶陰極進行濺射鍍膜而成。
[0061 ] 實施例4
[0062] -種復合導電膜，其截面結(jié)構(gòu)示意圖如圖1所示，該復合導電膜自下而上依次包括 一打底層1、一鋪墊層2、一導電層3、一抗氧化層4和一保護層5;其中，打底層為SiO膜層，膜 層厚度為15nm;鋪墊層為ZnO膜層，膜層厚度為30nm;導電層為Ag膜層，膜層厚度為8nm;抗氧 化層為Ti膜層，膜層厚度為2nm;保護層為Si 3N4膜層，膜層厚度為70nm。
[0063] 該復合導電膜由如下步驟制備：
[0064] (1)將PMMA復合樹脂基片用等離子清洗后，置于磁控濺射鍍膜機中，用純Si靶通入 氧氣和惰性氣體進行反應濺射，在PMMA復合樹脂基片上鍍覆SiO膜層，具體工藝為：通入 600sccm純度為99.99 %的氬氣和500sccm純度為99.99 %的氧氣，使用1個純Si靶陰極進行 濺射鍍膜而成；
[0065] (2)用純Zn靶通入氧氣和惰性氣體進行反應濺射，在SiO膜層上鍍覆ZnO膜層，具體 工藝為：通入250sccm純度為99.99%的氬氣和800sccm純度為99.99 %的氧氣，使用1個純Zn 靶陰極進行濺射鍍膜而成；
[0066] (3)用純Ag靶通入惰性氣體進行反應濺射，在ZnO膜層上鍍覆Ag膜層，具體工藝為： 通入600sccm純度為99.99%的氬氣，使用1個純Ag祀陰極進行派射鍍膜而成；
[0067] (4)用純Ti靶通入惰性氣體進行反應濺射，在Ag膜層上鍍覆Ti膜層，具體工藝為： 通入600sccm純度為99.99%的氬氣，使用1個純11祀陰極進行派射鍍膜而成；
[0068] (5)用純Si靶通入氮氣和惰性氣體進行反應濺射，在Ti膜層上鍍覆Si3N 4膜層，具體 工藝為:通入500sccm純度為99.99 %的氬氣和800sccm純度為99.99 %的氮氣，使用2個純Si 靶陰極進行濺射鍍膜而成。
[0069] 實施例5
[0070] -種復合導電膜，其截面結(jié)構(gòu)示意圖如圖1所示，該復合導電膜自下而上依次包括 一打底層1、一鋪墊層2、一導電層3、一抗氧化層4和一保護層5;其中，打底層為SiO膜層，膜 層厚度為1 〇nm;鋪墊層為ZnO膜層，膜層厚度為25nm;導電層為Ag膜層，膜層厚度為7nm;抗氧 化層為Ti膜層，膜層厚度為3nm;保護層為Si3N4膜層，膜層厚度為65nm。
[0071] 該復合導電膜由如下步驟制備：
[0072] (1)將PC樹脂基片用等離子清洗后，置于磁控濺射鍍膜機中，用純Si靶通入氧氣和 惰性氣體進行反應濺射，在PC復合樹脂基片上鍍覆SiO膜層，具體工藝為:通入60〇 SCCm純度 為99.99%的氬氣和500sccm純度為99.99%的氧氣，使用2個純Si祀陰極進行派射鍍膜而 成；
[0073] (2)用純Zn靶通入氧氣和惰性氣體進行反應濺射，在SiO膜層上鍍覆ZnO膜層，具體 工藝為：通入250sccm純度為99.99 %的氬氣和800sccm純度為99.99 %的氧氣，使用2個純Zn 靶陰極進行濺射鍍膜而成；
[0074] (3)用純Ag靶通入惰性氣體進行反應濺射，在ZnO膜層上鍍覆Ag膜層，具體工藝為： 通入600sccm純度為99.99%的氬氣，使用1個純Ag祀陰極進行派射鍍膜而成；
[0075] (4)用純Ti靶通入惰性氣體進行反應濺射，在Ag膜層上鍍覆Ti膜層，具體工藝為： 通入600sccm純度為99.99%的氬氣，使用1個純11祀陰極進行派射鍍膜而成；
[0076] (5)用純Si靶通入氮氣和惰性氣體進行反應濺射，在Ti膜層上鍍覆Si3N 4膜層，具體 工藝為:通入500sccm純度為99.99 %的氬氣和800sccm純度為99.99 %的氮氣，使用3個純Si 靶陰極進行濺射鍍膜而成。
[0077] 對比例1
[0078] -種復合導電膜，其截面結(jié)構(gòu)示意圖如圖1所示，該復合導電膜自下而上依次包括 一打底層1、一鋪墊層2、一導電層3、一抗氧化層4和一保護層5;其中，打底層為SiO膜層，膜 層厚度為32.3nm;鋪墊層為ZnO膜層，膜層厚度為26.5nm;導電層為Ag膜層，膜層厚度為 l〇nm ;抗氧化層為Ti膜層，膜層厚度為6nm;保護層為Si3N4膜層，膜層厚度為165nm〇
[0079] 該復合導電膜由如下步驟制備：
[0080] (1)將PMMA/PC樹脂基片用等離子清洗后，置于磁控濺射鍍膜機中，用純Si靶通入 氧氣和惰性氣體進行反應濺射，在PMMA/PC復合樹脂基片上鍍覆SiO膜層，具體工藝為:通入 600sccm純度為99.99 %的氬氣和500sccm純度為99.99 %的氧氣，使用2個純Si靶陰極進行 濺射鍍膜而成；
[0081] (2)用純Zn靶通入氧氣和惰性氣體進行反應濺射，在SiO膜層上鍍覆ZnO膜層，具體 工藝為：通入250sccm純度為99.99 %的氬氣和800sccm純度為99.99 %的氧氣，使用2個純Zn 靶陰極進行濺射鍍膜而成；
[0082] (3)用純Ag靶通入惰性氣體進行反應濺射，在ZnO膜層上鍍覆Ag膜層，具體工藝為： 通入600sccm純度為99.99%的氬氣，使用1個純Ag祀陰極進行派射鍍膜而成；
[0083] (4)用純Ti靶通入惰性氣體進行反應濺射，在Ag膜層上鍍覆Ti膜層，具體工藝為： 通入600sccm純度為99.99%的氬氣，使用1個純11祀陰極進行派射鍍膜而成；
[0084] (5)用純Si靶通入氮氣和惰性氣體進行反應濺射，在Ti膜層上鍍覆Si3N 4膜層，具體 工藝為:通入500sccm純度為99.99 %的氬氣和800sccm純度為99.99 %的氮氣，使用2個純Si 靶陰極進行濺射鍍膜而成。
[0085] 對比例2
[0086] -種復合導電膜，其截面結(jié)構(gòu)示意圖如圖1所示，該復合導電膜自下而上依次包括 一打底層1、一鋪墊層2、一導電層3、一抗氧化層4和一保護層5;其中，打底層為SiO膜層，膜 層厚度為32.3nm;鋪墊層為ZnO膜層，膜層厚度為26.5nm;導電層為Ag膜層，膜層厚度為 l〇nm ;抗氧化層為Ti膜層，膜層厚度為6nm;保護層為Si3N4膜層，膜層厚度為20.6nm〇
[0087] 該復合導電膜由如下步驟制備：
[0088] (1)將PMMA/PC樹脂基片用等離子清洗后，置于磁控濺射鍍膜機中，用純Si靶通入 氧氣和惰性氣體進行反應濺射，在PMMA/PC復合樹脂基片上鍍覆SiO膜層，具體工藝為:通入 600sccm純度為99.99 %的氬氣和500sccm純度為99.99 %的氧氣，使用2個純Si靶陰極進行 濺射鍍膜而成；
[0089] (2)用純Zn靶通入氧氣和惰性氣體進行反應濺射，在SiO膜層上鍍覆ZnO膜層，具體 工藝為：通入250sccm純度為99.99 %的氬氣和800sccm純度為99.99 %的氧氣，使用2個純Zn 靶陰極進行濺射鍍膜而成；
[0090] (3)用純Ag靶通入惰性氣體進行反應濺射，在ZnO膜層上鍍覆Ag膜層，具體工藝為： 通入600sccm純度為99.99%的氬氣，使用1個純Ag祀陰極進行派射鍍膜而成；
[0091 ] (4)用純Ti靶通入惰性氣體進行反應濺射，在Ag膜層上鍍覆Ti膜層，具體工藝為： 通入600sccm純度為99.99%的氬氣，使用1個純11祀陰極進行派射鍍膜而成；
[0092] (5)用純Si靶通入氮氣和惰性氣體進行反應濺射，在Ti膜層上鍍覆Si3N4膜層，具體 工藝為:通入500sccm純度為99.99 %的氬氣和800sccm純度為99.99 %的氮氣，使用2個純Si 靶陰極進行濺射鍍膜而成。
[0093] 對比例3
[0094] -種復合導電膜，其截面結(jié)構(gòu)示意圖如圖1所示，該復合導電膜自下而上依次包括 一打底層1、一鋪墊層2、一導電層3、一抗氧化層4和一保護層5;其中，打底層為SiO膜層，膜 層厚度為3nm;鋪墊層為ZnO膜層，膜層厚度為26.5nm;導電層為Ag膜層，膜層厚度為10nm;抗 氧化層為Ti膜層，膜層厚度為6nm;保護層為Si3N4膜層，膜層厚度為110.3nm。
[0095] 該復合導電膜由如下步驟制備：
[0096] (1)將PMMA/PC樹脂基片用等離子清洗后，置于磁控濺射鍍膜機中，用純Si靶通入 氧氣和惰性氣體進行反應濺射，在PMMA/PC復合樹脂基片上鍍覆SiO膜層，具體工藝為:通入 600sccm純度為99.99 %的氬氣和500sccm純度為99.99 %的氧氣，使用1個純Si靶陰極進行 濺射鍍膜而成；
[0097] (2)用純Zn靶通入氧氣和惰性氣體進行反應濺射，在SiO膜層上鍍覆ZnO膜層，具體 工藝為：通入250sccm純度為99.99 %的氬氣和800sccm純度為99.99 %的氧氣，使用2個純Zn 靶陰極進行濺射鍍膜而成；
[0098] (3)用純Ag靶通入惰性氣體進行反應濺射，在ZnO膜層上鍍覆Ag膜層，具體工藝為： 通入600sccm純度為99.99%的氬氣，使用1個純Ag祀陰極進行派射鍍膜而成；
[0099] (4)用純Ti靶通入惰性氣體進行反應濺射，在Ag膜層上鍍覆Ti膜層，具體工藝為： 通入600sccm純度為99.99%的氬氣，使用1個純11祀陰極進行派射鍍膜而成；
[0100] (5)用純Si靶通入氮氣和惰性氣體進行反應濺射，在Ti膜層上鍍覆Si3N4膜層，具體 工藝為:通入500sccm純度為99.99 %的氬氣和800sccm純度為99.99 %的氮氣，使用3個純Si 靶陰極進行濺射鍍膜而成。
[0101] 效果實施例1
[0102] 對本發(fā)明實施例1-3和對比例1-3的復合導電膜進行減反射性、導電性、耐磨擦性 和表面硬度各指標的表征，測試結(jié)果如下表所示：
[0103]

[0105] 由上表可知，本發(fā)明實施例1-3的復合導電膜反射率均在0.8%以下，具有優(yōu)異的 減反射性;面電阻在20 Ω/□以下，具有良好的導電性;耐摩擦性能良好，且鉛筆硬度高達 7H。實施例4-5的復合導電膜效果與實施例1-3相當。
[0106] 然而，對比例1復合導電膜的打底層膜厚為32.3nm，抗氧化層膜厚為6nm，保護層膜 厚為165nm，均高于本發(fā)明限定的上限值，其復合導電膜的反射率高達23.7%，減反射性差。 對比例2在對比例1的基礎上降低了保護層的厚度，保護層厚度僅為20.3nm，其它條件均不 變，雖然一定程度地改善了減反射性，但是耐磨擦性和鉛筆硬度均明顯下降。對比例3復合 導電膜的打底層膜厚為3nm，低于本發(fā)明限定的最小值，導電層膜厚為6nm，高于本發(fā)明限定 的上限值;所得復合導電膜的反射率較高，達12.60%，減反射性較差；并且耐磨擦性也較 差，耐磨查測試為不通過。
【主權(quán)項】
1. 一種復合導電膜，其特征在于，所述復合導電膜依次包括一打底層、一鋪墊層、一導 電層、一抗氧化層和一保護層； 所述打底層為一氧化硅膜層，所述打底層的厚度為10-20nm; 所述鋪墊層為氧化鋅膜層、鈦膜層或鎳鉻合金膜層； 所述導電層為導電金屬膜層，所述導電層的厚度為5_15nm; 所述抗氧化層為抗氧化材料膜層，所述抗氧化層的厚度為l_5nm。2. 如權(quán)利要求1所述的復合導電膜，其特征在于，所述打底層的厚度為10_15nm; 和/或，所述鋪墊層的厚度為l〇-50nm; 和/或，所述導電層的厚度為5-10nm; 和/或，所述抗氧化層的厚度為l_3nm; 和/或，所述保護層的厚度為40_150nm。3. 如權(quán)利要求2所述的復合導電膜，其特征在于，所述鋪墊層的厚度為25-30nm; 和/或，所述保護層的厚度為55-70nm。4. 如權(quán)利要求1所述的復合導電膜，其特征在于，所述鋪墊層為氧化鋅膜層； 和/或，所述導電金屬膜層為銀膜層、銅膜層或金膜層； 和/或，所述抗氧化材料膜層為鈦膜層或鎳鉻合金膜層，所述鎳鉻合金中鎳鉻的質(zhì)量比 為80:20; 和/或，所述保護層為氮化硅膜層、氧化鈦膜層或二氧化硅膜層。5. 如權(quán)利要求4所述的復合導電膜，其特征在于，所述導電金屬膜層為銀膜層； 和/或，所述抗氧化材料膜層為鈦膜層； 和/或，所述保護層為氮化硅膜層。6. 如權(quán)利要求1-5任一項所述復合導電膜的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括 如下步驟:用鍍膜法依次鍍覆一所述打底層、一所述鋪墊層、一所述導電層、一所述抗氧化 層和一所述保護層。7. 如權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述鍍膜法為磁控濺射鍍膜法。8. 如權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述打底層的鍍覆按照如下步驟進行： 通入600sccm的氬氣和500sccm的氧氣，使用1-2個純娃祀陰極進行派射鍍膜； 和/或，所述鋪墊層為氧化鋅膜層時，按照如下步驟進行鍍覆:通入25〇SCCm的氬氣和 SOOsccm的氧氣，使用1-2個純鋅靶陰極進行濺射鍍膜； 和/或，所述導電層為銀膜層時，按照如下步驟進行鍍覆:通入60〇SCCm的氬氣，使用1個 純銀靶陰極進行濺射鍍膜； 和/或，所述抗氧化層為鈦膜層時，按照如下步驟進行鍍覆:通入60〇SCCm的氬氣，使用1 個純鈦靶陰極進行濺射鍍膜； 和/或，所述保護層為氮化硅膜層時，按照如下步驟進行鍍覆:通入500sCCm的氬氣和 800sccm的氮氣，使用2-4個純硅靶陰極進行濺射鍍膜。9. 如權(quán)利要求6-8任一項所述的制備方法，其特征在于，所述打底層的鍍覆在基片上進 行，所述基片在鍍膜前進行等離子清洗。10. -種如權(quán)利要求1-5任一項所述復合導電膜在視頻眼鏡顯示屏中的應用。
【文檔編號】H05B3/84GK106028486SQ201610326840
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年5月17日
【發(fā)明人】陳君, 李濤
【申請人】上?？票人构鈱W科技有限公司