襯底剝離裝置及襯底剝離方法
【專利摘要】本發(fā)明的課題在于提供一種能從支撐體良好地剝離樹脂襯底的襯底剝離裝置及襯底剝離方法。本發(fā)明涉及一種襯底剝離裝置,所述襯底剝離裝置是剝離在支撐體上形成的平面形狀為矩形的樹脂襯底的襯底剝離裝置,其具有:插入部,所述插入部被配置在樹脂襯底的至少1個(gè)角部,可插入到角部與支撐體的界面中;移動(dòng)機(jī)構(gòu),所述移動(dòng)機(jī)構(gòu)在插入部被插入到界面中的狀態(tài)下,使插入部與支撐體相對(duì)移動(dòng);和剝離機(jī)構(gòu),所述剝離機(jī)構(gòu)保持樹脂襯底,將通過插入部而在界面處形成的狹縫作為基點(diǎn),從支撐體剝離樹脂襯底。
【專利說明】
襯底剝離裝置及襯底剝離方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本發(fā)明涉及襯底剝離裝置及襯底剝離方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 近年來,存在具有柔性的樹脂襯底代替玻璃襯底作為電子設(shè)備用的襯底的市場(chǎng)需 求。作為制造這樣的樹脂襯底的制造裝置,已知有包括下述工序的制造裝置:在支撐襯底 (支撐體)上形成樹脂襯底后,從樹脂襯底剝離支撐襯底的工序(例如,參見專利文獻(xiàn)1)。
[0003] 現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0004] 專利文獻(xiàn)
[0005] 專利文獻(xiàn)1:日本特開2004 - 247721號(hào)公報(bào)
【發(fā)明內(nèi)容】
[0006] 發(fā)明所要解決的課題
[0007] 然而,利用現(xiàn)有技術(shù)的制造裝置,無法將樹脂襯底從支撐體良好地剝離。因此,期 望提供一種能從支撐體良好地剝離樹脂襯底的新技術(shù)。
[0008] 本發(fā)明是鑒于上述課題而完成的,其目的在于提供一種能從支撐體良好地剝離樹 脂襯底的襯底剝離裝置及襯底剝離方法。
[0009] 用于解決課題的手段
[0010] 為了達(dá)成所述目的,本發(fā)明的第1方式涉及的襯底剝離裝置是剝離在支撐體上形 成的平面形狀為矩形的樹脂襯底的襯底剝離裝置,其特征在于,具有:插入部,所述插入部 被配置在所述樹脂襯底的至少1個(gè)角部,可插入到所述樹脂襯底的所述角部的與所述支撐 體的界面中;移動(dòng)機(jī)構(gòu),所述移動(dòng)機(jī)構(gòu)在所述插入部被插入到所述界面中的狀態(tài)下,使所述 插入部與所述支撐體相對(duì)移動(dòng);和剝離機(jī)構(gòu),所述剝離機(jī)構(gòu)保持所述樹脂襯底,將通過所述 插入部而在所述界面處形成的狹縫作為基點(diǎn),從所述支撐體剝離所述樹脂襯底。
[0011] 通過本方式涉及的構(gòu)成,能以通過插入部而在界面處形成的狹縫為基點(diǎn),簡(jiǎn)便且 可靠地從支撐體剝離樹脂襯底。
[0012] 另外,上述襯底剝離裝置中,優(yōu)選上述插入部由刀具構(gòu)成。優(yōu)選上述刀具由平刀或 圓刀構(gòu)成。
[0013] 通過該構(gòu)成,能夠簡(jiǎn)便且可靠地形成狹縫。
[0014] 另外,上述襯底剝離裝置中,優(yōu)選上述插入部分別被配置在上述樹脂襯底的四角 的角部。
[0015]通過該構(gòu)成,可將狹縫形成在樹脂襯底的四角。因此,能以該狹縫為基點(diǎn)簡(jiǎn)便地進(jìn) 行樹脂襯底的剝離作業(yè)。
[0016] 另外,上述襯底剝離裝置中,優(yōu)選上述刀具分別被配置在上述樹脂襯底的對(duì)角線 上的一對(duì)角部。
[0017] 通過該構(gòu)成,能將狹縫形成在樹脂襯底的一對(duì)角部。因此,能以該狹縫為基點(diǎn)簡(jiǎn)便 地進(jìn)行樹脂襯底的剝離作業(yè)。
[0018] 另外,上述襯底剝離裝置中,優(yōu)選進(jìn)一步具有引導(dǎo)構(gòu)件,所述引導(dǎo)構(gòu)件被設(shè)置在上 述支撐體的外周部,具有與上述支撐體的形成有上述樹脂襯底的面為相同高度的面,并且 引導(dǎo)上述插入部的插入動(dòng)作。
[0019] 通過該構(gòu)成,即使在俯視狀態(tài)下、支撐體和樹脂襯底的大小大致相同時(shí),由于可沿 著引導(dǎo)構(gòu)件引導(dǎo)插入部的插入動(dòng)作,所以仍可良好地形成狹縫。
[0020] 另外,上述襯底剝離裝置中,優(yōu)選上述移動(dòng)機(jī)構(gòu)使上述插入部沿上述樹脂襯底的 外周移動(dòng)。
[0021] 通過該構(gòu)成,可沿樹脂襯底的外周形成狹縫。因此,可良好地進(jìn)行剝離動(dòng)作。
[0022] 另外,上述襯底剝離裝置中,優(yōu)選上述樹脂襯底為聚酰亞胺襯底。
[0023] 通過本發(fā)明,可將最適于用于電子設(shè)備用途的聚酰亞胺襯底從支撐體良好地剝 離。
[0024] 另外,上述襯底剝離裝置中,作為上述支撐體,優(yōu)選使用預(yù)先在形成上述樹脂襯底 的面上設(shè)置了預(yù)處理層的玻璃襯底,所述預(yù)處理層由硅烷偶聯(lián)劑形成。
[0025] 通過該構(gòu)成,可通過預(yù)處理將支撐體表面的羥基進(jìn)行甲硅烷基化,因此,例如樹脂 襯底由聚酰亞胺構(gòu)成時(shí),可抑制該樹脂襯底與支撐體表面形成共價(jià)鍵。另外,由于形成來源 于硅烷偶聯(lián)劑的甲娃烷基,所以可提尚樹脂襯底的剝尚性。
[0026] 本發(fā)明的第2方式涉及的襯底剝離方法是剝離在支撐體上形成的平面形狀為矩形 的樹脂襯底的襯底剝離方法,所述襯底剝離方法的特征在于,包括以下步驟:插入步驟,將 被配置在所述樹脂襯底的至少1個(gè)角部的插入部插入到所述樹脂襯底的所述角部的與所述 支撐體的界面中;移動(dòng)步驟,在所述插入部被插入到所述界面中的狀態(tài)下,使所述插入部與 所述支撐體相對(duì)移動(dòng);和剝離步驟,將通過所述插入部而在所述界面處形成的狹縫作為基 點(diǎn),從所述支撐體剝離所述樹脂襯底。
[0027] 通過本方式涉及的襯底剝離方法,能以通過插入部而在界面處形成的狹縫為基 點(diǎn),簡(jiǎn)便且可靠地從支撐體剝離樹脂襯底。
[0028] 另外,上述襯底剝離方法中,優(yōu)選使用平刀或圓刀作為上述插入部。
[0029] 通過該構(gòu)成,可簡(jiǎn)便且可靠地形成狹縫。
[0030] 另外,對(duì)于上述襯底剝離方法而言,優(yōu)選的是,在上述插入步驟中,將被配置在上 述樹脂襯底的四角的角部的上述插入部插入到上述角部與上述支撐體的界面中。
[0031] 通過該構(gòu)成,可在樹脂襯底的四角形成狹縫。因此,能以該狹縫為基點(diǎn)簡(jiǎn)便地進(jìn)行 樹脂襯底的剝離作業(yè)。
[0032] 另外,對(duì)于上述襯底剝離方法而言,優(yōu)選的是,在上述插入步驟中,將分別被配置 在上述樹脂襯底的對(duì)角線上的一對(duì)角部的上述插入部插入到上述角部與上述支撐體的界 面中。
[0033] 通過該構(gòu)成,可在樹脂襯底的一對(duì)角部形成狹縫。因此,能以該狹縫為基點(diǎn)簡(jiǎn)便地 進(jìn)行樹脂襯底的剝離作業(yè)。
[0034] 另外,對(duì)于上述襯底剝離方法而言,優(yōu)選的是,在上述插入步驟中,使用引導(dǎo)構(gòu)件 來引導(dǎo)上述插入部的插入動(dòng)作,所述引導(dǎo)構(gòu)件被設(shè)置在上述支撐體的外周部,且具有與上 述支撐體的形成有上述樹脂襯底的面為相同高度的面。
[0035] 通過該構(gòu)成,即使在俯視狀態(tài)下、支撐體和樹脂襯底的大小大致相同時(shí),由于可沿 著引導(dǎo)構(gòu)件引導(dǎo)插入部的插入動(dòng)作,所以仍可良好地形成狹縫。
[0036] 另外,對(duì)于上述襯底剝離方法而言,優(yōu)選的是,在上述移動(dòng)步驟中,上述插入部沿 上述樹脂襯底的外周移動(dòng)。
[0037] 通過該構(gòu)成,可沿樹脂襯底的外周形成狹縫。因此,可良好地進(jìn)行剝離動(dòng)作。
[0038]另外,上述襯底剝離方法中,優(yōu)選上述樹脂襯底為聚酰亞胺襯底。
[0039] 通過本發(fā)明,可將最適于用于電子設(shè)備用途的聚酰亞胺襯底從支撐體良好地剝 離。
[0040] 另外,上述襯底剝離方法中,作為上述支撐體,優(yōu)選使用預(yù)先在形成上述樹脂襯底 的面上設(shè)置了預(yù)處理層的玻璃襯底,所述預(yù)處理層由硅烷偶聯(lián)劑形成。
[0041] 通過該構(gòu)成,可通過預(yù)處理將支撐體表面的羥基進(jìn)行甲硅烷基化,因此,例如樹脂 襯底由聚酰亞胺構(gòu)成時(shí),可抑制該樹脂襯底與支撐體表面形成共價(jià)鍵。另外,由于形成來源 于硅烷偶聯(lián)劑的甲娃烷基,所以可提尚樹脂襯底的剝尚性。
[0042]發(fā)明的效果
[0043] 通過本發(fā)明,能簡(jiǎn)便且可靠地從支撐體剝離樹脂襯底。
【附圖說明】
[0044] [圖1]為表示樹脂襯底的制造的工序圖。
[0045] [圖2]為表示預(yù)處理工序中發(fā)生的化學(xué)反應(yīng)的圖。
[0046][圖3]為顯示出處理膜中的剝離性提高的效果的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。
[0047] [圖4]為表示第1實(shí)施方式涉及的襯底剝離裝置的概略構(gòu)成的圖。
[0048] [圖5]為表示基于襯底剝離裝置的襯底剝離方法的流程圖。
[0049][圖6]為表示襯底剝離工序的圖。
[0050][圖7]為表示第2實(shí)施方式涉及的襯底剝離裝置的概略構(gòu)成的圖。
[0051] [圖8]為表示第2實(shí)施方式涉及的襯底剝離工序的圖。
[0052] [圖9]為表示變形例涉及的構(gòu)成的圖。
[0053] 附圖標(biāo)記說明
[0054] l···支撐襯底(支撐體),2···處理膜,3···樹脂襯底,3六、38、3(:、30."角部,20."插入 部,21···移動(dòng)機(jī)構(gòu),22···剝離機(jī)構(gòu),3(^、31厶、32厶、33厶、34厶~刀具,80".引導(dǎo)構(gòu)件,8(^"引導(dǎo) 面,100、200…襯底剝離裝置,123…旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu),S…狹縫。
【具體實(shí)施方式】
[0055]以下,參照附圖來說明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式。本實(shí)施方式中,舉出制造可作為電 子設(shè)備用的襯底使用的樹脂襯底的情況為例進(jìn)行說明。需要說明的是,對(duì)于在以下的說明 中使用的附圖,為了容易理解特征,方便起見,有時(shí)將作為特征的部分放大顯示,各構(gòu)成要 素的尺寸比率等不一定與實(shí)際相同。
[0056]本實(shí)施方式的樹脂襯底的制造方法包括以下工序:預(yù)處理工序,在支撐襯底上處 理硅烷偶聯(lián)劑;涂布工序,在支撐襯底的預(yù)處理面上涂布用于形成樹脂襯底的材料;燒成工 序,對(duì)支撐襯底進(jìn)行加熱,在支撐襯底上形成樹脂襯底;和剝離工序,從支撐襯底上剝離樹 脂襯底。
[0057](第一實(shí)施方式)
[0058]圖1為表不本實(shí)施方式涉及的樹脂襯底的制造工序的圖。
[0059] 首先,如圖1(a)所示,進(jìn)行在支撐襯底1的表面(至少一側(cè)的面)la上處理硅烷偶聯(lián) 劑的預(yù)處理(預(yù)處理工序)。本實(shí)施方式中,支撐襯底1由玻璃構(gòu)成。
[0060] 預(yù)處理中,通過將處理液涂布于支撐襯底(支撐體)1的表面la而進(jìn)行。此處,涂布 包括噴涂。
[0061] 預(yù)處理的處理時(shí)間優(yōu)選為1~60秒。需要說明的是,也可代替涂布處理液,而利用 蒸鍍法對(duì)支撐襯底1進(jìn)行基于硅烷偶聯(lián)劑的處理。對(duì)于利用蒸鍍法進(jìn)行處理的時(shí)間而言,例 如,在80 °C~120 °C的烘箱內(nèi)進(jìn)行1~15分鐘是優(yōu)選的。
[0062]本實(shí)施方式中,用于預(yù)處理的處理液含有硅烷偶聯(lián)劑(在后文中,有時(shí)稱為"甲硅 烷基化劑")及溶劑。以下,對(duì)各成分進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0063](甲硅烷基化劑)
[0064]作為甲硅烷基化劑,沒有特別限制,可使用現(xiàn)有已知的所有甲硅烷基化劑。具體而 言,例如,可使用下式(1)~(3)表示的甲硅烷基化劑。本說明書中,烷基的碳原子數(shù)為1~5, 環(huán)烷基的碳原子數(shù)為5~10,烷氧基的碳原子數(shù)為1~5,雜環(huán)烷基的碳原子數(shù)為5~10。
[0066](式(1)中,R1表示氫原子、或者飽和或不飽和烷基,R2表示飽和或不飽和烷基、飽和 或不飽和環(huán)烷基、或者飽和或不飽和雜環(huán)烷基。R1及R2可以相互鍵合而形成具有氮原子的飽 和或不飽和雜環(huán)烷基。)
[0068](式(2)中,R3表示氫原子、甲基、三甲基甲硅烷基或二甲基甲硅烷基,R4、R 5各自獨(dú) 立地表不氣原子、烷基或乙烯基。)
[0070](式(3)中,X表示0、CHR7、CH0R7、CR7R 7、或NR8,R6、R7各自獨(dú)立地表示氫原子、飽和或 不飽和烷基、飽和或不飽和環(huán)烷基、三烷基甲硅烷基、三烷基甲硅烷氧基 (trialkylsilyloxy)、烷氧基、苯基、苯乙基或乙酰基,R8表示氫原子、烷基或三烷基甲硅烷 基。)
[0071] 作為上式(1)表示的甲硅烷基化劑,可舉出N,N-二甲基氨基三甲基硅烷、N,N-二 乙基氨基三甲基硅烷、叔丁基氨基三甲基硅烷、烯丙基氨基三甲基硅烷、三甲基甲硅烷基乙 酰胺、三甲基甲硅烷基哌啶、三甲基甲硅烷基咪唑、三甲基甲硅烷基嗎啉、3 -三甲基甲硅烷 基一 2 -噁唑烷酮、三甲基甲硅烷基吡唑、三甲基甲硅烷基吡咯烷、2 -三甲基甲硅烷基一 1, 2,3 -三唑、1 一三甲基甲硅烷基一1,2,4一三唑等。
[0072] 另外,作為上式(2)表示的甲硅烷基化劑,可舉出六甲基二硅氮烷、N-甲基六甲基 二硅氮烷、1,2 -二正辛基四甲基二硅氮烷、1,2-二乙烯基四甲基二硅氮烷、七甲基二硅氮 烷、九甲基三硅氮烷、三(二甲基甲硅烷基)胺等。
[0073]另外,作為上式(3 )表示的甲硅烷基化劑,可舉出三甲基甲硅烷基乙酸酯 (trimethylsilyl acetate)、三甲基甲娃烷基丙酸酯、三甲基甲娃烷基丁酸酯、三甲基甲娃 烷基氧基一3-戊稀一2 -酮等。
[0074]對(duì)于甲硅烷基化劑的含量而言,在表面處理液中,優(yōu)選為0.1~50質(zhì)量%,更優(yōu)選 為0.5~30質(zhì)量%,進(jìn)一步優(yōu)選為1.0~20質(zhì)量%。通過使甲硅烷基化劑的含量在上述范圍 內(nèi),可在確保表面處理液的涂布性的前提下,充分提高圖案表面的疏水性。
[0075] (溶劑)
[0076] 作為溶劑,只要是可溶解甲硅烷基化劑、并且對(duì)于作為表面處理對(duì)象的樹脂圖案 或被蝕刻圖案的損傷少的溶劑即可,沒有特別限制,可使用現(xiàn)有已知的溶劑。
[0077] 具體而言,可舉出二甲基亞砜等亞砜類;二甲基砜、二乙基砜、雙(2-羥乙基)砜、 環(huán)丁砜(tetramethylene sulfone)等砜類;N,N-二甲基甲酰胺、N-甲基甲酰胺、N,N-二 甲基乙酰胺、N-甲基乙酰胺、N,N-二乙基乙酰胺等酰胺類;N-甲基一 2-吡咯烷酮、N-乙 基一 2-吡咯烷酮、N-丙基一 2-吡咯烷酮、N-羥甲基一 2-吡咯烷酮、N-羥乙基一 2-吡 咯烷酮等內(nèi)酰胺類;1,3-二甲基一2-咪唑啉酮、1,3-二乙基一2-咪唑啉酮、1,3-二異 丙基一 2 -咪唑啉酮等咪唑啉酮類;二甲基醚、乙醚、甲基乙基醚、二丙基醚、二異丙基醚、二 丁基醚等二烷基醚類;乙二醇二甲醚(dimethyl glycol)、二甘醇二甲醚(dimethyl diglycol)、三甘醇二甲醚(dimethyl triglycol)、二甘醇甲基乙基醚、乙二醇二乙醚 (diethyl glycol)等二烷基二醇醚(dialkyl glycol ether)類;甲基乙基酮、環(huán)己酮、2 - 庚酮、3 -庚酮等酮類;對(duì)薄荷烷、二苯基薄荷烷、檸檬烯、萜品烯、莰烷、降冰片烷、蒎烷等萜 稀類;等。
[0078]通過上述的預(yù)處理,如圖1(b)所示,在支撐襯底1的表面la上,來源于硅烷偶聯(lián)劑 (甲硅烷基化劑)的處理膜2形成于整個(gè)表面la。
[0079] 此處,對(duì)在預(yù)處理工序中在處理膜2與支撐襯底1的表面la之間發(fā)生的化學(xué)反應(yīng)進(jìn) 行說明。圖2為表示在預(yù)處理工序中在處理膜2與支撐襯底1的表面la之間發(fā)生的化學(xué)反應(yīng) 的圖。在以下的說明中,舉出上式(2)表示的甲硅烷基化劑(HMDS(六甲基二硅氮烷))為例進(jìn) 行說明。
[0080] 由玻璃形成的支撐襯底1在表面la上存在0H基(羥基)。因此,在進(jìn)行基于硅烷偶聯(lián) 劑的預(yù)處理時(shí),HMDS發(fā)生分解,與2個(gè)羥基鍵合,產(chǎn)生氨(NH 3)。由此,支撐襯底1的表面la上 的0H基(羥基)被甲硅烷基化,如圖2所示,在表面la上形成包含來源于甲硅烷基化劑的甲硅 烷基的處理膜2。因此,對(duì)于支撐襯底1而言,通過在表面la上形成處理膜2(甲硅烷基),從而 成為不存在或幾乎不存在0H基(羥基)的狀態(tài)。
[0081] 接下來,如圖1(c)所示,在通過預(yù)處理工序?qū)嵤┝颂幚淼奶幚砻?、即處理?上,涂 布含有聚酰胺酸的溶液3a作為用于形成樹脂襯底的材料。本實(shí)施方式中,例如,利用噴射法 使溶液3a選擇性地形成在處理膜2上。由此,如下文所述,能夠使得在俯視狀態(tài)下,支撐襯底 1上的樹脂襯底3的尺寸比支撐襯底1的尺寸小。
[0082]以下,對(duì)本實(shí)施方式中使用的聚酰胺酸進(jìn)行說明。
[0083] (聚酰胺酸)
[0084] 本實(shí)施方式中,對(duì)由聚酰亞胺形成的樹脂襯底的生成中使用的聚酰胺酸沒有特別 限制,可從一直以來作為聚酰亞胺樹脂的前體而為人所知的聚酰胺酸中適當(dāng)選擇。
[0085] 作為優(yōu)選的聚酰胺酸,例如,可舉出包含下式(4)表示的結(jié)構(gòu)單元的聚酰胺酸。
[0087] (式(4)中,R9為4價(jià)的有機(jī)基團(tuán),R1()為2價(jià)的有機(jī)基團(tuán),η為式(1)表示的結(jié)構(gòu)單元的 重復(fù)數(shù)。)
[0088] 式(4)中,R9為4價(jià)的有機(jī)基團(tuán),R1()為2價(jià)的有機(jī)基團(tuán),它們的碳原子數(shù)優(yōu)選為2~ 50、更優(yōu)選為2~30 A1及R2分別可以是脂肪族基團(tuán),可以是芳香族基團(tuán),也可以是組合了這 些結(jié)構(gòu)的基團(tuán)。R 9及R1()除了包含碳原子及氫原子之外,還可包含鹵素原子、氧原子及硫原 子。R9及R 1()包含氧原子、氮原子或硫原子時(shí),氧原子、氮原子或硫原子可以以選自含氮雜環(huán) 基、一⑶ NH-、一NH-、一N = N-、一CH=N-、一C00-、一0-、一⑶一、一SO-、一S〇2-、一 S-、及一S -S-中的基團(tuán)的形式被包含在R9及R1()中,更優(yōu)選以選自一0-、一⑶一、一 SO-、一S02-、一S-、及一S-S-中的基團(tuán)的形式被包含在R9及R1()中。
[0089] 通過對(duì)包含上式(4)表示的結(jié)構(gòu)單元的聚酰胺酸進(jìn)行加熱,可得到包含下式(5)表 示的結(jié)構(gòu)單元的聚酰亞胺樹脂。
[0091](式(5)中,R1及R2與式(4)中含義相同,η為式(5)表示的結(jié)構(gòu)單元的重復(fù)數(shù)。)
[0092]以下,對(duì)可用于制備聚酰胺酸的四羧酸二酐成分、二胺成分、及Ν,Ν,Ν',Ν'一四甲 基脲、和聚酰胺酸的制造方法進(jìn)行說明。
[0093](四羧酸二酐成分)
[0094]作為聚酰胺酸的合成原料的四羧酸二酐成分,只要是可通過與二胺成分進(jìn)行反應(yīng) 而形成聚酰胺酸的四羧酸二酐成分即可,沒有特別限制。四羧酸二酐成分可從一直以來作 為聚酰胺酸的合成原料使用的四羧酸二酐中適當(dāng)選擇。四羧酸二酐成分可以是芳香族四羧 酸二酐,也可以是脂肪族四羧酸二酐,但從得到的聚酰亞胺樹脂的耐熱性方面考慮,優(yōu)選芳 香族四羧酸二酐。對(duì)于四羧酸二酐成分而言,可將2種以上組合而使用。
[0095] 作為芳香族四羧酸二酐的優(yōu)選的具體例,可舉出均苯四甲酸二酐、3,3',4,4'一聯(lián) 苯四甲酸二酐、2,3,3',4'一聯(lián)苯四甲酸二酐、3,3',4,4'一二苯甲酮四甲酸二酐、4,4'一氧 雙鄰苯二甲酸酐、及3,3',4,4'一二苯基砜四羧酸二酐等。這些芳香族四羧酸二酐中,從價(jià) 格、獲得容易性等考慮,優(yōu)選3,3',4,4'一聯(lián)苯四甲酸二酐、及均苯四甲酸二酐。
[0096] (二胺成分)
[0097] 作為聚酰胺酸的合成原料的二胺成分,只要是可通過與四羧酸二酐成分進(jìn)行反應(yīng) 而形成聚酰胺酸的二胺成分即可,沒有特別限制。二胺成分可從一直以來作為聚酰胺酸的 合成原料使用的二胺中適當(dāng)選擇。二胺成分可以是芳香族二胺,也可以是脂肪族二胺,但從 得到的聚酰亞胺樹脂的耐熱性方面考慮,優(yōu)選芳香族二胺。對(duì)于二胺成分而言,可將2種以 上組合而使用。
[0098] 作為芳香族二胺的優(yōu)選的具體例,可舉出對(duì)苯二胺、間苯二胺、2,4一二氨基甲苯、 4,4' 一二氛基聯(lián)苯、4,4' 一二氛基一2,2' 一雙(二氣甲基)聯(lián)苯、3,3' 一二氛基二苯諷、4, 4' 一二氛基二苯諷、4,4' 一二氛基二苯硫釀、4,4' 一二氛基二苯基甲燒、4,4' 一二氛基二苯 釀、3,4' 一二氛基二苯釀、3,3' 一二氛基二苯釀、1,4一雙(4一氛基苯氧基)苯、1,3 -雙(4一 氨基苯氧基)苯、1,3-雙(3-氨基苯氧基)苯、4,4' 一雙(4一氨基苯氧基)聯(lián)苯、雙[4一 (4一 氨基苯氧基)苯基]諷、雙[4一(3-氨基苯氧基)苯基]諷、2,2-雙[4一(4一氨基苯氧基)苯 基]丙烷、及2,2-雙[4一(4一氨基苯氧基)苯基]六氟丙烷等。這些芳香族二胺中,從價(jià)格、 獲得容易性等考慮,優(yōu)選對(duì)苯二胺、間苯二胺、2,4 一二氨基甲苯、及4,4 ' 一二氨基二苯醚。
[0099] (N,N,N',N'一四甲基脲)
[0100]四羧酸二酐成分與二胺成分可使用N,N,N',N'一四甲基脲作為溶劑進(jìn)行合成。對(duì) 使用N,N,N',N'一四甲基脲作為溶劑而合成的聚酰胺酸進(jìn)行加熱從而生成聚酰亞胺樹脂 時(shí),容易得到拉伸伸長(zhǎng)率及耐熱性優(yōu)異的聚酰亞胺樹脂。
[0101](聚酰胺酸的合成)
[0102] 使用N,N,N',N'一四甲基脲作為溶劑,使上文說明過的四羧酸二酐成分與二胺成 分反應(yīng)而合成聚酰胺酸。合成聚酰胺酸時(shí)的四羧酸二酐成分及二胺成分的使用量沒有特別 限制,相對(duì)于四羧酸二酐成分1摩爾,優(yōu)選使用0.50~1.50摩爾二胺成分,更優(yōu)選使用0.60 ~1.30摩爾二胺成分,特別優(yōu)選使用0.70~1.20摩爾二胺成分。
[0103] N,N,N',N'一四甲基脲的使用量只要在不妨礙本發(fā)明的目的的范圍內(nèi)即可,沒有 特別限制。典型地,對(duì)于N,N,N',N'一四甲基脲的使用量而言,相對(duì)于四羧酸二酐成分的量 和二胺成分的量的總計(jì)100質(zhì)量份,優(yōu)選為100~4000質(zhì)量份,更優(yōu)選為150~2000質(zhì)量份。
[0104] 另外,在合成聚酰胺酸時(shí),最優(yōu)選僅使用N,N,N',N'一四甲基脲作為溶劑。但是,可 在不妨礙本發(fā)明的目的的范圍內(nèi),與^~^一四甲基脲同時(shí)地,使用^~^一四甲 基脲之外的溶劑。N,N,N ',N ' 一四甲基脲之外的溶劑可從一直以來在聚酰胺酸的合成中使 用的溶劑中適當(dāng)選擇。作為N,N,N',N'一四甲基脲之外的溶劑的優(yōu)選的例子,例如,可舉出 N -甲基一2-吡咯烷酮、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、六甲基磷酰胺、及1,3 - 二甲基一2-咪唑啉酮等。在與N,N,N',N'一四甲基脲同時(shí)地使用N,N,N',N'一四甲基脲之 外的溶劑時(shí),對(duì)于其他溶劑的使用量而言,相對(duì)于用于合成聚酰胺酸的溶劑的總質(zhì)量,優(yōu)選 為20質(zhì)量%以下,更優(yōu)選為10質(zhì)量%以下,特別優(yōu)選為5質(zhì)量%以下。
[0105] 對(duì)于使四羧酸二酐成分與二胺成分反應(yīng)時(shí)的溫度而言,只要反應(yīng)良好進(jìn)行即可, 沒有特別限制。典型地,四羧酸二酐成分與二胺成分的反應(yīng)溫度優(yōu)選為一5~150Γ,更優(yōu)選 為0~120°C,特別優(yōu)選為0~70°C。另外,四羧酸二酐成分與二胺成分反應(yīng)的時(shí)間根據(jù)反應(yīng) 溫度的不同也不同,典型地,優(yōu)選為1~50小時(shí),更優(yōu)選為2~40小時(shí),特別優(yōu)選為5~30小 時(shí)。
[0106] 利用上文說明過的方法,可得到聚酰胺酸溶液。需要說明的是,也可使用含有聚酰 亞胺粉末的溶液形成聚酰亞胺。
[0107] 接下來,如圖1(d)所示,通過對(duì)涂布有溶液3a的支撐襯底1加熱而進(jìn)行燒成,從而 形成在支撐襯底1上形成有樹脂襯底3(由聚酰亞胺形成)的層疊體10(燒成工序)。
[0108] 在燒成工序中,例如,將支撐襯底1加熱至120°C~350°C、優(yōu)選150°C~350°C。通過 在這樣的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行加熱,從而可通過抑制生成的聚酰亞胺(樹脂襯底3)的熱劣化、熱 分解來制造優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品。另外,在高溫下進(jìn)行聚酰胺酸的加熱時(shí),有時(shí)消耗大量的能量、高 溫下的處理設(shè)備的經(jīng)時(shí)劣化被促進(jìn),因此,在略低的溫度下進(jìn)行聚酰胺酸的加熱也是優(yōu)選 的。具體而言,優(yōu)選使加熱聚酰胺酸的溫度的上限為250°C以下,更優(yōu)選為220°C以下,特別 優(yōu)選為200 °C以下。
[0109] 本實(shí)施方式中,在支撐襯底1的表面la與樹脂襯底3之間,存在處理膜2。在表面la 上形成有由處理膜2帶來的甲硅烷基,而不存在或幾乎不存在0H基(羥基),因此,可抑制其 與構(gòu)成樹脂襯底3的聚酰亞胺形成共價(jià)鍵。另外,通過形成甲硅烷基,從而聚酰亞胺與處理 膜2的密合性降低,樹脂襯底3的剝離性提高。
[0110]圖3為顯示出處理膜2中的剝離性提高的效果的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。圖3中,橫軸表示在支撐 襯底上形成樹脂襯底后所經(jīng)過的時(shí)間(經(jīng)過天數(shù)),縱軸表示聚酰亞胺(樹脂襯底)與支撐襯 底的密合強(qiáng)度(單位:g)。另外,圖3中,作為比較,將使用了未進(jìn)行基于硅烷偶聯(lián)劑的處理的 支撐襯底的情況表示為"未處理",將使用進(jìn)行了基于硅烷偶聯(lián)劑的處理的支撐襯底的情況 記為"經(jīng)處理Γ、"經(jīng)處理2"。需要說明的是,對(duì)于"經(jīng)處理Γ及"經(jīng)處理2"而言,處理中使用 的硅烷偶聯(lián)劑不同,在"經(jīng)處理Γ中,使用了硅烷偶聯(lián)劑0ΑΡ(東京應(yīng)化工業(yè)株式會(huì)社制),在 "經(jīng)處理2"中,使用了硅烷偶聯(lián)劑0SRA(東京應(yīng)化工業(yè)株式會(huì)社制)。
[0111] 如圖3所示,在進(jìn)行了基于硅烷偶聯(lián)劑的處理的情況(經(jīng)處理1、2)或未進(jìn)行基于硅 烷偶聯(lián)劑的處理的情況(未處理)中的任一情況下,在支撐襯底上形成樹脂襯底之后,隨著 時(shí)間經(jīng)過,密合強(qiáng)度均逐漸降低。經(jīng)過天數(shù)超過3天時(shí),在進(jìn)行了基于硅烷偶聯(lián)劑的處理的 情況與未進(jìn)行基于硅烷偶聯(lián)劑的處理的情況之間,密合強(qiáng)度變得沒有較大差異。其原因在 于,隨著時(shí)間的經(jīng)過,構(gòu)成樹脂襯底的聚酰亞胺吸附水分,由此導(dǎo)致支撐襯底的界面處的密 合強(qiáng)度降低。
[0112] 通常,在剛剛形成樹脂襯底后,立即進(jìn)行從支撐襯底的剝離。因此,在經(jīng)過時(shí)間短 的情況下,使密合強(qiáng)度降低是重要的。
[0113] 由圖3可以確認(rèn):在進(jìn)行了基于硅烷偶聯(lián)劑的處理的情況(經(jīng)處理1、2)下,即使經(jīng) 過時(shí)間短、即未發(fā)生聚酰亞胺的水分吸附,也能以低密合力從支撐襯底剝離樹脂襯底。
[0114] 接下來,在樹脂襯底3的上表面上層疊根據(jù)用途的電子設(shè)備(未圖示)。例如,通過 在樹脂襯底3上形成TFT元件,進(jìn)而層疊或貼合顯示元件,從而可形成液晶顯示器、有機(jī)EL顯 示器、電子紙等顯示設(shè)備、尤其是柔性顯示設(shè)備。
[0115] 在形成了未圖示的電子設(shè)備后,如圖1(e)所示,從支撐襯底1上剝離樹脂襯底3(剝 離工序)。通過在從支撐襯底1上剝離樹脂襯底3時(shí),使用本實(shí)施方式的襯底剝離裝置,從而 可將樹脂襯底3從支撐襯底1良好地剝離。
[0116] 圖4為表示本實(shí)施方式的襯底剝離裝置100的概略構(gòu)成的圖。
[0117] 如圖4所示,襯底剝離裝置100具有插入部20、移動(dòng)機(jī)構(gòu)21、和剝離機(jī)構(gòu)22。
[0118] 插入部20被配置在樹脂襯底3的至少1個(gè)角部,被插入到樹脂襯底3的角部與支撐 襯底1的界面中。本實(shí)施方式中,插入部20包括第1插入部30、第2插入部31、第3插入部32、和 第4插入部33。
[0119] 第1插入部30、第2插入部31、第3插入部32及第4插入部33分別對(duì)應(yīng)于平面形狀為 矩形的樹脂襯底3的4個(gè)角部3六、38、3(:、30而配置。
[0120] 上述第1插入部30、第2插入部31、第3插入部32及第4插入部33具有相同的構(gòu)成。本 實(shí)施方式中,第1插入部30具有刀具30A和按壓部30B。第2插入部31具有刀具31A和按壓部 31B。第3插入部32具有刀具32A和按壓部32B。第4插入部33具有刀具33A和按壓部33B。
[0121] 作為刀具3(^、314、324、33六,優(yōu)選使用平刀或圓刀中的任意刀具。本實(shí)施方式中, 作為刀具3(^、3^、324、334,例如使用了由切割刀((:11?虹131 &如)構(gòu)成的平刀。
[0122] 按壓部3(?、318、328、338例如由驅(qū)動(dòng)器(3(^皿切〇等構(gòu)成,通過將刀具3(^、31八、 32A、33A分別向規(guī)定方向按壓,可插入至支撐襯底1與樹脂襯底3的界面中。
[0123] 對(duì)于移動(dòng)機(jī)構(gòu)21而言,在插入部20(各刀具3(^、314、324、334)被插入到樹脂襯底3 與支撐襯底1的界面中的狀態(tài)下,使該插入部20與支撐襯底1相對(duì)移動(dòng)。移動(dòng)機(jī)構(gòu)21例如由 驅(qū)動(dòng)器等驅(qū)動(dòng)裝置構(gòu)成。移動(dòng)機(jī)構(gòu)21可使第1插入部30、第2插入部31、第3插入部32及第4插 入部33各自獨(dú)立地沿樹脂襯底3的外周移動(dòng),由此,可在樹脂襯底3和支撐襯底1的界面處形 成狹縫。
[0124] 本實(shí)施方式中,通過使第1插入部30、第2插入部31、第3插入部32及第4插入部33各 自沿著樹脂襯底3的外周獨(dú)立地移動(dòng),從而可在樹脂襯底3和支撐襯底1的界面處,通過以框 狀包圍該樹脂襯底3的外周的方式形成狹縫。
[0125] 剝離機(jī)構(gòu)22保持樹脂襯底3,將通過第1插入部30及第2插入部31而在界面處形成 的狹縫作為基點(diǎn),從支撐襯底1上剝離樹脂襯底3。
[0126]剝離機(jī)構(gòu)22具有保持樹脂襯底3的保持部40。保持部40的保持樹脂襯底3的方法沒 有特別限制,例如,可采用吸附樹脂襯底3而進(jìn)行保持的吸附保持方式、粘接樹脂襯底3而進(jìn) 行保持的粘接方式、直接把持樹脂襯底3的狹縫部分的把持方式、將狹縫部分卷繞至輥構(gòu)件 的卷繞方式等。
[0127] 此處,對(duì)于基于襯底剝離裝置100的襯底剝離方法,基于圖5所示的流程圖進(jìn)行說 明。
[0128] 本實(shí)施方式的襯底剝離方法包括插入步驟S1、移動(dòng)步驟S2、和剝離步驟S3。
[0129] 在插入步驟S1中,插入部20被插入到樹脂襯底3的角部的與支撐襯底1的界面中。 具體而言,對(duì)于第1插入部30、第2插入部31、第3插入部32及第4插入部33而言,利用各按壓 部3(?、318、328、338,將刀具3(^、314、324、334從角部34、38、3(:、30緩緩地按入,由此插入到 界面中。
[0130]本實(shí)施方式中,如圖4所示,第1插入部30例如以由平刀構(gòu)成的刀具30A的刀面相對(duì) 于角部3A成大致45度的角度的方式被配置。
[0131]本實(shí)施方式中,按壓部30B沿刀面的正交方向按壓刀具30A,使其插入至角部3A的 界面中。
[0132] 另外,第2插入部31也如圖4所示,以由平刀構(gòu)成的刀具31A的刀面相對(duì)于角部3B成 大致45度的角度的方式被配置。按壓部31B沿刀面的正交方向按壓刀具31A,使其插入至角 部3B的界面中。
[0133] 另外,第3插入部32也如圖4所示,以由平刀構(gòu)成的刀具32A的刀面相對(duì)于角部3C成 大致45度的角度的方式被配置。按壓部32B沿刀面的正交方向按壓刀具32A,使其插入至角 部3C的界面中。
[0134] 另外,第4插入部33也如圖4所示,以由平刀構(gòu)成的刀具33A的刀面相對(duì)于角部3D成 大致45度的角度被配置。按壓部33B沿刀面的正交方向按壓刀具33A,使其插入至角部3D的 界面中。
[0135] 本實(shí)施方式中,將樹脂襯底3形成為比支撐襯底1小。因此,刀具30A、31A、32A、33A 成為與支撐襯底1的表面滑動(dòng)接觸的狀態(tài)。因此,支撐襯底1能夠引導(dǎo)刀具30A、31A、32A、33A 插入至樹脂襯底3的界面中的插入動(dòng)作。
[0136] 在移動(dòng)步驟S2中,如圖6所示,移動(dòng)機(jī)構(gòu)21使被插入到界面中的刀具30A、31A、32A、 33A獨(dú)立地沿樹脂襯底3的外周移動(dòng)。刀具3(^、3認(rèn)、324、334以與支撐襯底1的表面滑動(dòng)接觸 的狀態(tài)移動(dòng),由此可良好地形成狹縫S。
[0137] 本實(shí)施方式中,通過精度良好地進(jìn)行刀具在各角部3六、38、3(:、30中的插入方向、插 入量的控制,從而能夠以包圍樹脂襯底3的外周的方式均勻地形成狹縫S。
[0138] 在形成狹縫S后,執(zhí)行剝離步驟S3。
[0139] 在剝離步驟S3中,剝離機(jī)構(gòu)22保持保持部40中的樹脂襯底3的形成有狹縫S的部分 (狹縫形成部分)。本實(shí)施方式中,保持部40吸附保持狹縫形成部分。
[0140] 剝離機(jī)構(gòu)22以通過插入部20而在界面處形成的狹縫S為基點(diǎn),將樹脂襯底3從支撐 襯底1緩緩剝離。
[0141 ] 通過本實(shí)施方式,可在支撐襯底1的表面la上形成處理膜2,因此,如上所述,聚酰 亞胺與處理膜2的密合性降低。因此,能夠以上述狹縫S為起點(diǎn),簡(jiǎn)便且可靠地將形成了電子 設(shè)備的樹脂襯底3從支撐襯底1上剝離。
[0142] 因此,能夠以在剝離時(shí)不對(duì)樹脂襯底3造成損傷的方式容易地從支撐襯底1剝離。
[0143] (第二實(shí)施方式)
[0144] 接下來,對(duì)本發(fā)明的第二實(shí)施方式進(jìn)行說明。
[0145] 本實(shí)施方式與第一實(shí)施方式的區(qū)別是插入部的設(shè)置數(shù)量。因此,在下文中,對(duì)與第 一實(shí)施方式共通的構(gòu)成及構(gòu)件標(biāo)注相同符號(hào),省略其詳細(xì)說明。
[0146] 圖7為表示本實(shí)施方式的襯底剝離裝置200的概略構(gòu)成的圖。
[0147]如圖7所示,襯底剝離裝置200具有插入部120、移動(dòng)機(jī)構(gòu)121、剝離機(jī)構(gòu)22、旋轉(zhuǎn)機(jī) 構(gòu) 123。
[0148] 如圖7所示,本實(shí)施方式的插入部120包含第1插入部130及第3插入部132,所述第1 插入部130及第3插入部132分別被配置在矩形的樹脂襯底3的對(duì)角線上的一對(duì)角部3A、3C。
[0149] 第1插入部130及第3插入部132具有相同的構(gòu)成。本實(shí)施方式中,第1插入部130具 有刀具130A和按壓部130B。第3插入部132具有刀具132A和按壓部132B。
[0150] 移動(dòng)機(jī)構(gòu)121在第1插入部130及第3插入部132被插入到樹脂襯底3與支撐襯底1的 界面中的狀態(tài)下,使第1插入部130及第3插入部132沿著圖7中的左右方向(X方向)移動(dòng)。
[0151] 旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)123被設(shè)定在圖7的紙面貫穿方向,使支撐襯底1圍繞旋轉(zhuǎn)軸0(其通過該 支撐襯底1的中心)進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。
[0152] 接下來,參照?qǐng)D8說明基于本實(shí)施方式的襯底剝離裝置200的襯底剝離方法。
[0153] 首先,插入部120被插入到樹脂襯底3的角部3A、3C的與支撐襯底1的界面中。如圖8 (a)所示,對(duì)于第1插入部130而言,將刀具130A從角部3A緩緩按入而插入到界面中。另一方 面,對(duì)于第3插入部132而言,將刀具132A從角部3C緩緩按入而插入到界面中。
[0154] 移動(dòng)機(jī)構(gòu)121使刀具130A移動(dòng)至角部3B側(cè)(圖8(a)所示的+X側(cè)),同時(shí)使刀具132A 移動(dòng)至角部3D側(cè)(圖8(a)所示的一X側(cè))。由此,可沿樹脂襯底3的外周形成2條狹縫S。
[0155] 接下來,如圖8(b)所示,移動(dòng)機(jī)構(gòu)121使刀具130A及132A返回至初始位置。然后,旋 轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)123以旋轉(zhuǎn)軸0為基準(zhǔn),使支撐襯底1沿逆時(shí)針方向旋轉(zhuǎn)90度。由此,成為第1插入部 130與樹脂襯底3的角部3B相對(duì)、第3插入部132與樹脂襯底3的角部3D相對(duì)的狀態(tài)。
[0156] 接下來,如圖8(c)所示,對(duì)于第1插入部130而言,將刀具130A緩緩按入至角部3B的 界面。另一方面,對(duì)于第3插入部132而言,將刀具132A緩緩按入至角部3D的界面。
[0157] 接下來,移動(dòng)機(jī)構(gòu)121使刀具130A移動(dòng)至角部3C側(cè)(圖8(c)所示的+X側(cè)),同時(shí)使刀 具132A移動(dòng)至角部3A側(cè)(圖8(c)所示的一X側(cè))。由此,可沿著樹脂襯底3的外周形成2條狹縫 So
[0158] 如上所述地,可形成將樹脂襯底3的外周包圍的4條狹縫S。
[0159] 在形成狹縫S后,剝離機(jī)構(gòu)22保持保持部40中的樹脂襯底3的形成有狹縫S的部分 (狹縫形成部分)。剝離機(jī)構(gòu)22以通過插入部120而在界面處形成的狹縫S為基點(diǎn),將樹脂襯 底3從支撐襯底1緩緩剝離。
[0160] 以上對(duì)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式進(jìn)行了說明,但并不限于上述內(nèi)容,可在不超出發(fā) 明的主旨的范圍內(nèi)進(jìn)行適當(dāng)變更。例如,在上述實(shí)施方式中,舉出了在支撐襯底1的整個(gè)表 面la上形成處理膜2的情況作為例子,但本發(fā)明不限于此。
[0161]需要說明的是,在上述實(shí)施方式中,舉出了通過形成為樹脂襯底3的尺寸小于支撐 襯底1的尺寸,從而將支撐襯底1的表面用作插入部20、120的引導(dǎo)部(guide)的情況作為例 子,但本發(fā)明不限于此。
[0162] 例如,也可如圖9(a)所示,利用配置在支撐襯底1的外周部的引導(dǎo)構(gòu)件80。引導(dǎo)構(gòu) 件80具有與支撐襯底1的形成有樹脂襯底3的面(表面la)為相同高度的引導(dǎo)面80a。
[0163] 通過利用這樣的引導(dǎo)構(gòu)件80,即使在俯視狀態(tài)下、支撐襯底1及樹脂襯底3的大小 大致相同的情況下,也可如圖9(b)所示的那樣,沿著引導(dǎo)構(gòu)件80的引導(dǎo)面80a引導(dǎo)插入部 20、120的插入動(dòng)作,因此,可在界面處良好地形成狹縫S。
[0164] 需要說明的是,本實(shí)施方式中,舉出了為變更插入部120在樹脂襯底3中的插入位 置而使用旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)123使支撐襯底1旋轉(zhuǎn)的情況作為例子,但本發(fā)明不限于此。例如,也可以 通過利用旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)123使插入部120自身旋轉(zhuǎn)90度,并且將由移動(dòng)機(jī)構(gòu)121設(shè)定的插入部120 的移動(dòng)方向變更90度,從而以不使支撐襯底1旋轉(zhuǎn)的方式形成狹縫S。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種襯底剝離裝置,所述襯底剝離裝置是剝離在支撐體上形成的平面形狀為矩形的 樹脂襯底的襯底剝離裝置,其具有: 插入部,所述插入部被配置在所述樹脂襯底的至少1個(gè)角部,可插入到所述樹脂襯底的 所述角部的與所述支撐體的界面中, 移動(dòng)機(jī)構(gòu),所述移動(dòng)機(jī)構(gòu)在所述插入部被插入到所述界面中的狀態(tài)下,使所述插入部 與所述支撐體相對(duì)移動(dòng),和 剝離機(jī)構(gòu),所述剝離機(jī)構(gòu)保持所述樹脂襯底,將通過所述插入部而在所述界面處形成 的狹縫作為基點(diǎn),從所述支撐體剝離所述樹脂襯底。2. 如權(quán)利要求1所述的襯底剝離裝置,其中,所述插入部由刀具構(gòu)成。3. 如權(quán)利要求2所述的襯底剝離裝置,其中,所述刀具由平刀或圓刀構(gòu)成。4. 如權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的襯底剝離裝置,其中,所述插入部分別被配置在所 述樹脂襯底的四角的角部。5. 如權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的襯底剝離裝置,其中,所述刀具分別被配置在所述 樹脂襯底的對(duì)角線上的一對(duì)角部。6. 如權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的襯底剝離裝置,其進(jìn)一步具有引導(dǎo)構(gòu)件,所述引導(dǎo) 構(gòu)件被設(shè)置在所述支撐體的外周部,具有與所述支撐體的形成有所述樹脂襯底的面為相同 高度的面,并且引導(dǎo)所述插入部的插入動(dòng)作。7. 如權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的襯底剝離裝置,其中,所述移動(dòng)機(jī)構(gòu)使所述插入部 沿所述樹脂襯底的外周移動(dòng)。8. 如權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的襯底剝離裝置,其中,所述樹脂襯底為聚酰亞胺襯 底。9. 如權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的襯底剝離裝置,其中,作為所述支撐體,使用預(yù)先在 形成所述樹脂襯底的面上設(shè)置了預(yù)處理層的玻璃襯底,所述預(yù)處理層由硅烷偶聯(lián)劑形成。10. -種襯底剝離方法,所述襯底剝離方法是剝離在支撐體上形成的平面形狀為矩形 的樹脂襯底的襯底剝離方法,其包括以下步驟: 插入步驟,將被配置在所述樹脂襯底的至少1個(gè)角部的插入部插入到所述樹脂襯底的 所述角部的與所述支撐體的界面中, 移動(dòng)步驟,在所述插入部被插入到所述界面中的狀態(tài)下,使所述插入部與所述支撐體 相對(duì)移動(dòng),和 剝離步驟,將通過所述插入部而在所述界面處形成的狹縫作為基點(diǎn),從所述支撐體剝 離所述樹脂襯底。11. 如權(quán)利要求10所述的襯底剝離方法,其中,使用平刀或圓刀作為所述插入部。12. 如權(quán)利要求10或11所述的襯底剝離方法,其中,在所述插入步驟中,將被配置在所 述樹脂襯底的四角的角部的所述插入部插入到所述角部與所述支撐體的界面中。13. 如權(quán)利要求10或11所述的襯底剝離方法,其中,在所述插入步驟中,將分別被配置 在所述樹脂襯底的對(duì)角線上的一對(duì)角部的所述插入部插入到所述角部與所述支撐體的界 面中。14. 如權(quán)利要求10或11所述的襯底剝離方法,其中,在所述插入步驟中,使用引導(dǎo)構(gòu)件 來引導(dǎo)所述插入部的插入動(dòng)作,所述引導(dǎo)構(gòu)件被設(shè)置在所述支撐體的外周部,且具有與所 述支撐體的形成有所述樹脂襯底的面為相同高度的面。15. 如權(quán)利要求10或11所述的襯底剝離方法,其中,在所述移動(dòng)步驟中,所述插入部沿 所述樹脂襯底的外周移動(dòng)。16. 如權(quán)利要求10或11所述的襯底剝離方法,其中,所述樹脂襯底為聚酰亞胺襯底。17. 如權(quán)利要求10或11所述的襯底剝離方法,其中,作為所述支撐體,使用預(yù)先在形成 所述樹脂襯底的面上設(shè)置了預(yù)處理層的玻璃襯底,所述預(yù)處理層由硅烷偶聯(lián)劑形成。
【文檔編號(hào)】G02F1/13GK106028650SQ201610149839
【公開日】2016年10月12日
【申請(qǐng)日】2016年3月16日
【發(fā)明人】菊地浩之, 高瀨真治, 升芳明
【申請(qǐng)人】東京應(yīng)化工業(yè)株式會(huì)社