一種 pcb 上bga位置的背鉆孔制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)一種 PCB 上BGA位置的背鉆孔制作方法。本發(fā)明通過(guò)優(yōu)化背鉆孔的工藝，可有效避免背鉆孔加工時(shí)由于溫度過(guò)高而導(dǎo)致孔壁出現(xiàn)碎屑粘連的問(wèn)題，防止背鉆孔發(fā)生接觸不良、短路等問(wèn)題，提高背鉆孔加工的精度，進(jìn)而有效改善所制得的PCB的品質(zhì)。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
一種PCB上BGA位置的背鉆孔制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本發(fā)明線路板機(jī)械加工技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種PCB上BGA位置的背鉆孔制作方 法。
【背景技術(shù)】
[0002] PCB(印制線路板)上的BGA區(qū)域設(shè)有陣列的金屬化孔，為實(shí)現(xiàn)BGA區(qū)域的屏蔽效果， 需要除去孔內(nèi)的一部分金屬層。現(xiàn)有技術(shù)中，采用線路蝕刻以后連續(xù)兩次鉆重復(fù)鉆或直接 鑼的方法；該方法會(huì)使得孔口披鋒嚴(yán)重，而且連續(xù)兩次鉆孔會(huì)造成孔口的焊環(huán)脫落，嚴(yán)重 影響PCB成品率和性能。此外，鉆孔時(shí)產(chǎn)生的高溫容易使碎肩與金屬層粘連，不但容易導(dǎo) 致鉆孔深度難以掌握，更容易導(dǎo)致鉆孔后孔內(nèi)殘留金屬層接觸不良或短路。此外，鉆孔時(shí)的 高溫還容易導(dǎo)致PCB尺寸變形、影響定位。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 有鑒于此，本發(fā)明公開(kāi)一種降低鉆孔溫度對(duì)鉆孔工藝不良影響的背鉆孔方法。
[0004] 本發(fā)明的目的通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):一種PCB上BGA位置的背鉆孔制作方法， 包括步驟： 51. 對(duì)線路板基板進(jìn)行開(kāi)料、貼干膜、內(nèi)層棕化及壓板處理后，對(duì)其進(jìn)行第一次鉆孔； 52. 全板沉銅電鍍，并對(duì)沉銅電鍍后的步驟S1所述經(jīng)壓板處理的壓合板進(jìn)行外層圖形 轉(zhuǎn)移，以及圖形電鍍銅及錫； 53. 在BGA位置的孔上進(jìn)行背鉆； 54. 對(duì)背鉆以后的板進(jìn)行堿性蝕刻處理； 55. 將步驟S4所得PCB板進(jìn)行退錫處理，將退錫處理后的PCB板通過(guò)飛針測(cè)試儀進(jìn)行檢 測(cè)，檢測(cè)合格，制得成品； 所述步驟S3中，首先背鉆BGA位置上外側(cè)的孔，再依次背鉆BGA位置中心的孔。
[0005] BGA位置上的孔一般為陣列狀排列，先背鉆邊緣(外側(cè)）的孔，可以使BGA區(qū)域的溫 度均衡，避免板上溫度不均而發(fā)生變形影響定位精度。而B(niǎo)GA位置邊緣的孔熱量散發(fā)交款， 后鉆中心位置的孔可以避免BGA區(qū)域溫度過(guò)高、碎肩粘連在孔壁。
[0006] 進(jìn)一步的，所述的步驟S1第一次鉆孔孔徑為0.4-0.5mm直徑的孔，主軸鉆速 110krpm-170krpm，控制孔徑粗細(xì)10-15μηι。
[0007] 進(jìn)一步的，所述的步驟S2為全板加板電鍍，在孔內(nèi)做上一層金屬層，厚度為0.25 μηι-10μηι，使其加板電鍍以后孔銅厚度為3-10 μπι。
[0008] 更進(jìn)一步的，所述的步驟S2圖形電鍍的電鍍孔銅厚20-50μπι ;電鍍錫使用S.O-tSASD 的電流密度 ，電鍍 8-llmin， 錫厚控制 3-6μπι。
[0009] 更進(jìn)一步的，所述的步驟S3進(jìn)行背鉆時(shí)，先在機(jī)臺(tái)上墊上一塊酚醛或纖維板，使用 同一個(gè)定位資料，先纟羅出一個(gè)平臺(tái)，深度0.3-1.6mm，將板放在平臺(tái)上，控制主軸的下鉆速 度 0.2-〇.8m/min ;主軸鉆速為20krpm-180krpm。
[0010] 優(yōu)選的，所述步驟S4通過(guò)飛針測(cè)試儀進(jìn)行檢測(cè)時(shí)為四線飛針檢測(cè)，通過(guò)測(cè)試孔內(nèi) 的銅開(kāi)短路，使用通斷測(cè)試來(lái)判定背鉆孔的開(kāi)路情況;開(kāi)路判定合格，做切片分析分析背鉆 的深度是否合格，要求控制深度的公差為±0.〇75mm到±0.1mm。
[0011] 本發(fā)明對(duì)鉆孔參數(shù)的設(shè)計(jì)，可以確保鉆孔后孔壁的光潔度，提高PCB品質(zhì)。
[0012] 優(yōu)選的，所述S3在BGA位置的孔上進(jìn)行背鉆孔錢(qián)，還包括對(duì)孔內(nèi)灌注保護(hù)液;所述 保護(hù)液其原料按重量計(jì)包括α-萘酚2份、茚三酮3份、二氫月桂烯醇29份和3份的EDTA二鈉以 及90份的乙酸乙酯。
[0013] 所述α-萘酚，又名甲萘酚，1-萘酚。有難聞的苯酚氣味。微溶于水，易溶于乙醇、乙 醚、苯、氯仿，溶于氫氧化鈉溶液。用于合成染料及其中間體，還用于合成香料及其它有機(jī)合 成工業(yè)，可選用任一種市售產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)。所述茚三酮是一種用于檢測(cè)氨或者一級(jí)胺和二級(jí)胺 的試劑。當(dāng)與這些游離胺反應(yīng)時(shí)，能夠產(chǎn)生深藍(lán)色或者紫色的物質(zhì)，叫做Ruhemann紫。茚三 酮常用來(lái)檢測(cè)指紋，這是由于指紋表面所蛻落的蛋白質(zhì)和肽中含有的賴(lài)氨酸殘基，其上的 一級(jí)胺被茚三酮檢測(cè)，本發(fā)明中可選用市售產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)。二氫月桂烯醇主要從二氫月桂烯（自 蒎烯的加氫產(chǎn)物蒎烷裂解生成)在酸催化下和水、甲酸加成而得，為市售產(chǎn)品。發(fā)明人在研 究中發(fā)現(xiàn)，鉆孔時(shí)對(duì)孔內(nèi)灌入適量的萘酚、茚三酮，可有效印制金屬碎肩與孔內(nèi)軟化的非 金屬區(qū)粘連，二氫月桂烯醇和EDTA二鈉更能避免碎肩聚集成團(tuán)融化、附著在孔壁的金屬層 上，確?？妆诘墓饣?。
[0014] 本發(fā)明通過(guò)優(yōu)化背鉆孔的工藝，可有效避免背鉆孔加工時(shí)由于溫度過(guò)高而導(dǎo)致孔 壁出現(xiàn)碎肩粘連的問(wèn)題，防止背鉆孔發(fā)生接觸不良、短路等問(wèn)題，提高背鉆孔加工的精度， 進(jìn)而有效改善所制得的PCB的品質(zhì)。
【具體實(shí)施方式】
[0015] 為了便于本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，下面將結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述： 實(shí)施例1 本實(shí)施例提供一種PCB上BGA位置的背鉆孔制作方法，包括步驟： 51. 對(duì)線路板基板進(jìn)行開(kāi)料、貼干膜、內(nèi)層棕化及壓板處理后，對(duì)其進(jìn)行第一次鉆孔； 52. 全板沉銅電鍍，并對(duì)沉銅電鍍后的步驟S1所述經(jīng)壓板處理的壓合板進(jìn)行外層圖形 轉(zhuǎn)移，以及圖形電鍍銅及錫； 53. 在BGA位置的孔上進(jìn)行背鉆； 54. 對(duì)背鉆以后的板進(jìn)行堿性蝕刻處理； 55. 將步驟S4所得PCB板進(jìn)行退錫處理，將退錫處理后的PCB板通過(guò)飛針測(cè)試儀進(jìn)行檢 測(cè)，檢測(cè)合格，制得成品； 所述步驟S3中，首先背鉆BGA位置上外側(cè)的孔，再依次背鉆BGA位置中心的孔。
[0016] 優(yōu)選的，所述S3在BGA位置的孔上進(jìn)行背鉆孔錢(qián)，還包括對(duì)孔內(nèi)灌注保護(hù)液;所述 保護(hù)液其原料按重量計(jì)包括α-萘酚2份、茚三酮3份、二氫月桂烯醇29份和3份的EDTA二鈉以 及90份的乙酸乙酯。
[0017] 本實(shí)施例未詳細(xì)說(shuō)明的，均可選用任一種現(xiàn)有技術(shù)實(shí)現(xiàn)。
[0018] 實(shí)施例2 本實(shí)施例提供一種PCB上BGA位置的背鉆孔制作方法，包括步驟： 51. 對(duì)線路板基板進(jìn)行開(kāi)料、貼干膜、內(nèi)層棕化及壓板處理后，對(duì)其進(jìn)行第一次鉆孔； 52. 全板沉銅電鍍，并對(duì)沉銅電鍍后的步驟S1所述經(jīng)壓板處理的壓合板進(jìn)行外層圖形 轉(zhuǎn)移，以及圖形電鍍銅及錫； 53. 在BGA位置的孔上進(jìn)行背鉆； 54. 對(duì)背鉆以后的板進(jìn)行堿性蝕刻處理； 55. 將步驟S4所得PCB板進(jìn)行退錫處理，將退錫處理后的PCB板通過(guò)飛針測(cè)試儀進(jìn)行檢 測(cè)，檢測(cè)合格，制得成品； 所述步驟S3中，首先背鉆BGA位置上外側(cè)的孔，再依次背鉆BGA位置中心的孔。
[0019] 進(jìn)一步的，所述的步驟S1第一次鉆孔孔徑為0. 5mm直徑的孔，主軸鉆速 160krpm，控制孔徑粗細(xì)12μηι。
[0020] 進(jìn)一步的，所述的步驟S2為全板加板電鍍，在孔內(nèi)做上一層金屬層，厚度為5μπι， 使其加板電鍍以后孔銅厚度為7μηι。
[0021] 更進(jìn)一步的，所述的步驟S2圖形電鍍的電鍍孔銅厚30m ;電鍍錫使用3.0-4.3ASD 的電流密度，電鍍8-llmin，錫厚控制5μπι。
[0022] 更進(jìn)一步的，所述的步驟S3進(jìn)行背鉆時(shí)，先在機(jī)臺(tái)上墊上一塊酚醛或纖維板，使用 同一個(gè)定位資料，先纟羅出一個(gè)平臺(tái)，深度〇 . 5mm，將板放在平臺(tái)上，控制主軸的下鉆速度 0.3m/min ;主軸鉆速為 150krpm。
[0023] 優(yōu)選的，所述步驟S4通過(guò)飛針測(cè)試儀進(jìn)行檢測(cè)時(shí)為四線飛針檢測(cè)，通過(guò)測(cè)試孔內(nèi) 的銅開(kāi)短路，使用通斷測(cè)試來(lái)判定背鉆孔的開(kāi)路情況;開(kāi)路判定合格，做切片分析分析背鉆 的深度是否合格，要求控制深度的公差為±0.〇75mm到±0.1mm。
[0024] 優(yōu)選的，所述S3在BGA位置的孔上進(jìn)行背鉆孔錢(qián)，還包括對(duì)孔內(nèi)灌注保護(hù)液;所述 保護(hù)液其原料按重量計(jì)包括α-萘酚2份、茚三酮3份、二氫月桂烯醇29份和3份的EDTA二鈉以 及90份的乙酸乙酯。
[0025] 實(shí)施例3 本實(shí)施例提供一種PCB上BGA位置的背鉆孔制作方法，包括步驟： 51. 對(duì)線路板基板進(jìn)行開(kāi)料、貼干膜、內(nèi)層棕化及壓板處理后，對(duì)其進(jìn)行第一次鉆孔； 52. 全板沉銅電鍍，并對(duì)沉銅電鍍后的步驟S1所述經(jīng)壓板處理的壓合板進(jìn)行外層圖形 轉(zhuǎn)移，以及圖形電鍍銅及錫； 53. 在BGA位置的孔上進(jìn)行背鉆； 54. 對(duì)背鉆以后的板進(jìn)行堿性蝕刻處理； 55. 將步驟S4所得PCB板進(jìn)行退錫處理，將退錫處理后的PCB板通過(guò)飛針測(cè)試儀進(jìn)行檢 測(cè)，檢測(cè)合格，制得成品； 所述步驟S3中，首先背鉆BGA位置上外側(cè)的孔，再依次背鉆BGA位置中心的孔。
[0026] 進(jìn)一步的，所述的步驟S1第一次鉆孔孔徑為0.5mm直徑的孔，主軸鉆速170krpm， 控制孔徑粗細(xì)15μηι。
[0027]進(jìn)一步的，所述的步驟S2為全板加板電鍍，在孔內(nèi)做上一層金屬層，厚度為ΙΟμπι， 使其加板電鍍以后孔銅厚度為10 μπι。
[0028]更進(jìn)一步的，所述的步驟S2圖形電鍍的電鍍孔銅厚50μπι ;電鍍錫使用4.3ASD的 電流密度，電鍍llmin，錫厚控制6μπι。
[0029] 更進(jìn)一步的，所述的步驟S3進(jìn)行背鉆時(shí)，先在機(jī)臺(tái)上墊上一塊酚醛或纖維板，使用 同一個(gè)定位資料，先纟羅出一個(gè)平臺(tái)，深度1.6mm，將板放在平臺(tái)上，控制主軸的下鉆速度 0.8m/min ;主軸鉆速為 180krpm。
[0030] 優(yōu)選的，所述步驟S4通過(guò)飛針測(cè)試儀進(jìn)行檢測(cè)時(shí)為四線飛針檢測(cè)，通過(guò)測(cè)試孔內(nèi) 的銅開(kāi)短路，使用通斷測(cè)試來(lái)判定背鉆孔的開(kāi)路情況;開(kāi)路判定合格，做切片分析分析背鉆 的深度是否合格，要求控制深度的公差為±0.〇75mm到±0.1mm。
[0031] 優(yōu)選的，所述S3在BGA位置的孔上進(jìn)行背鉆孔錢(qián)，還包括對(duì)孔內(nèi)灌注保護(hù)液;所述 保護(hù)液其原料按重量計(jì)包括α-萘酚2份、茚三酮3份、二氫月桂烯醇29份和3份的EDTA二鈉以 及90份的乙酸乙酯。
[0032] 實(shí)施例4 本實(shí)施例提供一種PCB上BGA位置的背鉆孔制作方法，包括步驟： 51. 對(duì)線路板基板進(jìn)行開(kāi)料、貼干膜、內(nèi)層棕化及壓板處理后，對(duì)其進(jìn)行第一次鉆孔； 52. 全板沉銅電鍍，并對(duì)沉銅電鍍后的步驟S1所述經(jīng)壓板處理的壓合板進(jìn)行外層圖形 轉(zhuǎn)移，以及圖形電鍍銅及錫； 53. 在BGA位置的孔上進(jìn)行背鉆； 54. 對(duì)背鉆以后的板進(jìn)行堿性蝕刻處理； 55. 將步驟S4所得PCB板進(jìn)行退錫處理，將退錫處理后的PCB板通過(guò)飛針測(cè)試儀進(jìn)行檢 測(cè)，檢測(cè)合格，制得成品； 所述步驟S3中，首先背鉆BGA位置上外側(cè)的孔，再依次背鉆BGA位置中心的孔。
[0033]進(jìn)一步的，所述的步驟S1第一次鉆孔孔徑為0.4mm直徑的孔，主軸鉆速llOkrpm， 控制孔徑粗細(xì)10。
[0034]進(jìn)一步的，所述的步驟S2為全板加板電鍍，在孔內(nèi)做上一層金屬層，厚度為0.25 μπι，使其加板電鍍以后孔銅厚度為3。
[0035]更進(jìn)一步的，所述的步驟S2圖形電鍍的電鍍孔銅厚20 ;電鍍錫使用3.0ASD的 電流密度，電鍍8min，錫厚控制3μπι。
[0036] 更進(jìn)一步的，所述的步驟S3進(jìn)行背鉆時(shí)，先在機(jī)臺(tái)上墊上一塊酸醛，使用同一個(gè)定 位資料，先纟羅出一個(gè)平臺(tái)，深度〇.3mm，將板放在平臺(tái)上，控制主軸的下鉆速度0.2m/min ; 主軸鉆速為20krpm。
[0037] 優(yōu)選的，所述步驟S4通過(guò)飛針測(cè)試儀進(jìn)行檢測(cè)時(shí)為四線飛針檢測(cè)，通過(guò)測(cè)試孔內(nèi) 的銅開(kāi)短路，使用通斷測(cè)試來(lái)判定背鉆孔的開(kāi)路情況;開(kāi)路判定合格，做切片分析分析背鉆 的深度是否合格，要求控制深度的公差為±0.〇75mm到±0.1mm。
[0038] 優(yōu)選的，所述S3在BGA位置的孔上進(jìn)行背鉆孔錢(qián)，還包括對(duì)孔內(nèi)灌注保護(hù)液;所述 保護(hù)液其原料按重量計(jì)包括α_萘酚2份和3份的EDTA二鈉以及90份的乙酸乙酯。
[0039] 實(shí)施例5 本實(shí)施例提供一種PCB上BGA位置的背鉆孔制作方法，包括步驟： 51. 對(duì)線路板基板進(jìn)行開(kāi)料、貼干膜、內(nèi)層棕化及壓板處理后，對(duì)其進(jìn)行第一次鉆孔； 52. 全板沉銅電鍍，并對(duì)沉銅電鍍后的步驟S1所述經(jīng)壓板處理的壓合板進(jìn)行外層圖形 轉(zhuǎn)移，以及圖形電鍍銅及錫； 53. 在BGA位置的孔上進(jìn)行背鉆； 54. 對(duì)背鉆以后的板進(jìn)行堿性蝕刻處理； 55. 將步驟S4所得PCB板進(jìn)行退錫處理，將退錫處理后的PCB板通過(guò)飛針測(cè)試儀進(jìn)行檢 測(cè)，檢測(cè)合格，制得成品； 所述步驟S3中，首先背鉆BGA位置上外側(cè)的孔，再依次背鉆BGA位置中心的孔。
[0040] 進(jìn)一步的，所述的步驟S1第一次鉆孔孔徑為0.5mm直徑的孔，主軸鉆速170krpm， 控制孔徑粗細(xì)15μηι。
[0041] 進(jìn)一步的，所述的步驟S2為全板加板電鍍，在孔內(nèi)做上一層金屬層，厚度為ΙΟμπι， 使其加板電鍍以后孔銅厚度為10 μπι。
[0042] 更進(jìn)一步的，所述的步驟S2圖形電鍍的電鍍孔銅厚50μπι ;電鍍錫使用4.3ASD的 電流密度，電鍍llmin，錫厚控制6μπι。
[0043] 更進(jìn)一步的，所述的步驟S3進(jìn)行背鉆時(shí)，先在機(jī)臺(tái)上墊上一塊酚醛或纖維板，使用 同一個(gè)定位資料，先纟羅出一個(gè)平臺(tái)，深度1.6mm，將板放在平臺(tái)上，控制主軸的下鉆速度 0.8m/min ;主軸鉆速為 180krpm。
[0044] 優(yōu)選的，所述步驟S4通過(guò)飛針測(cè)試儀進(jìn)行檢測(cè)時(shí)為四線飛針檢測(cè)，通過(guò)測(cè)試孔內(nèi) 的銅開(kāi)短路，使用通斷測(cè)試來(lái)判定背鉆孔的開(kāi)路情況;開(kāi)路判定合格，做切片分析分析背鉆 的深度是否合格，要求控制深度的公差為±0.〇75mm到±0.1mm。
[0045] 優(yōu)選的，所述S3在BGA位置的孔上進(jìn)行背鉆孔錢(qián)，還包括對(duì)孔內(nèi)灌注保護(hù)液;所述 保護(hù)液其原料按重量計(jì)包括茚三酮3份、二氫月桂烯醇29份以及90份的乙酸乙酯。
[0046] 測(cè)試孔壁金屬區(qū)和非金屬區(qū)的動(dòng)摩擦系數(shù)，其結(jié)果如下表。
[0047] 以上為本發(fā)明的其中具體實(shí)現(xiàn)方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為 對(duì)本發(fā)明專(zhuān)利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā) 明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些顯而易見(jiàn)的替換形式均屬于本發(fā)明的 保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種PCB上BGA位置的背鉆孔制作方法，包括步驟：51. 對(duì)線路板基板進(jìn)行開(kāi)料、貼干膜、內(nèi)層棕化及壓板處理后，對(duì)其進(jìn)行第一次鉆孔；52. 全板沉銅電鍍，并對(duì)沉銅電鍍后的步驟S1所述經(jīng)壓板處理的壓合板進(jìn)行外層圖形 轉(zhuǎn)移，以及圖形電鍍銅及錫；53. 在BGA位置的孔上進(jìn)行背鉆；54. 對(duì)背鉆以后的板進(jìn)行堿性蝕刻處理；55. 將步驟S4所得PCB板進(jìn)行退錫處理，將退錫處理后的PCB板通過(guò)飛針測(cè)試儀進(jìn)行檢 測(cè)，檢測(cè)合格，制得成品； 所述步驟S3中，首先背鉆BGA位置上外側(cè)的孔，再依次背鉆BGA位置中心的孔。2. 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征是：所述的步驟S1第一次鉆孔孔徑為0.4- 0.5mm直徑的孔，主軸鉆速11 Okrpm-170krpm，控制孔徑粗細(xì)10-15μηι。3. 如權(quán)利要求2所述的PCB背鉆孔制作方法，其特征是：所述的步驟S2為全板加 板電鍍，在孔內(nèi)做上一層金屬層，厚度為〇.25μπι-10 μπι，使其加板電鍍以后孔銅厚度為3-10 μL?〇4. 如權(quán)利要求2所述的方法，其特征是：所述的步驟S2圖形電鍍的電鍍孔銅厚20-50μπι ;電鍍錫使用3.0-4.3ASD的電流密度，電鍍8-llmin，錫厚控制3-6_。5. 如權(quán)利要求3或者4所述的方法，其特征是：所述的步驟S3進(jìn)行背鉆時(shí)，先在機(jī) 臺(tái)上墊上一塊酚醛或纖維板，使用同一個(gè)定位資料，先鑼出一個(gè)平臺(tái)，深度0.3-1.6mm，將 板放在平臺(tái)上，控制主軸的下鉆速度〇.2-〇.8m/min ;主軸鉆速為20krpm-180krpm。6. 如權(quán)利要求5所述的方法，其特征是：所述步驟S4通過(guò)飛針測(cè)試儀進(jìn)行檢測(cè)時(shí)為 四線飛針檢測(cè)，通過(guò)測(cè)試孔內(nèi)的銅開(kāi)短路，使用通斷測(cè)試來(lái)判定背鉆孔的開(kāi)路情況;開(kāi)路判 定合格，做切片分析分析背鉆的深度是否合格，要求控制深度的公差為±0.075mm到± 0.1mm〇7. 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征是：所述S3在BGA位置的孔上進(jìn)行背鉆孔錢(qián)，還 包括對(duì)孔內(nèi)灌注保護(hù)液;所述保護(hù)液其原料按重量計(jì)包括α-萘酚2份、茚三酮3份、二氫月桂 烯醇29份和3份的EDTA二鈉以及90份的乙酸乙酯。
【文檔編號(hào)】H05K3/00GK106028651SQ201610291974
【公開(kāi)日】2016年10月12日
【申請(qǐng)日】2016年5月5日
【發(fā)明人】韓明, 曾紅, 黎欽源, 王峻
【申請(qǐng)人】廣合科技（廣州）有限公司