一種蓋板及其制作方法
【專利摘要】本申請?zhí)峁┝艘环N蓋板及其制作方法，通過在所述基板的正面和背面分別形成圖形化的第一掩膜層和第二掩膜層；其中，所述第一掩膜層包括至少一個預設掩膜，所述預設掩膜覆蓋待形成蓋板的區(qū)域；所述第二掩膜層的圖形為所述第一掩膜層的圖形在垂直于所述基板正面或背面方向的投影；以所述第一掩膜層和第二掩膜層為掩膜對所述基板進行雙面刻蝕，形成獨立的蓋板，通過直接刻蝕得到獨立的蓋板外形，避免了CNC工藝，從而提高了生產(chǎn)效率和成品合格率，降低了小尺寸蓋板的生產(chǎn)成本，同時在強度方面也有很大的提升。
【專利說明】
_種蓋板及其制作方法
技術領域
[0001]本申請涉及電子器件技術領域，特別涉及一種蓋板及其制作方法。
【背景技術】
[0002]隨著科學技術的不斷發(fā)展，電子器件越來越多的應用到人們的工作以及日常生活當中，給人們的工作以及日常生活帶來了巨大的便利。
[0003]現(xiàn)有的電子器件通常設有一些小尺寸的蓋板，用于覆蓋和保護電子器件上的特定部件，如按鍵、攝像頭等。一般來說，這種小尺寸蓋板具有圓滑的邊緣，以提升用戶體驗。
[0004]然而，現(xiàn)有技術中的小尺寸蓋板的制作，先將基板切割為待磨片，之后采用CNC工藝將待磨片的邊緣打磨至預設的形狀，由于待磨片為小尺寸基板，不易打磨，造成生產(chǎn)效率低，且CNC工藝形成的蓋板，外形尺寸不精確，成品合格率低，最終造成該小尺寸蓋板的生產(chǎn)成本過高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為解決上述技術問題，本發(fā)明提供一種蓋板及其制作方法，生產(chǎn)效率高，且成品合格率高，從而降低了小尺寸蓋板的生產(chǎn)成本。
[0006]技術方案如下:
[0007]—種蓋板的制作方法，包括:
[0008]提供基板，所述基板包括相對的正面和背面；
[0009]形成圖形化的第一掩膜層和圖形化的第二掩膜層，其中，所述第一掩膜層位于所述基板的正面，所述第二掩膜層位于所述基板的背面;所述第一掩膜層包括至少一個預設掩膜，所述預設掩膜覆蓋待形成蓋板的區(qū)域;所述第二掩膜層的圖形為所述第一掩膜層的圖形在垂直于所述基板正面或背面方向的投影;所述第二掩膜層的圖形為所述第一掩膜層的圖形在垂直于所述基板正面或背面方向的投影；
[0010]以所述第一掩膜層和第二掩膜層為掩膜對所述基板進行雙面刻蝕，形成獨立的蓋板。
[0011]優(yōu)選的，所述預設掩膜的圖形為所述待形成蓋板的橫截面向外擴展所述待形成蓋板橫截面積的0.0I %?1 %。
[0012]優(yōu)選的，所述刻蝕為濕法刻蝕。
[0013]優(yōu)選的，所述濕法刻蝕的刻蝕液為酸蝕液。
[0014]優(yōu)選的，所述以所述第一掩膜層和第二掩膜層為掩膜對所述基板進行雙面刻蝕，形成獨立的蓋板，包括:
[0015]沿所述預設掩膜的外圍切割所述基板，形成多個中片；
[0016]對所述中片進行雙面刻蝕，形成獨立的蓋板。
[0017]優(yōu)選的，形成圖形化的第一掩膜層和圖形化的第二掩膜層，其中，所述第一掩膜層位于所述基板的正面，所述第二掩膜層位于所述基板的背面，包括:
[0018]在所述基板的正面形成圖形化的第一掩膜層；
[0019]在所述基板的背面形成圖形化的第二掩膜層。
[0020]優(yōu)選的，所述在所述基板的正面形成圖形化的第一掩膜層，包括:
[0021 ]在所述基板的正面形成第一光刻膠層；
[0022]曝光所述第一光刻膠層；
[0023]顯影所述第一光刻膠層，形成圖形化的第一掩膜層。
[0024]優(yōu)選的，所述在所述基板的背面形成圖形化的第二掩膜層，包括:
[0025]在所述基板的背面形成第二光刻膠層；
[0026]曝光所述第二光刻膠層；
[0027]顯影所述第二光刻膠層，形成圖形化的第二掩膜層。
[0028]優(yōu)選的，所述形成圖形化的第一掩膜層和圖形化的第二掩膜層，其中，所述第一掩膜層位于所述基板的正面，所述第二掩膜層位于所述基板的背面，包括:
[0029]在所述基板的正面形成第一光刻膠層；
[0030]在所述基板的背面形成第二光刻膠層；
[0031 ]分別對所述第一光刻膠層和所述第二光刻膠層進行曝光；
[0032]顯影所述第一光刻膠層和所述第二光刻膠層，形成圖形化的第一掩膜層和圖形化的第二掩膜層。
[0033]—種蓋板，所述蓋板米用上述方法制作得到。
[0034]與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明的有益效果為:
[0035]本發(fā)明中的蓋板及其制作方法，通過在所述基板的正面和背面分別形成圖形化的第一掩膜層和第二掩膜層;其中，所述第一掩膜層包括至少一個預設掩膜，所述預設掩膜覆蓋待形成蓋板的區(qū)域;所述第二掩膜層的圖形為所述第一掩膜層的圖形在垂直于所述基板正面或背面方向的投影；以所述第一掩膜層和第二掩膜層為掩膜對所述基板進行雙面刻蝕，形成獨立的蓋板，通過直接刻蝕得到獨立的蓋板，避免了 CNC工藝，從而提高了生產(chǎn)效率和成品合格率，降低了小尺寸蓋板的生產(chǎn)成本。
【附圖說明】
[0036]為了更清楚地說明本申請實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本申請的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0037]圖1是現(xiàn)有技術中小尺寸蓋板的制作方法流程圖；
[0038]圖2是本發(fā)明蓋板的制作方法流程圖；
[0039]圖3是本發(fā)明實施例的蓋板的制作方法流程圖；
[0040]圖4是本發(fā)明實施例中第一掩膜層和第二掩膜層的制作方法流程圖；
[0041]圖5是本發(fā)明實施例中第一掩膜層和第二掩膜層的另一制作方法流程圖。
【具體實施方式】
[0042]下面將結合本申請實施例中的附圖，對本申請實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本申請一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒旧暾堉械膶嵤├?，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本申請保護的范圍。
[0043]現(xiàn)有的小尺寸蓋板的制作方法，如圖1所示，包括:
[0044]步驟SOl:提供基板；
[0045]步驟S02:切割基板，形成具有預設尺寸的待磨片；
[0046]步驟S03:采用CNC工藝打磨所述待磨片的邊緣，形成蓋板。
[0047]其中，所述預設尺寸的待磨片，指的是比蓋板尺寸略大，且邊緣為直線的小尺寸基板。所述CNC工藝，指的是將所述待磨片固定后(一般采用真空吸附的方式進行固定)，對待磨片的邊緣進行打磨，最終形成具有預設形狀的蓋板。
[0048]可以看出，現(xiàn)有的小尺寸蓋板的制作方法，需要對待磨片進行打磨，由于待磨片為小尺寸基板，不易固定，造成生產(chǎn)效率低，且CNC工藝形成的蓋板，外形尺寸不精確，成品合格率低，最終造成該小尺寸蓋板的生產(chǎn)成本過高。
[0049]基于此，本發(fā)明提出一種蓋板的制作方法及采用該方法形成的蓋板，如圖2所示，包括:
[0050]步驟SlOl:提供基板，所述基板包括相對的正面和背面；
[0051]步驟S102:形成圖形化的第一掩膜層和圖形化的第二掩膜層，其中，所述第一掩膜層位于所述基板的正面，所述第二掩膜層位于所述基板的背面;所述第一掩膜層包括至少一個預設掩膜，所述預設掩膜覆蓋待形成蓋板的區(qū)域;所述第二掩膜層的圖形為所述第一掩膜層的圖形在垂直于所述基板正面或背面方向的投影；
[0052]步驟S103:以所述第一掩膜層和第二掩膜層為掩膜對所述基板進行雙面刻蝕，形成獨立的蓋板。
[0053]本發(fā)明通過直接刻蝕得到獨立的小尺寸蓋板，避免了CNC工藝，從而提高了生產(chǎn)效率和成品合格率，降低了小尺寸蓋板的生產(chǎn)成本。
[0054]以上是本發(fā)明的中心思想，下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0055]下面，對本發(fā)明的蓋板的制作方法進行詳細的介紹，具體的，如圖3所示，所述方法包括:
[0056]步驟S201:提供基板，所述基板包括相對的正面和背面；
[0057]其中，所述基板可以為玻璃，也可以為塑料板，或者其他硬質(zhì)的透明基板。在本申請實施例中，優(yōu)選為玻璃。
[0058]步驟S202:形成圖形化的第一掩膜層和圖形化的第二掩膜層，其中，所述第一掩膜層位于所述基板的正面，所述第二掩膜層位于所述基板的背面;所述第一掩膜層包括至少一個預設掩膜，所述預設掩膜覆蓋待形成蓋板的區(qū)域;所述第二掩膜層的圖形為所述第一掩膜層的圖形在垂直于所述基板正面或背面方向的投影。
[0059]在本步驟中，還可以包括:
[0060]步驟S2021:清洗所述基板。
[0061]具體的，可以采用異丙醇等清洗劑進行基板的清洗，以去除基板上的浮塵、油污等。
[0062]步驟S2022:形成圖形化的第一掩膜層和圖形化的第二掩膜層，其中，所述第一掩膜層位于所述基板的正面，所述第二掩膜層位于所述基板的背面；。
[0063]其中，所述第一掩膜層包括至少一個預設掩膜，所述預設掩膜覆蓋待形成蓋板的區(qū)域;所述第二掩膜層的圖形為所述第一掩膜層的圖形在垂直于所述基板正面或背面方向的投影。
[0064]具體的，所述預設掩膜的圖形根據(jù)待形成蓋板的形狀和尺寸確定，例如，待形成蓋板為圓形，則預設掩膜為圓形，帶形成蓋板為橢圓形，則預設掩膜為橢圓形。所述預設掩膜的圖形為沿所述待形成蓋板的橫截面的邊緣向外擴展所述待形成蓋板橫截面積的0.01%?1 %后的圖形。具體的，在本申請實施例中，優(yōu)選向外擴展的比例為I %，或者，在其他實施例中，所述預設掩膜的圖形為所述待形成蓋板的橫截面，即，不向外擴展。本領域技術人員可以根據(jù)實際需求進行設置。
[0065]并且，所述第一掩膜層包括至少一個預設掩膜，其中，一個預設掩膜可以對應形成一個蓋板，在實際操作中，可以根據(jù)基板的大小確定預設掩膜的數(shù)量。一般情況下，一個基板可以形成1?100個蓋板，因此，第一掩膜層可以包括30?80個預設掩膜。
[0066]所述第二掩膜層的圖形為所述第一掩膜層的圖形在垂直于所述基板正面或背面方向的投影。具體的，由于基板的正面和背面為平行平面，第二掩膜層的圖形為所述第一掩膜層的圖形在垂直于所述基板正面或背面方向的投影，可以使得第二掩膜層的圖形與第一掩膜層的圖形鏡面對稱。
[0067]其中，所述掩膜層可以為光阻層，所述第一掩膜層和第二掩膜層為第一光阻層和第二光阻層，具體的，所述第一掩膜層和第二掩膜層的形成方法可以包括兩種。一種是分別單獨形成第一掩膜層和第二掩膜層，一種為同時形成第一掩膜層和第二掩膜層。具體的，其過程如下:
[0068]單獨形成第一掩膜層和第二掩膜層包括:
[0069]步驟Al:在所述基板的正面形成圖形化的第一掩膜層；
[0070]其中，所述第一掩膜層可以采用光刻工藝，在所述基板的正面形成一圖形化的光刻膠層，也可以采用沉積加刻蝕的工藝，在所述基板的正面形成一圖形化的掩膜層。具體的，本實施例提供了光刻工藝的具體過程:
[0071]步驟All:在所述基板的正面形成第一光刻膠層；
[0072]步驟A12:曝光所述第一光刻膠層；
[0073]步驟A13:顯影所述第一光刻膠層，形成圖形化的第一掩膜層。
[0074]其中，所述第一光刻膠層可以為正性光刻膠，也可以為負性光刻膠，只要最終顯影后得到掩膜層中保留有預設掩膜即可。
[0075]步驟A2:在所述基板的背面形成圖形化的第二掩膜層
[0076]同樣的，所述第二掩膜層也可以采用第一掩膜層的方法形成，也可以采用其他工藝形成，由于本領域中形成圖形化的掩膜層的工藝很多，本領域技術人員可以根據(jù)實際情況進行選擇，本申請在此不做限定。
[0077]具體的，本實施例提供了光刻工藝的具體過程:
[0078]步驟A21:在所述基板的背面形成第二光刻膠層；
[0079]步驟A22:曝光所述第二光刻膠層；
[0080]步驟A23:顯影所述第二光刻膠層，形成圖形化的第二掩膜層。
[0081]其中，所述第二光刻膠層可以為正性光刻膠，也可以為負性光刻膠，只要最終顯影后得到掩膜層中保留有預設掩膜即可。
[0082]另外，如圖4所示，同時形成第一掩膜層和第二掩膜層的過程可以包括如下步驟:
[0083]步驟B1:在所述基板的正面形成第一光刻膠層；
[0084]步驟B2:在所述基板的背面形成第二光刻膠層；
[0085]步驟B3:分別對所述第一光刻膠層和所述第二光刻膠層進行曝光；
[0086]步驟B4:顯影所述第一光刻膠層和所述第二光刻膠層，形成圖形化的第一掩膜層和圖形化的第二掩膜層。
[0087]其中，所述第一光刻膠層和第二光刻膠層可以為正性光刻膠，也可以為負性光刻膠，只要最終顯影后得到掩膜層中保留有預設掩膜即可。
[0088]并且，如圖5所示，提供了一種采用沉積工藝形成圖形化的第一掩膜層和圖形化的第二掩膜層的方法，具體如下:
[0089]步驟Cl:在所述基板的正面和背面沉積第一掩膜層和第二掩膜層；
[0090]步驟C2:在所述基板的正面和背面分別形成圖形化的光刻膠層；
[0091]步驟C3:刻蝕所述第一掩膜層和第二掩膜層，形成圖形化的第一掩膜層和圖形化的第二掩膜層；
[0092]步驟C4:去除圖形化的第一掩膜層和圖形化的第二掩膜層上的光刻膠層。
[0093]其中，步驟C2中的光刻膠層的圖形與即將形成的圖形化的第一掩膜層和圖形化的第二掩膜層的圖形相對應，以便后續(xù)刻蝕形成圖形化的第一掩膜層和圖形化的第二掩膜層。
[0094]步驟S203:以所述第一掩膜層和第二掩膜層為掩膜對所述基板進行雙面刻蝕，形成獨立的蓋板。
[0095]具體的，所述刻蝕可以為濕法刻蝕，也可以為干法刻蝕，其具體的選擇依據(jù)基板的材料進行。在本實施例中，所述基板為玻璃，因此，本實施例中優(yōu)選使用濕法刻蝕。其中，所述濕法刻蝕的刻蝕液為酸蝕液，具體的，該酸蝕液可以包括氫氟酸、鹽酸、硝酸和/或硫酸的組合，其具體的配比根據(jù)基板的具體材料進行設置，本申請在此不做具體的限定。
[0096]其中，本步驟可以包括如下步驟:
[0097]步驟S2031:沿所述預設掩膜的外圍切割所述基板，形成多個中片；
[0098]具體的，將所述基板進行切割，進而形成尺寸較小的中片，以便于進行后續(xù)的刻蝕步驟。所述的中片可以設置為包括10個預設掩膜或者其他數(shù)量的預設掩膜，在此不做具體的限定，以便于刻蝕過程中進行固定，其中，為保證刻蝕效果，還可以將中片放入特定的夾具中，使該夾具固定住基板被預設掩膜覆蓋的部分，以便于取出后續(xù)刻蝕后得到的蓋板。
[0099]步驟S2032:對所述中片進行雙面刻蝕，形成獨立的蓋板。
[0100]具體的，如果是濕法刻蝕，將所述中片放入酸蝕液中，直至所述基板被刻蝕至僅剩第一掩膜層和第二掩膜層覆蓋的部分，從而形成獨立的蓋板?；蛘?，在干法刻蝕中，將所述中片放入刻蝕腔內(nèi)進行刻蝕，直至所述基板被刻蝕穿透至僅剩第一掩膜層和第二掩膜層覆蓋的部分，從而形成獨立的蓋板。
[0101]可以看出，本申請中通過刻蝕得到獨立的蓋板，避免了CNC工藝，從而提高了生產(chǎn)效率和成品合格率，降低了小尺寸蓋板的生產(chǎn)成本。
[0102]在本申請的另一實施例中，提供了一種采用上述方法形成的蓋板，所述蓋板通過刻蝕得到獨立的蓋板，避免了 CNC工藝，從而提高了生產(chǎn)效率和成品合格率，降低了小尺寸蓋板的生產(chǎn)成本。
[0103]需要說明的是，本說明書中的各個實施例均采用遞進的方式描述，每個實施例重點說明的都是與其他實施例的不同之處，各個實施例之間相同相似的部分互相參見即可。對于裝置類實施例而言，由于其與方法實施例基本相似，所以描述的比較簡單，相關之處參見方法實施例的部分說明即可。
[0104]最后，還需要說明的是，在本文中，諸如第一和第二等之類的關系術語僅僅用來將一個實體或者操作與另一個實體或操作區(qū)分開來，而不一定要求或者暗示這些實體或操作之間存在任何這種實際的關系或者順序。而且，術語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者設備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、物品或者設備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句“包括一個……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的過程、方法、物品或者設備中還存在另外的相同要素。
[0105]本文中應用了具體個例對本申請的原理及實施方式進行了闡述，以上實施例的說明只是用于幫助理解本申請的方法及其核心思想；同時，對于本領域的一般技術人員，依據(jù)本申請的思想，在【具體實施方式】及應用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應理解為對本申請的限制。
【主權項】
1.一種蓋板的制作方法，其特征在于，包括: 提供基板，所述基板包括相對的正面和背面； 形成圖形化的第一掩膜層和圖形化的第二掩膜層，其中，所述第一掩膜層位于所述基板的正面，所述第二掩膜層位于所述基板的背面;所述第一掩膜層包括至少一個預設掩膜，所述預設掩膜覆蓋待形成蓋板的區(qū)域;所述第二掩膜層的圖形為所述第一掩膜層的圖形在垂直于所述基板正面或背面方向的投影； 以所述第一掩膜層和第二掩膜層為掩膜對所述基板進行雙面刻蝕，形成獨立的蓋板。2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述預設掩膜的圖形為沿所述待形成蓋板的橫截面的邊緣向外擴展所述待形成蓋板橫截面積的O?10%后的圖形。3.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蝕為濕法刻蝕。4.根據(jù)權利要求3所述的方法，其特征在于，所述濕法刻蝕的刻蝕液為酸蝕液。5.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述以所述第一掩膜層和第二掩膜層為掩膜對所述基板進行雙面刻蝕，形成獨立的蓋板，包括: 沿所述預設掩膜的外圍切割所述基板，形成多個中片； 對所述中片進行雙面刻蝕，形成獨立的蓋板。6.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成圖形化的第一掩膜層和圖形化的第二掩膜層，其中，所述第一掩膜層位于所述基板的正面，所述第二掩膜層位于所述基板的背面，包括: 在所述基板的正面形成圖形化的第一掩膜層； 在所述基板的背面形成圖形化的第二掩膜層。7.根據(jù)權利要求6所述的方法，其特征在于，所述在所述基板的正面形成圖形化的第一掩膜層，包括: 在所述基板的正面形成第一光刻膠層； 曝光所述第一光刻膠層； 顯影所述第一光刻膠層，形成圖形化的第一掩膜層。8.根據(jù)權利要求6所述的方法，其特征在于，所述在所述基板的背面形成圖形化的第二掩膜層，包括: 在所述基板的背面形成第二光刻膠層； 曝光所述第二光刻膠層； 顯影所述第二光刻膠層，形成圖形化的第二掩膜層。9.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成圖形化的第一掩膜層和圖形化的第二掩膜層，其中，所述第一掩膜層位于所述基板的正面，所述第二掩膜層位于所述基板的背面，包括: 在所述基板的正面形成第一光刻膠層； 在所述基板的背面形成第二光刻膠層； 分別對所述第一光刻膠層和所述第二光刻膠層進行曝光； 顯影所述第一光刻膠層和所述第二光刻膠層，形成圖形化的第一掩膜層和圖形化的第二掩膜層。10.一種蓋板，其特征在于，所述蓋板采用權利要求1?9任一項制作得到。
【文檔編號】H05K5/02GK106028716SQ201610565187
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年7月15日
【發(fā)明人】朱杰, 蔡良照, 鄭志智, 謝康
【申請人】信利光電股份有限公司