用于施加到襯底上的、具有電氣功能的薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】一種用于施加到襯底上的、具有電氣功能的薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)(1000，2000)，所述薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)包括：至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)(110)，第一連接層(10)，薄膜層片(200)和第二連接層(20)。第一連接層(10)設(shè)置在至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)(110)的下側(cè)上，其中第一連接層(10)具有附著作用，以將至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)(110)施加在襯底上。第二連接層設(shè)置在至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)(110)的上側(cè)和薄膜層片(200)之間。第二連接層(20)具有附著作用，薄膜層片(200)通過(guò)所述附著作用附著在至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)(110)上。
【專利說(shuō)明】
用于施加到襯底上的、具有電氣功能的薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種用于施加到襯底上的、具有電氣功能的薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)。本發(fā)明還涉及一種用于制造這種薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]為了連接電氣的或電子電路的器件，例如能夠設(shè)置有在印刷電路板上印制的或蝕刻的印制導(dǎo)線。另一可能性在于，電子器件經(jīng)由線纜或金屬線彼此連接。經(jīng)由印制導(dǎo)線、線纜或金屬線能夠傳遞電信號(hào)或提供用于運(yùn)行器件的電壓供應(yīng)。
[0003]印刷的或蝕刻的傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)的制造尤其由于昂貴的導(dǎo)電膏或由于通過(guò)蝕刻浴蝕刻傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)而與高的成本和高的制造耗費(fèi)聯(lián)系在一起。由于用于必需的掩模的、例如用于印刷掩模或蝕刻掩模的高的準(zhǔn)備工作階段成本，借助于印刷或蝕刻技術(shù)制造傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)僅在件數(shù)相應(yīng)高的情況下才是值得的。除了高的制造耗費(fèi)和與之關(guān)聯(lián)的昂貴的成本以外，基于印刷的/蝕刻的印制導(dǎo)線的或基于線纜或金屬線的傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)通常僅具有受限的功能。尤其在印刷導(dǎo)電膏中例如出現(xiàn)高的電阻。蒸鍍到電路板上的傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)由于薄的印制導(dǎo)線厚度而同樣具有高的電阻和低的機(jī)械穩(wěn)定性。此外，受薄的結(jié)構(gòu)的限制，在多種情況下焊接是不可行的。在環(huán)境觀點(diǎn)方面，尤其蝕刻的傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)的制造是關(guān)鍵的，因?yàn)橥ㄟ^(guò)使用高侵蝕性的蝕刻溶液產(chǎn)生高的環(huán)境負(fù)擔(dān)。
[0004]在印刷電路板上使用印刷的或蝕刻的傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)對(duì)于電路設(shè)計(jì)而言引起受限制的靈活性，因?yàn)檫@涉及在導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和載體之間的固定接合的復(fù)合結(jié)構(gòu)。
[0005]在載體軌道的材料方面存在其他限制，其中傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)施加在所述載體軌道上。作為載體材料通常使用聚酰亞胺，使得不存在透明度，然而這尤其在將傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)施加在光源附近中時(shí)通常是令人感興趣的。
[0006]至今為止，用于傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)的沖壓板件典型地作為松散材料生產(chǎn)或結(jié)合在支撐柵格之內(nèi)，這又與功能上的限制關(guān)聯(lián)或至少隨之帶來(lái)加工中的缺點(diǎn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種具有電氣功能的薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)，所述薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)能夠以簡(jiǎn)單的和靈活的方式施加到襯底上。此外，應(yīng)提出一種用于制造這種具有電氣功能的薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)的方法，所述薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)能夠以簡(jiǎn)單的和靈活的方式施加到襯底上。
[0008]根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式，具有電氣功能的、用于施加到襯底上的薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)包括至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)、第一連接層、薄膜層片和第二連接層。第一連接層能夠設(shè)置在至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)的下側(cè)上。第一連接層能夠具有附著作用，以將至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)施加在襯底上。第二連接層能夠設(shè)置在至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)的上側(cè)和薄膜層片之間。第二連接層能夠具有附著作用，薄膜層片通過(guò)所述附著作用附著在至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)上。
[0009]薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)能夠具有載體薄膜，在所述載體薄膜上設(shè)置有至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)和設(shè)置在其上的薄膜層片。薄膜層片能夠延伸超出至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)并且通過(guò)第二連接層附著在載體薄膜上，使得薄膜層片用作覆蓋薄膜，所述覆蓋薄膜用于保護(hù)至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)。
[0010]薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)能夠以簡(jiǎn)單的和靈活的方式設(shè)置在襯底上、例如設(shè)置在印刷電路板上、設(shè)置在操作板上或殼體部件上。為此，將由至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)和設(shè)置在其上的薄膜層片構(gòu)成的薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)從載體薄膜揭去，并且借助于第一和第二連接層施加到襯底上，例如粘貼或噴涂到襯底上。根據(jù)本發(fā)明的薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)到其他任意襯底上的可轉(zhuǎn)移性。
[0011]載體薄膜能夠沖壓成，使得載體薄膜的沖制的部分附著在至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)的至少一個(gè)子區(qū)域上，使得當(dāng)由第一連接層、載體薄膜的附著在所述第一連接層下方的沖制的部分、至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)、第二連接層和薄膜層片構(gòu)成的薄膜結(jié)構(gòu)從其余的載體薄膜取下時(shí)，第一連接層的如下區(qū)域保持由載體薄膜覆蓋，其中所述區(qū)域設(shè)置在至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)下方。在施加到襯底上時(shí)，至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)在所述子區(qū)域中不直接附著在襯底上。由此，能夠在傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)中提供如下區(qū)域，所述區(qū)域沒(méi)有被粘貼，而是通過(guò)載體薄膜的一個(gè)部段來(lái)保護(hù)。
[0012]根據(jù)一個(gè)可行的實(shí)施方式，至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)代替直接附著在載體薄膜上而能夠直接施加到另一薄膜層片上。至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)能夠借助于第一連接層附著在另一薄膜層片上。薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)能夠具有第三連接層，所述第三連接層設(shè)置在另一薄膜層片和載體薄膜之間。第三薄膜層片能夠借助于設(shè)置在其下側(cè)上的第三連接層與設(shè)置在其上的至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)和薄膜層片共同地粘貼到載體薄膜上。在本實(shí)施方式中，至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)嵌入薄膜層片和另一薄膜層片之間。
[0013]在本實(shí)施方式中，能夠?qū)⒈∧そY(jié)構(gòu)在施加時(shí)從載體薄膜時(shí)揭去并且借助于第三連接層粘貼到襯底上，所述薄膜結(jié)構(gòu)由另一薄膜層片、設(shè)置在其上的至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)、薄膜層片和第一、第二和第三連接層構(gòu)成。
[0014]在本實(shí)施方式中，載體薄膜的一部分也能夠從其余的載體薄膜中沖壓出并且附著在第三連接層上。由此，載體薄膜的沖制的部分也在將薄膜結(jié)構(gòu)從其余的載體薄膜揭去之后附著在第三連接層上，其中所述薄膜結(jié)構(gòu)由另一薄膜層片、至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)和薄膜層片構(gòu)成。由此，在將薄膜結(jié)構(gòu)施加到襯底上、例如施加到印刷電路板上時(shí)，載體薄膜的沖制的部分設(shè)置在第三連接層和襯底之間。另一薄膜層片在不被覆蓋的部段處借助于第三連接層附著在襯底上。
[0015]用于制造具有電氣功能的薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)的方法在權(quán)利要求10中說(shuō)明。根據(jù)方法的一個(gè)實(shí)施方式首先提供載體薄膜。將導(dǎo)電薄膜設(shè)置在載體薄膜上。為了在導(dǎo)電薄膜中產(chǎn)生至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)，將至少一個(gè)第一切割線引入導(dǎo)電薄膜的區(qū)域中，使得在所述導(dǎo)電薄膜的該區(qū)域處通過(guò)至少一個(gè)第一切割線切開(kāi)導(dǎo)電薄膜，并且載體薄膜的第一區(qū)域保持不被損壞，由此在導(dǎo)電薄膜中形成至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)，所述傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)通過(guò)至少一個(gè)切割線與導(dǎo)電薄膜的其余部分分開(kāi)，其中所述第一區(qū)域設(shè)置在導(dǎo)電薄膜的區(qū)域下方。為了提供至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)，移除導(dǎo)電薄膜的其余部分。將薄膜層片設(shè)置在至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)的上側(cè)上。將至少一個(gè)第二切割線引入薄膜層片的區(qū)域中，使得在薄膜層片的該區(qū)域處通過(guò)至少一個(gè)第二切割線切開(kāi)薄膜層片，并且載體薄膜的第二區(qū)域保持不被損壞，其中所述第二區(qū)域設(shè)置在薄膜層片的區(qū)域下方。
[0016]根據(jù)方法的一個(gè)可行的實(shí)施方式，能夠?qū)⒅辽僖粋€(gè)第三切割線引入載體薄膜中，在施加導(dǎo)電薄膜之前，所述第三切割線將載體薄膜切割。在引入至少一個(gè)第二切割線的同時(shí)，能夠?qū)⒅辽僖粋€(gè)第四切割線引入薄膜層片和設(shè)置在其下方的載體薄膜中，所述第四切割線不僅切開(kāi)薄膜層片而且切開(kāi)載體薄膜。在這種實(shí)施方式中，在將薄膜層片從載體薄膜揭去之后，載體薄膜的沖制的部分還附著在至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)的一部分的下方。
[0017]為了接觸至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)，能夠?qū)⒘艨詹恳氡∧悠校沟迷趯⒅辽僖粋€(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)設(shè)置在薄膜層片上時(shí)，露出至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)的區(qū)域以進(jìn)行接觸。
[0018]借助于薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)提供功能性高的、可簡(jiǎn)單操作的且可容易接觸的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)展現(xiàn)出多樣的使用可能性。薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)例如能夠用于連接電氣或電子電路的部件、用于建立插接連接、用于制造尤其電容式或電阻式傳感裝置、用于加熱裝置或用于天線結(jié)構(gòu)。
【附圖說(shuō)明】
[0019]在下文中根據(jù)示出本發(fā)明的實(shí)施例的附圖詳細(xì)闡述本發(fā)明。
[0020]附圖示出:
[0021]圖1示出具有導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)施方式；
[0022]圖2A示出具有導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)施方式，其準(zhǔn)備用于在插頭中進(jìn)行接觸；
[0023]圖2B示出施加到襯底上的、具有導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)施方式；
[0024]圖3示出具有導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)施方式的俯視圖；
[0025]圖4示出用于制造具有導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)的方法的一個(gè)實(shí)施方式；
[0026]圖5示出具有導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)施方式；
[0027]圖6A示出具有導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)施方式，其準(zhǔn)備用于在插頭中進(jìn)行接觸；
[0028]圖6B示出施加到襯底上的、具有導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)施方式；
[0029]圖7示出具有導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)施方式的俯視圖；
[0030]圖8示出用于制造具有導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)的方法的一個(gè)實(shí)施方式。
【具體實(shí)施方式】
[0031]圖1示出具有電氣功能的薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)施方式1000的剖視圖。薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)包括至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)110和連接層10，所述連接層設(shè)置在至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)的下側(cè)上。連接層10具有附著作用，以將至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)施加到襯底上。此外，薄膜結(jié)構(gòu)具有薄膜層片200和連接層20。連接層20設(shè)置在至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)110的上側(cè)和薄膜層片200之間。連接層20具有附著作用，薄膜層片200通過(guò)所述附著作用附著在至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)上。連接層10和連接層20例如能夠構(gòu)成為粘貼劑覆層或構(gòu)成為增附劑，尤其構(gòu)成為漆層。
[0032]薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)1000還包括載體薄膜400，在所述載體薄膜上設(shè)置有至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)110和薄膜層片200。設(shè)置在至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)110下方的連接層10附著在載體薄膜400上。尤其，連接層10的區(qū)域TlOa和TlOb附著在載體薄膜上。至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)110的區(qū)域T11 Oa附著在連接層1的區(qū)域TI Oa上。同樣地，至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)110的連接到區(qū)域T11 Oa上的區(qū)域TllOb附著在連接層10的區(qū)域TlOb上。連接層10具有附著作用，該附著作用使得至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)一方面可靠地附著在載體薄膜上，并且另一方面，至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)110能夠與連接層10共同地從載體薄膜400取下。
[0033]在至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)110的區(qū)域TllOa上方設(shè)置有連接層20的區(qū)域T20a。在至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)110的區(qū)域TllOb的上方設(shè)置有連接層20的區(qū)域T20b。在連接層20的區(qū)域T20a和T20b上方，薄膜層片200的區(qū)域T200a和T200b附著在連接層20上。通過(guò)連接層20，至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)110可靠地保持在薄膜層片200上，以便保護(hù)至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)110。連接層20在至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)上的附著力大于連接層10在載體薄膜400上的附著力，使得薄膜結(jié)構(gòu)能夠作為整體與載體薄膜脫離，其中所述薄膜結(jié)構(gòu)由連接層10、至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)110、連接層20和薄膜層片200構(gòu)成。
[0034]薄膜層片200具有區(qū)域T200c以及在薄膜層片200上設(shè)置在下側(cè)的連接層20具有區(qū)域T20c，其中薄膜層片200的區(qū)域T200c和連接層20的區(qū)域T20c延伸超出至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)110。連接層20的區(qū)域T20c同樣附著在載體薄膜400上，使得至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)110由薄膜層片200覆蓋。在圖1中，為了更好的描述，將薄膜層片200的區(qū)域T200c和連接層20的區(qū)域T20c以自由地從傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)110伸出的方式示出。由此，至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)110嵌入薄膜層片200和載體薄膜400之間。
[0035]為了接觸至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)110，在薄膜層片200的區(qū)域中能夠設(shè)有留空部210。由此至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)的部段AllOa由薄膜層片200覆蓋，而在留空部210的區(qū)域中，至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)110的部段AllOb以露出的方式設(shè)置，也就是說(shuō)未被薄膜層片200覆蓋，并且能夠從外部接觸。
[0036]能夠?qū)⒅辽僖粋€(gè)切割線S3引入載體薄膜400中，所述切割線垂直于圖1中的繪圖平面伸展并且完全地切開(kāi)載體薄膜。在圖1中示出的實(shí)施方式中，將兩個(gè)切割線S3引入載體薄膜中。還能夠?qū)⑵渌懈罹€引入載體薄膜中，所述其他切割線完全地切開(kāi)載體薄膜。由此，能夠?qū)⑤d體薄膜的部段從其余的載體薄膜中切出，其中所述部段在下側(cè)覆蓋傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)的至少一部分。在從載體薄膜400揭去薄膜結(jié)構(gòu)時(shí)，載體薄膜400的至少一個(gè)沖制的區(qū)域保持附著在至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)110的部分TllOa下方，所述薄膜結(jié)構(gòu)由連接層10、至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)110、連接層20和薄膜層片200構(gòu)成。其他切割線例如能夠平行于至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)或垂直于切割線S3伸展。
[0037]具有導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)具有電氣功能并且可靈活地使用。薄膜結(jié)構(gòu)能夠以簡(jiǎn)單的方式從載體薄膜揭去并且借助于連接層10施加到襯底上，其中所述薄膜結(jié)構(gòu)由連接層10、至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)110、連接層20和薄膜層片200構(gòu)成。此外，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)能夠聯(lián)接到插頭上。薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)的相應(yīng)的實(shí)施方式在圖2A和2B中示出，所述薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)準(zhǔn)備用于聯(lián)接到插頭上或施加在襯底上。相同的薄膜組成部分用與圖1中相同的附圖標(biāo)記表示。
[0038]圖2A示例地示出薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)1000的一個(gè)實(shí)施方式，所述薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)用于與插頭接觸。當(dāng)在用于接觸的插頭區(qū)域中的額定厚度大于薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)的厚度時(shí)，能夠折疊薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)的設(shè)置在留空部210的一側(cè)上的部分，以便由此提高薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)在留空部210的接觸區(qū)域中的厚度。為了將薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)的位于留空部210旁邊的區(qū)域折疊或折彎，在薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)中能夠設(shè)有穿孔P或其他分離線或減弱線，例如開(kāi)槽。在折疊之后，至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)110的露出的部段形成所謂的端子接線片(Anschlussfahne)，所述端子接線片用于接觸至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)。通過(guò)折疊能夠根據(jù)插頭的額定厚度增大端子接線片的厚度并且提高在端子接線片的區(qū)域中的穩(wěn)定性。此外，在兩側(cè)上接觸端子接線片是可行的。
[0039]圖2B示出在將載體薄膜400從薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)1000揭去之后殘留的薄膜結(jié)構(gòu)，所述薄膜結(jié)構(gòu)由薄膜層片200、連接層20、至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)110和連接層10連同沖制的載體薄膜400在粘貼到襯底3000上之后的至少一部分、例如操作板，該至少一部分附著在所述連接層10的下側(cè)上。薄膜結(jié)構(gòu)構(gòu)成為，使得在粘貼在襯底3000上的狀態(tài)中，至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)
110的部分TllOa、連接層10的部分TlOa、連接層20的部分T20a和薄膜層片200的部分T200a殘留在載體薄膜400上。至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)的部分TllOM昔助于連接層10的部分TlOb直接附著在襯底3000上。薄膜層片200的如下部分T200b借助于連接層20的部分T20b附著在至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)的部分TllOb上，其中所述部分T200b設(shè)置在至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)110的部分TllOb上。薄膜層片200的區(qū)域T200c借助于連接層20的部段T20c直接附著在襯底3000上，所述區(qū)域T200c連接到薄膜層片200的部段T200b上。
[0040]至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)110的不被覆蓋的、露出的區(qū)域形成所謂的端子接線片，所述端子接線片用于接觸至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)。至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)的露出的部段直接附著在襯底3000上。根據(jù)另一可行的實(shí)施方式，傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)110連同設(shè)置在其下側(cè)上的連接層10在端子接線片的區(qū)域中在下方布設(shè)有載體薄膜400進(jìn)而不附著在襯底上。
[0041]圖3示出薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)1000的可行的設(shè)計(jì)方案的俯視圖，所述薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)由載體層400、具有連接層10的至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)110和具有連接層20的薄膜層片200構(gòu)成。根據(jù)圖4結(jié)合圖3在下文中詳細(xì)闡述具有導(dǎo)電結(jié)構(gòu)110的這種薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)的制造，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)呈2個(gè)具有引線和屏蔽裝置的觸控傳感器的形式。
[0042]圖4示出用于制造具有導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)1000的方法的一個(gè)實(shí)施方式。在滾筒Tl上存在載體薄膜400的軌道，所述軌道能夠沿朝包覆裝置C的方向展開(kāi)。導(dǎo)電薄膜100的軌道連同設(shè)置其下側(cè)上的連接層10卷繞在滾筒T5上。在圖4中概略地示出的方法中，連接層10例如構(gòu)成為粘貼劑覆層，所述粘貼劑覆層由保護(hù)層覆蓋。導(dǎo)電薄膜100作為薄膜軌道從滾筒T5展開(kāi)。保護(hù)層在揭去單元處、例如在轉(zhuǎn)向輥處與連接層10脫離并且卷繞在滾筒T4上。薄膜100連同設(shè)置在其下方的連接層10被輸送給包覆裝置C。在包覆裝置C上，將薄膜100設(shè)置在載體薄膜400上。為此，薄膜100的軌道能夠借助于連接層10包覆到載體薄膜400的軌道上。
[0043]由載體薄膜400和包覆的導(dǎo)電薄膜100構(gòu)成的薄膜結(jié)構(gòu)隨后被輸送給沖壓裝置D，所述沖壓裝置用于將輪廓沖壓到薄膜100中。借助于沖壓裝置D將至少一個(gè)切割線SI引入薄膜100的區(qū)域BlOO和位于所述區(qū)域下方的連接層10中，使得薄膜100和位于其下方的連接層10在薄膜100的區(qū)域BlOO上通過(guò)至少一個(gè)切割線SI被切開(kāi)并且載體薄膜400的設(shè)置在薄膜100的區(qū)域BlOO下方的區(qū)域MOOa保持不被損壞。區(qū)域BlOO和MOOa在圖3中示出。通過(guò)引入切割線SI，在薄膜100中形成至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)110的結(jié)構(gòu)。至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)110通過(guò)至少一個(gè)切割線SI與薄膜100的其余部分分開(kāi)。在沖壓裝置D的輸出端處，薄膜100的也表示為柵格的所述其余的部分從載體薄膜400被揭去并且卷繞在滾筒T6上。在沖壓裝置D后方，在載體薄膜400上設(shè)置有至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)110。
[0044]滾筒T8包含薄膜層片200連同設(shè)置在下方的連接層20的軌道。連接層20能夠如連接層10那樣構(gòu)成為粘貼劑覆層。薄膜層片200連同連接層20從滾筒T8展開(kāi)并且能夠輸送給沖壓裝置F。在沖壓裝置F中，在薄膜層片200的軌道包覆到至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)110上之前，能夠?qū)⒃趫D1中示出的留空部210引入薄膜層片200和連接層20中。連接層20能夠由保護(hù)薄膜覆蓋。在沖壓裝置F的出口處，揭去保護(hù)膜并且卷繞在滾筒T7上。
[0045]用連接層20覆層的薄膜軌道200隨后被輸送給包覆裝置E。在包覆裝置E中，將薄膜層片200設(shè)置在載體薄膜軌道400和至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)110的上側(cè)上。為此，在包覆裝置E中，薄膜層片200借助于連接層20粘合到至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)110和載體薄膜400上。
[0046]由載體薄膜400、至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)110和薄膜層片200構(gòu)成的薄膜結(jié)構(gòu)隨后被輸送給沖壓裝置G，其中所述傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)借助于設(shè)置在下側(cè)的連接層10附著在載體薄膜400上，以及所述薄膜層片借助于設(shè)置在下側(cè)的連接層20粘貼在至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)110的上側(cè)上。
[0047]在沖壓裝置G中，將至少一個(gè)切割線S2引入薄膜層片200的區(qū)域B200a和位于其下方的連接層20中，使得薄膜層片200和位于其下方的連接層20在薄膜層片200的區(qū)域B200a處通過(guò)至少一個(gè)切割線S2被切開(kāi)并且載體薄膜400的設(shè)置在薄膜層片200的區(qū)域下方的區(qū)域B400b保持不被損壞。由此，在沖壓裝置G中，在載體薄膜400上沖壓薄膜結(jié)構(gòu)的輪廓，所述薄膜結(jié)構(gòu)由連接層10、至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)110、連接層20和薄膜層片200構(gòu)成。薄膜層片200的被分離的剩余柵格卷繞在滾筒T9上。殘留的膜復(fù)合結(jié)構(gòu)1000被卷繞在滾筒TlO上。
[0048]為了沖壓載體薄膜400的如下部段，所述部段在揭去薄膜結(jié)構(gòu)時(shí)附著在至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)的部分TllOa下方，根據(jù)一個(gè)可行的實(shí)施方式，能夠在滾筒Tl和包覆裝置C之間設(shè)置沖壓裝置A，其中所述薄膜結(jié)構(gòu)由連接層10、至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)110、連接層20和薄膜層片200構(gòu)成。借助于沖壓裝置A能夠?qū)⒅辽僖粋€(gè)切割線S3引入載體薄膜400的區(qū)域MOOc中，使得在載體薄膜的區(qū)域MOOc處切割載體薄膜400。至少一個(gè)切割線S3例如能夠垂直于至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)110在載體薄膜400中伸展。
[0049]為了沖壓載體薄膜的部段，在沖壓裝置G中能夠?qū)⒅辽僖粋€(gè)切割線S4引入薄膜層片200的和位于其下方的連接層20的區(qū)域B200b中并且引入載體薄膜400的設(shè)置在薄膜層片200的區(qū)域B200b下方的區(qū)域MOOd中，使得在區(qū)域B200b處完全切開(kāi)薄膜層片200和連接層20以及在區(qū)域MOOd處完全切開(kāi)載體薄膜400。切割線S4例如能夠平行于至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)110的走向并且例如垂直于至少一個(gè)切割線S3伸展。通過(guò)引入切割線S3和S4，在從載體薄膜400揭去薄膜結(jié)構(gòu)之后，載體薄膜的一部分附著在至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)110的部分TllOa下方，其中所述薄膜結(jié)構(gòu)由連接層10、至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)110、連接層20和薄膜層片200構(gòu)成。
[0050]在用于制造圖1中示出的膜復(fù)合結(jié)構(gòu)的制造方法的根據(jù)圖4概略地示出的實(shí)施方式中，連接層10和20示例地構(gòu)成為粘貼劑覆層，所述粘貼劑覆層在下側(cè)設(shè)置在導(dǎo)電薄膜100或薄膜層片200上。連接層10和20也能夠作為單獨(dú)的層提供，在制造方法的過(guò)程中，所述單獨(dú)的層施加到導(dǎo)電薄膜100或薄膜層片200上。
[0051 ]圖5示出具有電氣功能的薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)2000的另一實(shí)施方式。與圖1中示出的實(shí)施方式不同，薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)附加地具有薄膜層片300和連接層30，所述連接層設(shè)置在薄膜層片300的下側(cè)上。薄膜層片300的區(qū)域T300a借助其上側(cè)附著在連接層10的區(qū)域TlOa上。薄膜層片300的連接到區(qū)域T300a的區(qū)域T300b借助其上側(cè)附著在連接層10的區(qū)域TlOb上。薄膜層片300的連接到薄膜層片300的區(qū)域T300b的區(qū)域T300c借助其上側(cè)附著在連接層20的區(qū)域T20c上，所述區(qū)域T20c與薄膜層片200的在該區(qū)域之上設(shè)置的區(qū)域T200c延伸超出至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)110。由此，至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)110借助其區(qū)域Tl 1a和Tl 1b嵌入薄膜層片200和300之間。
[0052]連接層30的所有區(qū)域T30a、T30b和T30c附著在載體薄膜400上。連接層30例如能夠構(gòu)成為粘貼劑覆層或構(gòu)成為增附劑、尤其構(gòu)成為漆層。由此，連接層30設(shè)置在載體薄膜400和薄膜層片300之間。連接層30的附著作用構(gòu)成為，使得薄膜結(jié)構(gòu)可靠地附著在載體薄膜上并且另一方面能夠作為整體尤其手動(dòng)地從載體薄膜400揭去，其中所述薄膜結(jié)構(gòu)由連接層30、薄膜層片300、連接層10、至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)110、連接層20和薄膜層片200構(gòu)成。連接層20在至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)上的附著力高于連接層30在載體薄膜400上的附著力。
[0053]在其他方面，連接層10的區(qū)域T10a、T10b，至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)110的區(qū)域Tl 10a、TllOb，連接層20的區(qū)域T20a、T20b和薄膜層片200的區(qū)域T200a、T200b如根據(jù)圖1所描述那樣相互附著。
[0054]在載體薄膜400中能夠設(shè)有切割線S3，通過(guò)所述切割線能夠?qū)⑤d體薄膜400的一部分沿一定方向從載體薄膜400沖壓出。為了完全地沖壓出載體薄膜的部段，將另一切割線S4引入載體薄膜中，所述另一切割線將載體薄膜例如平行于至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)110進(jìn)而例如垂直于切割線S3切開(kāi)。當(dāng)由連接層30、薄膜層片300、連接層10、至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)110、連接層20和薄膜層片200構(gòu)成的薄膜結(jié)構(gòu)從載體薄膜400揭去時(shí)，載體薄膜400的沖制的部分附著在連接層30的部分T30a上。
[0055]圖6A示出在將載體薄膜400從薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)2000揭去之后殘留的薄膜結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)施方式，所述薄膜結(jié)構(gòu)用于固定在插頭中，其中所述薄膜結(jié)構(gòu)由連接層30、載體薄膜400的在所述連接層30下側(cè)上附著的部段、薄膜層片300、連接層10、至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)110、連接層20和薄膜層片200構(gòu)成。當(dāng)薄膜結(jié)構(gòu)具有的高度低于傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)在插頭的接觸區(qū)域中的額定厚度時(shí)，與在圖2A的薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)1000的實(shí)施方式中類似，薄膜結(jié)構(gòu)的位于留空部210旁邊的部分能夠被折疊，以提高在插頭的接觸區(qū)域中的厚度。
[0056]圖6B示出薄膜結(jié)構(gòu)2000的在揭去載體薄膜并且隨后包覆到襯底上、例如包覆到操作板3000上的實(shí)施方式。薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)2000構(gòu)成為，使得在粘貼在襯底3000上的狀態(tài)中，傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)110的部分TllOa、薄膜層片200的部分T200a和薄膜層片300的部分T300a設(shè)置在載體薄膜400上。載體薄膜400直接設(shè)置在襯底3000上。薄膜層片300的部分T300b和T300c借助于直接附著在襯底上的連接層30附著在襯底3000上。
[0057]圖7示出薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)2000的可行的設(shè)計(jì)方案的俯視圖，所述薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)由載體薄膜400、連接層30、薄膜層片300、連接層10、至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)110、連接層20和薄膜層片200構(gòu)成。在下文中根據(jù)圖8結(jié)合圖7詳細(xì)闡述具有導(dǎo)電結(jié)構(gòu)110的這種薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)的制造，其中所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)例如呈2個(gè)具有引線和屏蔽裝置的觸控傳感器的形式，其中基本上討論與圖4中示出的方法的不同之處。
[0058]圖8示出用于制造具有導(dǎo)電結(jié)構(gòu)110的薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)2000的方法的一個(gè)實(shí)施方式。與制造方法的圖3中示出的實(shí)施方式不同，在用于展開(kāi)載體薄膜400的軌道的滾筒Tl或可選地存在的沖壓裝置A和包覆裝置C之間設(shè)有包覆裝置B。包覆裝置B與滾筒T3耦聯(lián)，將薄膜層片300連同連接層30的和安置在連接層30上的保護(hù)層的軌道卷繞在所述滾筒T3上，所述連接層例如能夠以粘貼劑覆層的形式構(gòu)成并且在下側(cè)設(shè)置在薄膜層片300上。將薄膜層片300連同連接層30和保護(hù)層從滾筒T3展開(kāi)。隨后，將保護(hù)層的薄膜軌道在揭去單元處、例如在轉(zhuǎn)向輥處從連接層30揭去并且卷繞到滾筒T2上。
[0059]將由薄膜層片300和連接層30構(gòu)成的殘留的軌道輸送給包覆裝置B。在包覆裝置B中將薄膜層片300連同連接層30包覆到載體薄膜400上。
[0060]隨后，在包覆裝置C中，借助于連接層10將薄膜層片100包覆到薄膜層片300上。此夕卜，通過(guò)如下方式借助于沖壓裝置D從薄膜層片100中沖壓出至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)110的輪廓，即通過(guò)將切割線SI引入導(dǎo)電薄膜100的和設(shè)置在其下方的連接層10的區(qū)域BlOO中，所述切割線SI將薄膜層片100和連接層10切開(kāi)，相反，薄膜層片300的和連接層30的設(shè)置在所述區(qū)域BlOO下方的區(qū)域B300a以及載體薄膜的設(shè)置在區(qū)域B300a下方的區(qū)域MOOa不被切開(kāi)。
[0061]在揭去導(dǎo)電薄膜100的沖壓出的柵格之后，在包覆裝置E中，將薄膜層片200包覆到至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)110和薄膜層片300上。在沖壓裝置G中，將至少一個(gè)切割線S2引入薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)中，使得薄膜層片200的和設(shè)置在其下方的連接層20的區(qū)域B200a以及薄膜層片300的和位于其下方的連接層30的設(shè)置在薄膜層片200的區(qū)域B200a下方的區(qū)域B300b被完全切開(kāi)。載體薄膜400的設(shè)置在區(qū)域B300b下方的區(qū)域MOOb保持不被損壞。
[0062]根據(jù)一個(gè)可行的實(shí)施方式，在沖壓裝置G中，能夠?qū)⒅辽僖粋€(gè)切割線S4引入薄膜層片200的和連接層20的區(qū)域B200b中以及薄膜層片300的和連接層30的設(shè)置在薄膜層片200的區(qū)域B200b下方的區(qū)域B300c中以及載體薄膜400的設(shè)置在薄膜層片300的區(qū)域B300c下方的區(qū)域MOOd中，使得在區(qū)域B200b處完全切開(kāi)薄膜層片200連同連接層20以及在區(qū)域B300c處完全切開(kāi)薄膜層片300連同連接層30以及在區(qū)域MOOd處完全切開(kāi)載體薄膜400。切割線S4例如能夠平行于至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)110且例如垂直于至少一個(gè)切割線S3伸展，將所述切割線S3在沖壓裝置A中引入載體薄膜400中。
[0063]在用于制造圖5中示出的薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)的制造方法的根據(jù)圖8概略地示出的實(shí)施方式中，連接層10、20和30示例地構(gòu)成為粘貼劑覆層，所述粘貼劑覆層在下側(cè)設(shè)置在導(dǎo)電薄膜100、薄膜層片200和薄膜層片300上。連接層10、20和30也能夠作為單獨(dú)的層提供，在制造方法的過(guò)程中，所述單獨(dú)的層施加到導(dǎo)電薄膜100或薄膜層片200和300上。
[0064]在薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)1000和2000中，至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)110的通過(guò)留空部210露出的部段AllOb能夠以如下方式被保護(hù)免受腐蝕，即例如使用鍍錫的導(dǎo)體薄膜作為薄膜100。
[0065]當(dāng)傳導(dǎo)層具有腐蝕傾向時(shí)，存在將露出的端子接線片AllOb或其他露出的區(qū)域后續(xù)地鍍錫的其他可能性。根據(jù)另一實(shí)施方式，能夠在端子接線片的重要區(qū)域中印制可印刷的導(dǎo)電膏，例如碳膏或銀導(dǎo)電膏。這能夠選擇性地已經(jīng)在制造過(guò)程之前、在制造過(guò)程中或也在之后進(jìn)行。腐蝕保護(hù)的另一可能性在于，在薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)在組件中成功接觸之后，至少在接觸區(qū)域中澆注端子接線片。為此，例如能夠在內(nèi)部用澆注料澆注插頭。
[0066]當(dāng)連接層10、20和30作為粘貼劑覆層構(gòu)成在導(dǎo)電薄膜100和薄膜層片200和300上時(shí)，能夠使用不同種類的粘貼劑、例如熱敏的粘貼劑或可印刷的粘貼劑，以便將薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)的各個(gè)層固定地連接進(jìn)而機(jī)械地穩(wěn)定。同樣，構(gòu)成為純的粘貼劑覆層的轉(zhuǎn)移膠的使用或作為替選地雙面膠的使用是可行的，所述雙面膠亦即具有例如通過(guò)薄膜或紙中間層增強(qiáng)的粘貼劑覆層。粘貼劑覆層能夠構(gòu)成為可分離地附著的或永久附著的粘貼劑。相應(yīng)的粘貼劑的粘貼力需要與要施加的表面的分離表現(xiàn)相協(xié)調(diào)。在此，粘貼力優(yōu)選應(yīng)在0.01N/25mm至50N/25mm的范圍中。
[0067]在端子接線片的區(qū)域中，能夠構(gòu)成不具有沖壓部或開(kāi)縫的載體薄膜。在此情況下，在揭去載體薄膜之后，端子接線片的粘貼劑覆層向下敞開(kāi)。當(dāng)載體薄膜在端子接線片的區(qū)域中設(shè)有沖壓部或開(kāi)縫S3和S4時(shí)，端子接線片能夠在其下側(cè)上由載體薄膜的沖制的部分覆至
rm ο
[0068]當(dāng)例如通過(guò)縐縮或通過(guò)無(wú)接觸的電聯(lián)接、例如通過(guò)感應(yīng)產(chǎn)生的電聯(lián)接進(jìn)行接觸時(shí)，能夠取消在薄膜層片200中的留空部210。能夠在通過(guò)沖壓孔來(lái)層壓和移除剩余材料之前，將留空部210引入薄膜層片200中。當(dāng)為此利用局部不同的粘貼力提供留空部的區(qū)域或者通過(guò)被印刷的粘貼劑覆蓋部產(chǎn)生粘貼力差時(shí)，也能夠在層壓之后引入留空部。對(duì)于引入留空部補(bǔ)充地或替選地，在接觸的區(qū)域中的薄膜層200能夠更窄地構(gòu)成，使得用于接觸的特定的傳導(dǎo)的結(jié)構(gòu)部分保持露出。
[0069]除了沖壓以外，替選地能夠通過(guò)其他分離法，例如通過(guò)繪圖切割、激光切割或水束切割將輪廓弓I入各個(gè)薄膜層片中。
[0070]除了圖1和5中示出的薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)以外，用于施加到襯底上的、具有電氣功能的簡(jiǎn)單的薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)能夠如圖1中示出那樣構(gòu)成，然而不具有連接層20和薄膜層片200。在本實(shí)施方式中，薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)僅具有至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)，所述傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)具有設(shè)置在下側(cè)的連接層10，所述連接層附著在載體薄膜400上。為了施加至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)，能夠?qū)⒅辽僖粋€(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)110從載體薄膜400揭去并且轉(zhuǎn)移到襯底上。至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)110借助于連接層10附著在襯底上。
[0071]簡(jiǎn)化的薄膜結(jié)構(gòu)以及在圖1中示出的薄膜結(jié)構(gòu)或在圖5中示出的薄膜結(jié)構(gòu)也能夠以堆疊設(shè)置方式設(shè)置在載體薄膜400上，其中在圖1中示出的薄膜結(jié)構(gòu)由連接層10、載體薄膜400的可選地附著在連接層10上的部段、至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)110、連接層20和薄膜層片200構(gòu)成，以及在圖5中示出的薄膜結(jié)構(gòu)由連接層30、載體薄膜400的可選地附著在連接層30上的部段、連接層10、至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)110、連接層20和薄膜層片200構(gòu)成。在本實(shí)施方式中，在載體薄膜上產(chǎn)生多層片結(jié)構(gòu)，所述多層片結(jié)構(gòu)由具有至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)的多個(gè)薄膜結(jié)構(gòu)構(gòu)成。各個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)能夠用于不同的應(yīng)用并且不同地聯(lián)接。
[0072]附圖標(biāo)記列表
[0073]10，20，30連接層
[0074]100導(dǎo)電薄膜
[0075]110傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)
[0076]200,300薄膜層片
[0077]400載體薄膜
[0078]1000,2000 具有電氣功能的薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)
[0079]A沖壓裝置
[0080]B包覆裝置[0081 ] C 包覆裝置
[0082]D沖壓裝置
[0083]E包覆裝置
[0084]G沖壓裝置
[0085]S1，S2，S3，S4 切割線
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種用于施加到襯底上的、具有電氣功能的薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)，所述薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)包括: -至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)(I 10)， -第一連接層(10)， -薄膜層片(200)， -第二連接層(20)， -其中所述第一連接層(10)設(shè)置在至少一個(gè)所述傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)(110)的下側(cè)上， -其中所述第一連接層(10)具有附著作用，以將至少一個(gè)所述傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)(110)施加在所述襯底上， -其中所述第二連接層(20)設(shè)置在至少一個(gè)所述傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)(110)的上側(cè)和所述薄膜層片(200)之間， -其中所述第二連接層(20)具有附著作用，所述薄膜層片(200)通過(guò)所述附著作用附著在至少一個(gè)所述傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)(110)上。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)， 其中所述薄膜層片(200)和所述第二連接層(20)分別具有如下區(qū)域(T200c，T20c)，所述區(qū)域延伸超出至少一個(gè)所述傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)(I 10)。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)，所述薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)包括: -另一薄膜層片(300)， -其中所述另一薄膜層片(300)借助其上側(cè)附著在所述第一連接層(10)上并且附著在所述第二連接層(20)的延伸超出至少一個(gè)所述傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)(110)的區(qū)域(T20c)上。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)，所述薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)包括: -載體薄膜(400)，在所述載體薄膜上設(shè)置有至少一個(gè)所述傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)(110)和所述薄膜層片(200)， -其中所述第二連接層(20)的延伸超出至少一個(gè)所述傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)(110)的區(qū)域(T20c)附著在所述載體薄膜(400)上， -其中所述第一連接層(1)附著在所述載體薄膜(400)上。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)， -其中所述薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)(1000)能夠粘貼在襯底(3000)上， -其中所述薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)構(gòu)成為，使得在所述薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)的粘貼在所述襯底上的狀態(tài)中，至少一個(gè)所述傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)(110)的和所述薄膜層片(200)的相應(yīng)的第一部分(TllOa，T200a)設(shè)置在所述載體薄膜(400)上，并且所述載體薄膜(400)直接設(shè)置在所述襯底(3000)上，并且至少一個(gè)所述傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)(110)的第二部分(TllOb)借助于所述第一連接層(10)附著在所述襯底(3000)上，并且所述薄膜層片(200)的第二部分(T200b)借助于所述第二連接層(20)附著在至少一個(gè)所述傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)(110)的所述第二部分(IlOb)上，并且所述薄膜層片(200)的第三部分(T200c)借助于所述第二連接層(20)附著在所述襯底(3000)上。6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)，所述薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)包括: -載體薄膜(400)，在所述載體薄膜上設(shè)置有至少一個(gè)所述傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)(110)和所述薄膜層片(200)以及所述另一薄膜層片(300)， -第三連接層(30)， -其中所述第三連接層(30)設(shè)置在所述另一薄膜層片(300)和所述載體薄膜(400)之 間， -其中所述第三連接層(30)具有附著作用，所述另一薄膜層片(300)通過(guò)所述附著作用附著在所述載體薄膜(400)上。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)， -其中所述薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)(2000)能夠粘貼到襯底(3000)上， -其中所述薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)構(gòu)成為，使得在所述薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)的粘貼在所述襯底上的狀態(tài)中，至少一個(gè)所述傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)(110)的、所述薄膜層片(200)的和所述另一薄膜層片(300)的相應(yīng)的第一部分(T110a，T200a，T300a)設(shè)置在所述載體薄膜(400)上，并且所述載體薄膜(400)直接設(shè)置在所述襯底(3000)上，并且所述另一薄膜層片(300)的第二部分(T300b)借助于所述第三連接層(30)附著在所述襯底(3000)上。8.根據(jù)權(quán)利要求3至7中任一項(xiàng)所述的薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)， 其中所述載體薄膜(400)具有至少一個(gè)切割線(S3，S4)，所述切割線將所述載體薄膜(400)分開(kāi)。9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)， -其中至少一個(gè)所述傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)(110)的第一部段(AllOa)由所述薄膜層片(200)覆蓋， -其中至少一個(gè)所述傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)(110)的第二部段(AllOb)不由所述薄膜層片(200)覆蓋。10.—種用于制造薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)的方法，所述薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)具有導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，所述方法包括: -提供載體薄膜(400)， -將導(dǎo)電薄膜(100)設(shè)置在所述載體薄膜(400)上， -將至少一個(gè)第一切割線(SI)引入所述導(dǎo)電薄膜(100)的區(qū)域(B100)中，使得在所述導(dǎo)電薄膜(100)的區(qū)域(B100)處通過(guò)至少一個(gè)所述第一切割線(SI)切開(kāi)所述導(dǎo)電薄膜(100)，并且所述載體薄膜(400)的第一區(qū)域(B400a)保持不損壞，由此在所述導(dǎo)電薄膜(100)中形成至少一個(gè)傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)(110)，所述傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)通過(guò)至少一個(gè)所述切割線(SI)與所述導(dǎo)電薄膜(100)的其余部分分開(kāi)，其中所述第一區(qū)域設(shè)置在所述導(dǎo)電薄膜(100)的區(qū)域下方， -移除所述導(dǎo)電薄膜(100)的其余部分， -將薄膜層片(200)設(shè)置在至少一個(gè)所述傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)(110)的上側(cè)上， -將至少一個(gè)第二切割線(S2)引入所述薄膜層片(200)的區(qū)域(B200a)中，使得在所述薄膜層片(200)的區(qū)域(B200a)處通過(guò)至少一個(gè)所述第二切割線(S2)切開(kāi)所述薄膜層片(200)，并且所述載體薄膜(400)的第二區(qū)域(B400b)保持不損壞，其中所述第二區(qū)域設(shè)置在所述薄膜層片(200)的區(qū)域下方。11.一種根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，所述方法包括: -將至少一個(gè)第三切割線(S3)引入所述載體薄膜(400)的第三區(qū)域(B400C)中，使得在所述載體薄膜的所述第三區(qū)域(B400c)處切開(kāi)所述載體薄膜(400)， -將至少一個(gè)第四切割線(S4)引入所述薄膜層片(200)的第二區(qū)域(B200b)和所述載體薄膜的第四區(qū)域(B400d)中，使得在所述第二區(qū)域(B200b)處切開(kāi)所述薄膜層片(200)以及在所述第四區(qū)域(B400d)處切開(kāi)所述載體薄膜(400)，其中所述第四區(qū)域設(shè)置在所述薄膜層片(200)的所述第二區(qū)域下方，其中至少一個(gè)所述第三切割線和第四切割線(S3，S4)相交，使得形成從所述載體薄膜(400)切出的區(qū)域。12.根據(jù)權(quán)利要求10和11中任一項(xiàng)所述的方法，所述方法包括: -提供具有附著作用的第一連接層(10)，以及將所述第一連接層(10)施加到所述導(dǎo)電薄膜(100)的下側(cè)上， -提供具有附著作用的第二連接層(20)，以及將所述第二連接層(20)施加到所述薄膜層片(200)的下側(cè)上， -將所述導(dǎo)電薄膜(100)借助于所述第一連接層(10)包覆到所述載體薄膜(400)上， -將所述薄膜層片(200)借助于所述第二連接層(20)包覆到至少一個(gè)所述傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)(110)和所述載體薄膜(400)上。13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，所述方法包括: -提供具有附著作用的第一連接層(10)，以及將所述第一連接層(10)施加到所述導(dǎo)電薄膜(100)的下側(cè)上， -提供具有附著作用的第二連接層(20)，以及將所述第二連接層(20)施加到所述薄膜層片(200)的下側(cè)上， -提供另一薄膜層片(300)， -提供具有附著作用的第三連接層(30)，以及將所述第三連接層(30)施加到所述另一薄膜層片(300)的下側(cè)上， -將所述另一薄膜層片(300)借助于所述第三連接層(30)包覆到所述載體薄膜(400)上， -將所述導(dǎo)電薄膜(100)借助于所述第一連接層(10)包覆到所述另一薄膜層片(300)上， -將至少一個(gè)第一切割線(SI)引入所述導(dǎo)電薄膜(100)的區(qū)域(B100)中，使得所述另一薄膜層片(300)的第一區(qū)域(B300a)保持不損壞，其中所述第一區(qū)域設(shè)置在所述導(dǎo)電薄膜的區(qū)域(B100)下方， -將所述薄膜層片(200)借助于所述第二連接層(20)包覆到至少一個(gè)所述傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)(110)和所述另一薄膜層片(300)上， -將至少一個(gè)第二切割線(S2)引入所述另一導(dǎo)電薄膜(300)的第二區(qū)域(B300b)中，使得在所述另一薄膜層片(300)的所述第二區(qū)域(B300b)處借助于至少一個(gè)所述第二切割線(S2)切開(kāi)所述另一薄膜層片(300)，其中所述第二區(qū)域設(shè)置在所述薄膜層片(200)的區(qū)域(B200a)下方。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，所述方法包括: -將至少一個(gè)第三切割線(S3)引入所述載體薄膜(400)的第三區(qū)域(B400c)中，使得在所述載體薄膜的所述第三區(qū)域(B400c)處切開(kāi)所述載體薄膜， -將至少一個(gè)第四切割線(S4)引入所述薄膜層片(200)的第二區(qū)域(B200b)和所述另一薄膜層片(300)的第三區(qū)域(B300c)和所述載體薄膜(400)的第四區(qū)域(B400d)中，使得在所述第二區(qū)域(B200b)處切開(kāi)所述薄膜層片(200)以及在所述第三區(qū)域(B300c)處切開(kāi)所述另一薄膜層片(300)以及在所述第四區(qū)域(B400d)處切開(kāi)所述載體薄膜(400)，其中所述第三區(qū)域設(shè)置在所述薄膜層片(200)的所述第二區(qū)域下方，所述第四區(qū)域設(shè)置在所述另一薄膜層片(300)的所述第三區(qū)域下方，其中至少一個(gè)所述第三切割線和第四切割線(S3，S4)相交，使得形成從所述載體薄膜(400)切出的區(qū)域。15.根據(jù)權(quán)利要求12至14中任一項(xiàng)所述的方法，所述方法包括: 在將所述薄膜層片(200)包覆到至少一個(gè)所述傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)(110)上之前，將留空部(210)弓I入所述薄膜層片(200)和所述第二連接層(20)中。
【文檔編號(hào)】H05K3/04GK106068681SQ201580009019
【公開(kāi)日】2016年11月2日
【申請(qǐng)日】2015年2月25日 公開(kāi)號(hào)201580009019.5, CN 106068681 A, CN 106068681A, CN 201580009019, CN-A-106068681, CN106068681 A, CN106068681A, CN201580009019, CN201580009019.5, PCT/2015/53935, PCT/EP/15/053935, PCT/EP/15/53935, PCT/EP/2015/053935, PCT/EP/2015/53935, PCT/EP15/053935, PCT/EP15/53935, PCT/EP15053935, PCT/EP1553935, PCT/EP2015/053935, PCT/EP2015/53935, PCT/EP2015053935, PCT/EP201553935
【發(fā)明人】沃爾弗拉姆·費(fèi)希爾, 奧拉夫·尼奇克, 托馬斯·塞繆爾, 奧利弗·維澤納
【申請(qǐng)人】施賴納集團(tuán)兩合公司