一種二階hdi板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種HDI板。
【背景技術(shù)】
[0002]HDI是High Density Interconnector的英文簡(jiǎn)寫,表示的是高密度互聯(lián)電路板。HDI板一般采用積層法(Build-up)制造,積層的次數(shù)越多,板件的技術(shù)檔次越高。普通的HDI板基本上是I次積層,高階HDI采用2次或以上的積層技術(shù),同時(shí)采用疊孔、電鍍填孔、激光直接打孔等先進(jìn)PCB技術(shù)。高階HDI板主要應(yīng)用于3G手機(jī)、高級(jí)數(shù)碼攝像機(jī)、IC載板等?,F(xiàn)有技術(shù)中的HDI板在生產(chǎn)過程中容易出現(xiàn)爆板現(xiàn)象,導(dǎo)致板的報(bào)廢率高,生產(chǎn)成本尚O
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]為了解決【背景技術(shù)】中存在的問題,本實(shí)用新型提供了一種二階HDI板,該HDI板克服了爆板現(xiàn)象,降低了 HDI板的生產(chǎn)成本。
[0004]為達(dá)到上述目的,本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案:
[0005]一種二階HDI板,包括中心絕緣基板,其特征在:所述中心絕緣基板的上側(cè)自下而上依次設(shè)置有上銅箔層,上金屬層和上絕緣層,上絕緣層上激光穿射有盲孔,盲孔穿透上絕緣層,盲孔中沉積有沉銅,沉銅的上表面超過上絕緣層的表面,沉銅的下表面與上金屬層的頂面相接觸;
[0006]中心絕緣基板的下側(cè)自上而下依次設(shè)置有下銅箔層,下金屬層和下絕緣層,下絕緣層上激光穿射有盲孔,盲孔穿透下絕緣層,盲孔中沉積有沉銅,沉銅的下表面超過下絕緣層的下表面,沉銅的上表面與下金屬層的底面相接觸。
[0007]所述上絕緣層的上表面刻蝕有線路,下絕緣層的下表面刻蝕有線路。
[0008]本實(shí)用新型的有益效果:在HDI板外層的絕緣板上激光穿射盲孔后再與中心絕緣板層壓,避免了穿孔造成的整個(gè)HDI板爆板,降低了生產(chǎn)成本。
【附圖說明】
[0009]下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步說明
[0010]圖1為本實(shí)用新型所述HDI板的分解結(jié)構(gòu)示意圖;
[0011]圖2為本實(shí)用新型所述HDI板的整體結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0012]下面結(jié)合【附圖說明】和【具體實(shí)施方式】對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步描述:
[0013]實(shí)施例1
[0014]如圖1,2所示,一種二階HDI板,包括中心絕緣基板11,中心絕緣基板11的上側(cè)自下而上依次設(shè)置有上銅箔層12a,上金屬層13a和上絕緣層14a,上絕緣層14a上激光穿射有盲孔O,盲孔O穿透上絕緣層14a,盲孔O中沉積有沉銅30a,沉銅30a的上表面超過上絕緣層14a的表面,沉銅30a的下表面與上金屬層13a的頂面相接觸。上絕緣層14a的上表面刻蝕有線路20a。
[0015]中心絕緣基板11的下側(cè)自上而下依次設(shè)置有下銅箔層12b,下金屬層13b和下絕緣層14b,下絕緣層14b上激光穿射有盲孔P,盲孔P穿透下絕緣層14b,盲孔P中沉積有沉銅30b,沉銅30b的下表面超過下絕緣層14b的下表面,沉銅30b的上表面與下金屬層13b的底面相接觸。下絕緣層14b的下表面刻蝕有線路20b。
[0016]制作HDI板的時(shí)候,先將銅箔層層壓在中心絕緣基板上,然后在上下絕緣板上激光穿射盲孔,然后將絕緣板與金屬層層壓,最后將絕緣板和金屬層與中心板層壓,由于激光穿射只是在絕緣板上進(jìn)行,避免了整個(gè)HDI板的爆板,節(jié)省了成本。
[0017]本領(lǐng)域技術(shù)人員將會(huì)認(rèn)識(shí)到,在不偏離本發(fā)明的保護(hù)范圍的前提下,可以對(duì)上述實(shí)施方式進(jìn)行各種修改、變化和組合,并且認(rèn)為這種修改、變化和組合是在獨(dú)創(chuàng)性思想的范圍之內(nèi)的。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種二階HDI板,包括中心絕緣基板,其特征在:所述中心絕緣基板的上側(cè)自下而上依次設(shè)置有上銅箔層,上金屬層和上絕緣層,上絕緣層上激光穿射有盲孔,盲孔穿透上絕緣層,盲孔中沉積有沉銅,沉銅的上表面超過上絕緣層的表面,沉銅的下表面與上金屬層的頂面相接觸; 中心絕緣基板的下側(cè)自上而下依次設(shè)置有下銅箔層,下金屬層和下絕緣層,下絕緣層上激光穿射有盲孔,盲孔穿透下絕緣層,盲孔中沉積有沉銅,沉銅的下表面超過下絕緣層的下表面,沉銅的上表面與下金屬層的底面相接觸。
2.如權(quán)利要求1所述的一種二階HDI板,其特征在于,所述上絕緣層的上表面刻蝕有線路,下絕緣層的下表面刻蝕有線路。
【專利摘要】本實(shí)用新型提供了一種二階HDI板,包括中心絕緣基板,其特征在:所述中心絕緣基板的上側(cè)自下而上依次設(shè)置有上銅箔層,上金屬層和上絕緣層,上絕緣層上激光穿射有盲孔,盲孔穿透上絕緣層,盲孔中沉積有沉銅,沉銅的上表面超過上絕緣層的表面,沉銅的下表面與上金屬層的頂面相接觸;中心絕緣基板的下側(cè)自上而下依次設(shè)置有下銅箔層,下金屬層和下絕緣層,下絕緣層上激光穿射有盲孔,盲孔穿透下絕緣層,盲孔中沉積有沉銅,沉銅的下表面超過下絕緣層的下表面,沉銅的上表面與下金屬層的底面相接觸。本實(shí)用新型的有益效果:在HDI板外層的絕緣板上激光穿射盲孔后再與中心絕緣板層壓,避免了穿孔造成的整個(gè)HDI板爆板,降低了生產(chǎn)成本。
【IPC分類】H05K1-11, H05K1-02
【公開號(hào)】CN204408740
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520039777
【發(fā)明人】巫靈進(jìn), 戴成豪, 王瑾瑜
【申請(qǐng)人】衢州順絡(luò)電路板有限公司
【公開日】2015年6月17日
【申請(qǐng)日】2015年1月20日