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      一種射頻放大器電路的制作方法

      文檔序號:8772608閱讀:444來源:國知局
      一種射頻放大器電路的制作方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本實用新型涉及一種射頻放大器電路。
      【背景技術(shù)】
      [0002]目前美國ellman公司生產(chǎn)的電刀功率放大器部分,是采用老式的電子管方式進(jìn)行功率放大的;它的缺點是由于輸出頻率高,功率輸出不穩(wěn)定,功率值不準(zhǔn)確,高頻漏電大等問題。
      【實用新型內(nèi)容】
      [0003]鑒于現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問題,本實用新型的主要目的在于解決現(xiàn)有技術(shù)的缺陷,本實用新型提供一種輸出功率穩(wěn)定、功率值準(zhǔn)確且高頻漏電流小的射頻放大器電路。
      [0004]本實用新型提供了一種射頻放大器電路,包括輸入端、DECI420 MOSFET場效應(yīng)管,DE357-102N12A場效應(yīng)管,濾波電路以及輸出端,所述DECI420 MOSFET場效應(yīng)管設(shè)置在所述輸入端和所述DE357-102N12A場效應(yīng)管之間,所述DE357-102N12A場效應(yīng)管右端與所述輸出端相連,所述輸入端與所述DECI420 MOSFET場效應(yīng)管的管腳I之間連接有電阻R13、電容C47、電容C48、電容C49、電容C19、電容C20、電容C15、電容C14、電容C13,所述輸入端與所述DECI420 MOSFET場效應(yīng)管的管腳3之間連接有電阻R1、電容C52、電容C51、電容C50、電容C3、電容C4、電容C5、電容C6、電容C7,所述DECI420 MOSFET場效應(yīng)管的管腳5與所述DE357-102N12A場效應(yīng)管的管腳2相連,所述濾波電路與所述DE357-102N12A場效應(yīng)管的管腳5相連,所述濾波電路包括電容Cl、電容C2和電感LI,所述DE357-102N12A場效應(yīng)管的管腳5與輸出端之間分別設(shè)置有電容C8、電容C9、電容ClO和電容16,所述輸出端左側(cè)還設(shè)置有一隔離變壓器TI,還包括取樣電路,所述取樣電路包括電流取樣傳感線圈T2。
      [0005]可選的,所述電容C19為低通濾波電容。
      [0006]可選的,所述電容C3為低通濾波電容。
      [0007]本實用新型具有以下優(yōu)點和有益效果:本實用新型提供一種射頻放大器電路,在所述輸入端與所述DECI420 MOSFET場效應(yīng)管的管腳I之間連接有電阻R13和所述輸入端與所述DECI420 MOSFET場效應(yīng)管的管腳3之間連接有電阻Rl可減少因電源帶來干擾;由于輸入的頻率高,要保持輸入信號的絕對干凈,不受寄生電容和磁場的干擾,在所述輸入端與所述DECI420 MOSFET場效應(yīng)管的管腳I之間連接有電容C47、電容C48、電容C49、電容C19、電容C20、電容C15、電容C14、電容C13,其中C19為低通濾波;在所述輸入端與所述DECI420M0SFET場效應(yīng)管的管腳3之間連接有電阻R1、電容C52、電容C51、電容C50、電容C3、電容C4、電容C5、電容C6、電容C7,其中C3為低通濾波;被放大的電流信號直接通過DECI420M0SFET場效應(yīng)管的管腳5輸入給DE357-102N12A場效應(yīng)管的管腳2進(jìn)行功率放大;電容Cl、電容C2和電感LI組成了功率放大電源的濾波;被放大的高頻信號通過電容C8、電容C9、電容ClO和電容16輸出一個穩(wěn)定的功率信號,再經(jīng)隔離變壓器Tl輸出,如此使其輸出功率更穩(wěn)定,功率更準(zhǔn)確,高頻漏電流更小。
      【附圖說明】
      [0008]圖1為本實用新型提供的一種射頻放大器電路原理圖。
      【具體實施方式】
      [0009]下面將參照附圖和具體實施例對本實用新型作進(jìn)一步的說明。
      [0010]如圖1所示:本實用新型實施例的一種射頻放大器電路,包括輸入端、DECI420 MOSFET場效應(yīng)管,DE357-102N12A場效應(yīng)管,濾波電路100以及輸出端,所述DECI420 MOSFET場效應(yīng)管設(shè)置在所述輸入端和所述DE357-102N12A場效應(yīng)管之間,所述DE357-102N12A場效應(yīng)管右端與所述輸出端相連,所述輸入端與所述DECI420M0SFET場效應(yīng)管的管腳I之間連接有電阻R13、電容C47、電容C48、電容C49、電容C19、電容C20、電容C15、電容C14、電容C13,所述輸入端與所述DECI420M0SFET場效應(yīng)管的管腳3之間連接有電阻R1、電容C52、電容C51、電容C50、電容C3、電容C4、電容C5、電容C6、電容C7,所述DECI420 MOSFET場效應(yīng)管的管腳5與所述DE357-102N12A場效應(yīng)管的管腳2相連,所述濾波電路100與所述DE357-102N12A場效應(yīng)管的管腳5相連,所述濾波電路包括電容Cl、電容C2和電感LI,所述DE357-102N12A場效應(yīng)管的管腳5與輸出端之間分別設(shè)置有電容C8、電容C9、電容ClO和電容16,所述輸出端左側(cè)還設(shè)置有一隔離變壓器Tl,還包括取樣電路200,所述取樣電路包括電流取樣傳感線圈T2。
      [0011]作為上述實施例的優(yōu)選實施方式,所述電容C19為低通濾波電容。
      [0012]作為上述實施例的優(yōu)選實施方式,所述電容C3為低通濾波電容。
      [0013]本實用新型的工作原理為:在所述輸入端與所述DECI420 MOSFET場效應(yīng)管的管腳I之間連接有電阻R13和所述輸入端與所述DECI420 MOSFET場效應(yīng)管的管腳3之間連接有電阻Rl可減少因電源帶來干擾;由于輸入的頻率高,要保持輸入信號的絕對干凈,不受寄生電容和磁場的干擾,在所述輸入端與所述DECI420 MOSFET場效應(yīng)管的管腳I之間連接有電容C47、電容C48、電容C49、電容C19、電容C20、電容C15、電容C14、電容C13,其中C19為低通濾波;在所述輸入端與所述DECI420 MOSFET場效應(yīng)管的管腳3之間連接有電阻R1、電容C52、電容C51、電容C50、電容C3、電容C4、電容C5、電容C6、電容C7,其中C3為低通濾波;被放大的電流信號直接通過DECI420 MOSFET場效應(yīng)管的管腳5輸入給DE357-102N12A場效應(yīng)管的管腳2進(jìn)行功率放大;電容Cl、電容C2和電感LI組成了功率放大電源的濾波;被放大的高頻信號通過電容C8、電容C9、電容ClO和電容16輸出一個穩(wěn)定的功率信號,再經(jīng)隔離變壓器Tl輸出,如此使其輸出功率更穩(wěn)定,功率更準(zhǔn)確,高頻漏電流更小。
      [0014]后應(yīng)說明的是:以上所述的各實施例僅用于說明本實用新型的技術(shù)方案,而非對其限制;盡管參照前述實施例對本實用新型進(jìn)行了詳細(xì)的說明,本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解:其依然可以對前述實施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改,或者對其中部分或全部技術(shù)特征進(jìn)行等同替換;而這些修改或替換,并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本實用新型各實施例技術(shù)方案的范圍。
      【主權(quán)項】
      1.一種射頻放大器電路,其特征在于:包括輸入端、DECI420M0SFET場效應(yīng)管,DE357-102N12A場效應(yīng)管,濾波電路以及輸出端,所述DECI420M0SFET場效應(yīng)管設(shè)置在所述輸入端和所述DE357-102N12A場效應(yīng)管之間,所述DE357-102N12A場效應(yīng)管右端與所述輸出端相連,所述輸入端與所述DECI420M0SFET場效應(yīng)管的管腳I之間連接有電阻R13、電容C47、電容C48、電容C49、電容C19、電容C20、電容C15、電容C14、電容C13,所述輸入端與所述DECI420M0SFET場效應(yīng)管的管腳3之間連接有電阻R1、電容C52、電容C51、電容C50、電容C3、電容C4、電容C5、電容C6、電容C7,所述DECI420M0SFET場效應(yīng)管的管腳5與所述DE357-102N12A場效應(yīng)管的管腳2相連,所述濾波電路與所述DE357-102N12A場效應(yīng)管的管腳5相連,所述濾波電路包括電容Cl、電容C2和電感LI,所述DE357-102N12A場效應(yīng)管的管腳5與輸出端之間分別設(shè)置有電容C8、電容C9、電容ClO和電容16,所述輸出端左側(cè)還設(shè)置有一隔離變壓器TI,還包括取樣電路,所述取樣電路包括電流取樣傳感線圈T2。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻放大器電路,其特征在于,所述電容C19為低通濾波電容。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻放大器電路,其特征在于,所述電容C3為低通濾波電容。
      【專利摘要】本實用新型涉及一種射頻放大器電路,包括輸入端、DECI420 MOSFET場效應(yīng)管,DE357-102N12A場效應(yīng)管,濾波電路以及輸出端,所述DECI420 MOSFET場效應(yīng)管設(shè)置在所述輸入端和所述DE357-102N12A場效應(yīng)管之間,所述DE357-102N12A場效應(yīng)管右端與所述輸出端相連,所述濾波電路包括電容C1、電容C2和電感L1,所述輸出端左側(cè)還設(shè)置有一隔離變壓器T1,還包括取樣電路,所述取樣電路包括電流取樣傳感線圈T2。本實用新型的有益效果在于,本實用新型提供一種輸出功率穩(wěn)定、功率值準(zhǔn)確且高頻漏電流小的射頻放大器電路。
      【IPC分類】H03F3-20, H03F3-193
      【公開號】CN204481771
      【申請?zhí)枴緾N201520098935
      【發(fā)明人】馬廣軍
      【申請人】北京康威電子技術(shù)有限公司
      【公開日】2015年7月15日
      【申請日】2015年2月11日
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