一種led驅(qū)動芯片的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及集成電路技術(shù)，尤其涉及到LED驅(qū)動芯片。
【背景技術(shù)】
[0002]為了更好地控制LED燈，設(shè)計一種LED驅(qū)動芯片。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本實用新型旨在提供一種led驅(qū)動芯片。
[0004]一種LED驅(qū)動芯片，包括停機控制、帶隙基準、振蕩器、誤差放大器、PWM比較器、過流保護比較器、電流采樣放大器、控制邏輯、功率管驅(qū)動電路和功率NMOS管:
[0005]所述停機控制電路的輸入端接關(guān)斷信號輸入端SHDN，輸出端控制所述控制邏輯；當SHDN接高電平，電路正常工作；當SHDN接地，電路處于關(guān)閉狀態(tài)，電路不工作；
[0006]所述帶隙基準用來產(chǎn)生芯片內(nèi)部的帶隙基準電壓；作為其他電路的參考電壓，這些電壓的精確度直接影響輸出的電壓精度；
[0007]所述振蕩器電路提供內(nèi)部時鐘頻率，并作為內(nèi)部同步時鐘；
[0008]所述誤差放大器將輸出反饋電壓VFB與比較基準電壓VREF的差值進行放大及反饋，保證穩(wěn)態(tài)時的穩(wěn)壓精度；
[0009]所述PWM比較器是把誤差放大器輸出的電壓誤差信號與電感電流采樣信號進行比較，輸出相應(yīng)的脈寬調(diào)制信號，從而控制功率NMOS管的占空比，達到調(diào)節(jié)輸出電壓的目的；
[0010]所述過流保護比較器是當電路剛開始啟動時，VFB端的電壓很低，所述誤差放大器的輸出很大，這樣功率NMOS管會一直導(dǎo)通，這樣會損壞器件，為了避免這種現(xiàn)象，將采樣電阻上得到的電壓信號接入所述過流保護比較器的正端，從而實現(xiàn)對功率NMOS管的占空比進行控制；
[0011]所述電流檢測放大器是將采樣電阻Rsense上得到的電壓信號進行放大，輸出與所述誤差放大信號被送到所述PWM比較器中進行比較，實現(xiàn)對功率NMOS管的控制；
[0012]所述控制邏輯實現(xiàn)系統(tǒng)的邏輯控制功能，對控制功率NMOS管工作狀態(tài)進行處理，產(chǎn)生功率管控制信號至驅(qū)動電路；
[0013]所述功率管驅(qū)動電路實現(xiàn)功能是驅(qū)動功率NMOS管。
[0014]系統(tǒng)的正常工作過程:當SHDN信號為高電平時，整個芯片開始工作；VFB反饋電壓與VREF之差由所述誤差放大器產(chǎn)生誤差放大信號至所述PWM比較器的負端，同時將表示功率NMOS管電流信號輸出到PWM比較器的正端，PWM比較器的輸出信號控制功率NMOS管上開關(guān)信號的占空比，從而達到控制系統(tǒng)輸出電壓的目的。該芯片具有過流限制保護、電流檢測和負載保護等功能；同時整個環(huán)路是單極點系統(tǒng)，因此不需要補償電路就能夠保證系統(tǒng)的穩(wěn)定性。
【附圖說明】
[0015]圖1為本實用新型的一種LED驅(qū)動芯片的內(nèi)部電路圖及應(yīng)用圖。
【具體實施方式】
[0016]以下結(jié)合附圖對本【實用新型內(nèi)容】進一步說明。
[0017]一種LED驅(qū)動芯片，如圖1所示，包括停機控制、帶隙基準、振蕩器、誤差放大器、PWM比較器、過流保護比較器、電流采樣放大器、控制邏輯、功率管驅(qū)動電路和功率NMOS管:
[0018]所述停機控制電路的輸入端接關(guān)斷信號輸入端SHDN，輸出端控制所述控制邏輯；當SHDN接高電平，電路正常工作；當SHDN接地，電路處于關(guān)閉狀態(tài)，電路不工作；
[0019]所述帶隙基準用來產(chǎn)生芯片內(nèi)部的帶隙基準電壓；作為其他電路的參考電壓，這些電壓的精確度直接影響輸出的電壓精度；
[0020]所述振蕩器電路提供內(nèi)部時鐘頻率，并作為內(nèi)部同步時鐘；
[0021]所述誤差放大器將輸出反饋電壓VFB與比較基準電壓VREF的差值進行放大及反饋，保證穩(wěn)態(tài)時的穩(wěn)壓精度；
[0022]所述PWM比較器是把誤差放大器輸出的電壓誤差信號與電感電流采樣信號進行比較，輸出相應(yīng)的脈寬調(diào)制信號，從而控制功率NMOS管的占空比，達到調(diào)節(jié)輸出電壓的目的；
[0023]所述過流保護比較器是當電路剛開始啟動時，VFB端的電壓很低，所述誤差放大器的輸出很大，這樣功率NMOS管會一直導(dǎo)通，這樣會損壞器件，為了避免這種現(xiàn)象，將采樣電阻上得到的電壓信號接入所述過流保護比較器的正端，從而實現(xiàn)對功率NMOS管的占空比進行控制；
[0024]所述電流檢測放大器是將采樣電阻Rsense上得到的電壓信號進行放大，輸出與所述誤差放大信號被送到所述PWM比較器中進行比較，實現(xiàn)對功率NMOS管的控制；
[0025]所述控制邏輯實現(xiàn)系統(tǒng)的邏輯控制功能，對控制功率NMOS管工作狀態(tài)進行處理，產(chǎn)生功率管控制信號至驅(qū)動電路；
[0026]所述功率管驅(qū)動電路實現(xiàn)功能是驅(qū)動功率NMOS管。
[0027]系統(tǒng)的正常工作過程:當SHDN信號為高電平時，整個芯片開始工作；VFB反饋電壓與VREF之差由所述誤差放大器產(chǎn)生誤差放大信號至所述PWM比較器的負端，同時將表示功率NMOS管電流信號輸出到PWM比較器的正端，PWM比較器的輸出信號控制功率NMOS管上開關(guān)信號的占空比，從而達到控制系統(tǒng)輸出電壓的目的。該芯片具有過流限制保護、電流檢測和負載保護等功能；同時整個環(huán)路是單極點系統(tǒng)，因此不需要補償電路就能夠保證系統(tǒng)的穩(wěn)定性。
【主權(quán)項】
1.一種LED驅(qū)動芯片，其特征在于，包括停機控制、帶隙基準、振蕩器、誤差放大器、PWM比較器、過流保護比較器、電流采樣放大器、控制邏輯、功率管驅(qū)動電路和功率NMOS管:所述停機控制電路的輸入端接關(guān)斷信號輸入端SHDN，輸出端控制所述控制邏輯；當SHDN接高電平，電路正常工作；當SHDN接地，電路處于關(guān)閉狀態(tài)，電路不工作； 所述帶隙基準用來產(chǎn)生芯片內(nèi)部的帶隙基準電壓；作為其他電路的參考電壓，這些電壓的精確度直接影響輸出的電壓精度； 所述振蕩器電路提供內(nèi)部時鐘頻率，并作為內(nèi)部同步時鐘； 所述誤差放大器將輸出反饋電壓VFB與比較基準電壓VREF的差值進行放大及反饋，保證穩(wěn)態(tài)時的穩(wěn)壓精度； 所述PWM比較器是把誤差放大器輸出的電壓誤差信號與電感電流采樣信號進行比較，輸出相應(yīng)的脈寬調(diào)制信號，從而控制功率NMOS管的占空比，達到調(diào)節(jié)輸出電壓的目的；所述過流保護比較器是當電路剛開始啟動時，VFB端的電壓很低，所述誤差放大器的輸出很大，這樣功率NMOS管會一直導(dǎo)通，這樣會損壞器件，為了避免這種現(xiàn)象，將采樣電阻上得到的電壓信號接入所述過流保護比較器的正端，從而實現(xiàn)對功率NMOS管的占空比進行控制； 所述電流檢測放大器是將采樣電阻Rsense上得到的電壓信號進行放大，輸出與所述誤差放大信號被送到所述PWM比較器中進行比較，實現(xiàn)對功率NMOS管的控制； 所述控制邏輯實現(xiàn)系統(tǒng)的邏輯控制功能，對控制功率NMOS管工作狀態(tài)進行處理，產(chǎn)生功率管控制信號至驅(qū)動電路； 所述功率管驅(qū)動電路實現(xiàn)功能是驅(qū)動功率NMOS管。
【專利摘要】本實用新型公開了一種LED驅(qū)動芯片。一種LED驅(qū)動芯片包括停機控制、帶隙基準、振蕩器、誤差放大器、PWM比較器、過流保護比較器、電流采樣放大器、控制邏輯、功率管驅(qū)動電路和功率NMOS管。該芯片具有過流限制保護、電流檢測和負載保護等功能。
【IPC分類】H05B37-02
【公開號】CN204559983
【申請?zhí)枴緾N201520303425
【發(fā)明人】陶霞菲
【申請人】杭州寬?？萍加邢薰?br>【公開日】2015年8月12日
【申請日】2015年5月8日