掉電存儲(chǔ)電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種汽車車燈驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，尤其是涉及一種掉電存儲(chǔ)電路。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有汽車的LED車燈是需要LED驅(qū)動(dòng)電路配合進(jìn)行連接的，當(dāng)LED車燈發(fā)生情況時(shí)，LED驅(qū)動(dòng)電路一般需要關(guān)閉所有LED車燈，并給BCM(車體控制模塊)報(bào)警；同時(shí)，LED車燈發(fā)生情況而產(chǎn)生的診斷信號(hào)需要存儲(chǔ)起來(lái)，在下一次電源電壓上電時(shí)，LED驅(qū)動(dòng)電路可以讀取到這個(gè)診斷信號(hào)，不點(diǎn)亮所有LED車燈。
[0003]目前對(duì)于診斷信號(hào)的掉電存儲(chǔ)，一般是通過(guò)MCU來(lái)實(shí)現(xiàn)的；在電源電壓掉電之前，MCU將診斷信號(hào)快速的存儲(chǔ)到MCU內(nèi)部閃存FLASH中，F(xiàn)LASH的掉電存儲(chǔ)時(shí)間一般都比較長(zhǎng)。
[0004]上述方式的缺點(diǎn)在于MCU的讀寫時(shí)間通常比較長(zhǎng)，當(dāng)供電電源是PWM信號(hào)而非恒定的時(shí)候，MCU需要在電源電壓掉電前迅速存儲(chǔ)這個(gè)信號(hào)，在下次電源電壓上電時(shí)，迅速地讀取這個(gè)信號(hào)，MCU在應(yīng)用中就會(huì)存在一些限制，另外，MCU也是電路中比較貴的器件。
[0005]另外一種方式是將診斷信號(hào)發(fā)給MCU，通過(guò)MCU來(lái)存儲(chǔ)這個(gè)信號(hào)，但是這樣一來(lái)，BCM就需要額外的一個(gè)接口電路。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0006]基于此，有必要針對(duì)上述【背景技術(shù)】存在的問(wèn)題，提供一種掉電存儲(chǔ)電路，以實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)時(shí)間的掉電保護(hù)，并降低掉電保護(hù)的成本。
[0007]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型公開(kāi)了一種掉電存儲(chǔ)電路，其包括電源單元、開(kāi)關(guān)診斷單元、儲(chǔ)存單元及輸出單元，所述電源單元輸入端電性連接開(kāi)關(guān)診斷單元，所述電源單元輸出端電性連接儲(chǔ)存單元，所述儲(chǔ)存單元電性連接輸出單元；所述輸出單元為MOS場(chǎng)效應(yīng)管，所述MOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵極與所述儲(chǔ)存單元輸出端電性連接，所述MOS場(chǎng)效應(yīng)管的源極接地，所述MOS場(chǎng)效應(yīng)管的漏極電性連接基準(zhǔn)電壓。
[0008]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述電源單元包括第一三極管，所述第一三極管發(fā)射極電性連接基準(zhǔn)電壓，所述第一三極管的基極電性連接所述開(kāi)關(guān)診斷單元，所述第一三極管的集電極電性連接所述儲(chǔ)存單元。
[0009]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述開(kāi)關(guān)診斷單元包括第二三極管，所述第二三極管的基極用于輸入外接診斷信號(hào)，所述第二三極管的集電極與所述第一三極管的基極電性連接，所述第二三極管的發(fā)射極接地。
[0010]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述儲(chǔ)存單元包括電容，所述電容一端與所述第一三極管的集電極電性連接，所述電容另一端接地。
[0011]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一三極管與所述電容之間電性串聯(lián)有二極管。
[0012]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一三極管與所述電容之間還電性連接釋放電阻一端，所述釋放電阻另一端接地。
[0013]綜上所述，本實(shí)用新型掉電存儲(chǔ)電路通過(guò)將儲(chǔ)存單元與MOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵極電性連接，配合電源單元給儲(chǔ)存單元進(jìn)行充電，在電源單元斷開(kāi)后，儲(chǔ)存單元仍能使得MOS場(chǎng)效應(yīng)管處于導(dǎo)通狀態(tài)，使得MOS場(chǎng)效應(yīng)管的漏極處于低電平狀態(tài)，進(jìn)而使得輸出存儲(chǔ)的診斷信號(hào)仍然可以長(zhǎng)時(shí)間維持在低電平，實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)時(shí)間的掉電保護(hù)，并有效降低掉電保護(hù)的成本。
【附圖說(shuō)明】
[0014]圖1為本實(shí)用新型掉電存儲(chǔ)電路一種實(shí)施例的電路原理框圖；
[0015]圖2為本實(shí)用新型掉電存儲(chǔ)電路一種實(shí)施例的電路原理圖。
【具體實(shí)施方式】
[0016]如圖1和圖2所示，本實(shí)用新型掉電存儲(chǔ)電路包括電源單元10、開(kāi)關(guān)診斷單元20、儲(chǔ)存單元30及輸出單元40，所述電源單元10輸入端電性連接開(kāi)關(guān)診斷單元20，所述電源單元10輸出端電性連接儲(chǔ)存單元30，所述儲(chǔ)存單元30電性連接輸出單元40。
[0017]所述開(kāi)關(guān)診斷單元20用以控制電源單元10與儲(chǔ)存單元30導(dǎo)通，所述電源單元10提供基準(zhǔn)電壓VCC，所述電源單元10用于給所述儲(chǔ)存單元30進(jìn)行充電；所述儲(chǔ)存單元30用于提供給所述輸出單元40導(dǎo)通電平，所述輸出單元40為MOS場(chǎng)效應(yīng)管Q3，所述MOS場(chǎng)效應(yīng)管Q3的柵極與所述儲(chǔ)存單元30輸出端電性連接，所述MOS場(chǎng)效應(yīng)管Q3的源極接地，所述MOS場(chǎng)效應(yīng)管Q3的漏極電性連接電源單元10的基準(zhǔn)電壓VCC。
[0018]具體地，所述開(kāi)關(guān)診斷單元20的輸入端用于輸入外接診斷信號(hào)，所述輸出單元40的輸出端用于輸出存儲(chǔ)的診斷信號(hào)，所述輸出單元40的輸出端對(duì)應(yīng)于MOS場(chǎng)效應(yīng)管Q3的漏極。
[0019]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述電源單元10包括第一三極管Ql，所述第一三極管Ql發(fā)射極電性連接基準(zhǔn)電壓VCC，所述第一三極管Ql的基極電性連接所述開(kāi)關(guān)診斷單元20，所述第一三極管Ql的集電極電性連接所述儲(chǔ)存單元30。
[0020]所述開(kāi)關(guān)診斷單元20包括第二三極管Q2，所述第二三極管Q2的基極用于輸入外接診斷信號(hào)，所述第二三極管Q2的集電極與所述第一三極管Ql的基極電性連接，所述第二三極管Q2的發(fā)射極接地；在外接診斷信號(hào)為高電平時(shí)，第二三極管Q2處于導(dǎo)通狀態(tài)，此時(shí)，第一三極管Ql的基極-發(fā)射極的電流上升，第一三極管Ql也處于導(dǎo)通狀態(tài)，電源單元10開(kāi)始給所述儲(chǔ)存單元30進(jìn)行充電。
[0021]所述儲(chǔ)存單元30包括電容Cl，所述電容Cl 一端與所述第一三極管Ql的集電極電性連接，所述電容Cl另一端接地，在第一三極管Ql處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，電源單元10給所述電容Cl進(jìn)行充電；具體地，第一三極管Ql與所述電容Cl之間電性串聯(lián)有二極管D1，在所述電源單元10斷開(kāi)與電容Cl的連接后，二極管Dl可以防止電容Cl進(jìn)行自我放電。
[0022]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一三極管Ql與所述電容Cl之間還電性連接釋放電阻R2 —端，所述釋放電阻R2另一端接地，所述釋放電阻R2用于給所述第一三極管Ql的漏電流一個(gè)釋放通路，防止第一三極管Ql的漏電流給電容Cl進(jìn)行充電。
[0023]本實(shí)用新型具體工作時(shí)，當(dāng)外接診斷信號(hào)為高電平時(shí)，第二三極管Q2處于導(dǎo)通狀態(tài)，使得第一三極管Ql的基極-發(fā)射極的電流上升，進(jìn)而第一三極管Ql也處于導(dǎo)通狀態(tài)，電源單元10的基準(zhǔn)電壓VCC通過(guò)二極管Dl給電容Cl進(jìn)行充電，當(dāng)電容Cl上的電壓達(dá)到一定時(shí)，MOS場(chǎng)效應(yīng)管Q3會(huì)處于導(dǎo)通狀態(tài)，由于MOS場(chǎng)效應(yīng)管Q3的源極接地，使得MOS場(chǎng)效應(yīng)管Q3的漏極端輸出為低電平，進(jìn)而使得輸出存儲(chǔ)的診斷信號(hào)為低電平。
[0024]在LED車燈發(fā)生情況而產(chǎn)生的診斷信號(hào)時(shí)，外接診斷信號(hào)和基準(zhǔn)電壓VCC為零，由于電容Cl上的電壓維持在高電平，二極管Dl阻止了電容Cl上儲(chǔ)存的電荷的釋放，MOS場(chǎng)效應(yīng)管Q3的柵極維持在高電平狀態(tài)，MOS場(chǎng)效應(yīng)管Q3就一直處于導(dǎo)通狀態(tài)，使得MOS場(chǎng)效應(yīng)管Q3的漏極端輸出為低電平，進(jìn)而使得輸出存儲(chǔ)的診斷信號(hào)一直維持在低電平，如此，在電源電壓?jiǎn)卧獢嚅_(kāi)連接后，輸出存儲(chǔ)的診斷信號(hào)仍然可以長(zhǎng)時(shí)間維持在低電平狀態(tài)，實(shí)現(xiàn)了長(zhǎng)時(shí)間的掉電保護(hù)，并有效降低了掉電保護(hù)的成本。
[0025]綜上所述，本實(shí)用新型掉電存儲(chǔ)電路通過(guò)將儲(chǔ)存單元30與MOS場(chǎng)效應(yīng)管Q3的柵極電性連接，配合電源單元10給儲(chǔ)存單元30進(jìn)行充電，在電源單元10斷開(kāi)后，儲(chǔ)存單元30仍能使得MOS場(chǎng)效應(yīng)管Q3處于導(dǎo)通狀態(tài)，使得MOS場(chǎng)效應(yīng)管Q3的漏極處于低電平狀態(tài)，進(jìn)而使得輸出存儲(chǔ)的診斷信號(hào)仍然可以長(zhǎng)時(shí)間維持在低電平，實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)時(shí)間的掉電保護(hù)，并有效降低掉電保護(hù)的成本。
[0026]以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本實(shí)用新型的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)本實(shí)用新型專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。因此，本實(shí)用新型專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種掉電存儲(chǔ)電路，其特征在于:包括電源單元(10)、開(kāi)關(guān)診斷單元(20)、儲(chǔ)存單元(30)及輸出單元(40)，所述電源單元(10)輸入端電性連接開(kāi)關(guān)診斷單元(20)，所述電源單元(10)輸出端電性連接儲(chǔ)存單元(30)，所述儲(chǔ)存單元(30)電性連接輸出單元(40);所述輸出單元(40)為MOS場(chǎng)效應(yīng)管(Q3)，所述MOS場(chǎng)效應(yīng)管(Q3)的柵極與所述儲(chǔ)存單元(30)輸出端電性連接，所述MOS場(chǎng)效應(yīng)管(Q3)的源極接地，所述MOS場(chǎng)效應(yīng)管(Q3)的漏極電性連接基準(zhǔn)電壓(VCC)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掉電存儲(chǔ)電路，其特征在于:所述電源單元(10)包括第一三極管(Ql)，所述第一三極管(Ql)發(fā)射極電性連接基準(zhǔn)電壓(VCC)，所述第一三極管(Ql)的基極電性連接所述開(kāi)關(guān)診斷單元(20)，所述第一三極管(Ql)的集電極電性連接所述儲(chǔ)存單元(30) ο
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的掉電存儲(chǔ)電路，其特征在于:所述開(kāi)關(guān)診斷單元(20)包括第二三極管(Q2)，所述第二三極管(Q2)的基極用于輸入外接診斷信號(hào)，所述第二三極管(Q2)的集電極與所述第一三極管(Ql)的基極電性連接，所述第二三極管(Q2)的發(fā)射極接地。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所所述的掉電存儲(chǔ)電路，其特征在于:所述儲(chǔ)存單元(30)包括電容(Cl)，所述電容(Cl) 一端與所述第一三極管(Ql)的集電極電性連接，所述電容(Cl)另一端接地。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所所述的掉電存儲(chǔ)電路，其特征在于:所述第一三極管(Ql)與所述電容(Cl)之間電性串聯(lián)有二極管(Dl)。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所所述的掉電存儲(chǔ)電路，其特征在于:所述第一三極管(Ql)與所述電容(Cl)之間還電性連接釋放電阻(R2) —端，所述釋放電阻(R2)另一端接地。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種掉電存儲(chǔ)電路，其包括電源單元、開(kāi)關(guān)診斷單元、儲(chǔ)存單元及輸出單元，所述電源單元輸入端電性連接開(kāi)關(guān)診斷單元，所述電源單元輸出端電性連接儲(chǔ)存單元，所述儲(chǔ)存單元電性連接輸出單元；所述輸出單元為MOS場(chǎng)效應(yīng)管，所述MOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵極與所述儲(chǔ)存單元輸出端電性連接，所述MOS場(chǎng)效應(yīng)管的源極接地，所述MOS場(chǎng)效應(yīng)管的漏極電性連接基準(zhǔn)電壓。本實(shí)用新型通過(guò)將儲(chǔ)存單元與MOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵極電性連接，配合電源單元給儲(chǔ)存單元進(jìn)行充電，在電源單元斷開(kāi)后，儲(chǔ)存單元仍能使得MOS場(chǎng)效應(yīng)管處于導(dǎo)通狀態(tài)，使得MOS場(chǎng)效應(yīng)管的漏極處于低電平狀態(tài)，進(jìn)而使得輸出存儲(chǔ)的診斷信號(hào)仍然可以長(zhǎng)時(shí)間維持在低電平，實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)時(shí)間的掉電保護(hù)，并有效降低掉電保護(hù)的成本。
【IPC分類】H05B37-02
【公開(kāi)號(hào)】CN204578815
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520086737
【發(fā)明人】施三保
【申請(qǐng)人】法雷奧汽車內(nèi)部控制（深圳）有限公司
【公開(kāi)日】2015年8月19日
【申請(qǐng)日】2015年2月6日