一種多層電路板的板間導(dǎo)通結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及到多層電路板技術(shù)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]印刷線路板也稱為電路板，是電氣設(shè)備中承載電子元器件及實現(xiàn)電氣連接功能的核心部件。多層電路板板間導(dǎo)通一般均采用通孔來實現(xiàn)，即將要連接的多層電路板進(jìn)行同一通孔設(shè)計。制作時，先將要連接的多層電路板進(jìn)行對位壓合，然鉆孔，再做孔內(nèi)導(dǎo)通處理。但因為多層對位公差的因素，為確保電路板品質(zhì)，一般也只能設(shè)計較大些的通孔。對于電子產(chǎn)品的小型化趨勢，電路板布線的空間逐漸被擠壓，設(shè)計者也希望過孔可以減小。需要有一種新方案來解決。舉例說明:多層電路板在業(yè)界一般無法做到0.1mm的Via (所有過孔)。若空間只能設(shè)計成0.1mm Via時，電路板制作出來的通孔導(dǎo)通品質(zhì)較差，且良率大大下降。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]綜上所述，本實用新型的目的在于解決現(xiàn)有多層電路板的板間采用通孔來實現(xiàn)板間導(dǎo)通存在的技術(shù)不足，而提出一種多層電路板的板間導(dǎo)通結(jié)構(gòu)。
[0004]為解決本實用新型所提出的技術(shù)問題，采用的技術(shù)方案為:一種多層電路板的板間導(dǎo)通結(jié)構(gòu)，包括有兩層以上依次層疊的電路板，其特征在于:上層電路板的下表面導(dǎo)電層上鍍有上金屬凸塊，位于上層電路板下一層的下層電路板的上表面導(dǎo)電層上鍍有與所述上金屬凸塊對應(yīng)的下金屬凸塊；所述上金屬凸塊與下金屬凸塊融合導(dǎo)通。
[0005]所述上層電路板與所述下層電路板之間設(shè)有介電層。
[0006]各電路板均包括有絕緣基板，絕緣基板的上表面和下表面均分別設(shè)有金屬薄膜層，以及設(shè)于金屬薄膜層外表面的導(dǎo)電層；兩導(dǎo)電層之間通過開設(shè)在絕緣基板上的金屬化孔導(dǎo)通。
[0007]各電路板的絕緣基材為多孔陶瓷板、BT樹脂基板材料或FR4/5硬板基材。
[0008]本實用新型的有益效果為:本實用新型電路板與電路板間通過金屬凸塊融合導(dǎo)通，大大降低了通孔制作公差要求，且大大增大了孔徑比，通孔品質(zhì)有了更好保證，而且可以縮小通孔大小的設(shè)計，以便制作更為高密度的精密電路板。另外此種導(dǎo)通方式還可拓展用于芯片封裝中，芯片引腳與基材線路焊盤間的導(dǎo)通。
【附圖說明】
[0009]圖1為本實用新型電路板的金屬凸塊融合導(dǎo)通前的截面結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0010]以下結(jié)合附圖和本實用新型優(yōu)選的具體實施例，對本實用新型的結(jié)構(gòu)及工藝作進(jìn)一步地說明。
[0011]參照圖1中所示，本實用新型多層電路板的板間導(dǎo)通結(jié)構(gòu)，包括有兩層以上依次層疊的電路板1、2，附圖中以兩層電路板為例說明，兩層電路板分別為上層電路板I和下層電路板2 ;上層電路板I包括有絕緣基板11，絕緣基材11可以為多孔陶瓷板、BT樹脂基板材料或FR4/5硬板基材；絕緣基板11的上表面和下表面分別設(shè)有金屬薄膜層12、13，兩金屬薄膜層12、13外表面的分別設(shè)有上導(dǎo)電層14和下導(dǎo)電層15 ;上導(dǎo)電層14與下導(dǎo)電層15之間通過開設(shè)在絕緣基板11上的金屬化孔16相導(dǎo)通；金屬化孔16也即是由開設(shè)在絕緣基板11通孔本體，通孔本體的孔壁上金屬孔壁薄膜層及金屬孔壁薄膜層上層的孔壁導(dǎo)電層構(gòu)成。下層電路板2的結(jié)構(gòu)與上述的上層電路板I結(jié)構(gòu)相同，也即包括有:絕緣基板21、金屬薄膜層22、23、上導(dǎo)電層24、下導(dǎo)電層25及金屬化孔26。
[0012]為了實現(xiàn)上層電路板I和下層電路板2間的電路導(dǎo)通，也即是上層電路板I的下導(dǎo)電層15與下層電路板2的上導(dǎo)電層24間導(dǎo)通，上層電路板I的下導(dǎo)電層15上鍍有第一金屬凸塊3，下層電路板2的上導(dǎo)電層24上鍍有第二金屬凸塊4，在上層電路板I與下層電路板2貼合時，第一金屬凸塊3與第二金屬凸塊4融合導(dǎo)通。
[0013]為了使上層電路板I與下層電路板2更好牢固穩(wěn)定地貼合在一起，形成一個整體，在上層電路板I的底面貼合介電層5，介電層5受熱會有較好粘性，介電層5的厚度選擇根據(jù)第一金屬凸塊3和第二金屬凸塊4凸起高度決定，介電層5上與第一金屬凸塊3和第二金屬凸塊4對應(yīng)位置設(shè)有凸塊孔51，凸塊孔51尺寸略大于第一金屬凸塊3和第二金屬凸塊4，避免阻礙第一金屬凸塊3與第二金屬凸塊4融合導(dǎo)通；介電層5還用于隔離兩層電路板1、2的下導(dǎo)電層15和上導(dǎo)電層24。
[0014]參照圖1中所示，本實用新型多層電路板的板間導(dǎo)通工藝，也即是實現(xiàn)上述多層電路板的板間導(dǎo)通結(jié)構(gòu)的方法，采用如下步驟:
[0015]a、制作電路板1、2，制作的電路板1、2為雙面電路板，雙面電路板采用傳統(tǒng)工藝制作，制作步驟包括有鉆孔、清洗、濺渡金屬薄膜、貼光刻膠層、曝光、顯影及電鍍；在導(dǎo)電層上已退光感膠層處鍍設(shè)有金屬凸塊，接著電鍍區(qū)以外的絕緣基材表面裸露的金屬薄膜蝕刻干凈，以得到干凈完整的導(dǎo)電線路。最終在絕緣基板兩面均形成有導(dǎo)電電路的板體，導(dǎo)電電路也即是板體上的導(dǎo)電層，板體兩面的導(dǎo)電電路通過金屬化孔通導(dǎo)，在上層電路板I的下導(dǎo)電層15上鍍有第一金屬凸塊3，下層電路板2的上導(dǎo)電層24上鍍有第二金屬凸塊4 ;第一金屬凸塊3和第二金屬凸塊4電鍍制作時，依次置于銅、鎳、錫電解槽內(nèi)進(jìn)行電鍍形成。在上層電路板I的第一金屬凸塊3制作完成之后，在上層電路板I的內(nèi)側(cè)面，也即上層電路板I的下表面上貼合介電層5，介電層5上預(yù)留供第一金屬凸塊3露出的通孔51。
[0016]b、在將上層電路板I的下導(dǎo)電層15的第一金屬凸塊3與下層電路板2對應(yīng)的第二金屬凸塊4進(jìn)行對位，使第一金屬凸塊3與對應(yīng)第二金屬凸塊4對接在一起；對位操作在基板對位機(jī)上完成。
[0017]C、真空條件下，將將上層電路板I的下導(dǎo)電層15的第一金屬凸塊3與下層電路板2對應(yīng)的第二金屬凸塊4進(jìn)行加熱加壓壓合，使上下兩個對應(yīng)金屬凸塊3和4融合在一起，達(dá)到多層電路板的板間導(dǎo)通的目的。
[0018]通過本方法實現(xiàn)多層電路板的板間導(dǎo)通，不再依賴通孔的對位導(dǎo)通，大大降低了通孔制作公差要求，且大大增大了孔徑比，通孔品質(zhì)有了更好保證，而且可以縮小通孔大小的設(shè)計，以便制作更為高密度的精密電路板。另外此種導(dǎo)通方式還可拓展用于芯片封裝中，芯片引腳與基材線路焊盤間的導(dǎo)通，實現(xiàn)Flip chip制程。
[0019]以上所述僅為本實用新型較佳的實施例而己，其結(jié)構(gòu)并不限于上述列舉的層數(shù)、圖塊排列、形狀，凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均屬于在本實用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種多層電路板的板間導(dǎo)通結(jié)構(gòu)，包括有兩層以上依次層疊的電路板，其特征在于:上層電路板的下表面導(dǎo)電層上鍍有上金屬凸塊，位于上層電路板下一層的下層電路板的上表面導(dǎo)電層上鍍有與所述上金屬凸塊對應(yīng)的下金屬凸塊；所述上金屬凸塊與下金屬凸塊融合導(dǎo)通。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種多層電路板的板間導(dǎo)通結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述上層電路板與所述下層電路板之間設(shè)有介電層。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種多層電路板的板間導(dǎo)通結(jié)構(gòu)，其特征在于:各電路板均包括有絕緣基板，絕緣基板的上表面和下表面均分別設(shè)有金屬薄膜層，以及設(shè)于金屬薄膜層外表面的導(dǎo)電層；兩導(dǎo)電層之間通過開設(shè)在絕緣基板上的金屬化孔導(dǎo)通。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述一種多層電路板的板間導(dǎo)通結(jié)構(gòu)，其特征在于:各電路板的絕緣基材為多孔陶瓷板、BT樹脂基板材料或FR4/5硬板基材。
【專利摘要】一種多層電路板的板間導(dǎo)通結(jié)構(gòu)，涉及到多層電路板技術(shù)領(lǐng)域，解決現(xiàn)有多層電路板的板間采用通孔來實現(xiàn)板間導(dǎo)通存在的技術(shù)不足，包括有兩層以上依次層疊的電路板，其特征在于：上層電路板的下表面導(dǎo)電層上鍍有上金屬凸塊，位于上層電路板下一層的下層電路板的上表面導(dǎo)電層上鍍有與所述上金屬凸塊對應(yīng)的下金屬凸塊；所述上金屬凸塊與下金屬凸塊融合導(dǎo)通。大大降低了通孔制作公差要求，且大大增大了孔徑比，通孔品質(zhì)有了更好保證，而且可以縮小通孔大小的設(shè)計，以便制作更為高密度的精密電路板。另外此種導(dǎo)通方式還可拓展用于芯片封裝中，芯片引腳與基材線路焊盤間的導(dǎo)通，實現(xiàn)Flip？chip制程。
【IPC分類】H05K3/40, H05K1/11
【公開號】CN204859751
【申請?zhí)枴緾N201520436956
【發(fā)明人】肖會華
【申請人】江西芯創(chuàng)光電有限公司
【公開日】2015年12月9日
【申請日】2015年6月24日