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      一種具有箝位功能的比較器電路的制作方法

      文檔序號:10408296閱讀:585來源:國知局
      一種具有箝位功能的比較器電路的制作方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本實(shí)用新型涉及一種電路,具體涉及一種具有箝位功能的比較器電路。
      【背景技術(shù)】
      [0002]在一些電子驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,控制電路需要采用外部信號以做出正確的判斷,比如相位檢測,過零檢測等,在過零檢測電路中通常采用比較器來作為檢測的技術(shù)方案。又因?yàn)闄z測電路為集成電路,自身的耐壓有限,而外部的輸入信號的波動(dòng)范圍可能超出電路的耐壓范圍,對電路造成損害,因此通常在輸入信號的位置設(shè)置箝位電路以保護(hù)。
      [0003]常見的箝位電路的方式有兩種,分別如下:
      [0004](I)第一種是二極管箝位電路,如附圖1所示,該電路由二極管和比較器構(gòu)成,比較器的正相輸入端(或負(fù)相輸入端)經(jīng)過電阻連接輸入電壓(Vi),比較器的負(fù)相輸入端(或正相輸入端)連接參考電壓(VF1)。該箝位電路利用兩個(gè)二極管(D1、D2)的正向?qū)ㄌ匦詫斎攵藅l點(diǎn)進(jìn)行箝位;當(dāng)tl點(diǎn)電位下降時(shí),因?yàn)槎O管(Dl)的箝位作用,tl點(diǎn)的電路只能降到比參考電壓(VFl)低一個(gè)PN結(jié)導(dǎo)通壓降(Vpn)的電壓值附近,即VFl-Vpn;反之,當(dāng)tl點(diǎn)電壓升高時(shí),被二極管D2箝位在VFl+Vpn附近。因此tl點(diǎn)的電位被箝位在VFl-Vpn?VFl+Vpn范圍之間。該電路結(jié)構(gòu)的缺點(diǎn)是:VFl需要有足夠的帶載能力,防止因驅(qū)動(dòng)能力不足,導(dǎo)致VFl自身電壓偏離,失去箝位作用。VFl驅(qū)動(dòng)能力的增強(qiáng),需要增加對應(yīng)電路的面積,不利于集成設(shè)
      i+o
      [0005](2)第二種是MOS管箝位電路,如附圖2所示,該電路由MOS管和比較器構(gòu)成。該電路中的PMOS管的漏極接地(GND),襯底接電源(VDD_5V),PM0S管的源極和NMOS管的源極連接同時(shí)連接到比較器的一個(gè)輸入端,匪OS管的漏端接電源(VDD_5V),其襯底電位是GND ;兩個(gè)MOS管的柵極連接在一起和參考電壓(VF2)相連。該結(jié)構(gòu)利用PMOS管和匪OS管的開啟特性(假設(shè)PMOS管的開啟電壓為Vthp,匪OS管的開啟電壓為Vthn),將輸入端t2點(diǎn)的電壓限制在VF2-Vthn?VF2+Vthp之間,同時(shí)避開了附圖1所示電路結(jié)構(gòu)的缺陷,對參考電壓(VF2)的負(fù)載能力要求不高。但該結(jié)構(gòu)的缺點(diǎn)是:因?yàn)镸OS管的襯底電壓和源端電壓的差異帶來的襯偏效應(yīng),將使MOS的開啟電壓值變化范圍較大,應(yīng)用電壓范圍有限。
      【實(shí)用新型內(nèi)容】
      [0006]本實(shí)用新型的目的就是為了克服現(xiàn)有【背景技術(shù)】中的缺陷,提出了一種具有箝位功能的比較器電路,該電路不僅避免了對參考電壓驅(qū)動(dòng)能力較高的要求,而且能夠克服襯偏效應(yīng)對開啟電壓的影響。
      [0007]為了解決上述技術(shù)問題,本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案是:一種具有箝位功能的比較器電路,包括匪OS管、PMOS管和比較器,其特征是:所述匪OS管的源極和襯底短接在一起,其漏極與電源(VCC)相連;所述PMOS管的源極和襯底短接在一起,其漏極與地相連;所述比較器的一輸入端(正相輸入端或負(fù)相輸入端)連接所述NMOS管和PMOS管的源極,該輸入端并經(jīng)過電阻連接輸入電壓(Vi3);所述比較器的另一個(gè)輸入端(負(fù)相輸入端或正相輸入端)連接參考電壓(VF3);所述比較器的輸出端(VO)與外部電路相連。
      [0008]優(yōu)選的:所述比較器的正相輸入端連接所述匪OS管和PMOS管的源極,該輸入端并經(jīng)過電阻連接輸入電壓(Vi 3 ),其負(fù)相輸入端連接參考電壓(VF3 )。
      [0009]另一優(yōu)選的:所述比較器的負(fù)相輸入端連接所述匪OS管和PMOS管的源極,該輸入端并經(jīng)過電阻連接輸入電壓(Vi3),其正相輸入端連接參考電壓(VF3)。
      [0010]本實(shí)用新型的有益效果是:本實(shí)用新型的電路結(jié)構(gòu)中將MOS管的源極和襯底短接在一起,使得襯底電位和源極電位相同,從而避免了襯偏效應(yīng)的發(fā)生;同時(shí)因?yàn)镻MOS管的襯底電壓獨(dú)立于VCC,因此VCC的電壓不再局限于低壓應(yīng)用,可以采用高壓電源,其電壓應(yīng)用范圍很寬。
      [0011]另外,本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)也具備了附圖2中的優(yōu)點(diǎn),對參考電壓的負(fù)載能力要求不尚O
      【附圖說明】
      [0012]圖1,現(xiàn)有二極管箝位電路的原理圖;
      [0013]圖2,現(xiàn)有MOS管箝位電路的原理圖;
      [0014]圖3,本實(shí)用新型的電路原理圖。
      【具體實(shí)施方式】
      [0015]下面結(jié)合附圖以及優(yōu)選的方案對本實(shí)用新型的工作原理作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
      [0016]如圖3所示,是本實(shí)用新型的電路原理圖,具體是一種具有箝位功能的比較器電路,該電路包括匪OS管、PMOS管和比較器,所述匪OS管的源極和襯底短接在一起,其漏極與電源(VCC)相連;所述PMOS管的源極和襯底短接在一起,其漏極與地相連;所述比較器的一輸入端(正相輸入端或負(fù)相輸入端)連接所述匪OS管和PMOS管的源極,該輸入端并經(jīng)過電阻連接輸入電壓(Vi3);所述比較器的另一個(gè)輸入端(負(fù)相輸入端或正相輸入端)連接參考電壓(VF3);所述比較器的輸出端(VO)與外部電路相連。
      [0017]實(shí)施例一:本實(shí)施例中的比較器的正相輸入端連接所述匪OS管和PMOS管的源極,該輸入端并經(jīng)過電阻連接輸入電壓(Vi3),其負(fù)相輸入端連接參考電壓(VF3),假設(shè)PMOS管的開啟電壓為Vthp,NM0S管的開啟電壓為Vthn,那么輸入端t3點(diǎn)的電壓被限制在(VF3-Vthn)?(VF3+Vthn)的電壓范圍內(nèi),保證不受襯偏效應(yīng)影響。
      [0018]實(shí)施例二:本實(shí)施例中的比較器的負(fù)相輸入端連接所述匪OS管和PMOS管的源極,該輸入端并經(jīng)過電阻連接輸入電壓(Vi3),其正相輸入端連接參考電壓(VF3),假設(shè)PMOS管的開啟電壓為Vthp,NM0S管的開啟電壓為Vthn,那么輸入端t3點(diǎn)的電壓被限制在(VF3-Vthn)?(VF3+Vthn)的電壓范圍內(nèi),保證不受襯偏效應(yīng)影響。
      [0019]本實(shí)用新型是一種新型的具有箝位功能的比較器電路,該電路不僅避免了對參考電壓驅(qū)動(dòng)能力較高的要求,而且有效克服了襯偏效應(yīng),電壓應(yīng)用范圍更廣。
      【主權(quán)項(xiàng)】
      1.一種具有箝位功能的比較器電路,包括匪OS管、PMOS管和比較器,其特征是:所述NMOS管的源極和襯底短接在一起,其漏極與電源相連;所述PMOS管的源極和襯底短接在一起,其漏極與地相連;所述比較器的一輸入端連接所述NMOS管和PMOS管的源極,該輸入端并經(jīng)過電阻連接輸入電壓;所述比較器的另一個(gè)輸入端連接參考電壓;所述比較器的輸出端與外部電路相連。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有箝位功能的比較器電路,其特征是:所述比較器的一輸入端為正相輸入端,所述正相輸入端連接所述NMOS管和PMOS管的源極,該輸入端并經(jīng)過電阻連接輸入電壓;該比較器的另一輸入端為負(fù)相輸入端,所述負(fù)相輸入端連接參考電壓。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有箝位功能的比較器電路,其特征是:所述比較器的一輸入端為負(fù)相輸入端,所述負(fù)相輸入端連接所述NMOS管和PMOS管的源極,該輸入端并經(jīng)過電阻連接輸入電壓;該比較器的另一輸入端為正相輸入端,所述正相輸入端連接參考電壓。
      【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種電路,具體一種具有箝位功能的比較器電路,包括NMOS管、PMOS管和比較器,所述NMOS管的源極和襯底短接在一起,其漏極與電源相連;所述PMOS管的源極和襯底短接在一起,其漏極與地相連;所述比較器的一輸入端連接所述NMOS管和PMOS管的源極,該輸入端并經(jīng)過電阻連接輸入電壓;所述比較器的另一個(gè)輸入端連接參考電壓;所述比較器的輸出端與外部電路相連接。本實(shí)用新型的電路結(jié)構(gòu)不僅避免了對參考電壓驅(qū)動(dòng)能力較高的要求,而且能夠有效地克服偏襯效應(yīng),電壓應(yīng)用范圍更廣。
      【IPC分類】H03K5/22
      【公開號】CN205320050
      【申請?zhí)枴緾N201521122857
      【發(fā)明人】劉衛(wèi)中, 王效, 張明豐, 蔣亞平, 孔祥藝, 唐穎炯, 王娜芝, 牛瑞萍, 吳燕
      【申請人】無錫華潤矽科微電子有限公司
      【公開日】2016年6月15日
      【申請日】2015年12月31日
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