雙向拉伸的集成電路板雙層聚酰亞胺復(fù)合膜的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種聚酰亞胺復(fù)合膜，尤其是一種表面平坦，且具有遮蔽電路效果的雙向拉伸的集成電路板雙層聚酰亞胺復(fù)合膜。
【背景技術(shù)】
[0002]聚酰亞胺樹脂熱穩(wěn)定性高且具有優(yōu)異的絕緣性，機械強度，及抗化學(xué)腐蝕性，常用于多種電子加工材料，如用于集成電路的絕緣層。
[0003]雙向拉伸聚酰亞胺薄膜(Β0ΡΙ，被稱為黃金膜)是一種具有高模量、高強度、低吸水率、耐水解、高絕緣性能及耐高溫的電子新材料。聚酰亞胺薄膜已經(jīng)廣泛應(yīng)用于電子材料，其中，集成電路板所用的聚酰亞胺要求厚度更薄，功能化，多元化。故此要求聚酰亞胺薄膜生產(chǎn)廠家開發(fā)出多品種，多元化的產(chǎn)品來滿足不同的電子廠商的使用。
[0004]然而目前生產(chǎn)的聚酰亞胺薄膜存在色度差異較大等質(zhì)量問題，不易遮蔽電路布局圖案從而容易被同行抄襲，同時相對較大幅度提高了薄膜生產(chǎn)成本。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本實用新型的目的在于克服上述不足，提供一種表面平坦，色度均一，且可以遮蔽電路布局圖案，防止被抄襲的雙向拉伸的集成電路板雙層聚酰亞胺復(fù)合膜。
[0006]本實用新型的目的是這樣實現(xiàn)的:
[0007]—種雙向拉伸的集成電路板雙層聚酰亞胺復(fù)合膜，它包括上層薄膜層、中間薄膜層和下層薄膜層，所述上層薄膜層、中間薄膜層、下層薄膜層均為聚酰亞胺膜，所述下層薄膜層覆在集成電路板的底面，該集成電路板的頂部設(shè)有芯片，所述芯片側(cè)面為傾斜面，芯片底面通過裝片膠粘結(jié)到集成電路板上，所述裝片膠延伸至芯片側(cè)面，所述芯片正面與集成電路板表面之間通過金屬線相連接，所述芯片周圍填充有塑封料。
[0008]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型的有益效果是:
[0009]這種雙向拉伸的集成電路板雙層聚酰亞胺復(fù)合膜薄膜層由上層薄膜層、中間薄膜層和下層薄膜層三層結(jié)構(gòu)組成，其中上層薄膜層和下層薄膜層為非透明色，利用復(fù)合層結(jié)構(gòu)的特定的厚度以及不同顏色的復(fù)合膜的特點，從而起到遮蔽電路圖案的作用，不但滿足集成電路的超薄的需求，而且更適合用于保護電路圖案需求的消費性電子產(chǎn)品。
【附圖說明】
[0010]圖1為本實用新型雙向拉伸的集成電路板雙層聚酰亞胺復(fù)合膜的層狀結(jié)構(gòu)示意圖。
[0011]圖2為圖1中集成電路板的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0012]其中:上層薄膜層1、中間薄膜層2、下層薄膜層3、集成電路板5、芯片6、裝片膠7、金屬線8、塑封料9。
【具體實施方式】
[0013]下面結(jié)合實施例及其附圖進一步敘述本實用新型。具體實施例只是為了進一步清楚說明本實施新型聚酰亞胺薄膜生產(chǎn)中混合氣體回收裝置成及結(jié)構(gòu)，不構(gòu)成對本實用新型權(quán)利要求的限制。
[0014]如圖1所示，一種雙向拉伸的集成電路板雙層聚酰亞胺復(fù)合膜，它包括上層薄膜層
1、中間薄膜層2和下層薄膜層3，所述上層薄膜層1、中間薄膜層2、下層薄膜層3均為聚酰亞胺膜，其中中間薄膜層2為原色，上層薄膜層I和下層薄膜層3為非透明色，由于薄膜原料中加入了色母粒，改變了其顏色，從而起到遮蔽電路圖案的作用，所述下層薄膜層3覆在集成電路板5的底面，如圖2所示，所述集成電路板5的頂部設(shè)有芯片6，所述芯片6側(cè)面為傾斜面，芯片6底面通過裝片膠7粘結(jié)到集成電路板5上，所述裝片膠7延伸至芯片6側(cè)面，所述芯片6正面與集成電路板5表面之間通過金屬線8相連接，所述芯片6周圍填充有塑封料9。
[0015]這種雙向拉伸的集成電路板雙層聚酰亞胺復(fù)合膜在集成電路生產(chǎn)完成后，即可以用聚酰亞胺膜和油墨層來擋住集成電路，遮蔽電路布局圖案，防止被抄襲，并且薄膜外表面平坦。
【主權(quán)項】
1.一種雙向拉伸的集成電路板雙層聚酰亞胺復(fù)合膜，其特征在于:它包括上層薄膜層(1)、中間薄膜層(2)和下層薄膜層(3)，所述上層薄膜層(1)、中間薄膜層(2)、下層薄膜層(3)均為聚酰亞胺膜，所述下層薄膜層(3)覆在集成電路板(5)的底面，該集成電路板(5)的頂部設(shè)有芯片(6)，所述芯片(6)側(cè)面為傾斜面，芯片(6)底面通過裝片膠(7)粘結(jié)到集成電路板(5)上，所述裝片膠(7)延伸至芯片(6)側(cè)面，所述芯片(6)正面與集成電路板(5)表面之間通過金屬線(8)相連接，所述芯片(6)周圍填充有塑封料(9)。
【專利摘要】本實用新型公開了一種雙向拉伸的集成電路板雙層聚酰亞胺復(fù)合膜，其特征在于：它包括上層薄膜層（1）、中間薄膜層（2）和下層薄膜層（3），所述上層薄膜層（1）、中間薄膜層（2）、下層薄膜層（3）均為聚酰亞胺膜。這種雙向拉伸的集成電路板雙層聚酰亞胺復(fù)合膜在集成電路生產(chǎn)完成后，即可以用聚酰亞胺膜和油墨層來擋住集成電路，遮蔽電路布局圖案，防止被抄襲，并且薄膜外表面平坦。
【IPC分類】H05K1/02, H05K1/18
【公開號】CN205356799
【申請?zhí)枴緾N201620115742
【發(fā)明人】徐作駿, 張磊
【申請人】江陰駿友電子股份有限公司
【公開日】2016年6月29日
【申請日】2016年2月5日