混合加熱控制電路及電磁加熱設(shè)備的制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種混合加熱控制電路，包括微處理器、加熱切換單元、電磁加熱單元及遠(yuǎn)紅外加熱單元。加熱切換單元具有第一電連接通路和第二電連接通路，微處理器與加熱切換單元的控制端連接。電磁加熱單元通過(guò)第一電連接通路與電源連接，微處理器與電磁加熱單元的功率調(diào)節(jié)端連接。遠(yuǎn)紅外加熱單元通過(guò)第二電連接通路與電源連接，微處理器與遠(yuǎn)紅外加熱單元的功率調(diào)節(jié)端連接。本實(shí)用新型還公開(kāi)了一種電磁加熱設(shè)備。本實(shí)用新型的混合加熱控制電路及電磁加熱設(shè)備能實(shí)現(xiàn)電磁加熱單元和紅外加熱單元的加熱切換，能夠滿足在低功率加熱狀態(tài)和電磁加熱狀態(tài)的切換，提升用戶體驗(yàn)。
【專利說(shuō)明】
混合加熱控制電路及電磁加熱設(shè)備
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本實(shí)用新型涉及電磁加熱領(lǐng)域，特別涉及一種混合加熱控制電路及電磁加熱設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的電磁加熱設(shè)備，比如電磁爐，通過(guò)調(diào)節(jié)脈沖信號(hào)的占空比進(jìn)而調(diào)節(jié)加熱功率的大小。但在加熱功率低于一定值(比如1000瓦)的情況下，脈沖信號(hào)會(huì)低于一定占空比，這使得IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)會(huì)出現(xiàn)嚴(yán)重的硬開(kāi)現(xiàn)象，即在IGBT的柵極電壓未達(dá)到開(kāi)啟電壓時(shí)，由于源極和漏極的電壓過(guò)大而導(dǎo)致電流能夠流通源極和漏極。這種現(xiàn)象會(huì)對(duì)IGBT造成較大的損耗，大大縮短IGBT的使用壽命。一種解決方案是調(diào)功加熱方式，即電磁爐以較高的功率加熱一段時(shí)間后停止加熱一段時(shí)間使得等效加熱功率達(dá)到設(shè)置的低加熱功率，但這種方式使鍋具溫度及鍋里的食物變化很大，在一些煲湯及需要連續(xù)較低溫度控制的場(chǎng)合無(wú)法使用或者使用效果較差。另一種解決方案是在電磁爐低功率加熱情況下更換一種加熱方式，比如紅外加熱，但如何實(shí)現(xiàn)兩種加熱方式的切換成為一個(gè)要迫切解決的問(wèn)題。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問(wèn)題之一。為此，本實(shí)用新型提供了一種控制電路及烹飪裝置。
[0004]本實(shí)用新型實(shí)施方式的混合加熱控制電路，包括:
[0005]微處理器；
[0006]加熱切換單元，具有第一電連接通路和第二電連接通路，所述微處理器與所述加熱切換單元的控制端連接；
[0007]電磁加熱單元，所述電磁加熱單元通過(guò)所述第一電連接通路與電源連接，所述微處理器與電磁加熱單元的功率調(diào)節(jié)端連接；
[0008]遠(yuǎn)紅外加熱單元，所述遠(yuǎn)紅外加熱單元通過(guò)所述第二電連接通路與電源連接，所述微處理器與遠(yuǎn)紅外加熱單元的功率調(diào)節(jié)端連接。
[0009]在某些實(shí)施方式中，所述加熱切換單元包括繼電器和三極管；
[0010]所述繼電器具有動(dòng)觸點(diǎn)、第一靜觸點(diǎn)、第二靜觸點(diǎn)和感應(yīng)線圈，所述動(dòng)觸點(diǎn)和第一靜觸點(diǎn)連通構(gòu)成第一電連接通路，所述動(dòng)觸點(diǎn)和第二靜觸點(diǎn)連通構(gòu)成第二電連接通路；
[0011]所述三極管的基極為所述加熱切換單元的控制端，所述三極管的發(fā)射極接地，所述三極管的集電極通過(guò)所述感應(yīng)線圈與參考電源連接。
[0012]在某些實(shí)施方式中，所述加熱切換單元還包括連接在所述三極管的基極與所述微處理器之間的分壓電阻。
[0013]在某些實(shí)施方式中，所述加熱切換單元還包括與所述感應(yīng)線圈并聯(lián)的二極管，所述二極管的陽(yáng)極與所述三極管的集電極連接，所述二極管的陰極與所述參考電源連接。
[0014]在某些實(shí)施方式中，所述電磁加熱單元包括加熱線圈、諧振電容、諧振電感和第一IGBT，所述加熱線圈和諧振電容并聯(lián)，所述加熱線圈和所述諧振電容的其中一個(gè)公共連接端與諧振電感連接，所述諧振電感的另一端與所述繼電器的第一靜觸點(diǎn)連接，所述加熱線圈和所述諧振電容的另一個(gè)公共連接端與所述第一 IGBT的集電極連接，所述第一 IGBT的發(fā)射極接地，所述第一 IGBT的基極為所述電磁加熱單元的功率調(diào)節(jié)端。
[0015]在某些實(shí)施方式中，所述遠(yuǎn)紅外加熱單元包括遠(yuǎn)紅外加熱膜和第二IGBT，所述遠(yuǎn)紅外加熱膜的一端與所述繼電器的第二靜觸點(diǎn)連接，所述遠(yuǎn)紅外加熱膜的另一端與所述第二 IGBT的集電極連接，所述第二 IGBT的發(fā)射極接地，所述第二 IGBT的基極為所述紅外加熱單元的功率調(diào)節(jié)端。
[0016]在某些實(shí)施方式中，所述遠(yuǎn)紅外加熱單元包括遠(yuǎn)紅外加熱膜，所述遠(yuǎn)紅外加熱膜的一端與所述繼電器的第二靜觸點(diǎn)連接，所述遠(yuǎn)紅外加熱膜的另一端與所述第一 IGBT的集電極連接，所述第一 IGBT的基極同時(shí)為所述遠(yuǎn)紅外加熱單元的功率調(diào)節(jié)端。
[0017]在某些實(shí)施方式中，所述混合加熱控制電路還包括與微處理器連接的過(guò)零檢測(cè)模塊，所述微處理器在所述過(guò)零檢測(cè)模塊檢測(cè)出過(guò)零信號(hào)時(shí)向所述加熱切換單元的控制端發(fā)出加熱切換信號(hào)。
[0018]在某些實(shí)施方式中，在向所述加熱切換單元的控制端發(fā)出加熱切換信號(hào)之前，所述微處理器先向所述紅外加熱單元的功率調(diào)節(jié)端或者電磁加熱單元的功率調(diào)節(jié)端發(fā)出停止加熱的信號(hào)。
[0019]本實(shí)用新型實(shí)施方式的電磁加熱設(shè)備，包括所述的混合加熱控制電路。
[0020]本實(shí)用新型的混合加熱控制電路及電磁加熱設(shè)備通過(guò)設(shè)置具有兩個(gè)電連接通路的切換單元，使得電磁加熱設(shè)備能夠在電磁加熱單元和遠(yuǎn)紅外加熱單元中切換，在低功率加熱情況下切換成紅外加熱電壓加熱，以滿足加熱的連續(xù)性，在高功率情況下切換成電磁加熱，以滿足加熱的效率要求。
【附圖說(shuō)明】
[0021]本實(shí)用新型的實(shí)施方式的上述和/或附加的方面和優(yōu)點(diǎn)從結(jié)合下面附圖對(duì)實(shí)施方式的描述中將變得明顯和容易理解，其中:
[0022]圖1是本實(shí)用新型實(shí)施方式的混合加熱控制電路的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0023]圖2是本實(shí)用新型另一實(shí)施方式的混合加熱控制電路的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0024]下面詳細(xì)描述本實(shí)用新型的實(shí)施方式，所述實(shí)施方式的示例在附圖中示出，其中終相同或類似的標(biāo)號(hào)自始至表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過(guò)參考附圖描述的實(shí)施方式是示例性的，僅用于解釋本實(shí)用新型的實(shí)施方式，而不能理解為對(duì)本實(shí)用新型的實(shí)施方式的限制。
[0025]請(qǐng)參閱圖1，本實(shí)用新型實(shí)施方式的混合加熱控制電路100包括微處理器1、加熱切換單元20、電磁加熱單元30及遠(yuǎn)紅外加熱單元40。加熱切換單元20具有第一電連接通路和第二電連接通路，另外，微處理器10與加熱切換單元20的控制端連接。電磁加熱單元30通過(guò)第一電連接通路與電源連接，另外，微處理器10與電磁加熱單元30的功率調(diào)節(jié)端連接。遠(yuǎn)紅外加熱單元40通過(guò)第二電連接通路與電源連接，另外，微處理器10與遠(yuǎn)紅外加熱單元40的功率調(diào)節(jié)端連接。
[0026]本實(shí)用新型實(shí)施方式的混合加熱控制電路100設(shè)置具有兩個(gè)電連接通路的加熱切換單元20，使得電磁加熱單元30及遠(yuǎn)紅外加熱單元40輪流加熱，在低功率加熱情況下切換成紅外加熱電壓加熱，以滿足加熱的連續(xù)性，在高功率情況下切換成電磁加熱，以滿足加熱的效率要求(電磁單元加熱的加熱效率高于紅外加熱單元的加熱效率)。
[0027]本實(shí)用新型實(shí)施方式中，加熱切換單元20包括繼電器21和三極管22。具體地，繼電器21具有動(dòng)觸點(diǎn)211、第一靜觸點(diǎn)212、第二靜觸點(diǎn)213和感應(yīng)線圈214，動(dòng)觸點(diǎn)211和第一靜觸點(diǎn)212連通構(gòu)成第一電連接通路，動(dòng)觸點(diǎn)211和第二靜觸點(diǎn)213連通構(gòu)成第二電連接通路。三極管22的基極為加熱切換單元20的控制端，三極管22的發(fā)射極接地，三極管22的集電極通過(guò)感應(yīng)線圈214與參考電源Vcc連接。
[0028]大多數(shù)情況下，電磁加熱設(shè)備處于正常加熱狀態(tài)，即處于電磁加熱狀態(tài)，因此第一電連接通路一般情況下都是連通的，即動(dòng)觸點(diǎn)211和第一靜觸點(diǎn)212是一般情況下是閉合的。當(dāng)需要切換成紅外加熱狀態(tài)時(shí)，向切換單元20的控制端發(fā)出第一控制信號(hào)(比如高電平信號(hào))，感應(yīng)線圈214通電，使得動(dòng)觸點(diǎn)211的銜鐵斷開(kāi)與第一靜觸點(diǎn)212的連接，與第二靜觸點(diǎn)213閉合，使得第二電連接通路連通。當(dāng)需要切換成電磁加熱狀態(tài)時(shí)，向切換單元20的控制端發(fā)出第二控制信號(hào)(比如低電平信號(hào))，感應(yīng)線圈214斷電，使得動(dòng)觸點(diǎn)211的銜鐵斷開(kāi)與第二靜觸點(diǎn)212的連接，與第一靜觸點(diǎn)213閉合。
[0029]本實(shí)用新型實(shí)施方式中，加熱切換單元20還包括連接在三極管22的基極與微處理器10之間的分壓電阻23。
[0030]分壓電阻23用于分壓以使得繼電器21及三極管22在正常的電壓范圍內(nèi)工作，防止其因電壓過(guò)大而造成損害，從而達(dá)到保護(hù)效果。
[0031]本實(shí)用新型實(shí)施方式中，加熱切換單元20還包括與感應(yīng)線圈214并聯(lián)的二極管25，二極管25的陽(yáng)極與三極管22的集電極連接，二極管25的陰極與參考電源連接。二極管25用于保護(hù)繼電器21，防止其在切換過(guò)程中因感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)過(guò)大而造成損害。
[0032]本實(shí)用新型實(shí)施方式中，電磁加熱單元30包括加熱線圈31、諧振電容32、諧振電感33和第一 IGBT34，加熱線圈31和諧振電容32并聯(lián)，加熱線圈31和諧振電容32的其中一個(gè)公共連接端與諧振電感33連接，諧振電感33的另一端與繼電器21的第一靜觸點(diǎn)212連接，加熱線圈31和諧振電容32的另一個(gè)公共連接端與第一 IGBT34的集電極連接，第一 IGBT34的發(fā)射極接地，第一IGBT34的基極為電磁加熱單元30的功率調(diào)節(jié)端。一般而言，第一IGBT34的基極會(huì)通過(guò)電磁驅(qū)動(dòng)電路(即圖1所示的第一驅(qū)動(dòng)電路)與微處理器連接。本實(shí)用新型實(shí)施方式中，遠(yuǎn)紅外加熱單元40包括遠(yuǎn)紅外加熱膜41和第二IGBT42，遠(yuǎn)紅外加熱膜41的一端與繼電器21的第二靜觸點(diǎn)213連接，遠(yuǎn)紅外加熱膜41的另一端與第二 IGBT42的集電極連接，第二IGBT42的發(fā)射極接地，第二 IGBT42的基極為紅外加熱單元的功率調(diào)節(jié)端。
[0033]一般而言，第二IGBT42的基極會(huì)通過(guò)紅外驅(qū)動(dòng)電路(即圖1所示的第二驅(qū)動(dòng)電路，圖2所示的第一驅(qū)動(dòng)電路)與微處理器連接。
[0034]本實(shí)用新型實(shí)施方式中，混合加熱控制電路100還包括與微處理器10連接的過(guò)零檢測(cè)模塊50，微處理器10在過(guò)零檢測(cè)模塊50檢測(cè)出過(guò)零信號(hào)時(shí)向加熱切換單元20發(fā)出加熱切換的信號(hào)。
[0035]在市電過(guò)零檢測(cè)模塊檢測(cè)到過(guò)零信號(hào)時(shí)，市電實(shí)際還沒(méi)有達(dá)到過(guò)零狀態(tài)。因此，考慮到信號(hào)傳遞實(shí)際和繼電器21的動(dòng)作時(shí)間，在檢測(cè)到過(guò)零信號(hào)時(shí)微處理器向加熱切換單元發(fā)出加熱切換信號(hào)，可以確保繼電器5的動(dòng)觸點(diǎn)的銜鐵從第一靜觸點(diǎn)跳到第二靜觸點(diǎn)的時(shí)間點(diǎn)剛好在市電過(guò)零點(diǎn)，如此能夠確保繼電器21安全可靠切換，提高繼電器21的使用壽命。
[0036]本實(shí)用新型實(shí)施方式中，在向加熱切換單元的控制端發(fā)出加熱切換的信號(hào)之前，微處理器10向紅外加熱單元的功率調(diào)節(jié)端或者電磁加熱單元30的功率調(diào)節(jié)端發(fā)出停止加熱的信號(hào)。例如，當(dāng)電磁加熱設(shè)備由常規(guī)加熱狀態(tài)(電磁加熱單元加熱)切換為低功率加熱狀態(tài)(紅外加熱單元加熱)時(shí)，在向加熱切換單元的控制端發(fā)出加熱切換的信號(hào)之前，微處理器向電磁加熱單元的功率調(diào)節(jié)端發(fā)出停止加熱的信號(hào)。
[0037]在向所述加熱切換單元的控制端發(fā)出加熱切換的信號(hào)之前，先向紅外加熱單元的功率調(diào)節(jié)端或者電磁加熱單元30的功率調(diào)節(jié)端發(fā)出停止加熱的信號(hào)，可以避免在紅外加熱單元和電磁加熱單元之一處于工作狀態(tài)時(shí)切換加熱狀態(tài)對(duì)加熱單元造成的損壞。
[0038]本實(shí)用新型實(shí)施方式的混合加熱控制電路100的工作原理具體描述如下:
[0039]以電磁加熱設(shè)備由常規(guī)加熱狀態(tài)(電磁加熱單元加熱)向低功率加熱狀態(tài)(紅外加熱單元加熱)切換為例，當(dāng)檢測(cè)到加熱功率低于某個(gè)預(yù)設(shè)值(如1000瓦)時(shí)，微處理器10停止通過(guò)第一驅(qū)動(dòng)電路向電磁加熱單元30輸出脈沖信號(hào)，第一IGBT34處于截止?fàn)顟B(tài)。然后再等到過(guò)零檢測(cè)模塊50檢測(cè)到市電過(guò)零信號(hào)時(shí)，微處理器10向加熱切換單元20的控制端發(fā)出加熱切換的信號(hào)。此時(shí)分壓電阻23與微處理器10的連接端接入高電平，三極管22導(dǎo)通，從而使得繼電器21的感應(yīng)線圈214與地端接通。此時(shí)，繼電器21的動(dòng)觸點(diǎn)211與第一靜觸點(diǎn)212斷開(kāi)，并與第二靜觸點(diǎn)213連接使得第二電連接通路導(dǎo)通。此時(shí)，加熱切換單元20成功切換至遠(yuǎn)紅外加熱單元40。微處理器10再根據(jù)輸入的功率，把輸入的功率值轉(zhuǎn)換成第二 IGBT42輸出的脈沖信號(hào)的占空比。第二驅(qū)動(dòng)電路輸出相應(yīng)占空比的脈沖信號(hào)至第二 IGBT42的功率調(diào)節(jié)端，從而控制遠(yuǎn)紅外加熱單元40以相應(yīng)的目標(biāo)功率加熱。脈沖信號(hào)的占空比根據(jù)輸入的目標(biāo)功率確定，例如輸入500W的目標(biāo)功率，則輸出50%的占空比的脈沖信號(hào)。
[°04°]同樣的，當(dāng)需要從紅外加熱單元40切換至電磁加熱單元30時(shí)，微處理器10先向遠(yuǎn)紅外加熱單元40發(fā)出停止加熱信號(hào)，即停止通過(guò)第二驅(qū)動(dòng)電路向紅外加熱單元的功率調(diào)節(jié)端輸出脈沖信號(hào)，第二IGBT42處于截止?fàn)顟B(tài)。然后再等到當(dāng)過(guò)零檢測(cè)模塊50檢測(cè)到市電過(guò)零信號(hào)時(shí)微處理器10向加熱切換單元20的控制端發(fā)出加熱切換的信號(hào)。此時(shí)分壓電阻23與微處理器10的連接端接入低電平，三極管22截止，從而使得繼電器21的感應(yīng)線圈214與地端斷開(kāi)。此時(shí)，繼電器21的動(dòng)觸點(diǎn)211與第二靜觸點(diǎn)213斷開(kāi)，并與第一靜觸點(diǎn)212連接使得第一電連接通路導(dǎo)通。此時(shí)，加熱切換單元20成功切換至電磁加熱單元30。微處理器10再根據(jù)輸入的功率，把輸入的功率值轉(zhuǎn)換成第一 IGBT34輸出的脈沖信號(hào)的占空比。第一驅(qū)動(dòng)電路輸出相應(yīng)占空比的脈沖信號(hào)至第一 IGBT34的功率調(diào)節(jié)端，從而控制電磁加熱單元30以相應(yīng)的目標(biāo)功率加熱。
[0041]請(qǐng)參閱圖2，本實(shí)施方式的混合加熱控制電路100與圖1提供的混合加熱控制電路100不同的是:遠(yuǎn)紅外加熱單元40包括遠(yuǎn)紅外加熱膜41，遠(yuǎn)紅外加熱膜41的一端與繼電器21的第二靜觸點(diǎn)213連接，遠(yuǎn)紅外加熱膜41的另一端與第一 IGBT34的集電極連接，第一 IGBT34的發(fā)射極接地，第一 IGBT34的基極同時(shí)為遠(yuǎn)紅外加熱單元40的功率調(diào)節(jié)端。
[0042]即本實(shí)施方式提供的混合加熱控制電路100中，電磁加熱單元30中作為開(kāi)關(guān)元件的第一IGBT34同時(shí)兼做紅外加熱單元40的開(kāi)關(guān)元件，這樣能簡(jiǎn)化電路。但如果第一IGBT34損壞后，則紅外加熱單元30和電磁加熱單元40都不能工作，而在圖1提供的混合加熱控制電路中，如果只損壞其中一個(gè)IGBT，另一個(gè)沒(méi)有損壞的IGBT對(duì)應(yīng)的加熱單元還是可以工作。
[0043]本實(shí)用新型還公開(kāi)了一種電磁加熱設(shè)備，包括上述的混合加熱控制電路100。
[0044]在某些實(shí)施方式中，電磁加熱設(shè)備包括電磁爐、電飯煲、電壓力鍋、豆?jié){機(jī)、面包機(jī)或變頻微波爐。
[0045 ]本實(shí)用新型實(shí)施方式的電磁加熱設(shè)備未展開(kāi)的其它部分，可參照以上實(shí)施方式的控制方法的對(duì)應(yīng)部分，在此不再詳細(xì)展開(kāi)。
[0046]在本實(shí)用新型的實(shí)施方式的描述中，需要理解的是，術(shù)語(yǔ)“中心”、“縱向”、“橫向”、“長(zhǎng)度”、“寬度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”、“內(nèi)”、“外”、“順時(shí)針”、“逆時(shí)針”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本實(shí)用新型的實(shí)施方式和簡(jiǎn)化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本實(shí)用新型的實(shí)施方式的限制。此外，術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括一個(gè)或者更多個(gè)所述特征。在本實(shí)用新型的實(shí)施方式的描述中，“多個(gè)”的含義是兩個(gè)或兩個(gè)以上，除非另有明確具體的限定。
[0047]在本實(shí)用新型的實(shí)施方式的描述中，需要說(shuō)明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語(yǔ)“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接;可以是機(jī)械連接，也可以是電連接或可以相互通訊；可以是直接相連，也可以通過(guò)中間媒介間接相連，可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通或兩個(gè)元件的相互作用關(guān)系。對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以根據(jù)具體情況理解上述術(shù)語(yǔ)在本實(shí)用新型的實(shí)施方式中的具體含義。
[0048]在本實(shí)用新型的實(shí)施方式中，除非另有明確的規(guī)定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接觸，也可以包括第一和第二特征不是直接接觸而是通過(guò)它們之間的另外的特征接觸。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或僅僅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或僅僅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0049]下文的公開(kāi)提供了許多不同的實(shí)施方式或例子用來(lái)實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的實(shí)施方式的不同結(jié)構(gòu)。為了簡(jiǎn)化本實(shí)用新型的實(shí)施方式的公開(kāi)，下文中對(duì)特定例子的部件和設(shè)置進(jìn)行描述。當(dāng)然，它們僅僅為示例，并且目的不在于限制本實(shí)用新型。此外，本實(shí)用新型的實(shí)施方式可以在不同例子中重復(fù)參考數(shù)字和/或參考字母，這種重復(fù)是為了簡(jiǎn)化和清楚的目的，其本身不指示所討論各種實(shí)施方式和/或設(shè)置之間的關(guān)系。此外，本實(shí)用新型的實(shí)施方式提供了的各種特定的工藝和材料的例子，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以意識(shí)到其他工藝的應(yīng)用和/或其他材料的使用。
[0050]在本說(shuō)明書(shū)的描述中，參考術(shù)語(yǔ)“一個(gè)實(shí)施方式”、“一些實(shí)施方式”、“示意性實(shí)施方式”、“示例”、“具體示例”或“一些示例”等的描述意指結(jié)合所述實(shí)施方式或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)包含于本實(shí)用新型的至少一個(gè)實(shí)施方式或示例中。在本說(shuō)明書(shū)中，對(duì)上述術(shù)語(yǔ)的示意性表述不一定指的是相同的實(shí)施方式或示例。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)可以在任何的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式或示例中以合適的方式結(jié)合。
[0051]流程圖中或在此以其他方式描述的任何過(guò)程或方法描述可以被理解為，表示包括一個(gè)或更多個(gè)用于實(shí)現(xiàn)特定邏輯功能或過(guò)程的步驟的可執(zhí)行指令的代碼的模塊、片段或部分，并且本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式的范圍包括另外的實(shí)現(xiàn)，其中可以不按所示出或討論的順序，包括根據(jù)所涉及的功能按基本同時(shí)的方式或按相反的順序，來(lái)執(zhí)行功能，這應(yīng)被本實(shí)用新型的實(shí)施例所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員所理解。
[0052]在流程圖中表示或在此以其他方式描述的邏輯和/或步驟，例如，可以被認(rèn)為是用于實(shí)現(xiàn)邏輯功能的可執(zhí)行指令的定序列表，可以具體實(shí)現(xiàn)在任何計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)中，以供指令執(zhí)行系統(tǒng)、裝置或設(shè)備(如基于計(jì)算機(jī)的系統(tǒng)、包括處理模塊的系統(tǒng)或其他可以從指令執(zhí)行系統(tǒng)、裝置或設(shè)備取指令并執(zhí)行指令的系統(tǒng))使用，或結(jié)合這些指令執(zhí)行系統(tǒng)、裝置或設(shè)備而使用。就本說(shuō)明書(shū)而言，〃計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)〃可以是任何可以包含、存儲(chǔ)、通信、傳播或傳輸程序以供指令執(zhí)行系統(tǒng)、裝置或設(shè)備或結(jié)合這些指令執(zhí)行系統(tǒng)、裝置或設(shè)備而使用的裝置。計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)的更具體的示例(非窮盡性列表)包括以下:具有一個(gè)或多個(gè)布線的電連接部(電子裝置)，便攜式計(jì)算機(jī)盤盒(磁裝置)，隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)，只讀存儲(chǔ)器(ROM)，可擦除可編輯只讀存儲(chǔ)器(EPR0M或閃速存儲(chǔ)器)，光纖裝置，以及便攜式光盤只讀存儲(chǔ)器(CDR0M)。另外，計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)甚至可以是可在其上打印所述程序的紙或其他合適的介質(zhì)，因?yàn)榭梢岳缤ㄟ^(guò)對(duì)紙或其他介質(zhì)進(jìn)行光學(xué)掃描，接著進(jìn)行編輯、解譯或必要時(shí)以其他合適方式進(jìn)行處理來(lái)以電子方式獲得所述程序，然后將其存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器中。
[0053]應(yīng)當(dāng)理解，本實(shí)用新型的實(shí)施方式的各部分可以用硬件、軟件、固件或它們的組合來(lái)實(shí)現(xiàn)。在上述實(shí)施方式中，多個(gè)步驟或方法可以用存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中且由合適的指令執(zhí)行系統(tǒng)執(zhí)行的軟件或固件來(lái)實(shí)現(xiàn)。例如，如果用硬件來(lái)實(shí)現(xiàn)，和在另一實(shí)施方式中一樣，可用本領(lǐng)域公知的下列技術(shù)中的任一項(xiàng)或他們的組合來(lái)實(shí)現(xiàn):具有用于對(duì)數(shù)據(jù)信號(hào)實(shí)現(xiàn)邏輯功能的邏輯門電路的離散邏輯電路，具有合適的組合邏輯門電路的專用集成電路，可編程門陣列(PGA)，現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(FPGA)等。
[0054]本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以理解實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施例方法攜帶的全部或部分步驟是可以通過(guò)程序來(lái)指令相關(guān)的硬件完成，所述的程序可以存儲(chǔ)于一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)中，該程序在執(zhí)行時(shí)，包括方法實(shí)施例的步驟之一或其組合。
[0055]此外，在本實(shí)用新型的各個(gè)實(shí)施例中的各功能單元可以集成在一個(gè)處理模塊中，也可以是各個(gè)單元單獨(dú)物理存在，也可以兩個(gè)或兩個(gè)以上單元集成在一個(gè)模塊中。上述集成的模塊既可以采用硬件的形式實(shí)現(xiàn)，也可以采用軟件功能模塊的形式實(shí)現(xiàn)。所述集成的模塊如果以軟件功能模塊的形式實(shí)現(xiàn)并作為獨(dú)立的產(chǎn)品銷售或使用時(shí)，也可以存儲(chǔ)在一個(gè)計(jì)算機(jī)可讀取存儲(chǔ)介質(zhì)中。
[0056]上述提到的存儲(chǔ)介質(zhì)可以是只讀存儲(chǔ)器，磁盤或光盤等。
[0057]盡管上面已經(jīng)示出和描述了本實(shí)用新型的實(shí)施例，可以理解的是，上述實(shí)施例是示例性的，不能理解為對(duì)本實(shí)用新型的限制，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在本實(shí)用新型的范圍內(nèi)可以對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行變化、修改、替換和變型。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種混合加熱控制電路，其特征在于，包括: 微處理器； 加熱切換單元，具有第一電連接通路和第二電連接通路，所述微處理器與所述加熱切換單元的控制端連接； 電磁加熱單元，所述電磁加熱單元通過(guò)所述第一電連接通路與電源連接，所述微處理器與電磁加熱單元的功率調(diào)節(jié)端連接； 遠(yuǎn)紅外加熱單元，所述遠(yuǎn)紅外加熱單元通過(guò)所述第二電連接通路與電源連接，所述微處理器與遠(yuǎn)紅外加熱單元的功率調(diào)節(jié)端連接； 第一驅(qū)動(dòng)電路，所述第一驅(qū)動(dòng)電路用于調(diào)節(jié)所述電磁加熱單元及所述遠(yuǎn)紅外加熱單元的功率。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的混合加熱控制電路，其特征在于，所述加熱切換單元包括繼電器和三極管； 所述繼電器具有動(dòng)觸點(diǎn)、第一靜觸點(diǎn)、第二靜觸點(diǎn)和感應(yīng)線圈，所述動(dòng)觸點(diǎn)和第一靜觸點(diǎn)連通構(gòu)成第一電連接通路，所述動(dòng)觸點(diǎn)和第二靜觸點(diǎn)連通構(gòu)成第二電連接通路； 所述三極管的基極為所述加熱切換單元的控制端，所述三極管的發(fā)射極接地，所述三極管的集電極通過(guò)所述感應(yīng)線圈與參考電源連接。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的混合加熱控制電路，其特征在于，所述加熱切換單元還包括連接在所述三極管的基極與所述微處理器之間的分壓電阻。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的混合加熱控制電路，其特征在于，所述加熱切換單元還包括與所述感應(yīng)線圈并聯(lián)的二極管，所述二極管的陽(yáng)極與所述三極管的集電極連接，所述二極管的陰極與所述參考電源連接。5.根據(jù)權(quán)利要求2至4任意一項(xiàng)所述的混合加熱控制電路，其特征在于，所述電磁加熱單元包括加熱線圈、諧振電容、諧振電感和第一IGBT，所述加熱線圈和諧振電容并聯(lián)，所述加熱線圈和所述諧振電容的其中一個(gè)公共連接端與諧振電感連接，所述諧振電感的另一端與所述繼電器的第一靜觸點(diǎn)連接，所述加熱線圈和所述諧振電容的另一個(gè)公共連接端與所述第一 IGBT的集電極連接，所述第一 IGBT的發(fā)射極接地，所述第一 IGBT的基極為所述電磁加熱單元的功率調(diào)節(jié)端。6.根據(jù)權(quán)利要求2至4任意一項(xiàng)所述的混合加熱控制電路，其特征在于，所述遠(yuǎn)紅外加熱單元包括遠(yuǎn)紅外加熱膜和第二 IGBT，所述遠(yuǎn)紅外加熱膜的一端與所述繼電器的第二靜觸點(diǎn)連接，所述遠(yuǎn)紅外加熱膜的另一端與所述第二 IGBT的集電極連接，所述第二 IGBT的發(fā)射極接地，所述第二 IGBT的基極為所述紅外加熱單元的功率調(diào)節(jié)端。7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的混合加熱控制電路，其特征在于，所述遠(yuǎn)紅外加熱單元包括遠(yuǎn)紅外加熱膜，所述遠(yuǎn)紅外加熱膜的一端與所述繼電器的第二靜觸點(diǎn)連接，所述遠(yuǎn)紅外加熱膜的另一端與所述第一 IGBT的集電極連接，所述第一 IGBT的基極同時(shí)為所述遠(yuǎn)紅外加熱單元的功率調(diào)節(jié)端。8.根據(jù)權(quán)利要求1至4任意一項(xiàng)所述的混合加熱控制電路，其特征在于，還包括與微處理器連接的過(guò)零檢測(cè)模塊，所述微處理器在所述過(guò)零檢測(cè)模塊檢測(cè)出過(guò)零信號(hào)時(shí)向所述加熱切換單元的控制端發(fā)出加熱切換的信號(hào)。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的混合加熱控制電路，其特征在于，在向所述加熱切換單元的控制端發(fā)出加熱切換的信號(hào)之前，所述微處理器先向所述紅外加熱單元的功率調(diào)節(jié)端或者電磁加熱單元的功率調(diào)節(jié)端發(fā)出停止加熱的信號(hào)。10.—種電磁加熱設(shè)備，其特征在于，包括如權(quán)利要求1至9任意一項(xiàng)所述的混合加熱控制電路D
【文檔編號(hào)】F24C7/00GK205430656SQ201620239420
【公開(kāi)日】2016年8月3日
【申請(qǐng)日】2016年3月24日
【發(fā)明人】毛宏建, 王志鋒, 劉志才, 馮江平, 馬志海, 區(qū)達(dá)理, 柳維軍
【申請(qǐng)人】佛山市順德區(qū)美的電熱電器制造有限公司, 美的集團(tuán)股份有限公司