絕緣屏蔽復(fù)合膜的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了絕緣屏蔽復(fù)合膜。本實(shí)用新型的絕緣屏蔽復(fù)合膜，包括上保護(hù)層、銅箔層、導(dǎo)電膠層、絕緣膜層和下保護(hù)層，銅箔層設(shè)于上保護(hù)層和導(dǎo)電膠層之間，絕緣膜層設(shè)于導(dǎo)電膠層和下保護(hù)層之間；本實(shí)用新型的絕緣屏蔽復(fù)合膜具有良好的電磁屏蔽、絕緣、散熱和抗靜電的性能；使用時(shí)，將絕緣屏蔽復(fù)合膜的上保護(hù)層和下保護(hù)層揭掉后貼附于機(jī)殼上，銅箔層具有良好的電磁屏蔽、散熱及抗靜電的性能，導(dǎo)電膠層使絕緣屏蔽復(fù)合膜貼附于機(jī)殼上，并輔助接地靜電放電，絕緣膜層可以防止銅箔與其他電子零件導(dǎo)通。本實(shí)用新型的絕緣屏蔽復(fù)合膜可以廣泛應(yīng)用于通信、電子、機(jī)柜、機(jī)箱、航天、醫(yī)療、船只等需要電磁屏蔽的領(lǐng)域。
【專利說(shuō)明】
絕緣屏蔽復(fù)合膜
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型屬于電磁屏蔽技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種絕緣屏蔽復(fù)合膜。
【背景技術(shù)】
[0002]在視聽娛樂(lè)設(shè)備、電子產(chǎn)品等的設(shè)計(jì)與研發(fā)過(guò)程中，通常需要考慮產(chǎn)品內(nèi)部相關(guān)熱設(shè)計(jì)、電磁干擾防治等問(wèn)題，如果熱量的排放控制設(shè)計(jì)不當(dāng)，則可能會(huì)引起設(shè)備局部過(guò)熱而導(dǎo)致故障或者引發(fā)災(zāi)害，如果電磁遮蔽、靜電防治部分設(shè)計(jì)不當(dāng)，則可能會(huì)導(dǎo)致設(shè)備在長(zhǎng)時(shí)間使用下的情況下在其內(nèi)部累積了大量靜電荷，進(jìn)而可能會(huì)造成局部電子器件失靈或損壞，傳統(tǒng)的方法是在設(shè)備的外殼上貼附散熱材料。
[0003]但是，現(xiàn)有的散熱材料，一般將其制成電子產(chǎn)品需要的形狀，貼附在電子產(chǎn)品殼體內(nèi)表面，起防塵、通風(fēng)、散熱等功能，可用于手機(jī)、電腦、家電等設(shè)備，雖然起到一定的散熱效果，但此材料不能屏蔽電磁波，也不能防止靜電的產(chǎn)生。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實(shí)用新型的目的在于提供一種絕緣屏蔽復(fù)合膜，其具有良好的電磁屏蔽、絕緣、散熱和抗靜電的性能。
[0005]為達(dá)此目的，本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案:
[0006]絕緣屏蔽復(fù)合膜，包括上保護(hù)層、銅箔層、導(dǎo)電膠層、絕緣膜層和下保護(hù)層，所述銅箔層設(shè)于所述上保護(hù)層和所述導(dǎo)電膠層之間，所述絕緣膜層設(shè)于所述導(dǎo)電膠層和所述下保護(hù)層之間。
[0007]其中，所述導(dǎo)電膠層貼合于所述銅箔層上。
[0008 ]其中，所述銅箔層的厚度為5 ?30μηι，例如 5μηι、I Ομπι、15μηι、20μηι、2 5μηι、30μηι。
[0009]其中，所述銅箔層為壓延銅箔層。
[0010]其中，所述銅箔層為自粘銅箔層。
[0011]壓延銅箔具有低表面氧氣特性，可以附著于各種不同基材上，如金屬、絕緣材料等，擁有較寬的溫度使用范圍。主要應(yīng)用于電磁屏蔽及抗靜電，將導(dǎo)電銅箔置于襯底面，結(jié)合金屬基材，具有優(yōu)良的導(dǎo)通性，并提供電磁屏蔽的效果。壓延銅箔又可以分為自粘銅箔、雙導(dǎo)銅箔、單導(dǎo)銅箔等。
[0012]其中，自粘銅箔是在銅箔的表面，可以是單面也可以是雙面，涂上熱感應(yīng)性亞克力膠或?qū)щ娔z，該自粘銅箔對(duì)電磁射線干擾有較佳屏蔽效果，對(duì)于接地靜電放電有良好的效果O
[0013]其中，所述導(dǎo)電膠層的厚度為0.0I?0.05mm，例如0.01mm、0.02mm、0.03mm、0.04mm、0.05mmo
[0014]其中，絕緣膜層的材料在選擇時(shí)，要綜合考慮其厚度、耐熱性能、、機(jī)械性能和電氣性能等，所述絕緣膜層的厚度為 I ?ΙΟμπι，例如 1μπι、2μπι、3μπι、4μπι、5μπι、6μπι、7μπι、8μπι、9μπι、10Um0
[0015]其中，所述絕緣膜層為聚酰亞胺層、聚苯胺層和聚碳酸酯層中的一種。
[0016]其中，所述上保護(hù)層和所述下保護(hù)層為離型膜層或離型紙層。
[0017]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果為:本實(shí)用新型的絕緣屏蔽復(fù)合膜，包括上保護(hù)層、銅箔層、導(dǎo)電膠層、絕緣膜層和下保護(hù)層，所述銅箔層設(shè)于所述上保護(hù)層和所述導(dǎo)電膠層之間，所述絕緣膜層設(shè)于所述導(dǎo)電膠層和所述下保護(hù)層之間；本實(shí)用新型的絕緣屏蔽復(fù)合膜具有良好的電磁屏蔽、散熱和抗靜電的性能;使用時(shí)，將絕緣屏蔽復(fù)合膜的上保護(hù)層和下保護(hù)層揭掉后貼附于機(jī)殼上，銅箔層具有良好的電磁屏蔽、絕緣、散熱及抗靜電的性能，導(dǎo)電膠層使絕緣屏蔽復(fù)合膜貼附于機(jī)殼上，并輔助接地靜電放電，絕緣膜層可以防止銅箔與其他電子零件導(dǎo)通，主要起絕緣作用。
【附圖說(shuō)明】
[0018]圖1為本實(shí)用新型的絕緣屏蔽復(fù)合膜的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0019]附圖標(biāo)記如下:
[0020]1-上保護(hù)層;2-銅箔層;3-導(dǎo)電膠層;4-絕緣膜層;5-下保護(hù)層。
【具體實(shí)施方式】
[0021]下面結(jié)合圖1，并通過(guò)【具體實(shí)施方式】來(lái)進(jìn)一步說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)方案。
[0022]如圖1所示，本實(shí)用新型的絕緣屏蔽復(fù)合膜，包括上保護(hù)層1、銅箔層2、導(dǎo)電膠層3、絕緣膜層4和下保護(hù)層5，銅箔層2設(shè)于上保護(hù)層I和導(dǎo)電膠層3之間，絕緣膜層4設(shè)于導(dǎo)電膠層3和下保護(hù)層5之間。使用時(shí)，將絕緣屏蔽復(fù)合膜的上保護(hù)層I和下保護(hù)層5揭掉后貼附于機(jī)殼上，銅箔層2具有良好的電磁屏蔽、散熱及抗靜電的性能。
[0023]作為本實(shí)用新型的優(yōu)選方案，導(dǎo)電膠層3貼合于銅箔層2上，使絕緣屏蔽復(fù)合膜的各層之間連接更緊密，進(jìn)一步地，銅箔層2的厚度為5?30μπι。
[0024]作為本實(shí)用新型的優(yōu)選方案，銅箔層2為壓延銅箔層。壓延銅箔層具有低表面氧氣特性，可以附著于各種不同基材上，如金屬、絕緣材料等，擁有較寬的溫度使用范圍，具有優(yōu)良的導(dǎo)通性，并提供電磁屏蔽的效果。進(jìn)一步地，銅箔層2為自粘銅箔層，可以是單面也可以是雙面，涂上熱感應(yīng)性亞克力膠或?qū)щ娔z，該自粘銅箔對(duì)電磁射線干擾有較佳屏蔽效果，對(duì)于接地靜電放電有良好的效果。更優(yōu)選地，導(dǎo)電膠層3的厚度為0.01?0.05_。
[0025]作為本實(shí)用新型的優(yōu)選方案，絕緣膜層4的厚度為I?ΙΟμπι，進(jìn)一步地，絕緣膜層4為聚酰亞胺層、聚苯胺層和聚碳酸酯層中的一種，當(dāng)絕緣屏蔽復(fù)合膜貼附于機(jī)殼上時(shí)，絕緣膜層可以防止銅箔與其他電子零件導(dǎo)通，主要起絕緣作用。
[0026]作為本實(shí)用新型的優(yōu)選方案，上保護(hù)層I和下保護(hù)層5為離型膜層或離型紙層。上保護(hù)層I和下保護(hù)層5主要起保護(hù)作用，使用時(shí)，將上保護(hù)層I和下保護(hù)層5揭掉后，即可將絕緣屏蔽復(fù)合膜貼附于機(jī)殼上。
[0027]本實(shí)用新型的絕緣屏蔽復(fù)合膜具有良好的電磁屏蔽、絕緣、散熱和抗靜電的性能，可以廣泛應(yīng)用于通信、電子、機(jī)柜、機(jī)箱、航天、醫(yī)療、船只等需要電磁屏蔽的領(lǐng)域。
[0028]以上內(nèi)容僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，依據(jù)本實(shí)用新型的思想，在【具體實(shí)施方式】及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，本說(shuō)明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本實(shí)用新型的限制。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.絕緣屏蔽復(fù)合膜，其特征在于，包括上保護(hù)層(I)、銅箔層(2)、導(dǎo)電膠層(3)、絕緣膜層(4)和下保護(hù)層(5)，所述銅箔層(2)設(shè)于所述上保護(hù)層(I)和所述導(dǎo)電膠層(3)之間，所述絕緣膜層(4)設(shè)于所述導(dǎo)電膠層(3)和所述下保護(hù)層(5)之間。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣屏蔽復(fù)合膜，其特征在于，所述導(dǎo)電膠層(3)貼合于所述銅箔層(2)上。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣屏蔽復(fù)合膜，其特征在于，所述銅箔層(2)的厚度為5?30μ??ο4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣屏蔽復(fù)合膜，其特征在于，所述銅箔層(2)為壓延銅箔層。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣屏蔽復(fù)合膜，其特征在于，所述銅箔層(2)為自粘銅箔層。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣屏蔽復(fù)合膜，其特征在于，所述導(dǎo)電膠層(3)的厚度為0.01?0.05mmo7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣屏蔽復(fù)合膜，其特征在于，所述絕緣膜層(4)的厚度為I?1um08.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣屏蔽復(fù)合膜，其特征在于，所述絕緣膜層(4)為聚酰亞胺層、聚苯胺層和聚碳酸酯層中的一種。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣屏蔽復(fù)合膜，其特征在于，所述上保護(hù)層(I)和所述下保護(hù)層(5)為離型膜層或離型紙層。
【文檔編號(hào)】H05K9/00GK205430881SQ201521088299
【公開日】2016年8月3日
【申請(qǐng)日】2015年12月24日
【發(fā)明人】賈正紅
【申請(qǐng)人】昆山市飛榮達(dá)電子材料有限公司