一種led調(diào)光增強(qiáng)電路的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種LED調(diào)光增強(qiáng)電路，屬電學(xué)領(lǐng)域，它包括：PWM控制器、恒流驅(qū)動(dòng)芯片、MOS管Q1、MOS管Q2、上拉電阻R1、儲(chǔ)能電感L1、續(xù)流二極管D2、恒流電阻RS和LED負(fù)載；采用本實(shí)用新型提供的LED調(diào)光增強(qiáng)電路，當(dāng)PWM控制器輸出低電平時(shí)，LED負(fù)載被導(dǎo)通的MOS管Q2短路無(wú)電流通過，電感L1放電電流通過MOS管Q2快速泄放掉，調(diào)光線性度得到優(yōu)化。同時(shí)通過調(diào)整上拉電阻R1的值更改放電斜率，將其導(dǎo)通斜率放緩，流經(jīng)LED負(fù)載的電流在低灰時(shí)增長(zhǎng)變緩，LED發(fā)光亮度增長(zhǎng)變緩，實(shí)現(xiàn)更好的調(diào)光效果。
【專利說明】
一種LED調(diào)光増強(qiáng)電路
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型屬于電學(xué)領(lǐng)域，具體涉及一種LED調(diào)光增強(qiáng)電路。
【背景技術(shù)】
[0002]LED光源因具有易調(diào)光調(diào)色的特點(diǎn)，目前在舞臺(tái)燈光、外景廣告燈光等方面得到了廣泛應(yīng)用。在實(shí)際使用過程中，利用PffM控制調(diào)光時(shí)，當(dāng)PWM控制輸出為低電平時(shí)，因電感儲(chǔ)能放電原因，影響到流經(jīng)LED的電流變化，導(dǎo)致LED光源調(diào)光時(shí)線性度變差，視覺上造成LED亮度變化不連續(xù)，甚至閃爍的情況;同時(shí)在低灰時(shí)人眼對(duì)調(diào)光亮度變化非常敏感，在低灰階段因負(fù)載電流增長(zhǎng)過快，會(huì)出現(xiàn)一個(gè)亮度突然變化到另外一個(gè)亮度的跳灰現(xiàn)象。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]有鑒于此，本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種調(diào)光效果平順柔和的LED調(diào)光增強(qiáng)電路。
[0004]為實(shí)現(xiàn)以上目的，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案:
[0005]一種LED調(diào)光增強(qiáng)電路，包括控制器、恒流驅(qū)動(dòng)芯片、MOS管Ql、M0S管Q2、上拉電阻Rl、儲(chǔ)能電感L1、續(xù)流二極管D2、恒流電阻RS和LED負(fù)載；
[0006]所述恒流驅(qū)動(dòng)芯片包括第一至五端口，所述恒流驅(qū)動(dòng)芯片第一端口分別連接到所述恒流電阻RS—端和VCC，所述恒流電阻RS另一端連接到所述LED負(fù)載正極，所述LED負(fù)載負(fù)極連接到所述儲(chǔ)能電感LI 一端，所述儲(chǔ)能電感LI另一端分別連接到所述恒流驅(qū)動(dòng)芯片第二端口和所述續(xù)流二極管D2正極，所述續(xù)流二極管D2負(fù)極連接到所述恒流電阻RS—端，所述恒流驅(qū)動(dòng)芯片第三端口接地，所述恒流驅(qū)動(dòng)芯片第四端口連接到所述PWM控制器，所述恒流驅(qū)動(dòng)芯片第五端口連接到所述恒流電阻RS另一端；
[0007]所述MOS管Ql的D極和所述上拉電阻Rl—端均連接到所述MOS管Q2的G極，所述MOS管QI的G極連接到所述PffM控制器，所述MOS管QI的S極接地，所述上拉電阻Rl另一端連接到VCC，所述MOS管Q2的D極連接到所述LED負(fù)載的正極，所述MOS管Q2的S極連接到所述LED負(fù)載的負(fù)極。
[0008]所述上拉電阻Rl為可調(diào)電阻。
[0009]所述恒流驅(qū)動(dòng)芯片型號(hào)為MBI6661。
[0010]作為進(jìn)一步優(yōu)選，為了使電路電流更加穩(wěn)定，所述LED調(diào)光增強(qiáng)電路還包括電解電容ECl和電容Cl，所述電解電容ECl正極連接到所述恒流驅(qū)動(dòng)芯片第一端口，所述電解電容ECl負(fù)極接地，所述電容Cl并聯(lián)連接到所述電解電容ECl的兩端。
[0011]本實(shí)用新型采用以上技術(shù)方案，當(dāng)所述PffM控制器輸出為高電平時(shí)，所述恒流驅(qū)動(dòng)芯片工作，所述MOS管Ql導(dǎo)通，所述MOS管Q2的G極被拉低為低電平，所述MOS管Q2截止，所述LED負(fù)載工作，此時(shí)所述恒流驅(qū)動(dòng)芯片控制第二端口導(dǎo)通和截止。當(dāng)所述恒流驅(qū)動(dòng)芯片控制第二端口導(dǎo)通時(shí)，電流經(jīng)所述恒流電阻RS、所述LED負(fù)載、所述儲(chǔ)能電感L1、所述恒流驅(qū)動(dòng)芯片第二端口后接地，此時(shí)所述儲(chǔ)能電感LI處于儲(chǔ)能階段，回路中電流呈現(xiàn)增長(zhǎng)趨勢(shì)；當(dāng)所述恒流驅(qū)動(dòng)芯片控制第二端口截止時(shí)，由所述儲(chǔ)能電感LI供電，電流經(jīng)所述儲(chǔ)能電感L1、所述續(xù)流二極管D2、所述恒流電阻RS、所述LED負(fù)載后回到所述儲(chǔ)能電感LI形成回路，此時(shí)所述儲(chǔ)能電感LI處于放電階段，回路中電流呈現(xiàn)降低趨勢(shì)。
[0012]當(dāng)所述PWM控制器輸出為低電平時(shí)，所述MOS管Ql截止，所述MOS管Q2的G極通過所述上拉電阻Rl上拉至Vin電壓，為高電平，所述MOS管Q2導(dǎo)通，所述LED負(fù)載被導(dǎo)通的所述MOS管Q2短路，此時(shí)回路中因所述儲(chǔ)能電感LI產(chǎn)生的放電電流通過所述MOS管Q2快速泄放掉。從而LED光源的調(diào)光線性度得到優(yōu)化，調(diào)光時(shí)不會(huì)出現(xiàn)閃爍現(xiàn)象，人眼感覺LED亮度變化柔和；同時(shí)可以根據(jù)調(diào)光要求，通過調(diào)整上拉電阻Rl的值更改放電斜率，從而將其導(dǎo)通斜率放緩，實(shí)現(xiàn)流經(jīng)LED負(fù)載的電流在低灰時(shí)增長(zhǎng)變緩，LED發(fā)光亮度增長(zhǎng)變緩，避免出現(xiàn)跳灰現(xiàn)象，從而使人眼感覺光線變化更柔和細(xì)膩，實(shí)現(xiàn)更好的調(diào)光效果。
【附圖說明】
[0013]圖1為本實(shí)用新型LED調(diào)光增強(qiáng)電路實(shí)施之一；
[0014]圖2為本實(shí)用新型LED調(diào)光增強(qiáng)電路實(shí)施之二。
【具體實(shí)施方式】
[0015]下面通過附圖和實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)方案做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。
[0016]如圖1所示，本實(shí)用新型提供一種LED調(diào)光增強(qiáng)電路，包括:PWM控制器、恒流驅(qū)動(dòng)芯片、MOS管Ql、M0S管Q2、上拉電阻Rl、儲(chǔ)能電感L1、續(xù)流二極管D2、恒流電阻RS和LED負(fù)載；
[0017]所述恒流驅(qū)動(dòng)芯片包括第一至五端口，所述恒流驅(qū)動(dòng)芯片第一端口分別連接到所述恒流電阻RS—端和VCC，所述恒流電阻RS另一端連接到所述LED負(fù)載正極，所述LED負(fù)載負(fù)極連接到所述儲(chǔ)能電感LI 一端，所述儲(chǔ)能電感LI另一端分別連接到所述恒流驅(qū)動(dòng)芯片第二端口和所述續(xù)流二極管D2正極，所述續(xù)流二極管D2負(fù)極連接到所述恒流電阻RS—端，所述恒流驅(qū)動(dòng)芯片第三端口接地，所述恒流驅(qū)動(dòng)芯片第四端口連接到所述PWM控制器，所述恒流驅(qū)動(dòng)芯片第五端口連接到所述恒流電阻RS另一端；
[0018]所述MOS管Ql的D極和所述上拉電阻Rl—端均連接到所述MOS管Q2的G極，所述MOS管QI的G極連接到所述PffM控制器，所述MOS管QI的S極接地，所述上拉電阻Rl另一端連接到VCC，所述MOS管Q2的D極連接到所述LED負(fù)載的正極，所述MOS管Q2的S極連接到所述LED負(fù)載的負(fù)極。
[0019]為了詳述本實(shí)用新型，現(xiàn)就本實(shí)施例提供的LED調(diào)光增強(qiáng)電路的工作原理說明如下:
[0020]當(dāng)所述PffM控制器輸出為高電平時(shí)，所述恒流驅(qū)動(dòng)芯片工作，所述MOS管Ql導(dǎo)通，所述MOS管Q2的G極被拉低為低電平，所述MOS管Q2截止，所述LED負(fù)載工作，此時(shí)所述恒流驅(qū)動(dòng)芯片控制第二端口導(dǎo)通和截止。當(dāng)所述恒流驅(qū)動(dòng)芯片控制第二端口導(dǎo)通時(shí)，電流經(jīng)所述恒流電阻RS、所述LED負(fù)載、所述儲(chǔ)能電感L1、所述恒流驅(qū)動(dòng)芯片第二端口后接地，此時(shí)所述儲(chǔ)能電感LI處于儲(chǔ)能階段，回路中電流呈現(xiàn)增長(zhǎng)趨勢(shì)；當(dāng)所述恒流驅(qū)動(dòng)芯片控制第二端口截止時(shí)，由所述儲(chǔ)能電感LI供電，電流經(jīng)所述儲(chǔ)能電感L1、所述續(xù)流二極管D2、所述恒流電阻RS、所述LED負(fù)載后回到所述儲(chǔ)能電感LI形成回路，此時(shí)所述儲(chǔ)能電感LI處于放電階段，回路中電流呈現(xiàn)降低趨勢(shì)。
[0021]當(dāng)所述PWM控制器輸出為低電平時(shí)，所述MOS管Ql截止，所述MOS管Q2的G極通過所述上拉電阻Rl上拉至Vin電壓，為高電平，所述MOS管Q2導(dǎo)通，所述LED負(fù)載被導(dǎo)通的所述MOS管Q2短路，此時(shí)回路中因所述儲(chǔ)能電感LI產(chǎn)生的放電電流通過所述MOS管Q2快速泄放掉。
[0022]作為進(jìn)一步改進(jìn)，如圖2所示，所述LED調(diào)光增強(qiáng)電路還包括電解電容ECl和電容Cl，所述電解電容ECl正極連接到所述恒流驅(qū)動(dòng)芯片第一端口，所述電解電容ECl負(fù)極接地，所述電容CI并聯(lián)連接到所述電解電容ECI的兩端。
[0023]本實(shí)用新型中，所述MOS管Ql，M0S管Q2可分別用三極管代替。
[0024]本實(shí)用新型不局限于上述最佳實(shí)施方式，任何人在本實(shí)用新型的啟示下都可得出其他各種形式的產(chǎn)品，但不論在其形狀或結(jié)構(gòu)上作任何變化，凡是具有與本申請(qǐng)相同或相近似的技術(shù)方案，均落在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種LED調(diào)光增強(qiáng)電路，其特征在于:包括PffM控制器、恒流驅(qū)動(dòng)芯片、MOS管Q1、M0S管Q2、上拉電阻Rl、儲(chǔ)能電感L1、續(xù)流二極管D2、恒流電阻RS和LED負(fù)載； 所述恒流驅(qū)動(dòng)芯片包括第一至五端口，所述恒流驅(qū)動(dòng)芯片第一端口分別連接到所述恒流電阻RS—端和VCC，所述恒流電阻RS另一端連接到所述LED負(fù)載正極，所述LED負(fù)載負(fù)極連接到所述儲(chǔ)能電感LI 一端，所述儲(chǔ)能電感LI另一端分別連接到所述恒流驅(qū)動(dòng)芯片第二端口和所述續(xù)流二極管D2正極，所述續(xù)流二極管D2負(fù)極連接到所述恒流電阻RS—端，所述恒流驅(qū)動(dòng)芯片第三端口接地，所述恒流驅(qū)動(dòng)芯片第四端口連接到所述PWM控制器，所述恒流驅(qū)動(dòng)芯片第五端口連接到所述恒流電阻RS另一端； 所述MOS管Ql的D極和所述上拉電阻Rl—端均連接到所述MOS管Q2的G極，所述MOS管Ql的G極連接到所述PWM控制器，所述MOS管Ql的S極接地，所述上拉電阻Rl另一端連接到VCC，所述MOS管Q2的D極連接到所述LED負(fù)載的正極，所述MOS管Q2的S極連接到所述LED負(fù)載的負(fù)極。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED調(diào)光增強(qiáng)電路，其特征在于:所述上拉電阻Rl為可調(diào)電阻。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED調(diào)光增強(qiáng)電路，其特征在于:所述恒流驅(qū)動(dòng)芯片型號(hào)為MBI6661。4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的LED調(diào)光增強(qiáng)電路，其特征在于:所述LED調(diào)光增強(qiáng)電路還包括電解電容ECl和電容Cl，所述電解電容ECl正極連接到所述恒流驅(qū)動(dòng)芯片第一端口，所述電解電容ECl負(fù)極接地，所述電容Cl并聯(lián)連接到所述電解電容ECl的兩端。
【文檔編號(hào)】H05B33/08GK205546099SQ201620323724
【公開日】2016年8月31日
【申請(qǐng)日】2016年4月18日
【發(fā)明人】張吉
【申請(qǐng)人】張吉