一種多級放大器電路的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種多級放大器電路,包括MOS管Q2、電阻R2、電容C2、三極管Q3、三極管Q4、電容C3和電阻R6,所述電阻R2一端分別連接電源VCC和三極管Q4集電極,電阻R2另一端分別連接電阻R4、三極管Q3發(fā)射極和MOS管Q2的S極,MOS管Q2的D極分別連接電阻R4、電容C2和電容C3,電容C2另一端連接三極管Q3基極,三極管Q3集電極分別連接電阻R5和三極管Q4基極,三極管Q4發(fā)射極分別連接輸出端Vo、電阻R6和電容C4,電容C4另一端分別連接輸入端Vi和MOS管Q2的G極。本實用新型三級放大器件匹配良好,組成了一個頻率特性好、噪聲低、電壓電流增益都比較高、輸入對前級加載輕,輸出對后級驅(qū)動能力強的放大通路。
【專利說明】
一種多級放大器電路
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實用新型涉及一種放大器,具體是一種多級放大器電路。
【背景技術(shù)】
[0002]功率放大器簡稱功放,是指在給定失真率條件下,能產(chǎn)生最大功率輸出以驅(qū)動負載的放大器,功率放大器在家電、數(shù)碼產(chǎn)品中的應用起到了樞紐作用,與我們?nèi)粘I钣兄芮嘘P(guān)系。
[0003]功率放大器是手機無線發(fā)射機中的重要組成部分,在手機無線發(fā)射機的前級電路中,調(diào)制振蕩電路所產(chǎn)生的射頻信號功率很小,需要經(jīng)過一系列的放大緩沖級、中間放大級、末級功率放大級,獲得足夠的射頻功率以后,才能饋送到天線上輻射出去,為了獲得足夠大的射頻輸出功率,必須采用功率放大電路。
[0004]目前人們對于通信設(shè)備的研究焦點都在小型化上,而現(xiàn)有的很多放大器電路都采用運放等專用芯片進行控制,體積較大。
【實用新型內(nèi)容】
[0005]本實用新型的目的在于提供一種多級放大器電路,以解決上述【背景技術(shù)】中提出的問題。
[0006]為實現(xiàn)上述目的,本實用新型提供如下技術(shù)方案:
[0007]一種多級放大器電路,包括MOS管Q2、電阻R2、電容C2、三極管Q3、三極管Q4、電容C3和電阻R6,所述電阻R2—端分別連接電源VCC和三極管Q4集電極,電阻R2另一端分別連接電阻R4、三極管Q3發(fā)射極和MOS管Q2的S極,MOS管Q2的D極分別連接電阻R4、電容C2和電容C3,電容C2另一端連接三極管Q3基極,三極管Q3集電極分別連接電阻R5和三極管Q4基極,三極管Q4發(fā)射極分別連接輸出端Vo、電阻R6和電容C4,電容C4另一端分別連接輸入端Vi和MOS管Q2的G極,所述電阻R6另一端分別連接電容C3另一端和電阻R5另一端。
[0008]作為本實用新型進一步的方案:所述電源VCC電壓為5V。
[0009]作為本實用新型再進一步的方案:所述MOS管Ql為PMOS管。
[0010]與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實用新型的有益效果是:本實用新型三級放大器件匹配良好,組成了一個頻率特性好、噪聲低、電壓電流增益都比較高、輸入對前級加載輕,輸出對后級驅(qū)動能力強的放大通路,電路結(jié)構(gòu)簡單,成本低,體積小。
【附圖說明】
[0011]圖1為多級放大器電路的電路圖。
【具體實施方式】
[0012]下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖,對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例,而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本實用新型保護的范圍。
[0013]請參閱圖1,本實用新型實施例中,一種多級放大器電路,包括MOS管Q2、電阻R2、電容C2、三極管Q3、三極管Q4、電容C3和電阻R6,所述電阻R2—端分別連接電源VCC和三極管Q4集電極,電阻R2另一端分別連接電阻R4、三極管Q3發(fā)射極和MOS管Q2的S極,MOS管Q2的D極分別連接電阻R4、電容C2和電容C3,電容C2另一端連接三極管Q3基極,三極管Q3集電極分別連接電阻R5和三極管Q4基極,三極管Q4發(fā)射極分別連接輸出端Vo、電阻R6和電容C4,電容C4另一端分別連接輸入端Vi和MOS管02的6極,所述電阻R6另一端分別連接電容C3另一端和電阻R5另一端;所述電源VCC電壓為5V;所述MOS管Ql為PMOS管。
[0014],請參閱圖1,第一級為場效應管共源極放大器,MOS管具有輸入阻抗高,熱噪聲低的特點,共源極接法有較高增益,輸入為電壓變量,輸出為電流變量;第二級為PNP晶體管共基極放大器,R2、R4構(gòu)成直流偏置,C2為交流旁路,使基極與地交流短路,成為公共參考點,發(fā)射極輸入,集電極輸出,頻率特性好、電壓增益高、無電流增益、輸入阻抗低、輸出阻抗高,正好與前后級匹配;第三級為NPN晶體管共集電極放大器,此電路以集電極通過電源回路成為公共參考點,基極輸入,發(fā)射極輸出,又稱射極跟隨器,頻率特性好、電壓無增益、輸出跟隨基極電壓、輸入阻抗高、輸出阻抗低、驅(qū)動能力強。
[0015]本實用新型三級放大器件匹配良好,組成了一個頻率特性好、噪聲低、電壓電流增益都比較高、輸入對前級加載輕,輸出對后級驅(qū)動能力強的放大通路。
[0016]對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言,顯然本實用新型不限于上述示范性實施例的細節(jié),而且在不背離本實用新型的精神或基本特征的情況下,能夠以其他的具體形式實現(xiàn)本實用新型。因此,無論從哪一點來看,均應將實施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本實用新型的范圍由所附權(quán)利要求而不是上述說明限定,因此旨在將落在權(quán)利要求的等同要件的含義和范圍內(nèi)的所有變化囊括在本實用新型內(nèi)。不應將權(quán)利要求中的任何附圖標記視為限制所涉及的權(quán)利要求。
[0017]此外,應當理解,雖然本說明書按照實施方式加以描述,但并非每個實施方式僅包含一個獨立的技術(shù)方案,說明書的這種敘述方式僅僅是為清楚起見,本領(lǐng)域技術(shù)人員應當將說明書作為一個整體,各實施例中的技術(shù)方案也可以經(jīng)適當組合,形成本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的其他實施方式。
【主權(quán)項】
1.一種多級放大器電路,包括MOS管Q2、電阻R2、電容C2、三極管Q3、三極管Q4、電容C3和電阻R6,其特征在于,所述電阻R2—端分別連接電源VCC和三極管Q4集電極,電阻R2另一端分別連接電阻R4、三極管Q3發(fā)射極和MOS管Q2的S極,MOS管Q2的D極分別連接電阻R4、電容C2和電容C3,電容C2另一端連接三極管Q3基極,三極管Q3集電極分別連接電阻R5和三極管Q4基極,三極管Q4發(fā)射極分別連接輸出端Vo、電阻R6和電容C4,電容C4另一端分別連接輸入端Vi和MOS管Q2的G極,所述電阻R6另一端分別連接電容C3另一端和電阻R5另一端。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多級放大器電路,其特征在于,所述電源VCC電壓為5V。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多級放大器電路,其特征在于,所述MOS管Ql為PMOS管。
【文檔編號】H03F3/20GK205622600SQ201620398596
【公開日】2016年10月5日
【申請日】2016年5月4日
【發(fā)明人】黃海
【申請人】黃海