靶系統(tǒng)和具有靶系統(tǒng)的用于產(chǎn)生中子和/或中微子的系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種靶系統(tǒng)和具有該靶系統(tǒng)的用于產(chǎn)生中子和/或中微子的系統(tǒng),所述靶系統(tǒng)用于中子產(chǎn)生系統(tǒng)和中微子產(chǎn)生系統(tǒng)中的至少一個(gè),所述靶系統(tǒng)包括:用作靶體的固體顆粒;以及第一通道部件,所述第一通道部件具有用于固體顆粒通過的相對于水平方向傾斜的第一通道,所述第一通道部件具有第一底壁,在第一底壁的兩個(gè)側(cè)邊緣部分設(shè)置的兩個(gè)第一側(cè)壁,固體顆粒沿著第一底壁從第一通道的下端離開第一通道部件,用于束流與離開第一通道部件的固體顆粒相互作用。根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施方式,例如可以優(yōu)化利用顆粒流在兩個(gè)傾斜通道間的射流,生產(chǎn)中子和/或中微子,并且有效減少強(qiáng)放射性污染問題。
【專利說明】
靶系統(tǒng)和具有靶系統(tǒng)的用于產(chǎn)生中子和/或中微子的系統(tǒng)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型的實(shí)施例涉及一種靶系統(tǒng)和具有該靶系統(tǒng)的用于產(chǎn)生中子和/或中微子的系統(tǒng)
【背景技術(shù)】
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[0002]散裂靶可以作為一種高效的中子源和中微子源應(yīng)用于從基礎(chǔ)研究到尖端應(yīng)用的不同領(lǐng)域。如今世界上各項(xiàng)大科學(xué)工程對于高功率中子源的需求十分迫切,但受限于材料、散熱等問題,利用傳統(tǒng)的中子源技術(shù)在提高散裂靶功率上很難再有進(jìn)一步的突破。在聚變堆材料輻照損傷研究中,目前國際上沒有合適的中子源用于相關(guān)研究,傳統(tǒng)的加速器氘氚中子源產(chǎn)生的中子通量有限,專用于聚變堆材料研究的中子源項(xiàng)目IFMIF(國際聚變堆材料輻照裝置)雖然能夠產(chǎn)生較高的中子通量和中子總產(chǎn)額,但其技術(shù)難度和投資都非常巨大,且研制周期漫長。此外,隨著中微子的研究成為當(dāng)今基礎(chǔ)科學(xué)研究的熱點(diǎn)問題,建立中微子工廠,產(chǎn)生大量的適合的中微子成為一個(gè)急需解決的問題。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型的實(shí)施例的目的是提供一種靶系統(tǒng)和具有該靶系統(tǒng)的用于產(chǎn)生中子和/或中微子的系統(tǒng),由此例如可以優(yōu)化顆粒流的射流,以生產(chǎn)中子和/或中微子。
[0004]本實(shí)用新型的實(shí)施例提供了一種靶系統(tǒng),所述靶系統(tǒng)用于中子產(chǎn)生系統(tǒng)和中微子產(chǎn)生系統(tǒng)中的至少一個(gè),所述靶系統(tǒng)包括:用作靶體的固體顆粒;以及第一通道部件,所述第一通道部件具有用于固體顆粒通過的相對于水平方向傾斜的第一通道,所述第一通道部件具有第一底壁,在第一底壁的兩個(gè)側(cè)邊緣部分設(shè)置的兩個(gè)第一側(cè)壁,固體顆粒沿著第一底壁從第一通道的下端離開第一通道部件,用于束流與離開第一通道部件的固體顆粒相互作用。
[0005]根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例,所述的靶系統(tǒng)還包括:第二通道部件,所述第二通道部件具有用于固體顆粒通過的相對于水平方向傾斜的第二通道,第二通道部件的上端位于第一通道部件的下端的下方,用于離開第一通道部件的固體顆粒落入第二通道部件的上端的朝上的開口中。
[0006]根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例,所述第二通道部件具有第二底壁,在第二底壁的兩個(gè)側(cè)邊緣部分設(shè)置的兩個(gè)第二側(cè)壁。
[0007]根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例,第二通道部件還具有位于上端的側(cè)壁,固體顆粒從第二通道部件的下端離開第二通道部件。
[0008]根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例,所述的靶系統(tǒng)還包括:收集部件,所述收集部件設(shè)置在第一通道部件的上游,用于收集固體顆粒,其中收集部件具有開口;以及用于開關(guān)該開口的閘門,其中在閘門開啟時(shí),收集在收集部件中的固體顆粒流入第一通道部件。
[0009]根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例,所述收集部件的限定所述開口的底壁和兩個(gè)側(cè)壁分別與所述第一通道部件的第一底壁和兩個(gè)第一側(cè)壁的上端鄰接,所述收集部件的開口朝向第一通道部件的第一通道的上端的開口。
[0010]根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例,第一通道部件是槽部件。
[0011]根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例,第二通道部件是槽部件。
[0012]根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例,
[0013]本實(shí)用新型的實(shí)施例提供了一種用于產(chǎn)生中子和/或中微子的系統(tǒng),該用于產(chǎn)生中子和/或中微子的系統(tǒng)包括:上述的靶系統(tǒng)。
[0014]根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例,所述的用于產(chǎn)生中子和/或中微子的系統(tǒng)還包括:束流發(fā)射件,所述束流發(fā)射件發(fā)射的束流與離開第一通道部件的固體顆粒作用,以產(chǎn)生中子和/或中微子。
[0015]根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例,例如可以優(yōu)化顆粒流的射流,以生產(chǎn)中子和/或中微子。
【附圖說明】
[0016]圖1為根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的中子和/或中微子產(chǎn)生系統(tǒng)的整體示意圖;
[0017]圖2為根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的中子和/或中微子產(chǎn)生系統(tǒng)的靶系統(tǒng)的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0018]下面結(jié)合說明書附圖來說明本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】。
[0019]如圖1至2所示,根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例的中子和/或中微子產(chǎn)生系統(tǒng)100主要包括:靶系統(tǒng)10以及固體顆粒冷卻裝置5、篩選除塵裝置6、顆粒補(bǔ)充回收存儲裝置7、顆粒提升裝置8、匯聚管道9等輔助裝置,所述輔助裝置用于將固體顆粒冷卻、除塵并傳送到所述靶系統(tǒng)10的收集部件I的上端。
[0020]參見I至2,用于中子和/或中微子產(chǎn)生系統(tǒng)的靶系統(tǒng)10包括:用作靶體的流動固體顆粒;第一通道部件(下面的引導(dǎo)斜槽部件2為第一通道部件的示例),所述第一通道部件具有用于固體顆粒通過的相對于水平方向傾斜的第一通道,所述第一通道部件具有第一底壁14,在第一底壁14的兩個(gè)側(cè)邊緣部分設(shè)置的兩個(gè)第一側(cè)壁12、13,固體顆粒沿著第一底壁14從第一通道的下端離開第一通道部件,用于束流與離開第一通道部件的固體顆粒相互作用。離開第一通道部件的固體顆??梢灾苯舆M(jìn)入?yún)R聚漏斗4。第一通道部件可以是槽部件或管部件。第一通道可以具有大致矩形的橫截面。第一通道的下端的開口可以是大致矩形的開口。第一底壁可以與第一側(cè)壁垂直。第一底壁和第一側(cè)壁可以由平板形成。第一底壁在寬度方向上的橫截面可以與水平方向平行。
[0021]參見圖1至2,用于產(chǎn)生中子和/或中微子的系統(tǒng)100還包括:束流發(fā)射件,所述束流發(fā)射件發(fā)射的束流與離開第一通道部件的固體顆粒作用,以產(chǎn)生中子和/或中微子。
[0022]參見I至2,靶系統(tǒng)10還包括:第二通道部件(下面的收集斜槽部件3為第二通道部件的示例),所述第二通道部件具有用于固體顆粒通過的相對于水平方向傾斜的第二通道,第二通道部件的上端位于第一通道部件的下端的下方,用于離開第一通道部件的固體顆粒落入第二通道部件的上端的朝上的開口中。所述第二通道部件具有第二底壁18,在第二底壁18的兩個(gè)側(cè)邊緣部分設(shè)置的兩個(gè)第二側(cè)壁15、17。第二通道部件還可以具有位于上端的另一個(gè)第二側(cè)壁16,固體顆粒從第二通道部件的下端離開第二通道部件。第二通道部件可以是槽部件或管部件。第二通道可以具有大致矩形的橫截面。第二通道的寬度可以大于或等于第一通道的寬度。
[0023]如圖1和2所示,靶系統(tǒng)10還包括:用于收集固體顆粒的收集部件I;所述收集部件I設(shè)置在第一通道部件的上游,用于收集固體顆粒,收集部件具有開口;以及用于開關(guān)該開口的閘門11,在閘門11開啟時(shí),收集在收集部件I中的固體顆粒流入第一通道部件。根據(jù)本實(shí)用新型的示例,所述收集部件I的限定所述開口的底壁和兩個(gè)側(cè)壁分別與所述第一通道部件的第一底壁14和兩個(gè)第一側(cè)壁的12、13上端鄰接,所述收集部件I的開口朝向第一通道部件的第一通道的上端的開口。收集部件的開口可以是矩形開口。
[0024]所述第一通道部件可以是用于將固體顆粒引導(dǎo)至束流作用區(qū)的引導(dǎo)斜槽部件2;第二通道部件可以是用于將與束流反應(yīng)后的固體顆粒引導(dǎo)至下游部件的收集斜槽部件3。靶系統(tǒng)10還包括將反應(yīng)后收集斜槽部件3中的固體顆粒匯聚于固體顆粒冷卻裝置5的匯聚漏斗4。引導(dǎo)斜槽部件2設(shè)置在收集部件I的下游,其下方為收集斜槽部件3,用于冷卻固體顆粒的固體顆粒冷卻裝置5設(shè)置在匯聚漏斗4的下游。固體顆粒在重力驅(qū)動下通過收集部件I,到達(dá)下游各部件。收集部件I處設(shè)置有可控的閘門11,閘門11的開關(guān)大小能夠根據(jù)實(shí)際束流束斑的大小進(jìn)行調(diào)節(jié)。固體顆??梢跃哂星蝮w形狀,例如圓球體形狀、橢球體形狀或其它可以滾動的球體形狀。如圖1至2所示,所述收集部件I可以是帶有可控閘門的水庫型,也可以是帶有可控閥門的漏斗型。所述引導(dǎo)斜槽部件2和收集斜槽部件3分別可以是一個(gè)帶有側(cè)壁且下出口無側(cè)壁的斜槽,且收集斜槽部件3的比引導(dǎo)斜槽部件2的橫截面略寬。
[0025]如圖2所示,所述引導(dǎo)斜槽部件2和收集斜槽部件3,其外形均可為傾斜水槽型,例如可以具有大致矩形的橫截面。所述引導(dǎo)斜槽部件2包括兩個(gè)側(cè)壁12、13以及底壁14,收集斜槽部件3包括三個(gè)側(cè)壁15、16、17及底壁18。引導(dǎo)斜槽部件2的上側(cè)無側(cè)壁,其開口處與收集部件I的閘門11出口處的底壁通過軸相連,例如,鉸接連接,引導(dǎo)斜槽部件2和收集斜槽部件3與水平面之間的夾角可調(diào),調(diào)整范圍為15度到45度之間。收集斜槽部件3的位置設(shè)置于引導(dǎo)斜槽部件2的正下方,且與其略有交錯。
[0026]如圖1所示,所述輔助裝置包括固體顆粒冷卻裝置5、篩選除塵裝置6以及顆粒提升裝置8。固體顆粒冷卻裝置5的功能是將顆粒在靶系統(tǒng)10產(chǎn)生的熱量帶走。篩選除塵裝置6的功能是除去顆粒中的破碎顆粒及灰塵。顆粒提升裝置8的上端設(shè)有匯聚管道9,用于將固體顆粒供給靶系統(tǒng)10的收集部件I。此外,中子和/或中微子產(chǎn)生系統(tǒng)100還包括:設(shè)置在篩選除塵裝置6下游的顆粒儲存及補(bǔ)充裝置7。
[0027]在本實(shí)用新型的實(shí)施例中,中子和/或中微子產(chǎn)生系統(tǒng)是一種小型高通量高能中子和/或中微子源,該中子和/或中微子源中,從電子回旋共振型(ECR)離子源中產(chǎn)生離子,離子經(jīng)過低能傳輸線、射頻四極場(RFQ)加速器、中能傳輸線及超導(dǎo)加速段后生成高功率密度束流,高功率密度束流與固體重金屬顆粒靶進(jìn)行反應(yīng),產(chǎn)生需要的中子和/或中微子。
[0028]革El材料可以選擇鈹合金或者媽合金顆粒等,其顆粒直徑可以約為0.1?0.5mm,鈹合金可采用鈹鎢合金、鈹鈦合金、鈹錸合金、以及相關(guān)三元合金、例如Be-W-X合金(其中X為Re、Ta、Fe等),或采用其它金屬和合金。小球在重力作用下在通道中連續(xù)流動,在束靶耦合區(qū)(即束流打靶的區(qū)域)與高功率密度束流作用產(chǎn)生中子和/或中微子,同時(shí),固體顆粒還將沉積熱量帶出束流耦合區(qū),并在固體顆粒冷卻裝置5中將熱導(dǎo)出靶系統(tǒng)10。
[0029]如圖1至2所示,靶系統(tǒng)10由收集部件1、引導(dǎo)斜槽部件2、收集斜槽部件3以及匯聚漏斗4組成。引導(dǎo)斜槽部件2上方的收集部件I可設(shè)置為具有可控閘門11的水庫型結(jié)構(gòu),閘門11的開啟大小可根據(jù)束流束斑的大小進(jìn)行出口高度的調(diào)節(jié)。引導(dǎo)斜槽部件2下方為顆粒射流的部分,即為束流打靶位置(如圖2箭頭所示)。此處,固體顆粒首先在重力作用下從收集部件I的閘門11處流出,沿著引導(dǎo)斜槽部件2向下滾落,當(dāng)?shù)竭_(dá)引導(dǎo)斜槽部件2下方出口時(shí)自由拋出或射流,束流與拋出或射流出的固體顆粒靶進(jìn)行反應(yīng),產(chǎn)生預(yù)定劑量的中子和/或中微子。靶系統(tǒng)10的引導(dǎo)斜槽部件2和收集斜槽部件3可以選用耐輻照,耐高溫的材料,例如SiC。斜槽壁以及底的厚度均為0.5?2cm。在引導(dǎo)斜槽部件2出口束流打靶區(qū)域(或?yàn)槭旭詈蠀^(qū)),根據(jù)需要設(shè)置有用于放置實(shí)驗(yàn)樣品的樣品臺。
[0030]如圖1、圖2所示,該中子和/或中微子產(chǎn)生系統(tǒng)100的入射束流B可以沿箭頭方向平行于引導(dǎo)斜槽部件2出口邊緣,例如,底壁14的下端的邊緣,且與拋出或射流出的靶顆粒切線方向垂直,并作用其上。除此之外,入射束流B的方向還可以根據(jù)需要進(jìn)行調(diào)節(jié)。如圖1和2所示,引導(dǎo)斜槽部件2和收集斜槽部件3在豎直方向上間隔開,入射束流B位于引導(dǎo)斜槽部件2和收集斜槽部件3之間的空檔,其與引導(dǎo)斜槽部件2底部開口邊沿,例如,底壁14的下端的邊緣,的夾角為α,其中0°<α<360°,即在夾角α范圍內(nèi)可以使束流既能打到顆粒靶又不會擊中各斜槽側(cè)壁。入射束流B與拋出或射流出的靶顆粒的距離可調(diào)。根據(jù)需要可在中子和/或中微子產(chǎn)生區(qū)域內(nèi)設(shè)置樣品臺,樣品臺的設(shè)置高度與束流相同,設(shè)置位置可根據(jù)實(shí)驗(yàn)需要進(jìn)行調(diào)整。
[0031]如圖1所示,固體顆粒冷卻裝置5與革El系統(tǒng)10的匯聚漏斗4連接,該冷卻裝置5可采用波紋板式逆流水冷換熱器。待冷卻的顆粒從上部入口處在重力的作用下向下流動,而水冷換熱器內(nèi)的冷卻水是自下而上流動,吸收顆粒攜帶的熱量,并將其帶入冷卻水處理回路中。板式結(jié)構(gòu)具有單位體積內(nèi)換熱面積大,換熱器空間結(jié)構(gòu)緊湊,顆粒運(yùn)動阻礙小的特點(diǎn);波紋結(jié)構(gòu)可明顯增強(qiáng)換熱效果;冷卻水與合金顆粒相對逆流能夠提高換熱器整體換熱效率,以水為冷卻工質(zhì)可保證足夠的換熱溫差。通過上述的特點(diǎn),波紋板式逆流水冷換熱器可以在保證冷卻劑與固體顆粒非接觸流動的同時(shí),最大限度減小換熱器體積,保證足夠經(jīng)濟(jì)性與結(jié)構(gòu)強(qiáng)度。
[0032]如圖1所示,顆粒提升裝置8設(shè)置于固體顆粒冷卻裝置7的下游,目的是將換熱后經(jīng)過篩選除塵裝置6輸送至顆粒補(bǔ)充回收存儲裝置7中的顆粒輸送回靶系統(tǒng)10的收集部件I的上方。顆粒提升裝置8可以采用垂直斗式提升機(jī),由電機(jī)對配有裝載斗的環(huán)鏈進(jìn)行驅(qū)動。相對于其他顆粒驅(qū)動方式,斗式提升機(jī)主要可動部件為循環(huán)鏈與驅(qū)動電機(jī),其機(jī)械原理較為簡單,并具有較高的配合寬容度。其循環(huán)鏈垂直提升的方式,使得其具有較高的工作效率。作為備選方案,也可使用電磁提升系統(tǒng)。
[0033]如圖1,圖2所示,初始狀態(tài)下,靶系統(tǒng)10的收集部件I的閘門11完全關(guān)閉,顆粒從靶系統(tǒng)10上方收集部件I的匯聚管道9的出口處在重力作用下注入收集部件I,顆粒在匯聚到設(shè)定高度后收集部件I的閘門11按照束流束斑大小開啟成預(yù)設(shè)高度,此時(shí)顆粒在重力作用下從閘門11的出口流出,沿著靶系統(tǒng)10的引導(dǎo)斜槽部件2向下滾落,在到達(dá)引導(dǎo)斜槽部件2下出口時(shí),顆粒由于慣性和重力被拋出或射流出,被拋出或射流出的顆粒在下落過程中與高能束流B發(fā)生反應(yīng)產(chǎn)生高通量的中子和/或中微子,產(chǎn)生的高通量的中子和/或中微子作用在樣品臺的實(shí)驗(yàn)樣品上。束流與引導(dǎo)斜槽部件2出口的距離可調(diào),并且樣品臺的高度也隨之變化,使樣品臺中的實(shí)驗(yàn)樣品能夠獲得預(yù)計(jì)的中子和/或中微子輻射劑量。反應(yīng)后的顆粒落入收集斜槽部件3中,隨之導(dǎo)入?yún)R聚漏斗4,繼而進(jìn)入固體顆粒冷卻裝置5內(nèi),吸收顆粒攜帶的熱量。冷卻后的顆粒隨即進(jìn)入篩選除塵裝置6,篩選除塵裝置6可為普通顆粒篩選除塵裝置,也可為電磁顆粒篩選除塵裝置。經(jīng)過篩選除塵后的符合標(biāo)準(zhǔn)的顆粒被輸送至顆粒補(bǔ)充回收存儲裝置7中,若經(jīng)檢測發(fā)現(xiàn)顆粒補(bǔ)充回收存儲裝置7中的顆粒少于設(shè)定閾值,則需外界對其進(jìn)行補(bǔ)充,與此同時(shí),顆粒提升裝置8會將顆粒補(bǔ)充回收存儲裝置7中的顆粒靶輸送至靶系統(tǒng)10的上游,通過匯聚管道9,進(jìn)入靶系統(tǒng)10,進(jìn)行下一輪的中子反應(yīng)。
[0034]根據(jù)本實(shí)用新型的上述實(shí)施例,提供了一種用于小型高通量高能中子和/或中微子源的靶系統(tǒng)10,用以解決現(xiàn)有IFMIF中子源靶在運(yùn)行過程中由于流體力學(xué)的不穩(wěn)定性而造成的射流影響和強(qiáng)放射性污染等問題,同時(shí)解決了顆粒靶中熱應(yīng)力的問題。
[0035]中子和/或中微子產(chǎn)生系統(tǒng)100中的固體顆粒冷卻裝置5設(shè)置在匯聚漏斗4的下游,該固體顆粒冷卻裝置5可采用波紋板式逆流水冷換熱器。固體顆粒冷卻裝置5負(fù)責(zé)將顆粒從靶系統(tǒng)10帶出的熱量換至二回路。顆粒補(bǔ)充回收存儲裝置7設(shè)置在固體顆粒冷卻裝置5的下游,用于儲存補(bǔ)充換熱后的顆粒,并可在以后需要的時(shí)候排空系統(tǒng)與控制系統(tǒng)內(nèi)顆??偭?。顆粒提升裝置8的作用是將顆粒補(bǔ)充回收存儲裝置7中的顆粒輸送至收集部件I上方,進(jìn)行下一輪的核反應(yīng)。該顆粒提升裝置8可采用垂直斗式提升機(jī),由電機(jī)對配有裝載斗的環(huán)鏈進(jìn)行驅(qū)動。作為備選方案,也可使用電磁提升系統(tǒng)。
[0036]根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例,所采用的固體顆粒與目前國際上使用的高功率密度液態(tài)噴射鋰靶相比,可有效解決其在運(yùn)行過程中由于流體力學(xué)的不穩(wěn)定性而造成的射流影響,明顯提高中子產(chǎn)生的穩(wěn)定性;由于本實(shí)用新型采用的是二級階梯狀斜槽設(shè)計(jì),并設(shè)置了可調(diào)節(jié)開口,使其能夠根據(jù)不同束斑大小的束流,通過對收集部件I處的閘門11進(jìn)行上下調(diào)節(jié),可對引導(dǎo)斜槽部件出口處射流出的顆粒厚度隨時(shí)進(jìn)行調(diào)整;其次,可有效優(yōu)化材料的利用率。由于目前公開的已有靶型基本為圓形漏斗,出口呈圓形,其缺點(diǎn)是射流部分具有曲率,使得入射束流在傳播方向的穿透距離不均勻,同時(shí)射流部分沿徑向顆粒的速度差異較大,不利于優(yōu)化材料的利用率,而本實(shí)用新型中射流出的顆粒靶邊緣整齊,有效克服了現(xiàn)有圓形漏斗靶的缺點(diǎn);再者,固體顆??蓪a(chǎn)生的熱量通過顆粒的流動從靶系統(tǒng)帶出至固體顆粒冷卻裝置,并使之換至二回路,有效解決中子源的換熱問題;此外,本實(shí)用新型的實(shí)施例的中子和/或中微子產(chǎn)生系統(tǒng)結(jié)構(gòu)簡單,尺寸大大縮小,可有效降低成本。
[0037]以上實(shí)施方式僅用于說明本實(shí)用新型,而并非對本實(shí)用新型的限制,有關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員,在不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍的情況下,還可以做出各種變化和變型,因此所有等同的技術(shù)方案也屬于本實(shí)用新型的范疇,本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍應(yīng)由權(quán)利要求限定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種靶系統(tǒng),所述靶系統(tǒng)用于中子產(chǎn)生系統(tǒng)和中微子產(chǎn)生系統(tǒng)中的至少一個(gè),其特征在于,所述靶系統(tǒng)包括: 用作靶體的固體顆粒;以及 第一通道部件,所述第一通道部件具有用于固體顆粒通過的相對于水平方向傾斜的第一通道,所述第一通道部件具有第一底壁,在第一底壁的兩個(gè)側(cè)邊緣部分設(shè)置的兩個(gè)第一側(cè)壁,固體顆粒沿著第一底壁從第一通道的下端離開第一通道部件,用于束流與離開第一通道部件的固體顆粒相互作用。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靶系統(tǒng),其特征在于,還包括: 第二通道部件,所述第二通道部件具有用于固體顆粒通過的相對于水平方向傾斜的第二通道,第二通道部件的上端位于第一通道部件的下端的下方,用于離開第一通道部件的固體顆粒落入第二通道部件的上端的朝上的開口中。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的靶系統(tǒng),其特征在于: 所述第二通道部件具有第二底壁,在第二底壁的兩個(gè)側(cè)邊緣部分設(shè)置的兩個(gè)第二側(cè)壁。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的靶系統(tǒng),其特征在于 第二通道部件還具有位于上端的另一個(gè)第二側(cè)壁,固體顆粒從第二通道部件的下端離開第二通道部件。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靶系統(tǒng),其特征在于,還包括: 收集部件,所述收集部件設(shè)置在第一通道部件的上游,用于收集固體顆粒,其中收集部件具有開口;以及 用于開關(guān)該開口的閘門,其中在閘門開啟時(shí),收集在收集部件中的固體顆粒流入第一通道部件。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的靶系統(tǒng),其特征在于: 所述收集部件的限定所述開口的底壁和兩個(gè)側(cè)壁分別與所述第一通道部件的第一底壁和兩個(gè)第一側(cè)壁的上端鄰接,所述收集部件的開口朝向第一通道部件的第一通道的上端的開口。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靶系統(tǒng),其特征在于: 第一通道部件是槽部件。8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的靶系統(tǒng),其特征在于: 第二通道部件是槽部件。9.一種用于產(chǎn)生中子和/或中微子的系統(tǒng),其特征在于,包括: 權(quán)利要求1所述的靶系統(tǒng)。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的用于產(chǎn)生中子和/或中微子的系統(tǒng),其特征在于,還包括: 束流發(fā)射件,所述束流發(fā)射件發(fā)射的束流與離開第一通道部件的固體顆粒作用,以產(chǎn)生中子和/或中微子。
【文檔編號】H05H6/00GK205648168SQ201620252720
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年3月28日
【發(fā)明人】楊磊, 林平, 高笑菲, 張晟, 詹文龍
【申請人】中國科學(xué)院近代物理研究所