專利名稱：可磁調諧并可閂鎖的寬范圍半導體激光器的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及可調諧激光器，具體說是涉及可調諧半導體激光器。
許多不同領域都要使用可調諧激光光源，這些領域包括電信、醫(yī)學、材料檢定、光譜學、同位素分離和遙感等。在諸如光學傳感器的應用，以及在各種高密度波分復用(DWDM)光通信系統(tǒng)的應用中，對能在較寬波長范圍上可調諧與/或可線性調頻的激光光源，要求日益增加，而上述各種DWDM光通信系統(tǒng)，由于其巨大的數據傳輸能力，越來越被重視。這類可調諧激光器，可以按要求給出不同的波長，為從根本上增加多波長光學網絡的傳輸容量而頗有應用潛力，還可以作為若干組固定頻率激光器的備份，有改善網絡可靠性的潛在能力。
目前有若干種可調諧激光器正在使用。(例如見J.F.Ready，Industrial Applications of Lasers，2ndEd.，Academic Press(1997)；和Tunable Lasers Handbook，F. J.Duarte，ed.，Academic Press(1995))。這些激光器包括染料激光器、半導體激光器、光參量振蕩器(OPO)、和自由電子激光器(FEL)。其中的半導體激光器有許多優(yōu)點。染料激光器和OPO工作時要用泵浦激光器，而FEL則較龐大且十分昂貴。用在光譜的紅區(qū)和近紅外區(qū)的III-V族半導體激光器，卻沒有這些缺點。此外，相對來說，半導體激光器效率高，尺寸小，重量輕，功耗低，并且能以低電壓電源驅動。半導體激光器的主要應用包括作為磁光數據存儲、激光盤播放器、打印機、和光纖通信等的光源。
商業(yè)上用的AlxGa1-xAs和InxGa1-xAsyP1-y半導體激光器，通常用改變溫度和工作電流來調諧。但是，這些調諧技術取得的調諧范圍相當有限，因而不能充分開發(fā)半導體可用的增益帶寬。此外，在要獲得指定的波長時，跳模現象會帶來一些麻煩，因而調諧可能是不連續(xù)的。采用外腔激光器(ECL)，在某種半導體介質的一個寬的增益帶寬上，已經取得更大的可調諧能力。一個可調諧ECL包括一種光學增益介質(就是在一個或兩個端面鍍有防反射膜的一種激光半導體二極管)、把增益介質波導的輸出耦合到外腔自由空間模的光學結構、一個或多個波長選擇濾光器、和用于界定外腔反饋光路的一個或多個反射鏡。有各種形成激光光學諧振腔的不同方法可供使用。這些方法包括反射光學部件，諸如棱鏡、光柵、和其他二色性濾光器-這些都是窄帶反射器，以及反射膜和介質反射鏡-這些都可用作寬帶反射器。一部ECL的調諧，可以通過改變端面反射器的特征反射波長(由此決定腔內的諧振波長)，或通過改變激光腔本身的長度來實現。為減小跳?，F象，端面反射器的波長最好與激光腔的諧振波長成正比地變化。但是，要成正比地變化是頗為困難的任務，一般要用復雜且昂貴的反饋結構。此外，外腔激光器一般比其他半導體激光器有較低的輸出功率和有較龐大的體積。近期還對表面發(fā)射型激光二極管的開發(fā)發(fā)生興趣，在表面發(fā)射型激光二極管中，光是從芯片表面，而不是從側面射出。利用這一特點，能較容易在一塊半導體晶片上制作兩維陣列，密集地組裝成多個裝置。在某些表面發(fā)射激光二極管中，激光腔是豎直的，即垂直于p-n結平面，而這類裝置被稱為豎直腔表面發(fā)射激光器(VCSEL)。如果VCSEL能在一個寬范圍波長上作成可調諧的，那么對它的興趣就會更有價值。
對這類激光器的調諧，存在各種一般的技術，例如，改變半導體能帶，改變激光腔的尺寸，或改變反射器的特性。這些技術包括熱調諧、壓電調諧、靜電調諧、和磁致伸縮調諧。熱調諧由于熱傳導和熱平衡需要時間而太慢，還要求不斷提供功率以維持所需的溫度，并且因為高溫可能損壞敏感的裝置部件，從而限制了調諧的范圍。壓電作用，除材料本身的限制而限制其調諧范圍之外，還要求持續(xù)施加高電壓以維持波長的移動。靜電調諧廣泛用于使用MEMS(微機電機械系統(tǒng))技術的小型裝置(例如見M.Y.Li等，Electron Lett.，Vol.33，No.12，1051(1997)；和M.Y.Li等，Photonics Tech.Lett.，Vol.10，No.1，18(1998))。但是，這種靜電調諧因電荷積累或泄漏，很易漂移，也要求持續(xù)施加較高電壓以維持裝置的狀態(tài)。磁致伸縮調諧要求強磁場以實現可用的應變量，并且一般是不可閂鎖的(即在功率加上后，仍必須繼續(xù)保持)。
因此，需要一些改進的可調諧激光器裝置，最好有一種半導體激光器，它能在光腔介質增益帶寬比較大的范圍上可以調諧，并且是可閂鎖的。
本發(fā)明給出一種裝置，它有一種改進的可調諧激光器結構，這一結構對表面發(fā)射激光器特別有用，并且具有可隨意閂鎖的能力。可閂鎖能力和可調諧能力，是通過在一個固定的、可編程的磁鐵和磁性材料之間的磁力吸引或排斥而實現的，磁鐵和磁性材料附著在激光器結構的反射器上。具體說，本發(fā)明的可調諧激光器，如

圖1所示，使用的激光器結構包括一個下部反射器(16)、一個激活激光區(qū)(12)、和一個上部反射器(14)。上部反射器包括一個不可移動的反射器部分，與激活激光區(qū)比鄰；以及一個可移動的反射器部分，與不可移動反射器部分隔開一定距離(20)?？梢苿臃瓷淦鞑糠忠话阌靡粋€微動懸臂結構(18)或類似的裝在鉸鏈或樞軸上的結構來支承。一種磁性材料(22)或置于可移動反射器部分的一個表面上，或置于與可移動反射器部分相連的一個表面上。一塊可編程磁鐵(24)靠近磁性材料放置，該磁鐵能使磁性材料產生受控移動。這一移動又使可移動反射器部分產生移動，使可移動反射器部分與不可移動反射器部分之間的間距，能夠被調節(jié)。調節(jié)這個間距(即可移動與不可移動反射器部分之間的空氣隙)，便能控制反射的相位，從而控制激光器的輸出波長。
本發(fā)明用磁力來調節(jié)激光激活區(qū)的輸出，它比通常的調諧方法有若干優(yōu)點。例如，不像熱調諧，因為磁力比較快，可閂鎖，且不存在損壞裝置部件的潛在危險。也不像壓電作用，因為本征材料的限制完全可以不考慮，且磁力產生的移動是可閂鎖的。本發(fā)明避免了靜電調諧中遇到的漂移，而且不必維持恒定的電壓。最后，也避免了磁致伸縮調諧中的強磁場和典型的不可閂鎖性。
圖1按照本發(fā)明，畫出一種可調諧激光器裝置的一個實施例。
圖2按照本發(fā)明，畫出一種可調諧激光器裝置的另一個實施例。
圖3按照本發(fā)明，畫出一種可調諧激光器裝置的再一個實施例。
圖4按照本發(fā)明，畫出一種可調諧激光器裝置的又一個實施例。
圖5畫出用于本發(fā)明的一種可編程磁鐵的特性。
圖6表示把本發(fā)明的可調諧激光器裝置用于波分復用光學網絡。
要使一個激光器給出最大的連續(xù)的調諧范圍，其調諧機理是，在機械上改變一個Fabry-Perot(法布里-珀羅)調諧腔的有效長度。(例如參考F.Sugihwo等，“Low threshold continuously tunable verticalcavity surface emitting lasers with 19.1 nm wavelength range”，Applied Physics Letters，Vol.70，No.5,547(1997)，文章披露的內容也在此引用，以供參考)在實用上，這種機械調節(jié)的實現，一般是對Fabry-Perot腔的一個或兩個反射器，使用并以電的方法移動微動結構，諸如懸臂或帶樞軸或帶鉸鏈的支承。本發(fā)明包含一種新奇的磁力方法，使用諸如微動機械結構，對激光器進行調諧，因此，本發(fā)明與靜電調諧相比，對漂移不那么敏感，還能夠維持一個移動后的狀態(tài)而無需持續(xù)地施加功率，就是說，是可閂鎖的。
圖1按照本發(fā)明，畫出一個可調諧激光器裝置的例子。裝置包括支承含有一個激活激光區(qū)12的激光器結構的襯底10，以及上部和下部反射器14、16(上部和下部反射器僅為敘述方便而設，不能理解為本發(fā)明僅限于某種特定的幾何配置)。上部反射器14的一部分由于附著在一個懸臂結構18上，故是可移動的(可移動反射器部分)，該部分確定了一個可調節(jié)的空隙20-它通常是指從上部反射器的其余部分(不可移動的反射器部分)跨過的空隙。磁性材料22作為一層薄膜或厚膜(如果需要，還帶隔離層)，是用任何常規(guī)技術，淀積或粘合在上部反射器14的可移動部分的任一位置上。磁性材料22的所在位置，以不阻擋光路為宜。一塊不動的、可編程的磁鐵24緊靠磁性材料22放置，以便提供一個與所加磁場有關的、幅度可變的磁力。為不阻斷激活激光區(qū)12輸出的光路，可以在磁性材料22上、在可編程磁鐵24上、與/或在任何支承結構上，開窗或打孔。如果用軟磁材料，磁力一般是吸引力，但如果用硬磁材料，例如Nd-Fe-B或Sm-Co，也可能是排斥力?？拷盆F24放置一個或多個電磁鐵(螺線管)26，以提供足夠的磁場來改變可編程磁鐵24中的剩余磁化。工作時，可編程磁鐵24吸引或排斥磁性材料22，其力由可編程磁鐵24中的剩余磁化決定，而剩余磁化又由螺線管26所加脈沖磁場來控制。懸臂上的磁性材料22與不動的可編程磁鐵24的一個極之間的磁力變化，導致懸臂18彎曲，從而改變空隙20的間距。改變空隙20的間距，進而改變從空氣-懸臂界面反射的相位，這一改變又使此結構的Fabry-Perot波長產生變化，導致被選擇的激光器輸出波長的調諧。按照本發(fā)明，也可以讓兩個反射器一起調諧。此外，也可以把一個反射器的可移動部分上的磁性材料作成可編程的(用額外的螺線管控制)，而這樣的一種配置可望改善其閂鎖性能。
可以把磁性材料直接放在可移動反射器部分的表面，或放在與可移動反射器部分連接的表面(意思是，磁性材料的移動導致可移動反射器部分的移動)。舉例說，像圖2所示，例如可以把一層磁性材料箔42粘在或淀積在擴展部分39，以增大可用的粘合面積。這一擴展部分可以與懸臂或類似結構分開，也可以是懸臂或類似結構的一部分。如圖1，圖2的裝置還包括一個支承襯底30、一個具有激活區(qū)32的激光器結構、上部和下部反射器34、36(上部反射器34帶有可移動部分及不可移動部分，由空隙40分開)、一塊不動的可編程磁鐵44、和螺線管46。
磁性材料是任一種合適的材料，這種材料視其具體運用，要具有所需的軟磁、恒磁、或半硬磁可編程磁鐵等特性。例如Fe，Ni，和Co，坡莫合金(80Ni-20Fe)之類的高磁導率材料，或Nd-Fe-B或Sm-Co之類的高矯頑磁力材料。也可以用光學上透明的材料，如某種石榴石晶體。
懸臂用任一種合適的材料制成，這種材料要具有必要的像彈簧那樣的性質。懸臂最好用硅做，并制成任何合適的形狀，例如橫截面是圓形的，方形的，或矩形的。選擇懸臂的尺寸和形狀，以便得到所需的剛度，因為剛度決定了在一給定磁場強度時的彎曲量。也可以利用其他合適的結構，如鉸鏈或樞軸結構，來實現所需的空氣隙的調節(jié)。制作這類微動結構，有熟知的光刻技術，它通常包括形成若干以后要腐蝕掉的保護層，留下懸臂或其他單獨的結構。(例如見W.L.Fang，J.Micromechanics&Microengineering，Vol.8，No.4，263(1998)；和Tayelati等，Electronics Lett.，Vol.34，No.1，74(1998)。)本發(fā)明特別適用于頂部或底部發(fā)射的激光器，特別是豎直腔表面發(fā)射激光器。激活激光區(qū)通常以III-V族半導體化合物為基礎，例如Al1-xGaxAs(用于780-880nm激光器)，In1-xGaxAs1-yPy(用于1150-1650nm激光器)，AlxGayIn1-x-yP(用于630-680nm激光器)，和In1-xGaxAs(用于980nm激光器)，當然任何合適的產生激光的材料都可以使用。通常，半導體激光器材料是在一個襯底上，通過精密控制的外延生長技術，生長成薄層，一般約幾微米厚，外延生長技術例如有分子束外延或汽相外延。此類生長技術能夠以極理想并按指定的成分，淀積出單晶層。
激活區(qū)最好包含量子阱。量子阱激光器結構比沒有量子阱的裝置有較低的閾值電流和較高的輸出功率。(例如見J.F.Ready，同前)。業(yè)內人士都知道，一個量子阱是夾在有較大能隙值的兩層半導體材料中間的一層非常薄的半導體材料。一個例子是夾在兩層AlGaAs之間的GaAs。如果該層足夠薄，比如20nm或更小，電子的一些量子力學性質就會顯現出來，這些性質改變了材料的能級結構。量子阱材料的這些性質因而與相同成分的大塊半導體的性質有所不同。具體說，量子阱的這些性質，是由較大能隙的層形成的勢阱，對載流子約束的結果。這一約束增加了激光器裝置的增益系數和減小了激光器裝置的閾值電流。對量子阱裝置，可以采用單個量子阱，或多個量子阱，后者由若干層大能隙材料與小能隙材料組成的交替薄層形成。多個量子阱結構有時被稱為超晶格。
上部和下部反射器通常用介質的或半導體的分布布拉格反射器(DBR)。也可以用反射膜和介質反射鏡。半導體DBR比介質反射鏡有若干可取性質，比如在空氣隙內對激光波長的變化有較高的靈敏度(5至10倍)，由此能給出較大的調諧范圍；由于外延技術的使用，制作過程容易、精確、和可重復；以及可預測的材料與機械特性。(例如見Christenson等，IEEE Photonics Tech.Lett.，Vol.9，725(1997)；和M.C.Larson等，Appl.Phys.Lett.，Vol.68，891(1998)。)特別是，已經有文獻報導，使用AlGaAs系列材料，用諸如熱氧化等技術，制作出大自由光譜區(qū)(FSR)的半導體DBR。(業(yè)內人士知道，自由光譜區(qū)是一個激光器的兩個Fabry-Perot模之間的波長間隔。例如見M.H.MacDougal等，Electron Lett.，Vol.30，1147(1994)。)可編程磁鐵材料是任何能提供合適性質的材料。最好是，可編程磁鐵包含一種能由脈沖磁場改變其磁性的材料。合適的磁鐵的例子包括Fe-Cr-Co、Fe-Al-Ni-Co(Alnico)、Cu-Ni-Fe(Cunife)、Co-Fe-V(Vicalloy)、低矯頑磁力的稀土鈷(如Sm-Co)或Nd-Fe-B磁鐵、以及鋇鐵氧體或鍶鐵氧體磁鐵。對可編程磁鐵，其矯頑磁力范圍通常在500Oe以下，且最好在100Oe以下，便于用螺線管的脈沖磁場使之再磁化，改善可編程的難易程度。矯頑磁力通常在10Oe以上且最好在30Oe以上，以便保持剩余磁化的穩(wěn)定性，也為了保持其抗雜散磁場引起退磁的穩(wěn)定性。當磁場撤除后，為了所需的磁化的可閂鎖性，可編程磁鐵最好有矩形磁化磁滯回線，其矩形比(剩余磁化/飽和磁化)至少為0.85，為0.90更好，最好為0.95。為了改善控制，回線最好至小以Hc的50％歪斜，例如，像美國專利申請序號09/020206(我們的參考號是Espindola 6-148-2-44)和09/097549(我們的參考號是Espindola 10-154-6-76)，在這里引用這兩個發(fā)明，以供參考。為了做成需要的形狀，比如棒狀，最好用機械上可延展的并易于成型或加工的磁鐵合金，例如Fe-Cr-Co、Co-Fe-V。對穩(wěn)定的、有較高矯頑磁力(例如Hc＞1000Oe)的永久磁鐵，例如Sm-Co或Nd-Fe-B，要用低磁場對其剩余磁化進行編程，看來有很多困難。
本發(fā)明的可調諧激光器，可獲得的調諧范圍是其激光結構的自由光譜范圍，亦即由其有效腔長決定?？梢园此璧姆秶鷮敵霾ㄩL進行調諧，例如，設計提供的總范圍不小于20nm，有不小于40nm的可供選擇。但是，較小的范圍也是可能的，且在某些情形下是需要的，這將視具體應用而定。
可以通過懸臂或其他結構上磁性材料的安排來獲得需要的結果。例如，在圖3，磁性材料62是粘在懸臂58的臂上，位于更靠近懸臂的支承部分。對由可編程磁鐵64和螺線管66使磁性材料62產生的給定位移，這種布局能使空隙60的間距產生較大的變化。如前面的實施例，圖3的裝置還包括一個支承襯底50，以及含有激活區(qū)52及上部與下部反射器54、56的一種激光結構。
由于懸臂的偏轉，可能使上部反射器傾斜而導致損耗，對調諧范圍或激光器性能產生不利影響。圖4畫出一種減小這種傾斜損耗的布局。具體說，用兩個獨立的可編程磁鐵76和77，及分開的兩套螺線管78、79，以減小或避免傾斜。不同的磁力，加在懸臂70的擴展部分71的磁性材料74、75上，擴展部分位于上部反射器的可移動部分72上，從而產生一個力矩來改正傾斜。也可以用多于兩個的獨立可調諧磁鐵，以給出更好的傾斜控制。
本發(fā)明可以閂鎖特定的波長。具體說，對螺線管施加一個脈沖或短時間的激勵電流后，可移動磁性材料被閂鎖在某個位置(由磁力和懸臂結構的張力之間的平衡決定)，不再需要持續(xù)提供電功率。在一個實施例中，這種閂鎖是用如前述的、有歪斜的磁滯回線的可編程磁鐵獲得的。例如，一種Fe-28％Cr-7％Co合金的M-H回線，經形變老化后產生一條70Oe的Hc的矩形M-H回線，大小為直徑0.180”及長4”的合金棒被～60Oe彎曲，所產生的一條M-H回線(近似)示于圖5。對施加的磁場H1和H2，在磁場撤除后，相應的磁化像被鎖住似地保持，因而產生的偏轉ε1和ε2也像被鎖住似地保持。所以，裝置工作時無需持續(xù)提供功率。被閂鎖的移動，即施加的磁場撤除后產生的移動，至少是施加磁場時產生的移動的85％，不小于90％更好，最好不小于95％。要對裝置從這個被閂鎖的狀態(tài)進行調諧，可以改變可編程磁鐵中的磁化，使偏轉改變并再閂鎖。例如，增加施加的磁場，或退磁后再磁化至一個新的磁場強度，便可實現這種改變和再閂鎖。用螺線管使可編程磁鐵磁化，使用脈沖場(在螺線管中的脈沖電流)可以方便地使裝置高速、低功耗地工作。脈沖場所需的持續(xù)時間或速度，通常在10-10-6秒范圍，最好是10-1-10-4秒。施加的脈沖電流形狀可以是正弦形的、矩形的、梯形的、三角形的、或不規(guī)則的。螺線管可以是單個螺線管，或包括兩個或多個單獨控制的部分。
本發(fā)明的可調諧并可任意閂鎖的激光裝置，在多種應用中十分有用，其中包括光通信系統(tǒng)。例如，圖6畫出一種多波長激光光源，用于WDM光學網絡，內中包含本發(fā)明的可調諧激光光源。如果在某個個別可調諧激光器的波長范圍內，有任一個離散波長激光器(記以“DL”)失效，則每一個可調諧激光器都可以作為一個備份光源，因此改進了網絡的可靠性。此外，在網絡超載時，可以根據需要，用這些可調諧激光器來提供與當前正在使用的波長不同的波長，因此改善了網絡的信息傳遞能力和硬件的利用率。本發(fā)明的可調諧激光器裝置，如果需要，還可以用于非閂鎖的、連續(xù)調諧模式，例如掃描某個激光器的波長范圍，以檢測指定波長的裝置的工作(例如波長信道的分/插模塊、濾波器等)，用于這類網絡的管理、診斷、和故障排除。要實現這一目的，例如，用一塊能連續(xù)掃描的軟磁鐵，取代可編程磁鐵。這樣一種可變的激光光源，還有廣泛的應用，例如，用激光掃描器作增強的光學特征識別、以光纖為基礎的圖象顯示系統(tǒng)、以及激光加工儀器，對表面光學特性，如光反射或吸收特性不同的材料及裝置，進行表面加工。
本發(fā)明的其他實施例，業(yè)內熟練人士參閱本發(fā)明在此披露的說明和實現辦法，是容易明白的。
權利要求
1.一種包含可調諧激光器的裝置，該可調諧激光器包括一種激光器結構，包括一個下部反射器、一個激活激光區(qū)、和包含界定一段可調節(jié)空隙的可移動反射器部分的一個上部反射器；一種磁性材料，位于從可移動反射器部分的表面選出的一個表面上，和一個與可移動反射器部分相連的表面；及一塊可編程磁鐵，它能使磁性材料產生受控的移動，磁性材料的移動又帶動可移動反射器部分的移動，于是可移動反射器部分與不可移動反射器部分之間的間距能夠被調節(jié)。
2.按照權利要求1的裝置，其中的上部反射器還包括一個不可移動的反射器部分，它緊鄰激活激光區(qū)，位于可調節(jié)空隙與可移動反射器部分相對的位置。
3.按照權利要求2的裝置，其中調節(jié)可移動反射器部分與不可移動反射器部分之間的可調節(jié)空隙，控制激光器結構的輸出波長。
4.按照權利要求1的裝置，其中的激光器結構包括一種表面發(fā)射激光器。
5.按照權利要求4的裝置，其中的激光器結構包括一種豎直腔表面發(fā)射激光器。
6.按照權利要求1的裝置，其中的激活激光區(qū)包括一種III-V族化合物半導體。
7.按照權利要求6的裝置，其中的激活激光區(qū)是從Al1-xGaxAs、In1-xGaxAs1-yPy、AlxGayIn1-x-yP、和In1-xGaxAs中選出的。
8.按照權利要求1的裝置，還包括至少一個螺線管，能用之對可編程磁鐵施加一個磁場。
9.按照權利要求1的裝置，其中的可編程磁鐵能夠閂鎖可移動反射器部分的移動。
10.按照權利要求9的裝置，其中被閂鎖的移動至少為施加磁場時產生的移動的85％。
11.按照權利要求3的裝置，其中的激光器結構的輸出波長能夠在至少20nm的范圍內調諧。
12.按照權利要求11的裝置，其中的激光器結構的輸出波長能夠在至少40nm的范圍內調諧。
13.按照權利要求1的裝置，其中的上部反射器和下部反射器包括一些選自分布布拉格反射器、介質反射鏡、和反射膜等反射結構。
14.按照權利要求1的裝置，其中的激活激光區(qū)包括至少一個量子阱層。
15.按照權利要求1的裝置，其中的磁性材料至少包括Fe、Ni、Co、坡莫合金、Nd-Fe-B、和Sm-Co中的一種。
16.按照權利要求1的裝置，其中至少一塊可編程磁鐵有矩形的磁化磁滯回線，其矩形比至少為0.85。
17.按照權利要求16的裝置，其中的可編程磁鐵至少包括選自Fe-Cr-Co、Fe-Al-Ni-Co、Cu-Ni-Fe、Co-Fe-V、稀土鈷、Nd-Fe-B、鋇鐵氧體、和鍶鐵氧體中的一種合金。
18.按照權利要求1的裝置，其中的磁性材料選自軟的、硬的、或可編程的磁性材料。
19.按照權利要求1的裝置，其中支承可移動反射器部分的結構，是從一個懸臂結構、一個鉸鏈結構、和一個樞軸結構中選出來的。
20.按照權利要求1的裝置，還包括第二磁性材料，位于一個表面上，該表面選自可移動反射器部分的一個表面和一個與可移動反射器相接觸的表面，和第二可編程磁鐵，它能使第二磁性材料產生受控的移動。
21.按照權利要求1的裝置，其中的磁性材料直接放在可移動反射器部分的上面。
22.按照權利要求1的裝置，其中的磁性材料直接放在與可移動反射器部分相裝配的擴展部分的上面。
23.按照權利要求1的裝置，其中的裝置是一個探測器裝置。
24.按照權利要求1的裝置，其中的裝置是一個波分復用系統(tǒng)。
全文摘要
本發(fā)明給出一種使用改進了的可調諧激光器結構的裝置,該結構對各種表面發(fā)射激光器是很有用的,且能有需要的可閂鎖性質。本發(fā)明的可調諧激光器包括一種激光器結構,它有一個下部反射器、一個激活激光區(qū)、和一個上部反射器。上部反射器包括一個不可移動反射器部分,緊靠激活激光區(qū);和一個可移動反射器部分,與不可移動反射器部分隔開一段距離。一塊磁性材料或者位于可移動反射器部分的一個表面上,或者位于與可移動反射器部分連接的一個表面上。
文檔編號H04J14/02GK1264941SQ0010224
公開日2000年8月30日 申請日期2000年2月18日 優(yōu)先權日1999年2月22日
發(fā)明者森霍·金, 哈里士·馬沃瑞 申請人:朗迅科技公司