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      對(duì)講機(jī)的晶體振蕩器數(shù)字溫度補(bǔ)償方法及其系統(tǒng)的制作方法

      文檔序號(hào):7952327閱讀:606來源:國知局
      專利名稱:對(duì)講機(jī)的晶體振蕩器數(shù)字溫度補(bǔ)償方法及其系統(tǒng)的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及無線通信裝置用晶體振蕩器的溫度補(bǔ)償技術(shù),具體是一種對(duì)講機(jī)的晶體振蕩器數(shù)字溫度補(bǔ)償方法及其系統(tǒng)。
      在非直接型溫度補(bǔ)償晶體振蕩器中,溫度檢測(cè)電路與振蕩電路是分離的,改變振蕩頻率是通過負(fù)載電容來實(shí)現(xiàn)的,控制通常是用數(shù)字方式來進(jìn)行。如美國專利US5081431公開的數(shù)字溫度補(bǔ)償振蕩器(DTCXO)等,采用模塊化結(jié)構(gòu),將微外理器、D/A、存儲(chǔ)器、晶體振蕩器、溫度傳感器等集成于一個(gè)模塊中,優(yōu)點(diǎn)是體積小巧、精度較高、適用范圍廣,缺點(diǎn)是成本高,價(jià)格偏高。
      中國專利98127182.0提供了一種改進(jìn)的數(shù)字溫度補(bǔ)償壓控振蕩器(TCO),它直接調(diào)至選定信道的頻率,不需要晶體單元(見說明書第三頁26-28行),它也是一種獨(dú)立的模塊結(jié)構(gòu)。
      總之,目前市售的溫度補(bǔ)償振蕩器多做成一個(gè)模塊,作為一個(gè)獨(dú)立部件而存在,通常可做得體積小巧(5×7mm),精度較高(小于1PPm),但由于模塊由專用IC、晶體及陶瓷基板等組成,因此成本較高,售價(jià)較貴,不利于廣大用戶接受。
      本對(duì)講機(jī)的晶體振蕩器數(shù)字溫度補(bǔ)償方法,基于包括微控制器、存儲(chǔ)器以及晶體振蕩器的系統(tǒng),其特征在于采取如下步驟a、將溫度檢測(cè)電路檢測(cè)到的晶體振蕩器的溫度值送入A/D變換器轉(zhuǎn)換為數(shù)字量,b、對(duì)講機(jī)的微控制器以所述的數(shù)字量為地址從存儲(chǔ)器中取出晶體對(duì)應(yīng)的補(bǔ)償電壓數(shù)據(jù),經(jīng)D/A變換器交換成模擬電壓,輸入晶體振蕩器的變?nèi)莨蹹VI,進(jìn)而調(diào)節(jié)晶體振蕩器的頻率。
      在對(duì)講機(jī)中實(shí)現(xiàn)上述方法的晶體振蕩器數(shù)字溫度補(bǔ)償系統(tǒng),包括微控制器、存儲(chǔ)器和晶體振蕩器,其特征在于還包括晶體振蕩器的溫度檢測(cè)電路、A/D變換器以及D/A變換器;所述微控制器、存儲(chǔ)器是對(duì)講機(jī)的微控制器和存儲(chǔ)器,微控制器根據(jù)檢測(cè)的數(shù)字溫度量從存儲(chǔ)器中取出對(duì)應(yīng)的補(bǔ)償電壓數(shù)據(jù),經(jīng)D/A變換器變換成模擬電壓,進(jìn)而調(diào)節(jié)晶體振蕩器的頻率。
      本發(fā)明采取直接補(bǔ)償對(duì)講機(jī)的鎖相環(huán)電路的晶體振蕩器,從而達(dá)到頻率的穩(wěn)定。其與對(duì)講機(jī)共用微處理器、存儲(chǔ)器、A/D等,充分利用了對(duì)講機(jī)中微控制器和存儲(chǔ)器等硬件資源,因此,可以大大降低成本,縮小整機(jī)的體積。
      它將DTCXO部分和對(duì)講機(jī)的主控部分結(jié)合在一起,不僅資源浪費(fèi)減少,而且在滿足-25℃~+50℃、溫率穩(wěn)定度小于2.5PPm指標(biāo)條件下,可以大批量生產(chǎn)。


      圖1是本發(fā)明的系統(tǒng)原理框圖;圖2是AT切型晶體的溫度頻率特性;圖3是溫度頻率規(guī)一化特性曲線;圖4是溫度頻率補(bǔ)償特性曲線;圖5是電壓與頻差的關(guān)系曲線;圖6是補(bǔ)償電壓與溫度關(guān)系曲線。
      工作時(shí),在程序的控制下,微控制器(104)根據(jù)溫度檢測(cè)電路(102)檢測(cè)到的環(huán)境溫度值,從存儲(chǔ)器(103)中取出對(duì)應(yīng)的補(bǔ)償電壓數(shù)據(jù),經(jīng)D/A(105)變換成控制電壓,通過電阻R1加到晶體振蕩器的變?nèi)莨蹹VI,使振蕩器(101)頻率保持穩(wěn)定。因此,只要預(yù)先在存儲(chǔ)器中存入為補(bǔ)償晶體溫度頻差相對(duì)應(yīng)的補(bǔ)償電壓數(shù)據(jù)就能實(shí)現(xiàn)補(bǔ)償。
      其中,對(duì)講機(jī)中一般也需要有微控制器和存儲(chǔ)器,因此,無需為晶體振蕩器的溫度補(bǔ)償另增加微控制器和存儲(chǔ)器,并且,現(xiàn)在很多型號(hào)的微控制器都內(nèi)置有A/D變換器,具體實(shí)施例中可以采用內(nèi)置A/D變換器的微控制器。D/A變換器可以采用集成芯片,本發(fā)明采用R-2R電阻網(wǎng)絡(luò)組成,由于變?nèi)莨苁歉咦杩馆斎?,因此R-2R網(wǎng)絡(luò)的輸出可直接作為補(bǔ)償調(diào)諧電壓,無需接運(yùn)放輸出。至于晶體振蕩器,可直接由晶體與鎖相環(huán)IC內(nèi)部電路組成振蕩器。綜上所述,由于與對(duì)講機(jī)共用器件,可以大大節(jié)省成本。
      本發(fā)明另一個(gè)突出特點(diǎn)就是補(bǔ)償電壓數(shù)據(jù)的產(chǎn)生方法,一般數(shù)字溫度補(bǔ)償晶體振蕩器的補(bǔ)償數(shù)據(jù),需要掃描并記錄整個(gè)溫度范圍內(nèi)的晶體振蕩器的特性,從而產(chǎn)生相應(yīng)的補(bǔ)償數(shù)據(jù)。其優(yōu)點(diǎn)是各溫度點(diǎn)的補(bǔ)償數(shù)據(jù)精確,晶體振蕩器的輸出頻率穩(wěn)定度高,其缺點(diǎn)是需昂貴的晶體測(cè)試儀器和相對(duì)多的測(cè)試時(shí)間。
      本發(fā)明根據(jù)AT切型晶體特性,由專業(yè)晶體生產(chǎn)廠家提供-30℃、-20℃、+15℃、+40℃、+60℃五個(gè)溫度點(diǎn)頻差值,計(jì)算出補(bǔ)償電壓數(shù)值。其優(yōu)點(diǎn)是免除對(duì)昂貴的晶體測(cè)試儀器的投資,晶體溫度點(diǎn)的測(cè)試由專業(yè)晶體生產(chǎn)廠家完成,通常晶體廠家均具有較好的晶體測(cè)試儀器,且測(cè)試溫度點(diǎn)只需五個(gè),因此測(cè)試時(shí)間相對(duì)短,其不足之處是精度稍差,但對(duì)于小于2.5PPm頻率穩(wěn)定度的標(biāo)準(zhǔn)是絕對(duì)無問題的。
      補(bǔ)償電壓數(shù)據(jù)的產(chǎn)生方法具體如下AT切型晶體具有如圖2所示的溫度頻率特性,由于切割角的變化,每一個(gè)晶體在各個(gè)溫度點(diǎn)的頻差都不相同,但都能用公式(1)描述,只是各次系數(shù)有所不同。
      Δf/f=a0(T-T0)4+b0(T-T0)3+c0(T-T0)2+d0(T-T0)+e0(1)式中T(-30℃~+60℃)任意溫度點(diǎn)T025℃參考溫度對(duì)于特定的晶體,使用廠方給出的-20℃、+15℃、+40℃、+60℃五個(gè)溫度點(diǎn)頻差值,使用矩陣方程求出該晶體的系數(shù)a0~e0之值,然后用公式計(jì)算出個(gè)溫度點(diǎn)對(duì)應(yīng)的頻差,畫出如圖3所示的規(guī)一化(取25℃值為參考零值)曲線。取其反值(為使頻差等于零需要提供的頻差補(bǔ)償值),如圖4。再利用已經(jīng)測(cè)得的補(bǔ)償電壓與補(bǔ)償頻差的關(guān)系公式(2),Vc=0.0001(Δf/f+7)3+0.0006(Δf/f+7)2+0.1411(Δf/f+7)+0.6061(2)曲線如圖5,就可計(jì)算補(bǔ)償電壓值,如圖6補(bǔ)償電壓與溫度關(guān)系曲線,將其量化存入E2PROM(103)中就完成了該晶體的補(bǔ)償工作。
      以上計(jì)算補(bǔ)償電壓的過程已編成微機(jī)軟件,工作時(shí),根據(jù)廠家的晶體編號(hào),將晶體相應(yīng)五個(gè)點(diǎn)的溫度頻差值用鍵盤輸入微機(jī)中,就可以形成該晶體對(duì)應(yīng)的補(bǔ)償數(shù)據(jù),然后通過接口寫人裝有該晶體的對(duì)講機(jī)的E2PROM(103)中,就完成了補(bǔ)償工作。
      權(quán)利要求
      1.一種對(duì)講機(jī)的晶體振蕩器數(shù)字溫度補(bǔ)償方法,基于包括微控制器和存儲(chǔ)器的系統(tǒng),其特征在于采取如下步驟a、將溫度檢測(cè)電路檢測(cè)到的晶體振蕩器的溫度值送入A/D變換器轉(zhuǎn)換為數(shù)字量,b、對(duì)講機(jī)的微控制器以所述的數(shù)字量為地址從存儲(chǔ)器中取出晶體對(duì)應(yīng)的補(bǔ)償電壓數(shù)據(jù),經(jīng)D/A變換器交換成模擬電壓,輸入晶體振蕩器的變?nèi)莨蹹VI進(jìn)而調(diào)節(jié)晶體振蕩器的頻率。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述對(duì)講機(jī)的晶體振蕩器數(shù)字溫度補(bǔ)償方法,其特征在于存儲(chǔ)器中駐留有所用晶體振蕩器的補(bǔ)償電壓數(shù)據(jù)表。
      3.根據(jù)權(quán)利要求2對(duì)講機(jī)的晶體振蕩器數(shù)字溫度補(bǔ)償方法,其特征在于所述存儲(chǔ)器中的所用晶體振蕩器的補(bǔ)償電壓數(shù)據(jù)表,是根據(jù)AT切型晶體特性,由所用晶體的-30℃、-20℃、+15℃、+40℃、+60℃五個(gè)溫度點(diǎn)頻差值計(jì)算出的。
      4.對(duì)講機(jī)的晶振數(shù)字溫度補(bǔ)償系統(tǒng),包括微控制器、存儲(chǔ)器和晶體振蕩電路,其特征在于還包括晶體振蕩電路的溫度檢測(cè)電路、A/D變換器以及D/A變換器;所述微控制器、存儲(chǔ)器是對(duì)講機(jī)的微控制器和存儲(chǔ)器,微控制器根據(jù)檢測(cè)的數(shù)字溫度量從存儲(chǔ)器中取出對(duì)應(yīng)的補(bǔ)償電壓數(shù)據(jù),經(jīng)D/A變換器交換成模擬電壓,進(jìn)而調(diào)節(jié)晶體振蕩電路的頻率。
      5.根據(jù)權(quán)利要求4所述對(duì)講機(jī)的晶振數(shù)字溫度補(bǔ)償系統(tǒng),其特征在于所述A/D變換器是微控制器的內(nèi)置式A/D變換器。
      6.根據(jù)權(quán)利要求4所述對(duì)講機(jī)的晶振數(shù)字溫度補(bǔ)償系統(tǒng),其特征在于所述D/A變換器采用電阻網(wǎng)絡(luò)變換器。
      全文摘要
      一種對(duì)講機(jī)的晶體振蕩器數(shù)字溫度補(bǔ)償方法,基于包括微控制器、存儲(chǔ)器以及晶體振蕩器的系統(tǒng),其特征在于采取如下步驟a.將溫度檢測(cè)電路檢測(cè)到的晶體振蕩器的溫度值送入A/D變換器轉(zhuǎn)換為數(shù)字量;b.對(duì)講機(jī)的微控制器以所述的數(shù)字量為地址從存儲(chǔ)器中取出晶體對(duì)應(yīng)的補(bǔ)償電壓數(shù)據(jù),經(jīng)D/A變換器交換成模擬電壓,輸入晶體振蕩器的變?nèi)莨蹹VI,進(jìn)而調(diào)節(jié)晶體振蕩器的頻率。其與對(duì)講機(jī)共用微處理器、存儲(chǔ)器、A/D等,充分利用了對(duì)講機(jī)中微控制器和存儲(chǔ)器等硬件資源,因此,可以大大降低成本,縮小整機(jī)的體積;而且在滿足-25℃~+50℃、溫率穩(wěn)定度小于2.5PPm指標(biāo)條件下,可以大批量生產(chǎn)。
      文檔編號(hào)H04Q5/24GK1411288SQ01129748
      公開日2003年4月16日 申請(qǐng)日期2001年10月10日 優(yōu)先權(quán)日2001年10月10日
      發(fā)明者曾少球 申請(qǐng)人:德金通電訊(深圳)有限公司
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