專利名稱：Rf功率放大器電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種RF功率放大器電路，其具有至少一個(gè)功率晶體管和保護(hù)電路，該保護(hù)電路保護(hù)功率晶體管不受導(dǎo)致晶體管破壞性損壞的高電壓的影響。這種RF功率放大器電路被用在移動(dòng)通信技術(shù)中并被連接于例如移動(dòng)電話的天線。
本發(fā)明進(jìn)一步涉及一種包括RF功率放大器的無(wú)線通信設(shè)備。
背景技術(shù)：
JP 3228409 A公開了一種高頻功率放大器，在其中作為檢測(cè)到功率放大器的電供給電壓的結(jié)果，功率放大器電路調(diào)整器元件的偏置電壓被控制。通過(guò)測(cè)量電源的電壓，有關(guān)功率放大器的半導(dǎo)體元件處的電壓的僅間接信息可被獲得。因此，對(duì)功率放大器的半導(dǎo)體元件的保護(hù)是關(guān)鍵的。此外，Zener二極管被使用，并且這添加給器件的處理成本，這是因?yàn)樵诂F(xiàn)有IC生產(chǎn)過(guò)程中在IC電路中集成Zener二極管是較為困難且較為昂貴的。
US-A 3,852,669公開了一種失配保護(hù)電路，其保護(hù)通信發(fā)射器的功率晶體管不損壞過(guò)多的反射功率，如可能在天線被斷開或破壞時(shí)所發(fā)生的。在該電路中，表示前向和反射功率或VSWR(電壓駐波比)的參數(shù)被監(jiān)視。當(dāng)存在過(guò)度的失配時(shí)，被提供給功率晶體管的DC源被瞬間切斷而回到安全低電平。由于反饋控制回路被用于僅調(diào)節(jié)供給電壓，保護(hù)是間接保護(hù)，并且借助定向耦合器的解決方案是昂貴的。
US-A 4,353,037公開了一種用于發(fā)射器放大器的保護(hù)電路，其提供功率電平測(cè)量并作為反射功率與前向功率之比的函數(shù)而控制發(fā)射器輸出功率。該電路傳感前向功率電平并產(chǎn)生被與基準(zhǔn)電壓比較的第一電壓以提供控制電壓，其控制由發(fā)射器放大器產(chǎn)生的功率。反射功率被傳感，并且當(dāng)反射功率與前向功率之比超過(guò)預(yù)定電平時(shí)，被與第一電壓的部分比較的第二電壓被產(chǎn)生，并且使基準(zhǔn)電壓減小。還有，定向耦合器被用于獨(dú)立的前向和逆功率檢測(cè)。過(guò)前向和逆功率的檢測(cè)和功率驅(qū)動(dòng)供給電壓的減小導(dǎo)致用于該保護(hù)性器件的相對(duì)高的成本。
技術(shù)發(fā)展水平所針對(duì)的技術(shù)問(wèn)題是在負(fù)載失配的情況下保護(hù)功率晶體管。如果天線的阻抗被改變，則功率放大器的功率晶體管的輸出集電極處的阻抗亦改變。阻抗的差異(失配)可導(dǎo)致高VSWR，其導(dǎo)致功率晶體管的輸出集電極上的高電壓。這可導(dǎo)致功率晶體管的破壞性損壞。
如果功率放大器可可承受高功率工作下的高VSWR，則它被稱為“堅(jiān)固的”。下一代功率放大器必須具有較高的電效率，而這將通過(guò)降低輸出損失來(lái)實(shí)現(xiàn)。然而，這涉及功率晶體管的輸出集電極處的更高的VSWR，其又意味著功率放大器將是較不堅(jiān)固的。因此，如果沒(méi)有對(duì)堅(jiān)固性的解決方案，則不能獲得較高的效率。
技術(shù)發(fā)展水平的兩種電路并不適合于作為用于電信應(yīng)用的功率放大器，這是因?yàn)檫@種功率放大器以1-2GHz的頻率工作或者是基于定向耦合器。這種定向耦合器基于某些嚴(yán)重的缺點(diǎn)，這是因?yàn)樗鼈円鹦蕮p失。此外，雙向耦合器監(jiān)視入射和反射功率。因此，在某些失配條件下，來(lái)自耦合器的信號(hào)不能被用于確定功率放大器的功率晶體管的輸出端子處的電壓。
依照本發(fā)明的無(wú)線通信裝置包括RF功率放大器電路，其具有至少一個(gè)輸出功率晶體管和保護(hù)電路，該保護(hù)電路保護(hù)功率晶體管不受導(dǎo)致功率晶體管破壞性損壞的高電壓的影響，所述電路包括偏置功率晶體管的偏置電路，檢測(cè)功率晶體管的輸出電壓的峰值檢測(cè)器，以及比較器電路，其被連接于峰值檢測(cè)器并被設(shè)計(jì)成當(dāng)受控于峰值檢測(cè)器時(shí)減小功率晶體管的基極電流。
諸如移動(dòng)電話的無(wú)線通信裝置將其電源主要依賴于電池，因此效率是極其重要的。此外，為了可靠的工作，需要RF功率放大器能處理負(fù)載的失配。這是借助依照本發(fā)明的無(wú)線通信裝置來(lái)實(shí)現(xiàn)的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的尤其是提供一種功率放大器，其具有與增加的效率相結(jié)合的較好的堅(jiān)固性。
為了實(shí)現(xiàn)以上目的，RF功率放大器包括輸出級(jí)，其提供功率放大器的功率；偏置電路，其偏置輸出級(jí)的功率晶體管；峰值檢測(cè)器，其測(cè)量功率晶體管的輸出；以及比較器電路，其被連接于峰值檢測(cè)器并被設(shè)計(jì)成當(dāng)受控于峰值檢測(cè)器時(shí)減小功率晶體管的基極電流。
本發(fā)明的電路具有以下優(yōu)點(diǎn)沒(méi)有定向耦合器被使用且功率晶體管的輸出端子處的峰值電壓被直接檢測(cè)，并且依照功率晶體管的輸出電壓的測(cè)量的結(jié)果而控制功率晶體管的基極電流。
依照本發(fā)明的有利實(shí)施例，一種RF功率放大器電路被提供，其中偏置電路包括電壓到電流轉(zhuǎn)換器和偏置晶體管，偏置晶體管的基極被連接于比較器電路。通過(guò)該電路安排，功率晶體管的基極處的基極電流被結(jié)合檢測(cè)器的輸出而直接控制，從而導(dǎo)致將功率晶體管的輸出端子處的峰值電壓限制于可接受的電平。
依照本發(fā)明進(jìn)一步有利的實(shí)施例，一種RF功率放大器電路被提供，其中功率晶體管的集電極被連接于峰值檢測(cè)器。這意味著功率晶體管的輸出電壓被直接檢測(cè)于集電極端子處，其是要保護(hù)的急劇危險(xiǎn)的點(diǎn)。
依照本發(fā)明進(jìn)一步有利的實(shí)施例，一種RF功率放大器電路被提供，其中峰值檢測(cè)器通過(guò)電容器連接于功率晶體管的輸出集電極。該電容器將完整的RF輸出信號(hào)耦合于峰值檢測(cè)器。
依照本發(fā)明進(jìn)一步有利的實(shí)施例，一種RF功率放大器電路被提供，其中峰值檢測(cè)器包括被連接于電容器的二極管，所述電容器將功率晶體管的輸出信號(hào)耦合于峰值檢測(cè)器。這允許將峰值檢測(cè)器中的功率晶體管的輸出電平測(cè)量為DC電壓。
依照本發(fā)明進(jìn)一步有利的實(shí)施例，一種RF功率放大器電路被提供，其中電容器被安排于二極管和接地之間以平滑峰值檢測(cè)器中的DC電壓。
依照本發(fā)明進(jìn)一步有利的實(shí)施例，一種RF功率放大器電路被提供，其中峰值檢測(cè)器包括分壓電阻器，其被連接于電容器和接地之間。通過(guò)設(shè)計(jì)分壓電阻器裝置中的電阻器的值，輸出放大器的輸出功率應(yīng)被限制的電平可被限定。
依照本發(fā)明進(jìn)一步有利的實(shí)施例，一種RF功率放大器電路被提供，其中分壓電阻器的一個(gè)或幾個(gè)電阻器是可調(diào)節(jié)的。功率晶體管的輸出處的電壓限制可由此根據(jù)需要而被調(diào)節(jié)。
依照本發(fā)明進(jìn)一步有利的實(shí)施例，一種RF功率放大器電路被提供，其中分壓電阻器的中間節(jié)點(diǎn)是峰值檢測(cè)器的輸出。在該中間端子處，可為檢測(cè)器得到電壓，該電壓適合于由比較器電路來(lái)處理。
依照本發(fā)明進(jìn)一步有利的實(shí)施例，一種RF功率放大器電路被提供，其中比較器電路包括晶體管和串聯(lián)連接的L-1個(gè)二極管58(1)到58(L-1)以設(shè)置比較器中的基準(zhǔn)電壓。
依照本發(fā)明進(jìn)一步有利的實(shí)施例，一種RF功率放大器電路被提供，其中比較器電路通過(guò)晶體管連接于偏置電路的偏置晶體管的基極以直接控制功率晶體管的偏置電壓。
依照本發(fā)明進(jìn)一步有利的實(shí)施例，一種RF功率放大器電路被提供，其中比較器電路的輸入晶體管的集電極端子被連接于供給電壓并且發(fā)射極通過(guò)所述串聯(lián)的二極管連接于接地。
依照本發(fā)明進(jìn)一步有利的實(shí)施例，一種RF功率放大器電路被提供，該放大器電路具有多個(gè)功率晶體管，每個(gè)都被連接于偏置電路，其中峰值檢測(cè)器的輸出通過(guò)比較器電路和電流反射鏡晶體管連接于功率晶體管的相應(yīng)偏置電路。在多個(gè)放大器級(jí)的情況下，僅必需包括被連接于偏置電路的幾個(gè)功率晶體管的基準(zhǔn)電路。由此節(jié)省了半導(dǎo)體元件，這是因?yàn)橛糜谙薅ɑ鶞?zhǔn)電壓的電路元件僅被提供一次。
依照本發(fā)明進(jìn)一步有利的實(shí)施例，一種RF功率放大器電路被提供，該放大器電路包括開關(guān)，其被連接于Vsupply和峰值檢測(cè)器之間，該開關(guān)的ON和OFF狀態(tài)受控于Vcontrol。當(dāng)Vsup＞0且Vcontrol＝0時(shí)，所述開關(guān)和電容器確保了Isupply為零。
依照本發(fā)明進(jìn)一步有利的實(shí)施例，一種RF功率放大器電路被提供，該放大器電路包括濾波器，其包括電阻器和電容器，該電容器從電阻器之間的節(jié)點(diǎn)被連接于接地，所述濾波器被安排于開關(guān)和峰值檢測(cè)器之間以防止到功率放大器的源線中的RF注入。
依照本發(fā)明進(jìn)一步有利的實(shí)施例，一種RF功率放大器電路被提供，其中該電路以1-2GHz運(yùn)行。已發(fā)現(xiàn)，即使處于較高效率水平，有利實(shí)施例確保了堅(jiān)固性，這可在所需的頻率范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)。


可參照本說(shuō)明書的剩余部分和附圖來(lái)進(jìn)一步理解本發(fā)明實(shí)施例的特性和優(yōu)點(diǎn)，在附圖中圖1示出具有一個(gè)功率晶體管和保護(hù)電路的RF功率放大器；圖2示出具有三級(jí)和保護(hù)電路的RF功率放大器；圖3是功率放大器晶體管的集電極電壓對(duì)時(shí)間的圖形表示；
圖4是功率放大器晶體管的集電極電壓對(duì)信號(hào)相位的圖形表示；并且圖5是功率放大器晶體管的集電極電壓對(duì)晶體管供給電壓的圖形表示。
具體實(shí)施例方式
圖1的RF功率放大器電路具有功率晶體管2和保護(hù)電路4，該保護(hù)電路保護(hù)功率晶體管2不受導(dǎo)致功率晶體管2破壞性損壞的高電壓的影響。功率晶體管2由偏置功率晶體管2的偏置電路6來(lái)偏置。保護(hù)電路4包括測(cè)量功率晶體管2的輸出電壓的峰值檢測(cè)器8和開關(guān)10。當(dāng)受控于峰值檢測(cè)器8時(shí)，被連接于峰值檢測(cè)器8的控制電路12被設(shè)計(jì)成減小功率晶體管2的基極電流。輸出級(jí)的輸出通過(guò)匹配電路饋送給負(fù)載16，即天線。所述負(fù)載通常具有50歐姆，并且如果負(fù)載被改變且超過(guò)某個(gè)值的失配由此被產(chǎn)生，則保護(hù)功率晶體管2不受損壞是保護(hù)電路4的目的。
功率晶體管2的集電極通過(guò)電感器18連接于供給電壓Vsupply，而功率晶體管2的基極通過(guò)電感器20連接于偏置電路6。功率晶體管的發(fā)射極被接地，并且輸入信號(hào)通過(guò)電容器22從輸入Pin饋送給功率晶體管2的基極。
偏置電路6包括電壓到電流轉(zhuǎn)換器(VCC)24，其包括一對(duì)pnp晶體管26、28，該晶體管26、28的發(fā)射極通過(guò)電阻器30被共同連接于接地。晶體管26、28僅被示意性地示出(為清楚起見，詳細(xì)的電路被省略)。控制電壓Vcontrol被饋送給晶體管26的基極，而基準(zhǔn)電壓Vref被饋送給另一個(gè)晶體管28的基極?？刂齐妷篤control是控制開關(guān)10的ON和OFF狀態(tài)的信號(hào)，并且例如在移動(dòng)電話應(yīng)用中，該信號(hào)指示是否從功率晶體管需要輸出，并且如果是這樣，從功率晶體管需要多少功率。
電壓到電流轉(zhuǎn)換器2的明顯輸出，即電流J1，被饋送給電流反射鏡電路，其包括晶體管32、34。晶體管32作為二極管被連接于電壓到電流轉(zhuǎn)換器24和供給電壓Vsupply之間。晶體管32的基極被連接于晶體管34的基極。晶體管34的發(fā)射極被連接于Vsupply，而晶體管34的集電極通過(guò)另外的晶體管36連接于接地。晶體管36的基極通過(guò)電感20連接于功率晶體管2的基極。另外的晶體管38被連接于Vsupply和晶體管36的基極之間以具有貝塔補(bǔ)償，即使對(duì)于M的大比率(在以下說(shuō)明)。來(lái)自比較器電路12的信號(hào)，即電流Jf，被饋送給晶體管36的集電極和晶體管38的基極。
開關(guān)10被連接于Vsupply和峰值檢測(cè)器8之間，該開關(guān)的ON和OFF狀態(tài)受控于Vcontrol。包括電阻器40、42和從電阻器40、42之間的節(jié)點(diǎn)被連接于接地的電容器44的濾波器電路被安排于開關(guān)10和峰值檢測(cè)器8之間以防止到功率放大器的源線中的RF注入。
功率晶體管2的集電極通過(guò)電容器46連接于峰值檢測(cè)器8。峰值檢測(cè)器8包括分壓電阻器裝置，其包括電阻器48、50，被安排于電容器46和接地之間。分壓電阻器裝置通過(guò)二極管52連接于電容器46并通過(guò)電容器53連接于接地。分壓電阻器裝置的中間節(jié)點(diǎn)54是到比較器電路12的峰值檢測(cè)器8的輸出。
比較器電路12比較峰值檢測(cè)器8的輸出與基準(zhǔn)電壓。在圖1的實(shí)施例中，基準(zhǔn)電壓Vref被選擇成功率晶體管2的基極發(fā)射極電壓的L倍。比較器電路12包括晶體管56，其基極被連接于峰值檢測(cè)器8的輸出，并且晶體管56的發(fā)射極被連接于Vsupply。比較器電路12進(jìn)一步包括串聯(lián)連接的L-1個(gè)二極管58(1)到58(L-1)。該系列的最后的二極管58(L-1)形成具有晶體管60的電流反射鏡電路，其中晶體管60的基極被連接于形成二極管58(L-1)的晶體管的基極，并且晶體管60的發(fā)射極被連接于偏置電路6的偏置晶體管38的基極。晶體管60的發(fā)射極通過(guò)電容器62連接于接地，這避免了在限制功率晶體管2的集電極處的電壓期間可發(fā)生的反饋回路中的無(wú)阻尼振蕩(在以下提及)。
圖1的電路的二極管被實(shí)施為雙極晶體管，其基極和集電極是被短路的，這在將電路集成于芯片上時(shí)是有利的。
圖1的電路工作如下。控制電壓Vcontrol被施加于至電流轉(zhuǎn)換器24的電壓，并且變換為電流I1＝(Vcontrol-Vref)/R1，其通過(guò)pnp電流反射鏡晶體管32、34反射成I2＝N*I1。該電流再次由npn電流反射鏡晶體管36和2反射成Ibias＝M*I2＝N*M*I1 (1)其中N和M是縮放比率。Ibias偏置功率晶體管2。這種縮放增加了功率添加效率，其部分地由縮放比率N和M來(lái)確定。
在RF工作下，形成二極管52的晶體管的集電極處的電壓由峰值檢測(cè)器8來(lái)傳感。如果Vcontrol＞0，則峰值檢測(cè)器8的輸入處的電壓與功率晶體管2的集電極處的電壓相同Vdiode_int＝Vc＝Vsupply+Vrf (2)
其中Vrf是晶體管2的集電極處的RF電壓，而Vsupply是供給電壓。
開關(guān)10和電容46用來(lái)滿足對(duì)于某個(gè)功率放大器來(lái)說(shuō)重要的條件當(dāng)Vsup＞0且Vcontrol＝0時(shí)，則Isupply必須為零。在圖1的電路中，當(dāng)Vcontrol＞0時(shí)，開關(guān)10將Vsupply饋送給峰值檢測(cè)器8的輸入，并且電容46將RF信號(hào)饋送給峰值檢測(cè)器8的輸入并拒絕Vsupply。當(dāng)Vcontrol＝0時(shí)，開關(guān)10是關(guān)斷的，并且沒(méi)有電流通過(guò)峰值檢測(cè)器8流動(dòng)。
峰值檢測(cè)器8的輸出是低頻信號(hào)Vdet＝k*Vdiod_int＝k*Vc (3)其中k是0.9和1之間的整流系數(shù)。該信號(hào)由包括電阻器48、50的電阻分壓器來(lái)劃分，并且Vdet1是輸出，然后被與比較器電路12中的基準(zhǔn)電壓比較。基準(zhǔn)電壓等于l*Vbe，其中l(wèi)＝1。L是在比較器電路12中被串聯(lián)連接的晶體管的數(shù)量。
Vdet1＝k*Vc*R5/(R4+R5) (4)在某個(gè)集電極電壓(Vc_max)下，如果Vdet1_max超過(guò)l*Vbe，則包括功率晶體管2、峰值檢測(cè)器8、比較器12和偏置電路6的一部分的反饋回路產(chǎn)生電流If，其從I2中被減去，從而減小Ibias并且迫使Vdet1_max＝l*Vbe (5)在(5)中替換(4)得到Vc_max＝l*Vbe*(1+R4/R5)/k(6)通過(guò)選取比較器電路12中的晶體管的適當(dāng)數(shù)量(1)和電阻器48與電阻器50的適當(dāng)比率，功率晶體管2的集電極處的電壓可被有效地限制，并且功率放大器可被保持在安全工作區(qū)域中，從而防止通過(guò)功率晶體管2的集電極處的高電壓而導(dǎo)致的損壞。在被與Vbe耦合的情況下，功率晶體管2的集電極處的電壓具有以下優(yōu)點(diǎn)Vbe具有與破壞電壓BVcb0相同的溫度趨勢(shì)。
圖2示出RF功率放大器電路的實(shí)施例，其被用在移動(dòng)通信中，并且具有三個(gè)功率放大器電路級(jí)，每個(gè)都分別包括功率晶體管70、72、74，所述功率晶體管的基極電極的每個(gè)都通過(guò)電感器76、78、80連接于偏置電路82、84、86的輸出，并且所述功率晶體管的集電極的每個(gè)都通過(guò)另外的電感器88、90、92連接于偏置電路82、84、86輸出的供給電壓Vsupply。偏置電路82、84、86被類似于圖1的偏置電路6而設(shè)計(jì)。輸入信號(hào)被輸入給功率晶體管70、72、74，它是通過(guò)電容器94從輸入端子Pin到晶體管70的基極，通過(guò)電容器96從晶體管70的集電極到晶體管72的基極，并且通過(guò)電容器98從晶體管72的集電極到晶體管74的基極。輸出功率晶體管74的輸出通過(guò)控制電路100連接于比較器電路102?？刂齐娐?00中的峰值檢測(cè)器被連接于功率晶體管74的集電極。功率晶體管的集電極亦通過(guò)匹配電路104連接于負(fù)載(天線)106。
電壓Vref1、Vref2、Vref3作為Vcontrol的函數(shù)而確定每個(gè)級(jí)的打開。功率晶體管74的集電極處的電壓由控制電路(圖1)來(lái)傳感，并且在失配的過(guò)程中，如果所檢測(cè)的且被劃分的電壓超過(guò)比較器電路102的基準(zhǔn)電壓(l*Vbe)，則由比較器電路102的輸出控制的晶體管112、114和116將以以下方式分別調(diào)節(jié)偏置電路82、84、86中的電流即功率晶體管74的集電極處的電壓將依照以上的方程(6)而被限制。
圖3示出作為Vc_prot的具有依照本發(fā)明的保護(hù)電路和作為額定條件下，即50歐姆負(fù)載和Vsupply＝3，5V的Vc的沒(méi)有依照本發(fā)明的保護(hù)電路的圖1功率晶體管2的集電極電壓VC。由于在該圖形表示中沒(méi)有差別，在這個(gè)程度上這兩個(gè)曲線其相同的。這意味著在額定條件下保護(hù)電路不影響RF功率放大器的工作。
圖4示出在失配是1∶12的失配情況下對(duì)信號(hào)相位的作為Vcol_prot的具有本發(fā)明的保護(hù)電路和作為Vcol的沒(méi)有本發(fā)明的保護(hù)電路的功率晶體管2的集電極處的電壓。在負(fù)載是50歐姆的額定條件下，1∶12的失配可能意味著50∶12＝4，17歐姆或者50×12＝600歐姆。
圖5示出在失配是1∶12的失配情況下針對(duì)不同供給電壓的作為Vc_prot的具有本發(fā)明的保護(hù)電路10和作為Vcol的沒(méi)有本發(fā)明的保護(hù)電路10的晶體管2的集電極處的電壓。
從圖4和5中可看到，在被用于產(chǎn)生圖4和5的曲線圖的特定電路中，功率晶體管2的集電極電壓被限制于大約13V。該電平以上的任何電壓被借助于保護(hù)電路10而切除。
應(yīng)理解，以上描述旨在是說(shuō)明性的而不是局限性的?；趯?duì)以上描述的回顧，許多實(shí)施例對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員將是顯而易見的。因此，本發(fā)明的范圍不應(yīng)參考以上描述來(lái)確定，相反，應(yīng)參照所附的權(quán)利要求以及等效于這些權(quán)利要求被給予權(quán)利的全范圍來(lái)確定。
權(quán)利要求
1.一種RF功率放大器電路，其具有至少一個(gè)輸出功率晶體管和保護(hù)電路，該保護(hù)電路保護(hù)功率晶體管不受導(dǎo)致功率晶體管破壞性損壞的高電壓的影響，所述電路包括偏置電路(6)，其偏置功率晶體管(2)；峰值檢測(cè)器(8)，其檢測(cè)功率晶體管的輸出電壓；以及比較器電路(12)，其被連接于峰值檢測(cè)器(8)并被設(shè)計(jì)成當(dāng)受控于峰值檢測(cè)器時(shí)減小功率晶體管(2)的基極電流。
2.權(quán)利要求1的RF功率放大器電路，其中偏置電路(6)包括電壓到電流轉(zhuǎn)換器(24)和偏置晶體管(36)，偏置晶體管(36)的基極被連接于比較器電路。
3.權(quán)利要求1的RF功率放大器電路，其中功率晶體管(2)的集電極通過(guò)電容器(46)連接于峰值檢測(cè)器(8)。
4.權(quán)利要求1或3的RF功率放大器電路，其中峰值檢測(cè)器(8)包括二極管(52)，其被連接于電容器(46)，該電容器將功率晶體管(2)連接于峰值檢測(cè)器(8)。
5.權(quán)利要求4的RF功率放大器電路，其中電容器(53)被安排于二極管(52)和地之間。
6.任何一個(gè)先前權(quán)利要求的RF功率放大器電路，其中峰值檢測(cè)器(8)包括分壓電阻器(48、50)，其被連接于電容器(46)和地之間。
7.權(quán)利要求6的RF功率放大器電路，其中分壓電阻器的一個(gè)或幾個(gè)電阻器是可調(diào)節(jié)的。
8.權(quán)利要求6或7的RF功率放大器電路，其中分壓電阻器的中間節(jié)點(diǎn)是峰值檢測(cè)器的輸出。
9.權(quán)利要求1的RF功率放大器電路，其中比較器電路(12)包括晶體管(56)和串聯(lián)連接的L-1個(gè)二極管58(1)到58(L-1)。
10.任何一個(gè)先前權(quán)利要求的RF功率放大器電路，其中比較器電路(12)通過(guò)晶體管(62)連接于偏置電路(6)的偏置晶體管(38)的基極。
11.任何一個(gè)先前權(quán)利要求的RF功率放大器電路，其中比較器電路(12)的輸入晶體管(56)的集電極端于被連接于供給電壓并且發(fā)射極通過(guò)二極管的系列連接于接地。
12.任何一個(gè)先前權(quán)利要求的RF功率放大器電路，其具有多個(gè)功率晶體管(72、74、76)，每個(gè)都被連接于偏置電路(82、84、86)，其中被包括在控制電路(100)中的峰值檢測(cè)器的輸出通過(guò)比較器電路(102)和電流反射鏡晶體管(112、114、116)連接于功率晶體管(72、74、76)的相應(yīng)偏置電路(82、84、86)。
13.任何一個(gè)先前權(quán)利要求的RF功率放大器電路，其包括開關(guān)(10)，其被連接于Vsupply和峰值檢測(cè)器(8)之間，該開關(guān)的ON和OFF狀態(tài)受控于Vcontrol。
14.任何一個(gè)先前權(quán)利要求的RF功率放大器電路，其包括濾波器，該濾波器包括電阻器(40、42)和電容器(44)，該電容器從電阻器(40、42)之間的節(jié)點(diǎn)被連接于接地，所述濾波器被安排于開關(guān)(10)和峰值檢測(cè)器(8)之間。
15.一種無(wú)線通信裝置，其包括RF功率放大器電路，該電路具有至少一個(gè)輸出功率晶體管和保護(hù)電路，該保護(hù)電路保護(hù)功率晶體管不受導(dǎo)致功率晶體管破壞性損壞的高電壓的影響，所述電路包括偏置電路(6)，其偏置功率晶體管(2)；峰值檢測(cè)器(8)，其檢測(cè)功率晶體管的輸出電壓；以及比較器電路(12)，其被連接于峰值檢測(cè)器(8)并被設(shè)計(jì)成當(dāng)受控于峰值檢測(cè)器時(shí)減小功率晶體管(2)的基極電流。
全文摘要
一種RF功率放大器電路具有至少一個(gè)輸出功率晶體管和保護(hù)電路，該保護(hù)電路保護(hù)功率晶體管不受導(dǎo)致功率晶體管破壞性損壞的高電壓的影響。所述電路包括功率晶體管(2)；偏置電路(6)，其偏置功率晶體管(2)；峰值檢測(cè)器(8)，其檢測(cè)功率晶體管的輸出電壓；以及比較器電路(12)，其被連接于峰值檢測(cè)器(8)并被設(shè)計(jì)成當(dāng)受控于峰值檢測(cè)器(8)時(shí)減小功率晶體管(2)的基極電流。
文檔編號(hào)H04B1/04GK1572055SQ02820426
公開日2005年1月26日 申請(qǐng)日期2002年10月2日 優(yōu)先權(quán)日2001年10月16日
發(fā)明者D·P·普里克霍德科, A·G·W·P·范祖?zhèn)? N·克拉梅 申請(qǐng)人:皇家飛利浦電子股份有限公司