專利名稱：光檢測(cè)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及排列有多個(gè)光電二極管的光檢測(cè)裝置。
背景技術(shù)：
光檢測(cè)裝置具備一維狀或二維狀排列的多個(gè)光電二極管、以及包含放大器和電容器的積分電路，有時(shí)還有后續(xù)的信號(hào)處理電路。在該光檢測(cè)裝置中，量值上與向各光電二極管的入射光強(qiáng)度對(duì)應(yīng)的電荷從該光電二極管輸出，該電荷蓄積于電容器，對(duì)應(yīng)于該蓄積的電荷的量的電壓從積分電路輸出。根據(jù)對(duì)應(yīng)于多個(gè)光電二極管各自發(fā)生的電荷量由積分電路輸出的電壓，可檢測(cè)入射到排列著多個(gè)光電二極管的受光部的光。
作為這樣的光檢測(cè)裝置，可見(jiàn)于日本專利特開(kāi)平11-287863號(hào)公報(bào)。在該公報(bào)中揭示的光檢測(cè)裝置，是利用可撓性電纜將多個(gè)光電二極管作二維排列的第1基板與設(shè)置積分電路等的第2基板相互連接而成的。此外，在多個(gè)光電二極管作二維排列的第1基板上也設(shè)置開(kāi)關(guān)陣列，通過(guò)該開(kāi)關(guān)陣列內(nèi)的各開(kāi)關(guān)的開(kāi)閉，可選擇二維排列的多個(gè)光電二極管中的任一個(gè)或多個(gè)與積分電路相連接。

發(fā)明內(nèi)容
但是，在上述公報(bào)中揭示的光檢測(cè)裝置中，在第1基板上排列的多個(gè)光電二極管間的區(qū)域，設(shè)置著將各光電二極管與各開(kāi)關(guān)相互連接的配線，該配線根數(shù)極多。在謀求增加第1基板上的光電二極管數(shù)(像素?cái)?shù))和高密度化時(shí)，需要在狹窄的區(qū)域設(shè)置更多的配線，因此，難以實(shí)現(xiàn)像素?cái)?shù)的增加和高密度化。此外，由于配線長(zhǎng)，容易在從光電二極管送往積分電路的電荷上疊加干擾噪聲，導(dǎo)致不能進(jìn)行正確的光檢測(cè)。
為解決此類問(wèn)題，可考慮將二維排列多個(gè)光電二極管的第1基板與設(shè)置積分電路等的第2基板相互作凸塊連接。通過(guò)凸塊連接，可減少第1基板上的配線的根數(shù)、或可縮短配線，因此使第1基板上的像素?cái)?shù)的增加及高密度化成為可能。
但是，在凸塊連接時(shí)，第1基板上的光電二極管及第2基板上的積分電路中的放大器是彼此靠近配置的。因此，第2基板上的放大器的發(fā)熱會(huì)使第1基板上的光電二極管的溫度上升，此溫度的上升導(dǎo)致不能進(jìn)行正確的光檢測(cè)。
本發(fā)明是為解決上述問(wèn)題而提出的，目的在于提供可增加像素?cái)?shù)及實(shí)現(xiàn)高密度化，能進(jìn)行正確的光檢測(cè)的光檢測(cè)裝置。
本發(fā)明的光檢測(cè)裝置，具備(1)各自發(fā)生量值上對(duì)應(yīng)于入射光強(qiáng)度的電荷的多個(gè)光電二極管，(2)包含具有輸入端側(cè)的差動(dòng)對(duì)輸入部和輸出端側(cè)的驅(qū)動(dòng)部的放大器、及設(shè)置于放大器的輸入端與輸出端之間的電容器和開(kāi)關(guān)，開(kāi)關(guān)斷開(kāi)時(shí)將從光電二極管輸入至輸入端的電荷蓄積于電容器，并將對(duì)應(yīng)于蓄積在電容器的電荷量的電壓從輸出端輸出的積分電路。
又，本發(fā)明的光檢測(cè)裝置，具有以下特征在第1基板上設(shè)置多個(gè)光電二極管，在第2基板上設(shè)置電容器及差動(dòng)對(duì)輸入部，在第3基板上設(shè)置驅(qū)動(dòng)部，第1基板與第2基板相互利用凸塊連接，光電二極管與積分電路的輸入端相互電氣連接。此外，最好使第2基板與第3基板相互作凸塊連接。
或者，本發(fā)明的光檢測(cè)裝置，其特征在于，在第1基板上設(shè)置多個(gè)光電二極管，在第2基板上設(shè)置電容器、差動(dòng)對(duì)輸入部和驅(qū)動(dòng)部，第1基板與第2基板相互利用凸塊連接，光電二極管與積分電路的輸入端相互電氣連接，在與設(shè)置多個(gè)光電二極管的第1基板的區(qū)域重合的第2基板上的第1區(qū)域，設(shè)置電容器及差動(dòng)對(duì)輸入部，在與設(shè)置多個(gè)光電二極管的第1基板的區(qū)域不重合的第2基板上的第2區(qū)域上設(shè)置驅(qū)動(dòng)部。
按照本發(fā)明，當(dāng)光入射到第1基板時(shí)，從第1基板上的各光電二極管發(fā)生量值上對(duì)應(yīng)于入射光強(qiáng)度的電荷。該電荷輸入到與第1基板用凸塊連接的第2基板(或第2基板上的第1區(qū)域)上的積分電路，蓄積于電容器中。而且，與蓄積在該電容器中的電荷的量對(duì)應(yīng)的電壓，從第3基板(或第2基板上的第2區(qū)域)上的積分電路的驅(qū)動(dòng)部輸出。
本發(fā)明中，積分電路的電容器及放大器的差動(dòng)對(duì)輸入部被設(shè)置在與第1基板作凸塊連接的第2基板(或第2基板上的第1區(qū)域)上。而積分電路的放大器的驅(qū)動(dòng)部則被設(shè)置在不與第1基板作凸塊連接的第3基板(或第2基板上的第2區(qū)域)上。因此，本發(fā)明的光檢測(cè)裝置可增加像素?cái)?shù)和實(shí)現(xiàn)高密度化，而且能進(jìn)行正確的光檢測(cè)。


圖1是本實(shí)施形態(tài)的光檢測(cè)裝置1的概略圖；圖2是本實(shí)施形態(tài)的光檢測(cè)裝置1的積分電路10n的詳細(xì)的電路圖；圖3是表示本實(shí)施形態(tài)的光檢測(cè)裝置1中的第1基板100、第2基板200及第3基板300的配置關(guān)系的立體圖；圖4表示本實(shí)施形態(tài)的光檢測(cè)裝置1中的第1基板100及第2基板200的剖面之一例；圖5表示本實(shí)施形態(tài)的光檢測(cè)裝置1中的第1基板100及第2基板200的剖面的其他例子；圖6是表示其他實(shí)施形態(tài)的光檢測(cè)裝置2中的第1基板100及第2基板210的配置關(guān)系的立體圖。
具體的實(shí)施方式以下參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)作詳細(xì)說(shuō)明。在

中，對(duì)同一要素加以同一符號(hào)，說(shuō)明從略。
圖1是本實(shí)施形態(tài)的光檢測(cè)裝置1的概略圖。該光檢測(cè)裝置1，具有N個(gè)光電二極管PD1～PDN、N個(gè)積分電路101～10N、N個(gè)CDS(Correlated Double Sampling、相關(guān)雙重取樣)電路201～20N、以及N個(gè)保持電路301～30N。這里，N為2或2以上的整數(shù)。
各光電二極管PDn發(fā)生量值上對(duì)應(yīng)于入射光強(qiáng)度的電荷。這里，n是1以上N以下的各整數(shù)。各積分電路10n輸入由光電二極管PDn發(fā)生的電荷，使該電荷蓄積于電容器，并輸出與該蓄積的電荷量對(duì)應(yīng)的電壓。各CDS電路20n輸入由積分電路10n輸出的電壓，并輸出表示該輸入電壓在一定時(shí)間的變化量。而且，各保持電路30n輸入由CDS電路20n輸出的電壓，在一定期間內(nèi)保持、輸出該電壓。
圖2是本實(shí)施形態(tài)的光檢測(cè)裝置1的積分電路10n的詳細(xì)的電路圖。光電二極管PDn，其陽(yáng)極端子接地，陰極端子連接到積分電路10n的放大器11n的輸入端。積分電路10n包含放大器11n、電容器C及開(kāi)關(guān)SW。電容器C及開(kāi)關(guān)SW相互并聯(lián)連接，設(shè)置在放大器11n的輸入端與輸出端之間。在放大器11n的輸出端上連接CDS電路20n。在該積分電路10n中，通過(guò)閉合開(kāi)關(guān)SW，使電容器C放電，輸出電壓被初始化。另一方面，在開(kāi)關(guān)SW斷開(kāi)期間，由光電二極管PDn輸入到輸入端的電荷被蓄積在電容器C中，與蓄積在該電容器C的電荷量對(duì)應(yīng)的電壓從輸出端輸出。
放大器11n具有FET型晶體管T1～T7，其中，晶體管T1、T2、T6及T7分別是NMOS晶體管，晶體管T3、T4、及T5分別是PMOS品體管。晶體管T1的柵極端子與放大器11n的輸入端連接。晶體管T1的源極端子及晶體管T2的源極端子分別與晶體管T7的漏極端子連接。晶體管T7的源極端子接地。晶體管T1的漏極端子分別與晶體管T3的柵極端子及漏極端子以及晶體管T4的柵極端子連接。晶體管T2的漏極端子分別與晶體管T4的漏極端子及晶體管T5的柵極端子連接。晶體管T5的漏極端子與晶體管T6的漏極端子連接，并與放大器11n的輸出端連接。晶體管T6的源極端子接地。在晶體管T3～T5各自的源極端子上輸入規(guī)定的電壓。在晶體管T2、T6及T7各自的柵極端子上輸入規(guī)定的DC電壓。又，為防止放大器振蕩，如所圖示將電容器與電阻元件串聯(lián)連接在晶體管T5的漏極與柵極之間。
在這些晶體管T1～T7中，位于輸入端側(cè)的晶體管T1及T2構(gòu)成放大器11n的差動(dòng)對(duì)輸入部。此外，位于輸出端側(cè)的晶體管T5及T6構(gòu)成放大器11n的驅(qū)動(dòng)部。相對(duì)而言，差動(dòng)對(duì)輸入部的發(fā)熱量較小，而驅(qū)動(dòng)部的發(fā)熱量較大。
此外，如圖1及圖2所示，本實(shí)施形態(tài)的光檢測(cè)裝置1被分割于第1基板100、第2基板200及第3基板300三塊基板上。即亦在第1基板100上一維狀或二維狀排列N個(gè)光電二極管PD1～PDN，在第2基板200上配置N個(gè)積分電路101～10N各自的放大器11n的差動(dòng)對(duì)輸入部、電容器C及開(kāi)關(guān)SW。在第3基板300上配置N個(gè)積分電路101～10N各自的放大器11n的驅(qū)動(dòng)部及另外的晶體管T3，T4，T7、還有N個(gè)CDS電路201～20N、以及N個(gè)保持電路301～30N。
圖3是表示本實(shí)施形態(tài)的光檢測(cè)裝置1中的第1基板100、第2基板200及第3基板300的配置關(guān)系的立體圖。此外，實(shí)際上各基板100與200之間、基板200與300之間，分別利用凸塊電極進(jìn)行電氣連接。如該圖所示那樣，在本實(shí)施形態(tài)的光檢測(cè)裝置1中，在安裝各自基板時(shí)使其在光的入射方向上重合，第1基板100與第2基板200相互作凸塊連接，還有，第2基板200與第3基板300相互作凸塊連接。
光入射到第1基板100時(shí)，從各光電二極管PDn輸出量值上與入射光量對(duì)應(yīng)的電荷，該電荷從第1基板100通過(guò)凸塊連接輸入到第2基板200上的積分電路10n的輸入端。從包含跨越第2基板200及第3基板300雙方設(shè)置的放大器11n以及第2基板200上的電容器C和開(kāi)關(guān)SW的積分電路10n，輸出對(duì)應(yīng)于光電二極管PDn發(fā)生的電荷的量的電壓。且，從設(shè)置在第3基板300上的CDS電路20n，輸出表示由積分電路10n輸出的電壓在規(guī)定時(shí)間的變化量的電壓，利用設(shè)置在第3基板300上的保持電路30n，在一定期間保持并輸出從CDS電路20n輸出的電壓。
圖4是表示本實(shí)施形態(tài)的光檢測(cè)裝置1中的第1基板100及第2基板200的剖面之一例的圖。此外，在該圖中基本圖形在左右方向是重復(fù)顯示的，因此，以下僅說(shuō)明一方向的基本圖形。
第1基板100，在n型半導(dǎo)體基板的第1面(圖中上側(cè)的面)上，形成與該n型基板一起形成pn結(jié)，構(gòu)成光電二極管PD的p+區(qū)域111，以及作為隔離區(qū)域的n+區(qū)域112。此外，第1基板100，在n型半導(dǎo)體基板的第2面(圖中下側(cè)的面)上，形成與金屬電極124形成歐姆連接的n+型雜質(zhì)層121、保護(hù)表面用的具有絕緣性的保護(hù)層122、以及貫通保護(hù)層122與n+型雜質(zhì)層121電氣連接的金屬電極124。又，第1基板100，設(shè)置從第1面和第2面間貫通的貫通孔，在該貫通孔中設(shè)置貫通電極131。而且在第1基板100的第1面?zhèn)壬闲纬蓪+區(qū)域111與貫通電極131電氣連接的金屬配線層113，此外，在第2面?zhèn)刃纬膳c貫通電極131電氣連接的金屬電極123。
第2基板200，在半導(dǎo)體基板的第1面(圖中上側(cè)的面)上，形成與積分電路10n的輸入端電氣連接的金屬電極223、以及電氣連接于接地電位的金屬電極224。而且，第1基板100的金屬電極123與第2基板200的金屬電極223利用凸塊423相互連接，此外，第1基板100的金屬電極124與第2基板200的金屬電極224利用凸塊424相互連接。第1基板100與第2基板200間的間隙用樹(shù)脂充填。
此外，在第1基板100的第1面的一側(cè)，配置閃爍器510及屏蔽材料520。閃爍器510設(shè)置在第1基板100的p+區(qū)域111的上方，利用X線等能量射線的入射產(chǎn)生閃爍光。屏蔽材料520，設(shè)置于第1基板100的n+區(qū)域112的上方，用來(lái)阻止X線等能量射線的透過(guò)并固定閃爍器510。
在圖4展示的構(gòu)成中，X線等能量射線入射到閃爍器510時(shí)，該閃爍器510發(fā)生閃爍光。又，該閃爍光入射到第1基板100的p+區(qū)域111時(shí)，在pn結(jié)部發(fā)生電荷。該電荷經(jīng)由金屬配線層113、貫通電極131、金屬電極123、凸塊423及第2基板200的金屬電極223，輸入到形成于第2基板200上的積分電路10n的輸入端。如果積分電路10n的開(kāi)關(guān)SW斷開(kāi)，輸入到輸入端的電荷被蓄積在電容器C中。而且，從形成于第3基板300上的積分電路10n的驅(qū)動(dòng)部，輸出對(duì)應(yīng)于蓄積在電容器C的電荷的量的電壓。
圖5是表示本實(shí)施形態(tài)的光檢測(cè)裝置1中的第1基板100及第2基板200的剖面的另一例的圖。此外，在該圖中，基本圖形在左右方向也是重復(fù)顯示的，因此，以下僅說(shuō)明一方向的基本圖形。
第1基板100，在n型半導(dǎo)體基板的第1面(圖中上側(cè)的面)上形成防止電荷再結(jié)合用的n+型積聚層151，以及保護(hù)表面用的具有絕緣性的保護(hù)層152。第1基板100，在n型半導(dǎo)體基板的第2面(圖中下側(cè)的面)上，與該n型基板一起形成pn結(jié)，形成構(gòu)成光電二極管PD的p+區(qū)域161，形成作為隔離區(qū)域的n+區(qū)域162，并在它們之上形成保護(hù)層163。此外，在第1基板100的第2面，形成與p+區(qū)域161電氣連接的金屬電極164、以及與n+區(qū)域162電氣連接的金屬電極165。
第2基板200，在半導(dǎo)體基板的第1面(圖中上側(cè)的面)上，形成與積分電路10n的輸入端進(jìn)行電氣連接的金屬電極264及金屬電極265。而且，第1基板100的金屬電極164與第2基板200的金屬電極264利用凸塊464相互連接。第1基板100的金屬電極165與第2基板200的金屬電極265利用凸塊465相互連接。第1基板100與第2基板200間的間隙用樹(shù)脂充填。
此外，在第1基板100的第1面的一側(cè)，配置閃爍器510及屏蔽材料520。閃爍器510設(shè)置在第1基板100的p+區(qū)域161的上方，利用入射X線等能量射線發(fā)生閃爍光。屏蔽材料520設(shè)置于第1基板100的n+區(qū)域162的上方，用來(lái)阻止X線等的能量射線的透過(guò)并固定閃爍器510。此外，第1基板100在形成p+區(qū)域161的部分，其第1面?zhèn)仁褂脵C(jī)械化學(xué)研磨、各向異性蝕刻等方法減薄厚度。
在圖5展示的構(gòu)成中，X線等能量射線入射到閃爍器510時(shí)，該閃爍器510發(fā)生閃爍光。又，該閃爍光透過(guò)第1基板100，入射到p+區(qū)域161時(shí)，在pn結(jié)部發(fā)生電荷。該電荷經(jīng)由金屬配線層164、凸塊464及第2基板200的金屬電極264，輸入到形成于第2基板200上的積分電路10n的輸入端。如果積分電路10n的開(kāi)關(guān)SW斷開(kāi)，則輸入到輸入端的電荷蓄積在電容器C中。而且，從形成于第3基板300上的積分電路10n的驅(qū)動(dòng)部，輸出對(duì)應(yīng)于蓄積在電容器C的電荷的量的電壓。
如上所述，在圖4及圖5所示的構(gòu)成的情況下都是，在本實(shí)施形態(tài)的光檢測(cè)裝置1中，由第1基板100上的各光電二極管PDn發(fā)生的電荷，輸入到與該第1基板100以凸塊連接的第2基板200上的積分電路10n的輸入端，并蓄積在電容器C。而且，從第3基板300上的積分電路10n的驅(qū)動(dòng)部，輸出對(duì)應(yīng)于蓄積在電容器C的電荷的量的電壓。
因此，可減少第1基板100上的配線或縮短配線，因此容易實(shí)現(xiàn)第1基板上的像素?cái)?shù)的增加及高密度化。此外，由于能縮短從第1基板100上的光電二極管PDn至第2基板200上的積分電路10n的放大器11n的差動(dòng)對(duì)輸入部及電容器C的電荷移動(dòng)路徑，可抑制噪聲的疊加，這就使進(jìn)行正確的光檢測(cè)成為可能。此外，第3基板300上的各積分電路10n的放大器11n的驅(qū)動(dòng)部，雖然發(fā)熱多，但是與形成各光電二極管PDn的第1基板100分離配置，所以能夠抑制第1基板100上的各光電二極管PDn的溫度上升，這也使進(jìn)行正確的光檢測(cè)成為可能。又由于在形成光電二極管陣列的第1基板100、及形成積分電路等信號(hào)處理電路的第2基板200及第3基板300上可采用最適當(dāng)?shù)闹圃旃に嚕@也是一大優(yōu)點(diǎn)。
圖6是表示其他實(shí)施形態(tài)的光檢測(cè)裝置2中的第1基板100及第2基板210的配置關(guān)系的立體圖。在該光檢測(cè)裝置2中的第1基板100，其構(gòu)成與上述光檢測(cè)裝置1中的第1基板100相同，形成N個(gè)光電二極管PD1～PDN。另一方面，該光檢測(cè)裝置2中的第2基板210，大體等同于上述光檢測(cè)裝置1中的第2基板200與第3基板300的組合構(gòu)成。
該光檢測(cè)裝置2中的第2基板210，包含第1區(qū)域211及第2區(qū)域212。第2基板210的第1區(qū)域211，以凸塊B與第1基板100連接，光電二極管PDn與積分電路10n的輸入端相互電氣連接。第2基板210的第1區(qū)域211，與設(shè)置光電二極管PD1～PDN的第1基板100上的區(qū)域重合，是與上述的光檢測(cè)裝置1中的第2基板200相同的，設(shè)置積分電路10n的電容器C及放大器11n的差動(dòng)對(duì)輸入部。另一方面，第2基板210的第2區(qū)域212，與設(shè)置光電二極管PD1～PDN的第1基板100上的區(qū)域不重合，是與上述的光檢測(cè)裝置1中的第3基板300相同的，設(shè)置積分電路10n的放大器11n的驅(qū)動(dòng)部。
在該光檢測(cè)裝置2中，在第1基板100上的各光電二極管PDn發(fā)生的電荷，輸入到與該第1基板100以凸塊連接的第2基板210的第1區(qū)域211上的積分電路10n的輸入端，并蓄積在電容器C。而且從與第1基板100不重疊的第2基板210的第2區(qū)域212上的積分電路10n的驅(qū)動(dòng)部，輸出對(duì)應(yīng)于蓄積在電容器C中的電荷的量的電壓。因此，該光檢測(cè)裝置2也能得到與上述光檢測(cè)裝置1同樣的效果。
本發(fā)明不限于上述實(shí)施形態(tài)，可以作種種變形。例如，包含于積分電路的放大器，不限于圖2所示的構(gòu)成，也可采用其他構(gòu)成。此外，第1基板100和第2基板200各自的剖面構(gòu)造，不限于圖4及圖5中分別所示的構(gòu)造。此外，在第3基板300或第2基板210的第2區(qū)域212，還可設(shè)置其他電路(例如A/D變換電路等)。
如以上詳細(xì)說(shuō)明的那樣，本發(fā)明中，積分電路的電容器及放大器的差動(dòng)對(duì)輸入部，設(shè)置在以凸塊與第1基板連接的第2基板(或第2基板上的第1區(qū)域)上。而積分電路的放大器的驅(qū)動(dòng)部則設(shè)置在不與第1基板以凸塊連接的第3基板(或第2基板上的第2區(qū)域)上。因此本發(fā)明的光檢測(cè)裝置可實(shí)現(xiàn)像素?cái)?shù)的增加及高密度化，能夠進(jìn)行正確的光檢測(cè)。
產(chǎn)業(yè)上的利用區(qū)域本發(fā)明可用于光檢測(cè)裝置。
權(quán)利要求
1.一種光檢測(cè)裝置，其特征在于，具備各自產(chǎn)生量值上對(duì)應(yīng)于入射光強(qiáng)度的電荷的多個(gè)光電二極管，以及積分電路，該積分電路包含具有輸入端側(cè)的差動(dòng)對(duì)輸入部和輸出端側(cè)的驅(qū)動(dòng)部的放大器、及設(shè)置于前述放大器的前述輸入端與前述輸出端之間的電容器和開(kāi)關(guān)，前述開(kāi)關(guān)斷開(kāi)時(shí)，使從前述光電二極管輸入至前述輸入端的電荷蓄積于前述電容器，并將對(duì)應(yīng)于蓄積在前述電容器中的電荷量的電壓從前述輸出端輸出；前述多個(gè)光電二極管設(shè)置在第1基板上，前述電容器及前述差動(dòng)對(duì)輸入部設(shè)置在第2基板上，前述驅(qū)動(dòng)部設(shè)置在第3基板上，前述第1基板與前述第2基板相互利用凸塊連接，前述光電二極管與前述積分電路的前述輸入端相互電氣連接。
2.如權(quán)利要求1所述的光檢測(cè)裝置，其特征在于，前述第2基板與前述第3基板相互利用凸塊連接。
3.一種光檢測(cè)裝置，其特征在于，具備各自產(chǎn)生量值上對(duì)應(yīng)于入射光強(qiáng)度的電荷的多個(gè)光電二極管，以及積分電路，該積分電路包含具有輸入端側(cè)的差動(dòng)對(duì)輸入部和輸出端側(cè)的驅(qū)動(dòng)部的放大器以及設(shè)置于前述放大器的前述輸入端與前述輸出端之間的電容器和開(kāi)關(guān)，前述開(kāi)關(guān)斷開(kāi)時(shí)從前述光電二極管輸入至前述輸入端的電荷蓄積于前述電容器中，并將對(duì)應(yīng)于蓄積在前述電容器中的電荷量的電壓從前述輸出端輸出；前述多個(gè)光電二極管設(shè)置在第1基板上，前述電容器、前述差動(dòng)對(duì)輸入部和前述驅(qū)動(dòng)部設(shè)置在第2基板上，前述第1基板與前述第2基板相互利用凸塊連接，前述光電二極管與前述積分電路的前述輸入端相互電氣連接，在與設(shè)置前述多個(gè)光電二極管的前述第1基板的區(qū)域重合的前述第2基板上的第1區(qū)域，設(shè)置前述電容器及前述差動(dòng)對(duì)輸入部，在與設(shè)置前述多個(gè)光電二極管的前述第1基板的區(qū)域不重合的前述第2基板上的第2區(qū)域，設(shè)置前述驅(qū)動(dòng)部。
全文摘要
本發(fā)明涉及光檢測(cè)裝置。光檢測(cè)裝置(1)具備光電二極管PD
文檔編號(hào)H04N5/363GK1630810SQ0380364
公開(kāi)日2005年6月22日 申請(qǐng)日期2003年2月12日 優(yōu)先權(quán)日2002年2月12日
發(fā)明者水野誠(chéng)一郎, 山中辰己, 藤井義磨郎 申請(qǐng)人:浜松光子學(xué)株式會(huì)社