專利名稱：高頻組件及通信裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及將芯片型濾波器等高頻部件安裝在由電介質(zhì)層和電極層層迭成的多層底板上面形成的高頻組件及具備該組件的通信裝置。
背景技術(shù)：
以往，為了在例如削減通信設(shè)備高頻電路的部件數(shù)量的同時(shí)，提高集成度，在便攜式通信終端的高頻電路等采用具有內(nèi)裝電容器、電感器的多層底板、在其主面上安裝高頻電路部件的高頻組件。例如通過(guò)在移動(dòng)電話系統(tǒng)的通信終端的高頻端使用這種高頻組件，從而以圖能實(shí)現(xiàn)小型、減輕重量。
前述多層底板具有多層電介質(zhì)層和電極層，利用電極層中的電極圖形，構(gòu)成電容器、電感器及傳輸線路。另外，眾多的外部端子設(shè)在多層底板的下面(朝向電子設(shè)備內(nèi)的安裝底板(母板)的安裝面)。還在多層底板的上面形成例如用于安裝SAW等高頻部件的上面電極(例如參照專利文獻(xiàn)1)。
這里，參照?qǐng)D11說(shuō)明由專利文獻(xiàn)1的多層底板和高頻部件組成的高頻組件的構(gòu)成。
圖11(A)為高頻組件的外觀立體圖、(B)為其主要部分的分解立體圖。多層底板1為將上面電極或外部端子設(shè)置在由電介質(zhì)層和電極層層迭成的迭層體的表面上而形成的多層底板。而且在多層底板1的主面上安裝著SAW高頻濾波器等高頻部件21、22。
圖11(B)為抽掉多層底板1的兩層表示的分解立體圖。圖中，最上層的電介質(zhì)層1q上形成用于安裝高頻部件21、22的、包括上面接地電極Gq1、Gq2在內(nèi)的上面電極?？拷钕聦拥碾娊橘|(zhì)層1d上形成公共接地電極Gd。多層電介質(zhì)層存在于最上層的電介質(zhì)層1q和最下層附近的電介質(zhì)層1d之間，通過(guò)設(shè)在這些電介質(zhì)層上的通路孔導(dǎo)體Vdq，上面接地電極Gq1、Gq2直接與公共接地電極Gd導(dǎo)通。該公共接地電極Gd作為接地端子從設(shè)在多層底板1下面的大量的外部端子中引出。
特開2002-118486公報(bào)(圖4)

發(fā)明內(nèi)容
可是，在已有的這類高頻組件中，在構(gòu)成所述的通路孔導(dǎo)體Vdq之際，填入通路孔內(nèi)的導(dǎo)電糊會(huì)產(chǎn)生充填不良的現(xiàn)象，高頻部件21、22和接地電極Gd間連接不完全，有時(shí)電氣特性會(huì)大大偏離設(shè)計(jì)特性。
另外，電介質(zhì)層的層數(shù)增加通路孔導(dǎo)體Vdq的長(zhǎng)度一長(zhǎng)，通路孔導(dǎo)體Vdq的電感成分也變大，由于上面接地電極Gq1、Gq2的接地狀態(tài)惡化，所以就產(chǎn)生高頻部件21、22的接地電位不能充分接地的問(wèn)題。
本發(fā)明為解決上述問(wèn)題，其目的在于提供一種能與安裝在多層底板的高頻部件的接地可靠連接，并顯示出良好的電氣特性的高頻組件，以及具備該組件的通信裝置。
本發(fā)明的高頻組件，將多層電介質(zhì)層和多層內(nèi)部電極層層迭而成，在其第1主面至少有1個(gè)第1接地電極，在其第2主面或內(nèi)部有第2接地電極的多層底板、以及安裝在所述多層底板第1主面上、具有與所述多層底板的第1接地電極連接的至少1個(gè)接地端子的高頻部件，在前述多層底板的內(nèi)部設(shè)置通過(guò)通路孔導(dǎo)體和所述第1接地電極連接，并通過(guò)多個(gè)通路孔導(dǎo)體與所述第2接地電極連接的第3接地電極。
還有，本發(fā)明中所謂“高頻部件”系指具有接地端子，即通過(guò)成為接地電位使高頻部件發(fā)揮原來(lái)的功能的端子的部件。因而不限于SAW濾波器，也包括IC器件。
另外，本發(fā)明將前述構(gòu)成的高頻電路組件的高頻電路部件作為芯片型濾波器，在多層底板內(nèi)構(gòu)成LC濾波器的同時(shí)，在高頻端亦具備該高頻組件。
按照本發(fā)明的高頻組件，因?yàn)榻?jīng)由存在于第1接地電極和第2接地電極之間的第3接地電極而與第1及第2接地電極連接，故即使和第2接地電極及第3接地電極連接的多個(gè)通路孔導(dǎo)體中有幾個(gè)通路孔導(dǎo)體產(chǎn)生導(dǎo)通不良，也能利用其它的通路孔導(dǎo)體保持導(dǎo)通，從而得到安定的電氣特性。
此外，又能以低的電感使第2和第3電極間導(dǎo)通，能使安裝在多層底板上面的高頻部件的電氣特性充分發(fā)揮。
按照本發(fā)明的通信裝置，因?yàn)榘ㄉ鲜龈哳l組件的高頻端，所以能穩(wěn)定地保持優(yōu)良的通信性能。


圖1表示高頻組件外觀立體圖及分解立體圖。
圖2表示設(shè)置在多層底板的各電介質(zhì)層上的電極圖形的具體示例的示意圖。
圖3表示設(shè)置在多層底板的各電介質(zhì)層上的電極圖形的具體示例的示意圖。
圖4表示設(shè)置在多層底板的各電介質(zhì)層上的電極圖形的具體示例的示意圖。
圖5表示高頻部的部分電路圖。
圖6表示高頻部的部分電路圖。
圖7表示高頻部的部分電路圖。
圖8表示高頻部的部分電路圖。
圖9表示SAW濾波器的帶通頻率前后概略通過(guò)特性的示意圖。
圖10表示通信裝置的構(gòu)成圖。
圖11表示已有的高頻組件的外觀立體圖及分解立體圖。
標(biāo)號(hào)說(shuō)明1 多層底板1a～1q 電介質(zhì)層21、22 高頻部件Gb、Gd 公共接地電極Gg、Gm、Go 中間接地電極Gq 上面接地電極Vab、Vbc、Vcd 通路孔導(dǎo)體Vc1、Vc2 開關(guān)控制信號(hào)端子G 接地端子SW1、SW2 開關(guān)電路具體實(shí)施方式
參照各

本發(fā)明實(shí)施形態(tài)的高頻組件的構(gòu)成。
圖1為表示高頻組件的基本構(gòu)成的示意圖，圖1(A)為其立體圖、圖1(B)為其主要部分的分解立體圖。
本實(shí)施形態(tài)的高頻組件包括由多層電介質(zhì)層1q、1o、1m、1g及1d、和多個(gè)內(nèi)部電極Go1、Go2、Gm1、Gm2、Gg1、Gg2及Gd層迭成的迭層體構(gòu)成的多層底板1、以及安裝在其第1主面上的高頻部件21、22組成。而且，在多層基板的第1主面?zhèn)?電介質(zhì)層1q的表面?zhèn)?上設(shè)置連接高頻部件21的接地端子的第1接地電極Gq1及連接高頻部件22的接地端子的第1接地電極Gq2，多層底板1的內(nèi)部，最下層的電介質(zhì)層1d上設(shè)置與各第1接地電極Gq1、Gq2公共的第2接地電極Gd。該第2接地電極Gd如圖2所示，通過(guò)通路孔導(dǎo)體，與設(shè)在多層底板1的第2主面?zhèn)鹊耐獠拷拥囟俗舆B接。
而且，第1接地電極Gq1通過(guò)通路孔導(dǎo)體Voq、Vmo、及Vgm和第3接地電極Go1、Gm1及Gg1，與第2接地電極Gd連接，同樣，第1接地電極Gq2通過(guò)通路孔導(dǎo)體Voq、Vmo及Vgm和第3接地電極Go2、Gm2及Gg2，連接公共的第2接地電極Gd。
更詳細(xì)地說(shuō)，在最上層的電介質(zhì)層1q和最下層的電介層1d之是設(shè)置三個(gè)中間層即電介質(zhì)層1g、1m、1o，在電介質(zhì)層1g、1m及1o的每一層中，形成第3接地電極Gg1、Gg2、Gm1、Gm2、Go1、Go2。第3接地電極Go1、Go2和上面接地電極Gq1、Gq2靠通路孔導(dǎo)體Voq分別導(dǎo)通。另外，第3接地電極Go1、Go2和Gm1、Gm2靠通路孔導(dǎo)體Vmo分別導(dǎo)通。另外，第3接地電極Gm1、Gm2和Gg1、Gg2靠通路孔導(dǎo)體Vgm分別導(dǎo)通。再有，第3接地電極Gg1、Gg2利用多根通路孔導(dǎo)體Vdg分別與公共的第2電極導(dǎo)通。
該例中，高頻部件21、22分別具備3個(gè)接地端子，故第1主面上的第1接地電極Gq1、Gq2也分別具備3個(gè)接地電極，通路孔導(dǎo)體Voq也分別每3個(gè)設(shè)置。使貫穿多層形成的第3接地電極分別導(dǎo)通的通路孔導(dǎo)體Vmo、Vgm每一個(gè)第3接地電極分別設(shè)置4個(gè)。還有，使第3接地電極Gg1、Gg2和第2接地電極Gd間導(dǎo)通的通路孔導(dǎo)體Vdg也每1個(gè)第3接地電極設(shè)置4個(gè)。
這樣，每個(gè)高頻部件21、22上都設(shè)置貫穿多層成為中間接地電極的第3接地電極，通過(guò)在各自的中間接地電極內(nèi)形成公共的接地電位，從而，假設(shè)填入通路孔的導(dǎo)電糊產(chǎn)生充填不良，因?yàn)槔弥虚g接地電極能再度公共地連接，所以，最終通過(guò)為數(shù)眾多的通路孔導(dǎo)體直至第2接地電極Gd能進(jìn)行接地連接。例如，即使多個(gè)通路孔導(dǎo)體Vmo中有一個(gè)成為不導(dǎo)通狀態(tài)，因?yàn)橛玫?接地電極Gm1、Gm2接地連接仍舊能恢復(fù)，由此直至其下層的第2接地電極能可靠地導(dǎo)通。
另外，通過(guò)比高頻部件21、22的接地端子數(shù)更多的通路孔導(dǎo)體，連接第3接地電極及第2接地電極Gd，從而高頻部件的接地端子就變成以低電感與公共接地電極即第2接地電極連接。其結(jié)果，能防止由于高頻部件21、22的接地電位不能充分接地而引起高頻特性的惡化。
還通過(guò)在安裝在多層底板1的上面的每一個(gè)高頻部件21、22上獨(dú)立設(shè)置第2接地電極Gq1、Gq2、Gm1、Gm2、Go1、Go2，從而能防止通過(guò)中間接地電極的高頻信號(hào)的回入。例如，從第3接地電極Go1、Go2至第2接地電極Gd的電感比從第1接地電極Gq1、Gq2至第3接地電極Go1、Go2的電感大，并且第3接地電極Gjo1和第3接地電極Go2是連續(xù)的電極圖形時(shí)，因高頻部件21、22的接地漏電流按照第1接地電極Gq1→通路孔導(dǎo)體Voq→第3接地電極Go1(第3接地電極Go2)→通路孔導(dǎo)體Voq→第1接地電極Gq2的路徑回入，所以有時(shí)在電氣特性上會(huì)產(chǎn)生問(wèn)題。于是，設(shè)從第1接地電極至第3接地電極的電感成分為L(zhǎng)1、從第3接地電極至第2接地電極(理想接地電極“通常為高頻組件的接地端子)的電感成分為L(zhǎng)2，當(dāng)形成第3接地電極使得滿足L1＞L2的條件時(shí)，能防止一方的高頻部件的接地電流通過(guò)公共接地電極流入另一方的高頻部件的接地電極的現(xiàn)象，因而為了能確實(shí)地防止由接地電流回入引起的特性劣化，最好上述L1、L2存在L1＞L2的關(guān)系。
圖2～圖4表示設(shè)置在上述多層底板1的各電介質(zhì)層上的電極圖形的具體示例。該例中表示構(gòu)成能分別適用于利用1900MHz的個(gè)人通信服務(wù)(PersonalCommunication Service，以后簡(jiǎn)稱為“PCS”)、利用1800MHz的數(shù)字單元式系統(tǒng)(Digital Cellular System，以后簡(jiǎn)稱“DCS”)、及利用900MHz的移動(dòng)通信的全球系統(tǒng)(Global-System for Mobil Communication，以后簡(jiǎn)稱“GSM”)的三波段的高頻端的例子。
從圖2～圖4可知，多層底板為將電介質(zhì)層1a～1q依序?qū)拥傻牡装?。即，圖2的電介質(zhì)層1a為最下層的電介質(zhì)層，圖4的電介質(zhì)層1q為最上層的電介質(zhì)層。但該圖2～圖4表示從各電介質(zhì)層1a～1q的下面?zhèn)?面向安裝底板的一側(cè))看它們的狀態(tài)。
最下層的電介質(zhì)層1a上形成用于安裝在安裝底板(母板)上的各種外部端子(接地端子G、PCS用接收信號(hào)輸出端子PCSRX、DCS用接收信號(hào)輸出端子DCSRX、GSM用接收信號(hào)輸出端子GSMRX、控制端子(開關(guān)控制信號(hào)輸入端子)Vo1、Vo2、DCS/PCS共作的發(fā)送信號(hào)輸入端子D/PTX、GSM用發(fā)送信號(hào)輸入端子GSMTX、天線端子Ant)。
說(shuō)明各電介質(zhì)層的電極圖形，如圖2所示，在電介質(zhì)層1b上形成成為公共接地電極的第2接地電極Gb。在電介質(zhì)層1c上形成電容器用的電極gC5、dC5、Ct2、Cu5。在電介質(zhì)層1d上形成公共接地電極即第2接地電極Gd和電容器用電極Ct5。在電介質(zhì)層1e上分別在規(guī)定處形成電容器用電極Cc1、Cu1、Cu2。在電介質(zhì)層1f上分別在規(guī)定處形成電容器用的電極Cc1、Ct3。在電介質(zhì)層1q上形成成為中間接地電極的第3接地電極Gg1、Gg2、Gg3及電容器用電極Cc1。在電介質(zhì)層1h上沒(méi)有刻意形成電極圖形。
又如圖3所示，在電介質(zhì)層1i上形成電感用導(dǎo)體Lt1、Lt2、Lt3、Lt5及傳輸線路用導(dǎo)體dSL。電介質(zhì)層1j、1k上分別形成電感用導(dǎo)體Lt1、Lt2、Lt3、Lt4、Lt5及傳輸線路用導(dǎo)體dSL。電介質(zhì)層1e上形成電感用導(dǎo)體Lt2、Lt4。電介質(zhì)層1m上形成為中間接地電極的第3接地電極Gm1、Gm2、Gm3及電容器用電極Cc2。電介質(zhì)層1n上形成電容器用電極Cc2。還在電介質(zhì)層1o上形成成為中間電極的第3接地電極Go1、Go2、Go3及電容器用電極Cc2。
還如圖4所示，形成連接安裝在電介質(zhì)層1p上的芯片型部件相互之間、芯片型部件和多層底板內(nèi)部的電極圖形或多層底板的電極圖形相互之間的連接導(dǎo)體。而且，最上層的電介質(zhì)層1q上形成各種安裝部件的安裝用電極。再者，關(guān)于該電介質(zhì)層1q，表示從電介質(zhì)層1q的下面?zhèn)韧敢暤乜吹降臓顟B(tài)。即在電介質(zhì)層1q上(即多層底板1的第1主面上)，作為高頻部件安裝著SAW濾波器SAW1、SAW2、SAW2。另外，如圖中所示，還安裝著電感器部件(芯片電感)gSL1、dSLt、dSL1、L1、L2、電容器部件(芯片電容器)dSC、C1、C2、C3、C4、電阻部件(芯片電阻)Rg、Rd、二極管(芯片型兩極管)D1、D2、D3、D4。
在SAW濾波器的安裝區(qū)域，每一個(gè)SAW濾波器有3個(gè)第1接地電極。這些SAW濾波器安裝區(qū)域內(nèi)的其它電極為SAW濾波器的輸入側(cè)及輸出側(cè)電極。
還有，在圖2～圖4中，各電介質(zhì)層上形成圖中的大量的小園表示的通路孔導(dǎo)體，利用該通路孔導(dǎo)體與電介質(zhì)層的層迭方向有關(guān)上下鄰接的電極(導(dǎo)體)相互之間導(dǎo)通。
如圖2～圖4所示，本實(shí)施形態(tài)的高頻組件，在第2接地電極Gd和第1接地電極Gq之間具有分成3層成為中間接地電極的第3接地電極Gg、Gm、Go。而SAW濾波器SAW1、SAW2、SAW3的接地端子通過(guò)比其數(shù)量(本例中為3個(gè))多的通路孔導(dǎo)體(本例中為4個(gè))連接第2接地電極Gd，SAW濾波器的接地以低電感連接第2接地電極。還在SAW濾波器的每一個(gè)SAW1、SAW2、SAW3中，通過(guò)分離中間接地電極Gg1、Gg2、Gg3、Gm1、Gm2、Gm3、Go1、Go2、Go3，從而能夠抑制通過(guò)中間電極的信號(hào)的回入。
還有，在以上示出的例中，在貫穿多層形成的第3接地電極中，位于最上層側(cè)位置的第3接地電極上雖然設(shè)置數(shù)量比第1接地電極多的通路孔導(dǎo)體，但也可以在最上層的第3接地電極上，設(shè)置數(shù)量和第1接地電極相同數(shù)量的通路孔導(dǎo)體，在其下層的第3接地電極設(shè)置數(shù)量比第1接地電極多的通路孔導(dǎo)體。
另外，以上示出的例中，根據(jù)3個(gè)高頻部件即SAW濾波器SAW1、SAW2、SAW3的每一個(gè)設(shè)置相互分離的中間電極。但是本發(fā)明并不限定所有的高頻部件都分別具有成為個(gè)別的中間電極的第3接地電極。可以根據(jù)需要至少在兩個(gè)高頻部件間，將與它們對(duì)應(yīng)的中間電極分離。上述的例中，因?yàn)榕cSAW濾波器SAW1和SAW2對(duì)應(yīng)的中間電極(第3接地電極)是公共的，所以可以僅分離與SAW濾波器SAW3對(duì)應(yīng)的中間電極(第3接地電極)。
接著，圖2～圖4所示的高頻組件的等價(jià)電路圖示于圖5～圖8。圖5～圖8中的標(biāo)號(hào)分別與圖2～圖4中所示的標(biāo)號(hào)對(duì)應(yīng)。圖5為DCS/PCS的濾波器部分及高頻開關(guān)部分的等價(jià)電路圖、圖6為GSM的濾波器部及高頻開關(guān)部分的等價(jià)電路圖、圖7為雙工器部分的等價(jià)電路圖、圖8為上述部分的全體的方框圖。還有，在這些圖中用虛線的園圍著的元件為安裝在多層底板1的表面的部件。
如圖5所示，用LPF2表示的電路是使DCS/PCS的發(fā)送信號(hào)的高頻成分衰減的低通濾波器、SW2是進(jìn)行發(fā)送信號(hào)和接收信號(hào)切換的開關(guān)電路。開關(guān)控制信號(hào)Vc2高電平時(shí)，二極管D3、D4一起導(dǎo)通，發(fā)送信號(hào)向DCS/PCS Ant輸出。開關(guān)控制信號(hào)Vc2低電平時(shí)，二極管D3、D4一起截止，將接收信號(hào)供給相位電路PS1、PS2側(cè)。
SAW濾波器SAW1讓DCS的接收信號(hào)通過(guò)，SAW濾波器SAW2讓PCS的接收信號(hào)通過(guò)。另外，相位電路PS1在SAW濾波器SAW2的通帶上將相位按照史密斯園圖上的形成返回開路側(cè)。相位電路PS2在SAW濾波器SAW1的通帶將相位按照史密斯園圖上的形式返回開路側(cè)。因此DCS和PCS相互間接收信號(hào)不會(huì)回入。
在圖6中，LPF1是讓GSM的發(fā)送信號(hào)的高頻成分衰減的低通濾波器。開關(guān)電路SW1在開關(guān)控制信號(hào)Vc1高電平時(shí)，二極管D1、D2一起導(dǎo)通，向GSM Ant輸出發(fā)送信號(hào)。Vc1為低電平時(shí)，D1、D2一起截止，接收信號(hào)通過(guò)SAW濾波器SAW3 M、GSMRx輸出。
在圖7中，LPF3為讓GSM信號(hào)通過(guò)的低通濾波器、HPF是讓DCS/PCS信號(hào)通過(guò)的高通濾波器。
這樣，構(gòu)成圖8所示的三波段的高頻端。
圖9表示三個(gè)SAW濾波器SAW1、SAW2、SAW3中，在代表的一個(gè)SAW濾波器的帶通頻率前后的概略通過(guò)特性。圖9中，實(shí)線為該實(shí)施形態(tài)的通過(guò)特性、虛線為未設(shè)置所述中間接地電極時(shí)的通過(guò)特性。
如以上所述，為了進(jìn)行安裝在多層底板上的高頻部件的接地連接，通過(guò)在第1接地電極和第2接地電極之間設(shè)置成為中間接地電極的第3接地電極，從而能充分確保衰減頻帶的衰減量。
圖10為表示通信裝置一構(gòu)成例的方框圖。在圖中“高頻端”上采用圖2～圖8所示的三波段的高頻端?！笆瞻l(fā)電路”由前述的三波段的發(fā)送電路及接收電路構(gòu)成?！盎鶐Э刂齐娐贰边M(jìn)行收發(fā)電路的控制、及讀取鍵盤輸入部KEY的輸入操作、顯示部LCD的驅(qū)動(dòng)、來(lái)自話筒的聲音輸入、揚(yáng)聲器的驅(qū)動(dòng)等。
這樣，通過(guò)具有能充分確保衰減頻帶的衰減量的高頻端，從而能得到具有穩(wěn)定、優(yōu)良通信性能的通信裝置。
權(quán)利要求
1.一種高頻組件，包括多層底板，該底板由多層電介質(zhì)層和多層內(nèi)部電極層層迭而成，其第1主面上至少有1個(gè)第1接地電極、其第2主面或內(nèi)部有第2接地電極、以及高頻部件，該部件安裝在所述多層底板的第1主面，具有與所述多層底板的第1接地電極連接的至少1個(gè)接地端子，其特征在于，所述多層底板的內(nèi)部設(shè)置通過(guò)通路孔導(dǎo)體與所述第1接地電極連接，并通過(guò)多個(gè)通路孔導(dǎo)體與所述第2接地電極連接的第3接地電極。
2.如權(quán)利要求1所述的高頻組件，其特征在于，設(shè)置多層所述第3接地電極，這些第3接地電極之間分別用多個(gè)通路孔導(dǎo)體連接。
3.如權(quán)利要求1所述的高頻組件，其特征在于，所述高頻部件具有多個(gè)接地端子，所述多層底板具有與所述多個(gè)接地端子分別對(duì)應(yīng)的多個(gè)第1接地電極，這些第1接地電極通過(guò)與這些第1接地電極分別對(duì)應(yīng)的多個(gè)通路孔導(dǎo)體、與公共的第3接地電極連接。
4.如權(quán)利要求1所述高頻組件，其特征在于，在所述多層底板的第1主面上安裝多個(gè)高頻部件，設(shè)置與多個(gè)所述高頻部件分別對(duì)應(yīng)的多個(gè)所述第3接地電極。
5.如權(quán)利要求4所述的高頻組件，其特征在于，所述多個(gè)高頻部件分別有多個(gè)接地端子，所述多層底板具有與所述多個(gè)接地端子分別對(duì)應(yīng)的多個(gè)第1接地電極，這些第1接地電極通過(guò)與這些第1接地電極分別對(duì)應(yīng)的多個(gè)通路孔導(dǎo)體、與公共的第3接地電極連接。
6.如權(quán)利要求1所述的高頻組件，其特征在于，做成連接所述第3接地電極和所述第2接地電極的通路孔導(dǎo)體的數(shù)量比連接所述第1接地電極和所述第3接地電極的通路孔導(dǎo)體的數(shù)量多。
7.如權(quán)利要求1所述的高頻組件，其特征在于，做成使連接所述第1接地電極和所述第3接地電極的通路孔導(dǎo)體的電感成分比連接所述第3接地電極和所述第2接地電極的通路孔導(dǎo)體的電感成分小。
8.一種通信裝置，其特征在于，在如權(quán)利要求1所述的高頻組件中，將高頻部件作為芯片型濾波器，在多層底板內(nèi)構(gòu)成LC濾波器的同時(shí)，在高頻端部也具備該高頻組件。
全文摘要
本發(fā)明揭示一種能獲得可確實(shí)地進(jìn)行安裝在多層底板上的高頻部件的接地連接，并顯示出良好的電氣特性的高頻組件以及具備該組件的通信裝置。在安裝在多層底板1的上面的高頻部件21、22的安裝用的上面接地電極Gq1、Gq2和公共接地電極Gd間，設(shè)置中間電極Gg1、Gg2、Gm1、Gm2、Go1、Go2。另外，做成使各接地電極間導(dǎo)通的通路孔導(dǎo)體的數(shù)量與從上面接地電極至中間接地電極的數(shù)量相比、從中間接地電極至公共接地電極的數(shù)量多。
文檔編號(hào)H04B1/50GK1498026SQ200310102868
公開日2004年5月19日 申請(qǐng)日期2003年10月23日 優(yōu)先權(quán)日2002年10月23日
發(fā)明者降谷孝治 申請(qǐng)人:株式會(huì)社村田制作所