專利名稱：膜層及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明相關(guān)于一種膜層以及其制造方法，以及，在此，特別地相關(guān)于一種具有皺折溝(corrugation grooves)以及抗黏組件(antistick element)的膜層，以及一種產(chǎn)生該膜層的方法，特別地是，本發(fā)明相關(guān)于一種用于一麥克風(fēng)的膜層，舉例而言，一硅麥克風(fēng)(silicon microphone)。
背景技術(shù)：
一個由微機械方式形成之硅麥克風(fēng)的中心組件乃是在其中所使用的膜層，而該膜層則適用于在聲域(sound field)中進行振動，且此膜層的前提是，其要盡可能的敏感，但是卻不可以在強烈的偏斜下黏附于對電極以及造成與該對電極的一接觸，其中，如此強烈之偏斜，舉例而言，乃是藉由高聲級(high sound level)，一靜電吸引，或是流體之表面張力所造成。
在習(xí)知技術(shù)中，已知有數(shù)種方法用以改善，一方面，該膜層的敏感度，以及用以避免，另一方面，該膜層的沾黏。
一種用于理想化該敏感度的方法是，理想化該膜層的層特性以及側(cè)向設(shè)計，舉例而言，藉由所謂的彈簧膜層(spring membrane)，然而，此方法的缺點卻在于，該膜層由于該理想化所造成的面積減少也會降低該膜層的容量。
另一個改善用于一硅麥克風(fēng)之一膜層之敏感度的方法是，在該膜層中提供所謂的皺折溝，如此的一種方法，舉例而言，乃是由Zou，Quanbo et al.在“Design and Fabrication of Silicon CondenserMicrophone Using Corrugated Diaphragm Technique”in Journalof Microelectromechanical Systems，vol.5，No.3，September1996中進行敘述，而根據(jù)此方法，V型的溝渠乃會被形成在一硅基板中，以在該膜層之接續(xù)形成中產(chǎn)生所需的皺折溝。
一種用于避免該膜層對一對電極之一不可逆沾黏的方法是，提供所謂的抗黏組件(抗黏凸塊/凹陷)，其中，這些抗黏組件乃是在該膜層中的針狀結(jié)構(gòu)，且其乃會在與該對電極接觸的期間顯著地減少接觸區(qū)域，正如Brauer，et al.在“Silicon Microphone Based onSurface and Bulk Micromachining”，Journal of Micromechnicsand Microengineering，11(2001)，pp.319-322中所敘述的一樣，不過，此方法的缺點卻是，該等針狀結(jié)構(gòu)的產(chǎn)生即代表著額外的程序努力。
有關(guān)于在習(xí)知技術(shù)中所已知的解決方案，必須要注意的是，它們教示了，一方面，用于產(chǎn)生該等抗黏組件，以及，另一方面，用于增加該膜層之敏感度的獨立程序。
由此習(xí)知技術(shù)著手，本發(fā)明的一個目的即在于提供一種用于制造一膜層的改進方法，以及一改進的裝置，其中，藉由減少的程序技術(shù)生產(chǎn)努力，該膜層的一敏感度可以獲得改善，同時，該膜層對于一對電極的沾黏也同樣可以加以避免。
該目的乃是藉由權(quán)利要求1所述的方法，以及權(quán)利要求11所述之裝置而加以達成。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種制造用于一裝置之一膜層的方法，包括下列步驟(a)提供一基板，在其上乃設(shè)置一對電極，其中，一犧牲層乃設(shè)置于該對電極遠離該基板的表面上；(b)結(jié)構(gòu)化該犧牲層遠離該對電極的該表面，以在該表面中形成多個凹陷，進而同時定義一或數(shù)個抗黏組件以及一或數(shù)個皺折溝；(c)在該犧牲層之該已結(jié)構(gòu)化表面上沉積一膜層材質(zhì)；以及(d)移除該犧牲層，以形成具有一或數(shù)個皺折溝以及一或數(shù)個抗黏組件的該膜層。
根據(jù)本發(fā)明的一較佳實施例，該等抗黏組件乃是加以定義為位在該犧牲層相對于該對電極之一中心區(qū)域的一區(qū)域中，并且，在此實施例中，該等皺折溝乃是加以定義為位在該犧牲層相對于該對電極之一邊緣區(qū)域的一區(qū)域中，因此，在該膜層對該對電極的一偏斜期間，僅會有該一或數(shù)個抗黏組件會接觸到該對電極。
根據(jù)本發(fā)明的一另一較佳實施例中，一另一犧牲層乃會被沉積于該犧牲層(106)進行結(jié)構(gòu)化之后的該已結(jié)構(gòu)化表面上，且其所具有之厚度乃會比該犧牲層之厚度更小，因此，該犧牲層的該已結(jié)構(gòu)化表面即會映像(mapped)到該另一犧牲層遠離該犧牲層的表面上，其中，在步驟(c)中，該膜層材質(zhì)乃被沉積于該另一犧牲層之該已結(jié)構(gòu)化表面上，以及，該另一犧牲層乃于步驟(d)中同時被移除。
較佳地是，該犧牲層于步驟(d)中進行移除，因而使得該犧牲層的一部分會剩余在該對電極外側(cè)的一區(qū)域中，進而定義出由該對電極所隔開之支持該膜層的一結(jié)構(gòu)。
較佳地是，該等皺折溝乃會進行結(jié)構(gòu)化，因而使得它們?yōu)楠毩?、且會環(huán)繞抗黏組件，該等皺折溝乃可以加以定義為一環(huán)狀形式、一多邊形串行(polygon train)形式、或是任何其它形式。
較佳地是，該等定義該等抗黏組件的凹陷乃具有一比該等定義該等皺折溝之凹陷的一側(cè)向尺寸更小的側(cè)向尺寸，因此，當沉積該膜層材質(zhì)、或是該另一犧牲層時，該等定義該等抗黏組件的凹陷將會再次完全地、或是幾乎完全地被關(guān)閉，根據(jù)該凸塊所需的形式。
再者，本發(fā)明提供一種裝置，包括一基板，在其上乃設(shè)置有一對電極；以及一膜層，乃受到支撐而與該對電極相互隔開、且與該對電極相對，其中，該膜層乃在該膜層的一中心區(qū)域中具有一或數(shù)個抗黏組件，以及在該膜層環(huán)繞該中心區(qū)域的一邊緣區(qū)域中具有一或數(shù)個皺折溝，因此，在該膜層對該對電極的一偏斜期間，僅有該一或數(shù)個抗黏組件會接觸到該對電極。
較佳地是，該裝置為一麥克風(fēng)，舉例而言，一硅麥克風(fēng)，以及該膜層乃是一麥克風(fēng)膜，或者，二者擇一地，該裝置亦可以為一壓力傳感器。
本發(fā)明所具有的一優(yōu)點為，該敏感度僅藉由在該膜層中的一或數(shù)個皺折溝即獲得改善，其中，該等皺折溝乃會于該膜層中形成一垂直環(huán)繞波結(jié)構(gòu)，因此，根據(jù)本發(fā)明，一或數(shù)個環(huán)結(jié)構(gòu)(皺折溝)以及一或數(shù)個孔洞結(jié)構(gòu)(凸塊，抗黏組件)乃加以定義于用于決定在電容式麥克風(fēng)(condenser microphone)中間隔距離的該犧牲氧化層中，而可以在該膜層的沈積沈積期間作為其模型，以造成所需的結(jié)構(gòu)。
根據(jù)本發(fā)明，該制造方法的一改進藉由于一個程序步驟中同時產(chǎn)生該等皺折溝以及該等抗黏組件而加以達成，因此，在習(xí)知技術(shù)中，需要不同方法以及生產(chǎn)程序以用于分別產(chǎn)生該等皺折溝以及產(chǎn)生該等抗黏組件的缺點，即可以加以避免。
本發(fā)明的一個優(yōu)點在于，現(xiàn)在，該等皺折溝的產(chǎn)生乃可以利用與到目前為止用來產(chǎn)生該等抗黏組件相同的技術(shù)來進行，因此，根據(jù)本發(fā)明，并不需要額外的程序步驟。
再者，由于該膜層的面積并未進行結(jié)構(gòu)化，也因此并未為了增加該敏感度而被減少，所以，該容量可以完全維持一樣。
此外，根據(jù)本發(fā)明之該已皺折膜層在敏感度上的增加，相較于藉由羽毛膜層(feather membrane)所獲得者，可以額外地藉由皺折溝的數(shù)量而進行調(diào)整。


本發(fā)明的較佳實施例將以所附圖式做為參考而于之后進行討論，它們顯示圖1A至圖1D其顯示根據(jù)本發(fā)明之用于制造一麥克風(fēng)膜層的實施例；圖2A其顯示根據(jù)在圖1所述之該方法所產(chǎn)生之該麥克風(fēng)膜層的一上視圖；圖2B其顯示在圖2A中，該膜層之一部分的一詳細圖式；圖3其顯示依照皺折溝之數(shù)量而表示根據(jù)本發(fā)明之該麥克風(fēng)膜層的改善的圖表；圖4A其顯示具有需要用于決定該敏感度之參數(shù)的一皺折膜層的一表示圖；以及圖4B其顯示圖4A之一膜層的一皺折溝的一剖面表示圖。
具體實施例方式
接下來，根據(jù)本發(fā)明之用于制造一硅麥克風(fēng)的一實施例將會以圖1A至圖1D做為參考而進行詳細地敘述，其中，具有抗黏組件(凸塊)以及皺折溝之一膜層的制造于之后加以舉例說明，而該膜層乃可以是一電容性麥克風(fēng)的部分，其中，該膜層會形成圓盤電容器(disccapacitor)的一電極，以及一第二靜態(tài)電極乃置于其上。
在圖1A中，具有一第一主表面102的一基板100加以顯示，而在該基板100的該主表面102上，一對電極104乃至少會部分地加以形成，接著，一第一犧牲氧化層106乃被設(shè)置于該對電極104遠離該基板100的一表面上，且其中，其乃是被形成在圖1A中所顯示之該實施例中，因而使得其會完全地覆蓋該對電極，以及更進一步地延伸至該基板100的該第一主表面102。
在該第一犧牲氧化層106遠離該基板100的一表面100中，一第一多個凹陷110以及一第二多個凹陷112乃會加以形成，其中，為了清晰的理由，在圖1A中，僅該等凹陷的個別數(shù)個被提供以參考數(shù)字，再者，該等凹陷110，112會藉由一適當?shù)奈g刻程序而被導(dǎo)入該第一犧牲氧化層106的該表面108，其中，該等凹陷110乃是加以建構(gòu)以定義將在該膜層中形成之該等皺折溝的結(jié)構(gòu)，以及，該等凹陷110則是建構(gòu)以定義被提供在該膜層中之該等抗黏組件的結(jié)構(gòu)，并且，該等凹陷110，112的側(cè)向幾何乃會加以選擇為，讓用于定義該等抗黏組件之該等凹陷112相當?shù)恼e例而言，在1μm的范圍中，而使得該等凹陷112將會再次地于一接續(xù)氧化沉積，舉例而言，具有一大約600nm厚度，中幾乎關(guān)閉，因此，該等凹陷112的該側(cè)向尺寸乃大約會落在該待接續(xù)沉積之氧化層的厚度范圍中，相較之下，該等用于定義該等皺折溝的凹陷100則是會加以設(shè)計為顯著地比由一氧化沉積所產(chǎn)生之一接續(xù)層的厚度更寬，其中，該等凹陷110的該尺寸可以為，舉例而言，5μm。
正如圖1B所示，一第二犧牲氧化層116加以沉積在該第一犧牲氧化層的該已結(jié)構(gòu)化表面108上，以圓滑在圖1A所示的該結(jié)構(gòu)，其中，相較于該第一犧牲氧化層的厚度，該第二犧牲氧化層的厚度較小，且在所舉例說明的例子中，大約為600nm，再者，正如上述以圖1A做為參考所敘述的一樣，該等用于定義該等抗黏組件之凹陷112的尺寸乃會加以選擇為使得該等凹陷112的側(cè)向尺寸會落在該另一犧牲氧化層116之厚度的范圍中，而此所導(dǎo)致的事實則會是，在沉積完該第二犧牲氧化層116之后，該等凹陷112，即該等所謂的凸決孔洞，僅會剩余一尖銳凹洞，正如在圖1B中由參考數(shù)字118所顯示者。
由于該等用于定義在該第一犧牲氧化層116之該表面中之該等皺折溝的凹陷110的尺寸顯著地大于該氧化層116的厚度，因此，乃會造成該等凹陷110進入該第二犧牲氧化層的一相對應(yīng)映像(mapping)。
在一接續(xù)步驟中，正如圖1C所示，該膜層材質(zhì)乃會進行沉積，以產(chǎn)生該膜層120，而在所舉例說明的實施例中，該用于產(chǎn)生該膜層120的膜層材質(zhì)乃會被沉積為具有一大約200nm的厚度，再者，正如在圖1C中由參考數(shù)字122所舉例說明的，在該第二犧牲氧化層116中所形成的該等凹洞118亦會于該膜層材質(zhì)的沉積期間被映像進入該膜層120，在此同時，由于沉積乃是于該等凹陷110的輪廓之下進行，因此，該等皺折溝124乃會形成在該犧牲氧化層116之該表面中的該膜層中。
在一最終方法步驟中，該第一犧牲氧化層106以及該第二犧牲氧化層116乃會部分地被移除，舉例而言，藉由一適當?shù)奈g刻程序，因而形成分別在該膜層120、該基板100以及該對電極104間，具有一凹洞128的結(jié)構(gòu)，如圖1D所示，其中，該等犧牲層106，116乃加以移除為使得部分該等犧牲層會剩余在該對電極104外部的一區(qū)域中，以定義由該對電極104所隔開之一支持該膜層120的一結(jié)構(gòu)129，而正如可由圖1D中看出，由于該犧牲氧化層106的移除，即會產(chǎn)生具有包括該等皺折溝124以及多個抗黏組件(抗沾黏凸塊)126的該膜層120的配置。
根據(jù)本發(fā)明，已經(jīng)利用此簡單之方法所產(chǎn)生的一麥克風(fēng)膜層，一方面，會由于該等皺折溝而具有一獲得改善的敏感度，以及，另一方面，會由于該等所提供的抗黏組件，而在朝向該對電極的一偏斜時，不會沾黏該對電極，并且，正如前述，本發(fā)明所具有的優(yōu)點在于，不需要任何不同的生產(chǎn)程序來產(chǎn)生該等皺折溝以及抗黏凸塊，且它們乃可以在根據(jù)本發(fā)明的一共同生產(chǎn)步驟中被產(chǎn)生。
在圖1所顯示的該實施例中，一所產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)乃會形成具有該等抗黏組件設(shè)置于該膜層120之一中心區(qū)域的一硅麥克風(fēng)，其中，該等皺折溝124乃被設(shè)置于該膜層120圍繞該具有該等抗黏組件中心區(qū)域、并更進一步被連接至該支持結(jié)構(gòu)129的一邊緣區(qū)域中，而此結(jié)構(gòu)所具有的效果則是，在該膜層120的一強烈偏斜期間，該具有該等抗黏組件126的中心區(qū)域可以偏斜到接觸該對電極104，其中，在此，由于該接觸區(qū)域已因該等所提供的抗黏組件120而獲得足夠的縮減，所以，一黏著可以加以避免。
在圖2A中，顯示該膜層120的一上視圖，而其則是根據(jù)圖1所敘述之方法所加以產(chǎn)生。
正如可由圖2A中看出，該膜層120以及該支持結(jié)構(gòu)120乃加以設(shè)計為一環(huán)狀形式，而未顯示于圖2A中的該基板也是一樣，并且，在該膜層120之該邊緣區(qū)域中的該六個皺折溝124加以形成為環(huán)狀形式，且為獨立的結(jié)構(gòu)，其中，內(nèi)部的皺折溝乃會環(huán)繞在該膜層20支該中心區(qū)域中的該等抗黏組件126。
圖2B為在圖2A中所顯示之具有該等皺折溝124以及該等凸塊126的該膜層的一放大表示圖，其中，該等皺折溝具有一大約5μm的寬度，以及該等凸塊具有一大約1μm的寬度，而較佳地則是，該對電極包括有多個開口以及該等凸塊的配置相符于這些開口。
雖然本發(fā)明在已經(jīng)藉由在圖1以及圖2中之較佳實施例做為參考而加以敘述，但并不受限于這些實施例，更確切地是，該膜層120亦可以具有其它的形式，例如，方形形式，以及該等皺折溝124也不受限于所敘述的環(huán)狀設(shè)計，更確切地說，該等皺折溝也可以藉由一橫切線(traverse)、或是藉由數(shù)個彼此分開的部分而加以形成。
再者，于上述的實施例中已經(jīng)舉例說明，一第二犧牲氧化層116乃被沉積于該第一犧牲氧化層上，而在一另一實施例中，該膜層則也是可以直接地被沉積在該第一犧牲氧化層106上。
雖然上述之實施例的敘述乃是有關(guān)于一硅麥克風(fēng)，但應(yīng)該要注意地是，本發(fā)明并不受限于此應(yīng)用，更確切地說，本發(fā)明乃適用于被提供以需要具有一程度之敏感度之一膜層、且對于一對電極之黏著被避免的裝置，至于其它的應(yīng)用領(lǐng)域則包括，舉例而言，壓力傳感器等。
接下來，將以圖3做為參考而更詳細地討論一膜層之敏感度因該等皺折溝而獲得改善的情形。該膜層120處于主要決定該膜層120之該敏感度的一拉伸應(yīng)力(tensile stress)之下，而該皺折溝則用以舒緩此層應(yīng)力，在此，其可以看出，敏感度的增加乃會于大范圍中正比于被導(dǎo)入皺折溝的數(shù)量Nc，而在圖3中所舉例說明之以FEM分析(FEM＝finite element method有限元分析)作為基礎(chǔ)的該圖表中，在敏感度上的增加乃是顯示為相關(guān)于一環(huán)狀膜層120的其一，正如，舉例而言，其于圖2中所顯示的一樣，再者，正如可以由在圖3中所顯示之該舉例說明所看出的，僅藉由使用兩條皺折溝(Nc＝2)，該敏感度即已經(jīng)加倍。
而為了對一皺折膜層之敏感度有一更精確的敘述，則其必須要考慮其幾何。在圖4A中，一環(huán)形皺折膜層加以舉例說明，類似于在圖2中所顯示者，且其中，于圖4A中所描繪的乃為該膜層120的半徑R。在圖4A所顯示的該實施例中，該膜層包括四個皺折溝124，再者，該距離Rc在圖4A中表示該皺折膜層120之一邊緣與相鄰于該邊緣之第一皺折溝的距離，亦即，最外層之皺折溝以及該膜層120之邊緣間的距離。
在圖4B中，舉例說明于圖4A中所形成之一皺折溝的一剖面圖，其中，Wc指示該皺折溝的寬度，hc為該皺折溝的高度，t為該膜層120之厚度，以及bc/2表示該在考慮中之皺折溝與相鄰皺折溝間之距離的一半。
藉由上述亦標示于圖4中的標記，則于圖4A所示之該膜層120中，有效張力的一關(guān)系式乃可以表示如下σ0=σ01+2,55·hc2t2·(bc+wc)·NcR-Rc-(bc+wc)·Nc]]>在上述的方程式中，σ0為該膜層材質(zhì)的層張力。而正如可由該方程式看出，一皺折膜層之敏感度的增加乃是以在該膜層120中之一較低有效機械張力作為基礎(chǔ)。
組件符號說明100 基板102 基板表面104 對電極106 第一氧化層108 第一犧牲氧化層之表面110 第一多個凹陷112 第二多個凹陷116 第二犧牲氧化層118 第二犧牲氧化層之凹陷120 膜層122 膜層中之凹陷124 皺折溝126 抗黏組件128 凹洞129 支持結(jié)構(gòu)
權(quán)利要求
1.一種制造用于一裝置的一膜層(120)的方法，包括下列步驟(a)提供一基板(100)，在其上乃設(shè)置一對電極(104)，其中，一犧牲層(106)乃設(shè)置于該對電極(104)遠離該基板的表面上；(b)結(jié)構(gòu)化該犧牲層(106)遠離該對電極(104)的該表面，以在該表面中形成多個凹陷(110，112)，進而同時定義一或數(shù)個抗黏組件以及一或數(shù)個皺折溝；(c)在該犧牲層(106)的該已結(jié)構(gòu)化表面(108)上沉積一膜層材質(zhì)(120)；以及(d)移除該犧牲層(106)，以形成具有一或數(shù)個皺折溝(124)以及一或數(shù)個抗黏組件(126)的該膜層(120)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在該步驟(b)中，該等抗黏組件乃是在該犧牲層(106)相對于該對電極(104)的一中心區(qū)域的一區(qū)域中定義，以及其中，該等皺折溝乃是定義為位在該犧牲層(106)相對于該對電極(104)的一邊緣區(qū)域的一區(qū)域中，因此，在該膜層(120)對該對電極(104)的一偏斜期間，僅會有該一或數(shù)個抗黏組件(126)會接觸到該對電極(104)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，在該步驟(b)以及該步驟(c)間更包括下列步驟在該犧牲層(106)的該已結(jié)構(gòu)化表面(108)上沉積具有比該犧牲層(106)的厚度更小的厚度的一另一犧牲層(116)，因此，該犧牲層(106)的該已結(jié)構(gòu)化表面(108)乃會映像(mapped)到該另一犧牲層(116)遠離該犧牲層(106)的表面上，其中，在步驟(c)中，該膜層材質(zhì)(120)乃沉積于該另一犧牲層(116)的該已結(jié)構(gòu)化表面上；以及其中，該另一犧牲層(116)乃會于步驟(d)中同時被移除。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3其一所述的方法，其中，該犧牲層(106)乃于步驟(d)中進行移除，因而使得該犧牲層(106)的一部分會殘留在該對電極(104)外側(cè)的一區(qū)域中，進而定義出由該對電極所隔開而支持該膜層(120)的一結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4其一所述的方法，其中，該犧牲層(106)乃于步驟(b)進行結(jié)構(gòu)化，進以定義出獨立且環(huán)繞抗黏組件的皺折溝。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，該等皺折溝(124)乃加以定義為一環(huán)狀形式、或是一多邊形串行(polygon train)形式。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6其一所述的方法，其中，該等定義該等抗黏組件的凹陷(112)乃具有比該等定義該等皺折溝凹陷的一側(cè)向尺寸更小的側(cè)向尺寸，因此，當沉積該膜層材質(zhì)、或是該另一犧牲層(116)時，該等定義該等抗黏組件的凹陷將會再次地被關(guān)閉。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7其一所述的方法，其中，該膜層材質(zhì)(120)乃為硅。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8其一所述的方法，其中，該裝置乃是一麥克風(fēng)，以及其中，該膜層(120)乃是一麥克風(fēng)膜。
10.一種裝置，包括一基板(100)，在其上乃設(shè)置有一對電極(104)；以及一膜層(120)，乃受到支撐而與該對電極(104)相互隔開、且與該對電極(104)相對，其中，該膜層(120)乃在該膜層(120)的一中心區(qū)域中具有一或數(shù)個抗黏組件(126)，以及在該膜層(120)環(huán)繞該中心區(qū)域的一邊緣區(qū)域中具有一或數(shù)個皺折溝(124)，因此，在該膜層(120)對該對電極(104)的一偏斜期間，僅有該一或數(shù)個抗黏組件(126)會接觸到該對電極(104)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，其中，該裝置乃是一麥克風(fēng)，以及其中，該膜層(120)乃是一麥克風(fēng)膜。
全文摘要
在一種制造用于一裝置，例如麥克風(fēng)的一膜層(120)的方法中，首先，乃提供一基板(100)，而在其上則是設(shè)置一對電極(104)。一犧牲層(106)乃設(shè)置于該對電極(104)遠離該基板(100)的表面上，然后，該犧牲層(106)遠離該對電極(104)的該表面乃進行結(jié)構(gòu)化以在該表面中形成多個凹陷，進而同時定義一或數(shù)個抗黏組件以及一或數(shù)個皺折溝。然后于該犧牲層(106)該已結(jié)構(gòu)化表面(108)上沉積一膜層材質(zhì)(120)，接著，該犧牲層(106)即被移除，以形成具有一或數(shù)個皺折溝(124)以及一或數(shù)個抗黏組件(126)的膜層(120)。
文檔編號H04R19/00GK1703932SQ200380101283
公開日2005年11月30日 申請日期2003年10月9日 優(yōu)先權(quán)日2002年10月11日
發(fā)明者A·德赫, S·巴曾, M·富伊德納 申請人:因芬尼昂技術(shù)股份公司