專利名稱：由電磁場(chǎng)提供電功率的電路裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種由基站發(fā)射的高頻電磁場(chǎng)提供電功率的電路裝置，用于基于背散射的、尤其是無(wú)源的應(yīng)答器。
背景技術(shù)：
這種類型的電路裝置例如用于非接觸式識(shí)別系統(tǒng)(RFID系統(tǒng))中的應(yīng)答器(Transponder)及用于遠(yuǎn)程傳感器，以便使識(shí)別信息或傳感信息從應(yīng)答器或傳感器非接觸地傳送到一個(gè)基站或讀取站。當(dāng)以下說(shuō)到應(yīng)答器時(shí)，遠(yuǎn)程傳感器也應(yīng)包括在內(nèi)。
應(yīng)答器或其發(fā)送及接收裝置通常不具有用于向基站傳送數(shù)據(jù)的有源發(fā)送器。這種非有源系統(tǒng)，當(dāng)它不具有本身的能量供給時(shí)被稱為無(wú)源系統(tǒng)；當(dāng)它具有本身的能量供給，則被稱為半無(wú)源系統(tǒng)，在這種系統(tǒng)中，對(duì)于在基站的遠(yuǎn)程區(qū)域中與UHF(超高頻)或微波相聯(lián)系的數(shù)據(jù)傳輸通常使用所謂的背散射或反向散射耦合。為此將從基站發(fā)射電磁波，這些電磁波由應(yīng)答器的發(fā)送及接收裝置根據(jù)待向基站傳輸?shù)臄?shù)據(jù)用一種調(diào)制方法調(diào)制及反射。這通常通過(guò)發(fā)送及接收裝置的輸入阻抗的改變來(lái)產(chǎn)生，它將引起與它連接的天線的反射特性的變化。
對(duì)傳輸范圍的要求，尤其對(duì)于無(wú)源的應(yīng)答器來(lái)說(shuō)正在不斷地提高。為了在無(wú)源的應(yīng)答器上實(shí)現(xiàn)高的傳輸范圍，天線或與天線相連接的電路必需適配地定參數(shù)，及一個(gè)接收由天線收到的交變信號(hào)的整流器必需能將即使很小的電壓轉(zhuǎn)換成一個(gè)足夠的工作電壓。但這樣高的靈敏度會(huì)在基站的附近區(qū)域中-由于這里存在的高場(chǎng)強(qiáng)-導(dǎo)致整流器或其它電路部分的損壞。例如當(dāng)在附近區(qū)域中整流器產(chǎn)生出一個(gè)過(guò)高的電壓，該電壓在其輸出端通過(guò)電壓調(diào)節(jié)器被限制，將視電壓調(diào)節(jié)器的實(shí)施方式而定可能在整流器中引起變大的電流，這可能導(dǎo)致超過(guò)其最大功率及由此導(dǎo)致它的損壞。
為了限制在附近區(qū)域中由天線接收的功率，進(jìn)行與天線連接的輸入回路的所謂去諧，即失配。該失配將導(dǎo)致反射功率分量的增加及引起吸收功率分量的下降。
在傳統(tǒng)的系統(tǒng)中這將借助去諧單元來(lái)實(shí)現(xiàn)，它使用一種具有振幅鍵控(ASK)的調(diào)制器，該調(diào)制器為了失配將改變與天線連接的電路部分或輸入部分的輸入阻抗的實(shí)數(shù)部分。為此將ASK調(diào)制器設(shè)在輸入部分中或作為附加負(fù)載電阻設(shè)在整流器輸出端。這種電路裝置例如已由EP 1 211 635 A2公開(kāi)。但它是以輸入阻抗的與虛數(shù)部分相比高的實(shí)數(shù)部分為前提的。在此，ASK調(diào)制器除ASK調(diào)制控制信號(hào)外由一個(gè)設(shè)在去諧單元中的調(diào)節(jié)器控制，該調(diào)節(jié)器根據(jù)由天線饋入的功率通過(guò)ASK調(diào)制器的工作點(diǎn)調(diào)節(jié)引起適當(dāng)?shù)氖?。?dāng)為了應(yīng)答器與基站之間的數(shù)據(jù)傳輸使用移相鍵控(PSK)-調(diào)制時(shí)，它以輸入阻抗的與虛數(shù)部分相比小的實(shí)數(shù)部分為前提。因此，為了通過(guò)實(shí)數(shù)部分的改變調(diào)節(jié)失配必需借助一個(gè)電路裝置，例如一個(gè)晶體管在輸入部分或整流器的輸出端上產(chǎn)生一個(gè)低歐姆電阻的路徑。這種低歐姆電阻的電路裝置通常具有更大的寄生參數(shù)，在常規(guī)工作中它會(huì)導(dǎo)致相應(yīng)的損耗，由此使傳輸范圍減小。因此為了傳輸數(shù)據(jù)通常PSK調(diào)制不可與基于輸入阻抗的實(shí)數(shù)部分的變化的、即基于ASK調(diào)制的去諧單元組合。
由DE 196 29 291 A1公開(kāi)了在一個(gè)應(yīng)答器的輸入回路中設(shè)置兩個(gè)反向并聯(lián)的二極管，用于靜電放電(ESD)-保護(hù)。在此，這些二極管例如當(dāng)由于ESD干擾使輸入電壓超過(guò)二極管閾值時(shí)導(dǎo)通。而這里沒(méi)有產(chǎn)生與場(chǎng)強(qiáng)相關(guān)的功率適配。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所基于的技術(shù)問(wèn)題是，提供一種開(kāi)始部分所述類型的電路裝置，它在電磁場(chǎng)的遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)中也能保證足夠的供電電壓，及在近區(qū)中可這樣地限制功率輸入，以使得部件的損壞或故障可被避免。
上述問(wèn)題被這樣解決，即，本發(fā)明提出了一種由基站發(fā)射的高頻電磁場(chǎng)提供電功率的電路裝置，用于基于背散射的、尤其是無(wú)源的應(yīng)答器，該電路裝置具有一個(gè)具有兩個(gè)連接極的天線，一個(gè)用于限制由所述天線從電磁場(chǎng)取得的功率的去諧單元，它被連接在這些連接極之間，其中，去諧單元包括一個(gè)部件，它的阻抗根據(jù)在天線上存在的電磁場(chǎng)的場(chǎng)強(qiáng)而變化。
在根據(jù)本發(fā)明的電路裝置中，去諧單元包括一個(gè)部件，它的阻抗根據(jù)在天線上存在的電磁場(chǎng)的場(chǎng)強(qiáng)而變化。由此可作到例如在中等及小的場(chǎng)強(qiáng)時(shí)，這樣選擇該部件的阻抗，以使得在其天線端子上所產(chǎn)生的應(yīng)答器的輸入阻抗可實(shí)現(xiàn)功率適配的工作。在基站的遠(yuǎn)程區(qū)域中的場(chǎng)強(qiáng)變化及由此的阻抗變化相對(duì)地小，因此在這里整個(gè)區(qū)域中大約以功率適配占優(yōu)勢(shì)。當(dāng)在基站附近區(qū)域中天線上存在的場(chǎng)強(qiáng)很強(qiáng)地增大時(shí)，該部件的阻抗很強(qiáng)地改變，由此使與天線連接的電路部分的所產(chǎn)生的輸入阻抗也很強(qiáng)地變化。這使得天線很強(qiáng)地失配及由此使從電磁場(chǎng)取得的功率很強(qiáng)地下降。在連接的電路部分、如整流器中過(guò)大的功率輸入則可被避免。在遠(yuǎn)程區(qū)域中，天線適配地工作及對(duì)連接的電路部分提供由電磁場(chǎng)吸取的最大功率。
由于輸入阻抗的實(shí)數(shù)部分及虛數(shù)部分可根據(jù)輸入功率通過(guò)失配實(shí)現(xiàn)的強(qiáng)變化，這種失配的實(shí)現(xiàn)方案與基于ASK的去諧單元相比在輸入功率升高時(shí)具有大大有效的功率降低，因?yàn)檫@里與基于ASK的去諧單元相反地，不僅輸入阻抗的實(shí)數(shù)部分而且虛數(shù)部分也改變。在ASK調(diào)制中使用的調(diào)制器或負(fù)載電阻可被去除，當(dāng)將該調(diào)制器或負(fù)載電阻設(shè)置在輸入部分時(shí)由于其寄生特性對(duì)輸入部分品質(zhì)具有副作用，而將該調(diào)制器或負(fù)載電阻設(shè)置在整流器的輸出端上時(shí)會(huì)引起遠(yuǎn)程區(qū)域特性的變差。同樣也不需要用于控制ASK調(diào)制器的調(diào)節(jié)器，它是根據(jù)饋入功率調(diào)節(jié)適當(dāng)失配的。總體地這將導(dǎo)致更簡(jiǎn)單的設(shè)計(jì)，芯片面積的節(jié)省，成本的降低及工作可靠性的顯著提高。
在電路裝置的一個(gè)進(jìn)一步構(gòu)型中，電磁場(chǎng)的頻率在300MHz至3000MHz的范圍中，尤其在400MHz至2450MHz的范圍中。在該頻率范圍中具有傳統(tǒng)的、有與場(chǎng)強(qiáng)相關(guān)的足夠阻抗變化的部件。
在電路裝置的一個(gè)進(jìn)一步構(gòu)型中，所述部件的阻抗的變化基本上是通過(guò)該阻抗的虛數(shù)部分的改變引起的。
在電路裝置的一個(gè)進(jìn)一步構(gòu)型中，該部件是可變電抗器，尤其是具有高品質(zhì)因數(shù)的可變電抗器?？勺冸娍蛊魇强珊?jiǎn)單實(shí)現(xiàn)或集成的元件，它們的電容量與電壓相關(guān)。通過(guò)高品質(zhì)因數(shù)即小的電阻分量可減小由該部件引起的功耗。
在電路裝置的一個(gè)進(jìn)一步構(gòu)型中，去諧單元包括兩個(gè)變?nèi)荻O管，尤其是具有高品質(zhì)因數(shù)的變?nèi)荻O管，它們彼此反向并聯(lián)地連接。借助這種連接可附加地實(shí)現(xiàn)靜電放電(ESD)保護(hù)。
在電路裝置的一個(gè)進(jìn)一步構(gòu)型中，去諧單元包括可變電抗器控制裝置，它們被設(shè)置成與場(chǎng)強(qiáng)相關(guān)地控制所述一個(gè)或多個(gè)可變電抗器。根據(jù)一個(gè)有利構(gòu)型，去諧單元有利地包括一個(gè)第一電容器，一個(gè)可變電抗器及一個(gè)第二電容器，它們串聯(lián)地連接在所述天線的連接極之間。這些可變電抗器控制裝置被設(shè)置成對(duì)所述一個(gè)或多個(gè)可變電抗器提供與場(chǎng)強(qiáng)相關(guān)的控制電壓。
在電路裝置的一個(gè)進(jìn)一步構(gòu)型中，在一個(gè)連接在天線的連接極上的整流器的輸出端上連接著一個(gè)電壓限制電路。該電壓限制電路例如是串聯(lián)二極管形式的，它提供了對(duì)過(guò)電壓的附加保護(hù)并導(dǎo)致工作可靠性的提高及抗損壞的保護(hù)。
在電路裝置的一個(gè)進(jìn)一步構(gòu)型中，該電路裝置被集成在一個(gè)應(yīng)答器中。有利地，該應(yīng)答器是一個(gè)無(wú)源的、即無(wú)自己能源的應(yīng)答器。
在電路裝置的一個(gè)進(jìn)一步構(gòu)型中，應(yīng)答器具有一個(gè)用于傳遞數(shù)據(jù)的調(diào)制裝置，該調(diào)制裝置根據(jù)待傳送的數(shù)據(jù)來(lái)調(diào)制由天線接收的電磁波。有利地，該調(diào)制裝置可被構(gòu)造成用于移相鍵控調(diào)制。在移相鍵控調(diào)制中輸入阻抗的實(shí)數(shù)部分比振幅鍵控中的低得多，即通過(guò)如在ASK調(diào)制中的ASK調(diào)制器的工作點(diǎn)調(diào)節(jié)的傳統(tǒng)去諧很難作到這樣。當(dāng)然，根據(jù)本發(fā)明的電路裝置可與傳統(tǒng)的ASK調(diào)制相組合。


在附圖中表示出本發(fā)明的一個(gè)有利實(shí)施形式及將在下面描述。附圖表示圖1一個(gè)由電磁場(chǎng)提供電功率的電路裝置的概要框圖，該電路裝置被集成在一個(gè)無(wú)源的應(yīng)答器TR中，圖2圖1中電路裝置的輸入阻抗的實(shí)數(shù)部分和虛數(shù)部分與輸入功率關(guān)系的曲線圖，圖3一個(gè)由電磁場(chǎng)提供電功率的電路裝置的概要框圖，該電路裝置被集成在一個(gè)無(wú)源的應(yīng)答器TR中并具有用于與場(chǎng)強(qiáng)相關(guān)地進(jìn)行可變電抗器控制的可變電抗器控制裝置。
具體實(shí)施例方式
圖1表示一個(gè)由電磁場(chǎng)提供電功率的電路裝置的概要框圖，該電路裝置被集成在一個(gè)無(wú)源的應(yīng)答器TR中。
所示的電路裝置包括一個(gè)具有兩個(gè)連接極AP1及AP2的天線AT，一個(gè)連接在連接極AP1與AP2之間的、兩個(gè)反向并聯(lián)的具有相同特性參數(shù)的高品質(zhì)因數(shù)的變?nèi)荻O管D1及D2形式的去諧單元DE，一個(gè)調(diào)制裝置ME，一個(gè)整流器GL及一個(gè)電壓限制器SB。
為了向無(wú)源應(yīng)答器TR供電，天線AT從一個(gè)電磁場(chǎng)取出功率，該電磁場(chǎng)由一個(gè)未示出的基站發(fā)射。為了在遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)中能由該電磁場(chǎng)提供足夠的功率，這樣地選擇兩個(gè)連接極AP1與AP2之間的應(yīng)答器的輸入阻抗ZE，以致產(chǎn)生功率匹配。對(duì)此的前提是，天線阻抗的虛數(shù)部分的值等于應(yīng)答器的輸入阻抗ZE的虛數(shù)部分的值及天線阻抗的實(shí)數(shù)部分等于應(yīng)答器的輸入阻抗ZE的實(shí)數(shù)部分。在此，這樣地確定變?nèi)荻O管D1及D2的參數(shù)，即在遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)中產(chǎn)生相應(yīng)的輸入阻抗ZE。
這兩個(gè)反向并聯(lián)的變?nèi)荻O管D1及D2直接地連接在天線AT的連接極AP1與AP2之間，但它們也可連接在天線輸入回路的另一位置上。
當(dāng)在基站的近區(qū)中天線上存在的場(chǎng)強(qiáng)很強(qiáng)地增大時(shí)，變?nèi)荻O管D1及D2的電容量很強(qiáng)地改變及由此很強(qiáng)地改變其阻抗的虛數(shù)部分，由此很強(qiáng)地改變尤其是應(yīng)答器的輸入阻抗ZE的虛數(shù)部分。這將導(dǎo)致天線的失配，由此使從電磁場(chǎng)取得的功率下降。所述的效應(yīng)是基于變?nèi)荻O管D1及D2的高頻特性，它們?cè)谒褂玫念l率范圍中不再如傳統(tǒng)二極管那樣地工作，后者從一定的閾值電壓開(kāi)始導(dǎo)通。
變?nèi)荻O管D1及D2也同時(shí)用作導(dǎo)出由ESD(靜電放電)引起的干擾電壓的ESD保護(hù)，因?yàn)樽內(nèi)荻O管D1及D2在輸入回路中無(wú)干擾工作時(shí)出現(xiàn)的電壓情況下不導(dǎo)通。為了優(yōu)化抗ESD干擾的強(qiáng)度應(yīng)對(duì)于變?nèi)荻O管D1及D2選擇對(duì)稱的布置。
圖2示出圖1中電路裝置的輸入阻抗ZE的實(shí)數(shù)部分和虛數(shù)部分與場(chǎng)強(qiáng)關(guān)系的曲線圖。如從該曲線圖中可看到的，當(dāng)超過(guò)一定的場(chǎng)強(qiáng)時(shí)輸入阻抗的虛數(shù)部分很強(qiáng)地下降，與此相反地，實(shí)數(shù)部分增大及然后大致保持恒定。輸入阻抗ZE的實(shí)數(shù)部分和虛數(shù)部分的這種變化與基于ASK的去諧單元相比，在場(chǎng)強(qiáng)升高時(shí)將引起大大有效的功率降低，因?yàn)樵诖伺c傳統(tǒng)去諧單元相反地不僅輸入阻抗ZE的實(shí)數(shù)部分而且虛數(shù)部分也改變。然而，虛數(shù)部分的改變對(duì)于失配起決定性作用，因?yàn)樘摂?shù)部分與實(shí)數(shù)部分相比其變化強(qiáng)得多。
調(diào)制裝置ME在去諧單元DE的輸出側(cè)上連接在連接極AP1與AP2之間及為了將數(shù)據(jù)傳送給基站由輸入信號(hào)產(chǎn)生一個(gè)相位調(diào)制的輸出信號(hào)，該輸出信號(hào)由天線AT作為反向散射或背散射信號(hào)被發(fā)射及由基站接收。
整流器GL在調(diào)制裝置ME的輸出側(cè)上連接在連接極AP1與AP2之間及用于對(duì)應(yīng)答器供給電壓。整流器GL的輸出電壓通過(guò)電壓限制器SB限壓，該電壓限制器可由二極管的串聯(lián)電路來(lái)實(shí)現(xiàn)。
圖3表示由電磁場(chǎng)提供電功率的一個(gè)替換電路裝置的概要框圖，該電路裝置被集成在一個(gè)無(wú)源的應(yīng)答器TR1中。
所示出的電路裝置除在圖1中所述的具有相同標(biāo)號(hào)的單元外還包括一個(gè)變換地構(gòu)成的去諧單元DE1。該去諧單元包括一個(gè)第一電容器C1，一個(gè)可變電抗器CV及一個(gè)第二電容器C2，它們串聯(lián)地連接在連接極AP1與AP2之間。
去諧單元DE1還包括一個(gè)PSK調(diào)制裝置ME1，它為了將數(shù)據(jù)傳送給基站由輸入信號(hào)產(chǎn)生一個(gè)相位調(diào)制的輸出信號(hào)，該輸出信號(hào)由天線AT作為反向散射或背散射信號(hào)被發(fā)射及由基站接收。為了由輸入阻抗ZE的變化產(chǎn)生不同的相位，調(diào)制裝置ME1包括一個(gè)可控電壓源形式的可變電抗器控制裝置VS，它根據(jù)待傳送的數(shù)據(jù)對(duì)可變電抗器施加一個(gè)控制電壓US，以改變其電容量。
一個(gè)適合實(shí)施這種調(diào)制方法的裝置例如被描述在本申請(qǐng)人的在先德國(guó)專利申請(qǐng)10158442.3中，它結(jié)合于此作為本申請(qǐng)內(nèi)容的參考。
除了數(shù)據(jù)傳送外，該可變電抗器控制裝置還用于與場(chǎng)強(qiáng)相關(guān)地控制可變電抗器CV。由一個(gè)未示出的、適合于此檢測(cè)場(chǎng)強(qiáng)的檢測(cè)及控制單元檢測(cè)關(guān)于天線AT上場(chǎng)強(qiáng)的場(chǎng)強(qiáng)信息S，并供給到調(diào)制裝置ME1中，該調(diào)制裝置根據(jù)該信息通過(guò)PSK調(diào)制器的工作點(diǎn)調(diào)節(jié)引起一個(gè)適當(dāng)?shù)氖?。與圖1中所示電路裝置不同地，這里可變電抗器的電容量不是根據(jù)場(chǎng)強(qiáng)自動(dòng)調(diào)節(jié)的，而是根據(jù)檢測(cè)的場(chǎng)強(qiáng)由可變電抗器控制裝置VS調(diào)節(jié)的。
在所示實(shí)施例中調(diào)制裝置ME1被集成在去諧單元DE1中，但它也可與去諧單元分開(kāi)地實(shí)施。
所示的電路裝置可實(shí)現(xiàn)應(yīng)答器在由基站發(fā)射的電磁波的附近區(qū)域及遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)中可靠及防損壞地工作，其中由于在應(yīng)答器中使用的PSK調(diào)制可實(shí)現(xiàn)高的傳輸范圍及大的抗干擾能力。
可以理解，本發(fā)明也可不集成在應(yīng)答器中而集成在其它的無(wú)線供給功率的部件、例如遙感器中。
此外本發(fā)明也可包括半無(wú)源的應(yīng)用，其中僅是部件所需功率的一部分無(wú)線地通過(guò)天線輸入，而其余的功率需要量從其它途徑來(lái)滿足。
權(quán)利要求
1.一種由基站發(fā)射的高頻電磁場(chǎng)提供電功率的電路裝置，用于基于背散射的、尤其是無(wú)源的應(yīng)答器，具有一個(gè)具有兩個(gè)連接極(AP1，AP2)的天線(AT)，一個(gè)用于限制由所述天線(AT)從電磁場(chǎng)取得的功率的去諧單元(DE)，它被連接在這些連接極(AP1，AP2)之間，其特征在于去諧單元(DE)包括一個(gè)部件(D1，D2，CV)，它的阻抗根據(jù)在天線(AT)上存在的電磁場(chǎng)的場(chǎng)強(qiáng)而變化。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的電路裝置，其特征在于該電磁場(chǎng)的頻率在300MHz至3000MHz的范圍中，尤其在400MHz至2450MHz的范圍中。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的電路裝置，其特征在于該部件(D1，D2，CV)的阻抗的變化基本上是通過(guò)該阻抗的虛數(shù)部分的改變引起的。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中一項(xiàng)的電路裝置，其特征在于該部件是一個(gè)變?nèi)荻O管(D1，D2，CV)。
5.根據(jù)以上權(quán)利要求中一項(xiàng)的電路裝置，其特征在于去諧單元包括兩個(gè)變?nèi)荻O管(D1，D2)，它們尤其是具有高品質(zhì)因數(shù)并且彼此反向并聯(lián)地連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5的電路裝置，其特征在于去諧單元(DE)包括可變電抗器控制裝置(VS)，它被設(shè)置成與場(chǎng)強(qiáng)相關(guān)地控制一個(gè)或多個(gè)可變電抗器(CV)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的電路裝置，其特征在于去諧單元(DE)包括一個(gè)第一電容器(C1)，一個(gè)可變電抗器(CV)及一個(gè)第二電容器(C2)，它們串聯(lián)地連接在連接極(AP1，AP2)之間，及可變電抗器控制裝置(VS)被設(shè)置成對(duì)所述一個(gè)或多個(gè)可變電抗器(CV)提供與場(chǎng)強(qiáng)相關(guān)的控制電壓。
8.根據(jù)以上權(quán)利要求中一項(xiàng)的電路裝置，其特征在于在一個(gè)連接在天線(AT)的連接極(AP1，AP2)上的整流器(GL)的輸出端上連接著一個(gè)電壓限制電路(SB)。
9.根據(jù)以上權(quán)利要求中一項(xiàng)的電路裝置，其特征在于該電路裝置被集成在一個(gè)應(yīng)答器(TR，TR1)中，尤其被集成在一個(gè)無(wú)源應(yīng)答器中。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的電路裝置，其特征在于應(yīng)答器(TR，TR1)具有一個(gè)用于向基站傳遞數(shù)據(jù)的調(diào)制裝置(ME，ME1)，該調(diào)制裝置根據(jù)待傳送的數(shù)據(jù)來(lái)調(diào)制由天線接收的電磁波。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的電路裝置，其特征在于該調(diào)制裝置(ME，ME1)被構(gòu)造成用于移相鍵控調(diào)制。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種由一個(gè)電磁場(chǎng)提供電功率的電路裝置，它包括一個(gè)具有兩個(gè)連接極(AP1，AP2)的天線(AT)及一個(gè)用于限制由天線(AT)從電磁場(chǎng)取得的功率的去諧單元(DE)，該去諧單元被連接在兩個(gè)連接極(AP1，AP2)之間。根據(jù)本發(fā)明，去諧單元(DE)包括一個(gè)部件(D1，D2)，它的阻抗根據(jù)在天線(AT)上存在的電磁場(chǎng)的場(chǎng)強(qiáng)而變化。該電路裝置例如應(yīng)用在應(yīng)答器或遠(yuǎn)程傳感器中。
文檔編號(hào)H04B1/59GK1534308SQ20041000204
公開(kāi)日2004年10月6日 申請(qǐng)日期2004年1月9日 優(yōu)先權(quán)日2003年1月10日
發(fā)明者梅爾廷·菲舍爾, 梅爾廷 菲舍爾, 烏爾里?！じダ锏吕锟? 希 弗里德里克, 烏多·卡特豪斯, 卡特豪斯 申請(qǐng)人:Atmel德國(guó)有限公司